通信电子线路期末自测题练习精选
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
图示为单调谐回路 谐振放大器原理性 电路和Y参数交流 等效电路
1、解释Y参数交流 等效电路图中各参 数的物理意义
2、给出抽头接入 系数和变压器接入 系数的表达式
3、画出将电路参 数都折算到LC回路 两端时的等效负载 网络
4、求晶体管放大 器的电压增益和本 级放大电路的电压 增益表达式
反馈振荡器的基本组成及相应条件
? 基本组成
– 使反馈振荡器能够产生持续的等幅振荡,必须 满足振荡的起振条件、平衡条件和稳定条件, 它们是缺一不可的。因此,反馈型正弦波振荡 器应该包括:放大电路、正反馈网络、选频网 络、稳幅环节与稳相环节。
? 相应条件
振荡器的平衡条件
A(w) ?F (w) ? 1 振幅平衡条件
? a (w) ? ? f (w) ? 2nπ 相位平衡条件
a
该非线性电子器件工作于线性 时变状态?并给出分析理由。
b a b
? 当Vom>>Vsm 时,可以采用时
0
v BE
变参量分析法,即该非线性电子器
0
v BE
件工作于线性时变状态。如图所示,
通常本振电压Vom 比输入调幅信
号Vim 大得多,故可将本振电压看
pc
?
C3 C1 ? C3
克拉泼电路
f? 1
2? LC
C?
1?
1 1?
1
? C4
C1 C2 C3
西勒电路
? 部分接入提高Q值的物理解释 无论是信号源还是负载电阻上的电压,
都比回路两端电压小,只是回路两端电 压的一部分。则耗能相对减小,贮能相 对增大,Q值得以提高。
●器件工作状态的选择 根据器件在信号一周期内导通时间的相对长短,
文 主
的特点结合起来,兼有频率稳定度与准确度高,而且
编 改换频率方便的优点呢 ?
高
等 教
频率合成技术,就能满足上述要求。
育
出
版
社
《
高 简述锁相环路与自动频率微调的工作过程
频
电
子
线 路
fR ? fV ? ? ? 常数
》
(
第
四
版
)
张
肃
文
主
编
高 等 教 育 出 版 社
fi ? ? f
End
如图所示放大电路原理图与转移特性曲线和集电极电流波形, 该放大电路为那类电路?试简要分析该电路工作原理。
如图示放大电路的集电极电流波形,其放大电路分别称为那类电路?
●器件工作状态的选择 根据器件在信号一周期内导通时间的相对长短,
可以将管子的工作状态分为甲、乙、丙、甲乙类。 用导通角θ表示:
θ=180o :全周导通----甲类 θ=90o : 半周导通----乙类 90o <θ<180o :多半周导通----甲乙类 θ<90o: 少半周导通----丙类
wt
《
高
频
电
子 高频功放的负载特性
线
路 》
当VCC 、VBB 、Vbm 不变时,动态特性曲线与负载 RP 的关系。
( 第
临界区
四 版 ) 张
iC ?
gC
iC
iCmax
iC
gcr
v bemax
?
? ?
?
欠压区
肃
文 主 编
? ? -VBB
??C
VBZ
v? ?C BE
?C
高
v be
?
过
gd
?C
压
区 Vces
极—基极之间 (Zbc) 回路元件的电抗性 质相反。
右图所示电路能否组成正弦波振
荡器?属于电容三点式还是电感
三点式?谐振频率为多少?
答:若L1C1支路呈容性,能组成电 容三点式正弦波振荡器
w0 ?
1
( L1
?
L2 )
C1C2 C1 ? C2
f0
?
2?
1 LC
, 其中C
?
1
?
1 1?
1
? C3
C1 C2 C3
《
高
频
电
子
线 路
无线电通信技术的迅速发展,对振荡信号源的要
》 ( 第
求在不断提高。不但要求它的频率稳定度和准确度高, 而且要求能方便地改换频率。石英晶体振荡器的频率
四 版
稳定度和准确度是很高的,但改换频率不方便,只宜
) 张
用于固定频率;
LC振荡器改换频率方便Baidu Nhomakorabea但频率稳
肃 定度和准确度又不够高。能不能设法将这两种振荡器
iB /iC 转移
iC
特性
VBB
理想化
wt
- ?c
0 VBZ
+ ?0c
v be - ?c o +?c
v be
V bm
tw
《
高
频
电
子 高频功放的动态特性
线 路
下面通过折线近似分析法定性分析其动态特性,首先,建
》 (
立由Rp和VCC 、VBB、V bm 所表示的输出动态负载曲线。
第 四
ic
v CE ? VCC ? Vcm cos wt
版 ) 张 肃 文 主 编
高 等 教 育 出 版 社
A
?
gd
Vo v cmin
Vcm1
iC ? gcVbm ?cos wt ? cos? c ?
VCC
?Q
?c
? ? ? ? ?? vce
i
Bco/ si C?
c
转? 移VBB ? VBZ 特性 Vbm
iC
iC
gd
???V??gbgmdgc+-c????vtwV??VVVV0cCcBbccbEBmmmm?????0;VvV0CVE0BZ??理V想VCVC化CCcvvm?b?bee?VVcImcc-mm?c1ccoRoosp+?s??cc c
可以将管子的工作状态分为甲、乙、丙、甲乙类。 用导通角θ表示:
θ=180o :全周导通----甲类 θ=90o : 半周导通----乙类 90o <θ<180o :多半周导通----甲乙类 θ<90o: 少半周导通----丙类
?右图所示电路为晶体管转移
iC
a'
特性曲线及其输入回路所加两
b'
个信号源。当满足什么条件时
起振条件
A(w0 ) ?F (w0 ) ? 1
? a (w0 ) ? ? f (w0 ) ? 2nπ
振荡器的稳定条件
振幅稳定条件 : ?A
?0
?Vom Vom ?VomQ
相位平衡条件: ? ( ? Y
? ? Z ? ? F) ?w
?
?? Z ?w
?
0
右图所示电路, Z1、Z2、Z3应满足什么关 系才能保证可以组成正弦波振荡器? 答:晶体管的集电极—发射极之间 ( Zce ) 和基极—发射极( Zbe )之间 回路元件的电抗性质相同 ; 它们与集电
VCC v ce
?Q
等
Vbm
教
v bemax
育 出
v cemin
版 社
v cemin
问题:高频功放的负载特性曲线是如何定义的? 根据高频功放的负 载特性曲线,放大器有那三种工作状态?其对应的晶体管 分别工作在哪些区?
当VBB 、VCC、VBM 不变时,动态特性曲线与负载的关系。
临界: 晶体管工作刚好不进入饱和区。输出功率最大 ,效率最高 欠压: 晶体管工作不进入饱和区。波形好 ,但输出功率小,效率低,不可取。 过压: 晶体管工作有一段进入饱和区。 ic顶部凹陷,基波电流减小, 输出功率降低,但输出电压稳定