芯片和键合考题
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案2025年
2025年招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体工艺中，使用多种类型的光刻胶，其中最常用于大规模集成电路生产的是（）。
A. GRI-45B. GRI-25C. GRI-46D. GRI-422、MOS（金属-氧化物-半导体）制作技术中，晶体管结构所采用的材料中不包括（）。
A. 金属B. 绝缘体C. 导电材料D. 电阻体3.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的半导体制造流程？A. 氧化B.光刻C. 薄膜沉积D. 清洗4.下列哪种材料是用于制作半导体器件的理想材料？A. 铜B. 锌C. 石墨D. 硅5、以下哪个半导体工艺技术能够实现更小的晶体管尺寸？A、传统CMOS工艺B、FinFET工艺C、GAAFET工艺D、平面晶体管工艺6、在半导体制造过程中，以下哪个步骤是为了提高硅片的纯度？A、扩散B、蚀刻C、清洗D、热处理7、半导体材料中最常用的材料是什么？（）A. 硅（Si）B. 铜（Cu）C. 金（Au）D. 镁（Mg）8、在芯片制造过程中，光刻技术的主要作用是什么？（）A. 去除不需要的材料B. 增加材料的功能性C. 将电路设计图案转移到硅片上D. 加热固化硅片结构9.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的CMOS工艺流程？A. 氧化硅膜沉积B. 光刻C. 切割D. 离子注入 10.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 栅极D. 上述全部二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪个物理现象通常用于提高晶体管开关速度？（）A、短沟道效应B、量子隧道效应C、沟道极化D、多晶硅栅极2、在数字电路中，一种常见的数字缓冲器是 _ 。
（）A、反馈触发器B、D触发器C、三态缓冲器D、差分放大器3.以下关于半导体材料的说法正确的是（）：A. SiC的禁带宽度比 Si 更宽B. GaN的发光效率比 Si 更高C. InGaAs 的电子迁移率比 Si 更快D. ZnSe可以用于制造红光 LED4.在半导体器件制造中，对于离子注入工艺，正确的工作原则包括（）：A. 离子注入可以形成三维空间中的杂质分布B. 注入离子可以改变晶格特性，增强材料强度C. 注入离子能量过高，可能导致晶体缺陷D. 离子注入温度应当尽可能高，以提高注入效率5.半导体芯片制造过程中，哪些步骤通常需要使用光刻技术？A. 芯片设计B. 光刻C. 薄膜沉积D. 金属化6.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 次沟道区D. 栅极7、在半导体的制造过程中，以下哪个工艺步骤不用于清洗晶圆？A. 刻蚀B. 化学机械抛光C. 清洁去毛刺D.湿法沉积8、在半导体制造过程中，以下哪种类型的晶圆对齐是用来确保图案精确地转移到光罩上的？A. 接触式对准B. 深亚微米对准C. 缩放对准D. 光学对准9.在半导体行业中，晶体管通常分为两种类型：双极型晶体管（BJTs）和场效应晶体管（FETs）。
集成电路芯片封装技术复习题
一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。
7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。
8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。
11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。
12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。
14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。
15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解释1、芯片的引线键合技术(3种)是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。
微电子技术基础知识单选题100道及答案解析
微电子技术基础知识单选题100道及答案解析1. 微电子技术的核心是（）A. 集成电路B. 晶体管C. 电子管D. 激光技术答案：A解析：集成电路是微电子技术的核心。
2. 以下哪种材料常用于微电子器件的制造（）A. 钢铁B. 塑料C. 硅D. 木材答案：C解析：硅是微电子器件制造中常用的半导体材料。
3. 微电子技术中，芯片制造工艺的精度通常用（）来衡量。
A. 纳米B. 微米C. 毫米D. 厘米答案：A解析：芯片制造工艺精度通常用纳米来衡量。
4. 集成电路中，基本的逻辑门包括（）A. 与门、或门、非门B. 加法门、减法门C. 乘法门、除法门D. 以上都不对答案：A解析：与门、或门、非门是集成电路中的基本逻辑门。
5. 微电子技术的发展使得计算机的体积越来越（）A. 大B. 小C. 不变D. 随机答案：B解析：微电子技术进步使计算机体积逐渐变小。
6. 以下哪个不是微电子技术的应用领域（）A. 航空航天B. 农业种植C. 通信D. 医疗答案：B解析：农业种植通常较少直接应用微电子技术。
7. 在微电子制造中，光刻技术的作用是（）A. 刻蚀电路B. 沉积材料C. 图案转移D. 检测缺陷答案：C解析：光刻技术主要用于图案转移。
8. 微电子封装技术的主要目的是（）A. 保护芯片B. 提高性能C. 便于连接D. 以上都是答案：D解析：微电子封装技术能保护芯片、提高性能并便于连接。
9. 摩尔定律指出，集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔（）翻一番。
A. 18 个月B. 2 年C. 5 年D. 10 年答案：A解析：摩尔定律表明约每隔18 个月集成电路上晶体管数目翻番。
10. 微电子技术中的掺杂工艺是为了改变半导体的（）A. 电阻B. 电容C. 电导D. 电感答案：C解析：掺杂改变半导体的电导特性。
11. 以下哪种设备常用于微电子制造中的检测（）A. 显微镜B. 示波器C. 扫描仪D. 电子显微镜答案：D解析：电子显微镜常用于微电子制造中的检测。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案(某大型国企)
招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(某大型国企)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、以下哪个选项不属于半导体制造过程中的关键步骤？A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、组装2、在半导体行业中，以下哪个术语用来描述晶体管中用于控制电流流动的导电区域？A、源极B、栅极C、漏极D、基区3、题干：以下关于半导体制造工艺的描述，正确的是：A、光刻工艺是将光刻胶图案转移到硅片上的过程。
B、蚀刻工艺是利用光刻胶保护硅片，通过化学或物理方法去除硅片表面不需要的层。
C、离子注入是将离子直接注入硅片表面，用于掺杂的过程。
D、扩散工艺是通过在硅片表面形成一层光刻胶，然后利用高温使杂质原子扩散到硅片中。
4、题干：在半导体制造过程中，以下哪种缺陷类型对芯片性能影响最为严重？A、表面缺陷B、体缺陷C、界面缺陷D、晶格缺陷5、在半导体制造过程中，以下哪种材料通常用于制造晶圆的基板？A. 石英玻璃B. 单晶硅C. 聚酰亚胺D. 氧化铝6、以下哪种技术用于在半导体器件中实现三维结构，从而提高器件的集成度和性能？A. 厚膜技术B. 硅片减薄技术C. 三维封装技术D. 双极型晶体管技术7、在半导体制造过程中，下列哪种缺陷类型是指由于光刻胶在曝光和显影过程中产生的缺陷？A. 逻辑缺陷B. 光刻缺陷C. 杂质缺陷D. 损伤缺陷8、下列哪种技术用于在硅片上形成纳米级结构的半导体器件？A. 溶胶-凝胶法B. 化学气相沉积法（CVD）C. 离子束刻蚀D. 电子束刻蚀9、以下哪项不属于半导体制造过程中的关键步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、焊接二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、掺杂2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A、晶体管结构B、工艺节点C、材料选择D、功耗控制E、封装设计3、以下哪些技术是现代半导体制造中常用的光刻技术？A. 干法光刻B. 湿法光刻C. 电子束光刻D. 紫外光刻E. 激光直接成像4、下列关于半导体材料掺杂的描述，正确的是：A. N型半导体通过加入五价元素如磷（P）或砷（As）来制造B. P型半导体通过加入三价元素如硼（B）或铟（In）来制造C. 掺杂的目的是增加半导体的导电性D. 杂质原子在半导体中的浓度被称为掺杂浓度E. 掺杂过程会改变半导体的电学性质5、以下哪些技术属于半导体制造过程中常用的光刻技术？（）A. 光刻胶技术B. 具有纳米级分辨率的电子束光刻C. 紫外光光刻D. 平板印刷技术E. 双光束干涉光刻6、以下哪些因素会影响半导体器件的可靠性？（）A. 热稳定性B. 电压应力C. 材料纯度D. 封装设计E. 环境因素7、以下哪些是半导体制造过程中常见的缺陷类型？（）A. 晶圆划痕B. 氧化层破裂C. 线路短路D. 热应力裂纹E. 杂质沾污8、在半导体器件的测试与表征中，以下哪些方法用于评估器件的电气特性？（）A. 频域分析B. 温度特性测试C. 噪声分析D. 瞬态响应测试E. 微观结构分析9、以下哪些是半导体制造过程中常用的物理或化学方法？（）A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 磨光E. 蚀刻三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接将电路图案转移到硅片上的关键步骤。
半导体集成电路封装技术测试试题汇总(李可为版)
半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：半导体集成电路封装技术试题汇总第一章集成电路芯片封装技术1.(P1)封装概念：狭义：集成电路芯片封装是利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体结构的工艺。
广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。
2.集成电路封装的目的：在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。
3.芯片封装所实现的功能：①传递电能，②传递电路信号，③提供散热途径，④结构保护与支持。
4．在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数：性能，尺寸，重量，可靠性和成本目标。
5.封装工程的技术的技术层次？第一层次，又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。
第二层次，将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。
第三层次，将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。
第四层次，将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。
6.封装的分类？按照封装中组合集成电路芯片的数目，芯片封装可分为：单芯片封装与多芯片封装两大类，按照密封的材料区分，可分为高分子材料和陶瓷为主的种类，按照器件与电路板互连方式，封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。
依据引脚分布形态区分，封装元器件有单边引脚，双边引脚，四边引脚，底部引脚四种。
常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装，双边引脚元器件有双列式封装小型化封装，四边引脚有四边扁平封装，底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。
半导体芯片制造工半导体芯片制造高级工考点模拟考试
半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考点模拟测试测试时间：120分钟测试总分：100分遵守考场纪律,维护知识尊严,杜绝违纪行为,保证测试结果公正.1、问做题简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？此题答案：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除此题解封析：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除去并得到所需I 图形的工艺.I 2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何I 图形,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中央，I为后面的刻蚀和离子注入做准备.决定了芯片的性能,成品率,可靠性.I 2、填空题⅛铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接,甚至根本无法实现焊接的原因是铝的外表在空气中极易生成一层〔〕，它们阻挡了铝原子之间的紧密接触,达不到原子之间引力范围的间距.此题答案：氧化物此题解析：氧化物3、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成.底盘、管帽和引线的材料常常是1〕∙A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐4、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛限制、温度限制和密封腔体内〔J控制.此题答案：湿度此题解析：湿度5、单项选择题双极晶体管的lc7r噪声与〔〕有关.A.基区宽度B.外延层厚度C.外表界面状态此题答案：C此题解析：暂无解析6、问做题什么叫晶体缺陷？此题答案：晶体机构中质点排列的某种不规那么性或不完善性.又称晶格缺此题解析：晶体机构中质点排列的某种不规那么性或不完善性.又称晶格缺陷.7、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是〔〕和〔〕.此题答案：平均投影射程；平均投影标准差此题解析：平均投影射程；平均投影标准差8、填空题禁带宽度的大小决定着〔〕的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化.此题答案：电子从价带跳到导带此题解析：电子从价带跳到导带9、单项选择题变容二极管的电容量随〔〕变化∙A.正偏电流B.反偏电压C结温此题答案：B10、填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有〔〕〔〕〔〕隔离等三种基本方法.此题答案：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合此题解析：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合11、问做题洁净区工作人员应注意些什么？此题答案：保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来此题解析：保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来提去，人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝,禁止用手表,首饰,指甲油，吸烟,化妆,工作只能在洁净面上进行.12、单项选择题塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有〔J、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间∙A.准备工具B.准备模塑料C.模塑料预热此题答案：C此题解析：暂无解析13、问做题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？此题答案：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率,低此题解析：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率,低欧姆接触电阻；3、在半导体和金属之间有很好的附着水平；4、抗电迁水平强；5、在很薄和高温下具有很好的稳定性；6、抗侵蚀和抗氧化性好.7、具有高的导电率和纯度.8、与下层存底〔通常是二氧化硅或氮化硅〕具有良好的粘附性.9、与半导体材料连接时接触电阻低.10、能够淀积出均匀而且没有空洞的薄膜,易于填充通孔.Ilv易于光刻和刻蚀,容易制备出精细图形.12、很好的耐腐蚀性.13、在处理和应用过程中具有长期的稳定性.14、单项选择题在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2%（质量比〕的硝化纤维素溶解于98%（质量比〕的醋酸异戊酯或松油醇中制得,再将20%的运载剂与〔J的玻璃料均匀混合,配成印刷浆料.A.80%~90%B.10%~20%C.40%-50%此题答案：A此题解析：暂无解析15、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请,经党支部委员会同意,可以少交或免交.此题答案：对此题解析：暂无解析16、单项选择题溅射法是由〔〕轰击靶材外表,使靶原子从靶外表飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜∙A.电子B.中性粒子C.带能离子此题答案：C此题解析：暂无解析17、填空题延生长方法比拟多,其中主要的有〔J外延、〔〕外延、金属有机化学气相外延、外延、原子束外延、固相外延等.此题答案：化学气相；液相；分子束此题解析：化学气相；液相；分子束18、单项选择题恒定外表源扩散的杂质分布在数学上称为〔〕分布.A.高斯B.余误差C指数此题答案：B此题解析：暂无解析19、单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠〔〕封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素.A.管帽变形B.镀金层的变形C.底座变形此题答案：B此题解析：暂无解析20、填空题最常用的金属膜制备方法有〔J加热蒸发、〔〕蒸发、C〕.此题答案：电阻；电子束；溅射此题解析：电阻；电子束；溅射21、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线，〔〕做绝缘和密封.A.塑料B.玻璃C金属此题答案：B此题解析：暂无解析22、单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为（〕∙A.小于0.1mmB.0.5"2.0mm匚大于2.0mm此题解析：暂无解析23、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价〔J的重要标志.A.扩散层质量B.设计C.光刻此题答案：A此题解析：暂无解析24、填空题硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液.碑化像片用〔J系、氢氧化氨系蚀腐蚀液. 此题答案：硫酸此题解析：硫酸25、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类.半导体器件的粘封工艺一般选用〔〕∙A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂此题答案：B此题解析：暂无解析26、单项选择题双极晶体管的高频参数是[].A.hFEVcesB.BVceC.ftfm此题答案：C此题解析：暂无解析27、填空题二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温〔〕、〔J淀积、PECVD淀积.此题答案：氧化；气相此题解析：氧化；气相28、填空题钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为〔〕、〔〕等.此题答案：导电胶粘接；银浆烧结此题解析：导电胶粘接；银浆烧结29、填空题如果热压楔形键合小于引线直径L5倍或大于3.。
1+X集成电路理论试题库(附答案)
1+X集成电路理论试题库（附答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、进行料盘包装时，一个内盒中通常装有( )袋真空包装完的料盘。
A、1B、2C、3D、4正确答案：A答案解析：进行料盘包装时，-个内盒中通常装有1袋真空包装完的料盘。
2、使用转塔式分选设备进行芯片测试时，其测试环节的流程正确的是（）。
A、测前光检→测后光检→测试→芯片分选B、芯片分选→测前光检→测后光检→测试C、测前光检→测试→测后光检→芯片分选D、测前光检→测后光检→芯片分选→测试正确答案：C3、点银浆时，银浆的覆盖范围需要（）。
A、小于50%B、大于50%C、大于75%D、不小于90%正确答案：C答案解析：引线框架被推至点银浆指定位置后，点胶头在晶粒座预定粘着晶粒的位置点上定量的银浆（银浆覆盖范围>75%）。
4、载带的预留长度一般是( )。
A、10-30cmB、30-50cmC、70-90cmD、50-70cm正确答案：D5、下列语句的含义是（）。
A、-> OUT &= 0X00FF;B、-> OUT |= 0X0F00;C、GPIOB低八位端口，高四位为低，低四位为高D、GPIOB低八位端口，高四位为高，低四位为低E、GPIOB高八位端口，高四位为低，低四位为高F、GPIOB高八位端口，高四位为高，低四位为低正确答案：C6、下列选项中，（）是封装工艺中不涉及的工序。
A、第一道光检B、第二道光检C、第三道光检D、第四道光检正确答案：A答案解析：封装工艺中，第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观检查，是否有出现废品（崩边等情况）。
引线键合完成后要进行第三道光检，主要是为了检查芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。
切筋成型之后需要进行第四道光检，针对后段工艺的产品进行检查、剔除。
7、解决铝尖刺的方法有（）。
A、在合金化的铝中适当地添加铜B、采用三层夹心结构C、在合金化的铝中适当地添加硅D、采用“竹节状”结构正确答案：C答案解析：解决铝尖刺的方法有在合金化的铝中适当地添加硅。
1+X集成电路理论模拟试题+参考答案
1+X集成电路理论模拟试题+参考答案一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.晶圆烘烤时长一般为( )分钟。
A、1B、5C、10D、20正确答案：B答案解析：晶圆烘烤长一般为5分钟。
烘烤时间太长会导致墨点开裂，时间太短可能会使墨点不足以抵抗后续封装工艺中的液体冲刷，导致墨点消失。
2.低压化学气相淀积的英文缩写是（）。
A、APCVDB、PECVDC、LPCVDD、HDPCVD正确答案：C答案解析：APCVD是常压化学气相淀积；PECVD是等离子体增强型化学气相淀积；LPCVD是低压化学气相淀积；HDPCVD是高密度等离子体化学气相淀积。
3.一般来说，( )封装形式会采用转塔式分选机进行测试。
A、LGA/TOB、LGA/SOPC、DIP/SOPD、QFP/QFN正确答案：A答案解析：一般来说，LGA/TO会采用转塔式分选机进行测试，DIP/SOP 会采用重力式分选机进行测试，QFP/QFN会采用平移式分选机进行测试。
4.在一个花篮中有片号10/15/20/25的晶圆，其中片号为15的晶圆需放在花篮编号为( )的沟槽内。
A、10B、15C、20D、25正确答案：B答案解析：导片时需保证晶圆片号与花篮编号一致。
因此，片号为15的晶圆需放置在花篮编号为15的沟槽内。
5.塑封一般采用（）为塑封料。
A、热塑性塑料B、人工催化塑料C、热固性塑料D、芳烃类塑料E、结晶性塑料正确答案：C6.以全自动探针台为例，在上片时，将花篮放在承重台上后，下一步操作是( )。
A、前后移动花篮，确保花篮固定在承重台上B、按下降的按钮，承重台和花篮开始下降C、花篮下降到指定位置，下降指示灯灭D、合上承重台上的盖子正确答案：A答案解析：以全自动探针台为例，上片时，将花篮放在承重台上后，前后移动花篮，将花篮固定在承重台上。
7.料盘打包时,要在料盘的()个地方进行打包。
A、1B、2C、3D、4正确答案：C答案解析：料盘打包时，要在料盘的3个地方进行打包。
半导体芯片制造工考试试题
半导体芯片制造高级工考试试题•一、填空题• 1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
• 2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。
砷化镓片用( 硫酸)系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
• 3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
• 4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。
• 5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、( 银浆烧结)等。
• 6. 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般( 大于)同类电极系统的楔刀焊接。
•7. 芯片焊接质量通常进行镜检和( 剪切强度)两项试验。
•8. 如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合( 不合格)。
•9. 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内( 湿度)控制。
•10 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而( 可靠性)设计也包含在这三部分中间。
•11. 厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，( 氧化铍陶瓷)，氮化铝(A1N)陶瓷。
•12.微波混合集成电路是指工作频率从300 MHz～100 kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和( 集总参数)微波混合集成电路两类。
•13.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
•14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。
电子与通信技术：集成电路工艺原理考试资料(题库版)
电子与通信技术：集成电路工艺原理考试资料（题库版）1、问答题简述引线框架材料？正确答案：引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关（江南博哥）键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用。
引线框架材料的要求为：热匹配，良好的机械性能，导电、导热性能好，使用过程无相变，材料中杂质少，低价，加工特性和二次性能好。
2、问答题简述MCM的概念、分类与特性？正确答案：概念：将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
分类：MCM-L是采用片状多层基板的MCM、MCM-C是采用多层陶瓷基板的MCM、MCM-D是采用薄膜技术的MCM。
特性：尺寸小、技术集成度高、数据速度和信号质量高、可靠性高、成本低、PCB板设计简化、提高圆片利用率、降低投资风险。
可大幅度提高电路连线密度，增加封装效率；可完成轻、薄、短、小的封装设计；封装的可靠性提升。
3、问答题矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？正确答案：基板：基板要具有良好的电绝G8P-1A4PDC12缘性、导热性和机械强度高等特征。
一般基板的材科多采用高纯度的（96%）AL203陶瓷。
其工艺要求表面平整、划线准确，以确保电阻、电极浆料印制到位。
电极：片式电阻器一般都采用三层电极结构，最内层的是内层电极，它是连接电阻体位于中间层的是中间电极，它是镀镍（Ni）层，也被称为阻挡层，其主要作用是提高电阻器在焊接时的耐热性，避免造成内层电极被溶蚀。
位于最外层的是外层电极，它也被称为可焊层，该层除了使电极具有良好的可焊性外，还可以起到延长电极保存期的作用。
通常，外层电极采用锡一铅（S。
-PB.合金电镀而成。
电阻膜：电阻膜是采用具有一定电阻率的电阻浆料印制在陶瓷基板上，然后再经过烧结而成的厚膜电阻。
保护层：保护层位于电阻膜的外部，主要起保护作用。
它通常可以细分为封包玻璃保护膜、玻璃釉涂层和标志玻璃层。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案
招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体器件中，以下哪个材料是制作晶体管的最佳选择？A、硅（Si）B、锗（Ge）C、砷化镓（GaAs）D、碳化硅（SiC）2、在半导体工艺中，以下哪个步骤用于形成晶体管的有源区？A、光刻B、扩散C、蚀刻D、离子注入3、题干：在半导体制造过程中，下列哪种设备用于在硅片上形成绝缘层？A. 溶胶-凝胶法B. 气相沉积法C. 化学气相沉积法D. 离子注入法4、题干：下列哪种材料在制造芯片时用作硅片的基板？B. 蓝宝石C. 硅D. 玻璃5、题干：在半导体制造过程中，以下哪个步骤是用于形成晶体管的沟道区域？A. 源极/栅极/漏极扩散B. 化学气相沉积（CVD）C. 光刻D. 离子注入6、题干：以下哪个选项不是半导体器件性能退化的主要因素？A. 氧化B. 金属污染C. 温度D. 磁场7、以下哪种技术不属于半导体制造中的光刻技术？A. 具有曝光光源的接触式光刻B. 具有投影光源的接触式光刻C. 具有曝光光源的投影式光刻D. 具有投影光源的扫描式光刻8、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是用来形成半导体器件中的掺杂层的？A. 离子注入B. 化学气相沉积D. 硅烷刻蚀9、在半导体制造过程中，下列哪一种工艺主要用于晶体管的掺杂？A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 光刻 10、以下哪一项不是半导体芯片制造过程中的关键环节？A. 材料制备B. 设备测试C. 晶圆加工D. 封装测试二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 沉积C. 刻蚀D. 化学气相沉积E. 离子注入2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A. 电路设计B. 材料选择C. 制造工艺D. 封装技术E. 电源电压3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？A. 光刻B. 溅射C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 硅片切割4、以下哪些是影响半导体器件性能的主要因素？A. 杂质浓度B. 静电放电C. 温度D. 电压E. 射线辐照5、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 硅片切割E. 激光打标6、在芯片设计过程中，以下哪些工具或方法有助于提高设计效率？A. 逻辑综合B. 硅基模拟C. 动态仿真D. FPGA原型E. 硅验证7、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A. 光刻B. 刻蚀C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 线宽控制8、以下哪些因素会影响芯片的性能？（）A. 集成度B. 电压C. 温度D. 材料E. 制造工艺9、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 晶圆切割E. 热处理 10、以下哪些是影响半导体器件性能的关键参数？（）A. 集电极电压B. 跨导C. 开关速度D. 噪声电压E. 耗散功率三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。
半导体或芯片岗位招聘笔试题及解答(某世界500强集团)
招聘半导体或芯片岗位笔试题及解答(某世界500强集团)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、下列关于半导体材料的描述，错误的是：A、半导体材料在室温下的导电性介于导体和绝缘体之间。
B、常见的半导体材料有硅、锗等。
C、半导体材料的导电性可以通过掺杂来调节。
D、半导体材料在高温下的导电性会降低。
2、在半导体芯片制造过程中，以下哪个步骤是为了提高芯片的集成度？A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积3、以下哪种类型的晶体管是现代半导体器件中应用最为广泛的？A、双极型晶体管（BJT）B、金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）C、隧道晶体管（Tunnel FET）D、光晶体管（Phototransistor）4、在半导体制造过程中，用于去除硅片表面杂质的工艺是？A、光刻（Photolithography）B、蚀刻（Etching）C、离子注入（Ion Implantation）D、化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）5、在半导体制造过程中，以下哪种设备用于在硅片表面形成绝缘层？A. 离子注入机B. 化学气相沉积（CVD）设备C. 离子束刻蚀机D. 线宽测量仪6、在芯片设计过程中，以下哪个术语描述了晶体管中电子流动的方向？A. 电流B. 电压C. 漏极D. 源极7、以下哪个选项不属于半导体制造过程中的关键步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 钎焊8、以下哪种类型的晶体管在数字电路中应用最为广泛？（）A. 双极型晶体管B. 场效应晶体管C. 双栅场效应晶体管D. 双极型与场效应晶体管的混合结构9、以下哪个选项不属于半导体制造过程中常见的物理气相沉积（PVD）技术？A. 真空蒸发B. 离子束刻蚀C. 化学气相沉积D. 热丝蒸发 10、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是为了提高晶圆的表面平整度？A. 光刻B. 化学机械抛光（CMP）C. 离子注入D. 硅片切割二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、化学气相沉积D、离子注入E、封装2、以下关于芯片设计的描述，正确的是？（）A、芯片设计主要包括逻辑设计、物理设计和验证设计B、逻辑设计关注电路的功能实现，物理设计关注电路的布局和布线C、验证设计确保设计的正确性，通常通过仿真和测试来完成D、芯片设计过程中，设计者需要考虑功耗、性能和面积等因素E、以上都是3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 线宽测量E. 晶圆切割4、以下关于半导体材料的描述中，正确的是？（）A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体芯片制造中级工题库6-1-8
半导体芯片制造中级工题库6-1-8
问题：
[判断题]晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。
（）
A.正确
B.错误
出处：天津11选5 ;
问题：
[判断题]设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能也就越高，对烧结越有利。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。
（）
A.正确
B.错误。
1+X集成电路理论试题及参考答案
1+X集成电路理论试题及参考答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、晶圆扎针测试在测到一定数量时，需要检查扎针情况。
若发现针痕有异常，需如何处理（）。
A、记录测试结果B、继续扎针测试C、重新设置扎针深度或扎针位置D、重新输入晶圆信息正确答案：C2、使用转塔式分选设备进行芯片测试时，芯片在该工位完成操作后，需要进入（）环节。
A、测后光检B、测试C、测前光检D、旋转纠姿正确答案：A3、料盘打包时,要在料盘的()个地方进行打包。
A、1B、2C、3D、4正确答案：C答案解析：料盘打包时，要在料盘的3个地方进行打包。
4、封装工艺中，装片机上料区上料时，是将（）的引线框架传送到进料槽。
A、任意位置B、底层C、顶层D、中间位置正确答案：B5、芯片封装工艺中，下列选项中的工序均属于前段工艺的是（）。
A、晶圆切割、引线键合、塑封、激光打字B、晶圆贴膜、芯片粘接、激光打字、去飞边C、晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接、引线键合D、晶圆切割、芯片粘接、塑封、去飞边正确答案：C答案解析：封装工艺流程中前段工艺包括晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接以及引线键合，后段工艺则包括塑封、激光打字、去飞边、电镀以及切筋成型。
6、采用全自动探针台对晶圆进行扎针调试时，若发现单根探针发生偏移，则对应的处理方式是（）。
A、更换探针测试卡B、调节扎针深度C、利用微调档位进行调整D、相关技术人员手动拨针，使探针移动至相应位置正确答案：D7、( )可以实现探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一一对应。
A、测试机B、探针台C、塑封机D、真空包装机正确答案：B答案解析：探针台可以实现探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一一对应。
8、利用平移式分选设备进行芯片分选时，分选环节的流程是（）。
A、吸嘴吸取芯片→分选→收料B、吸嘴吸取芯片→收料→分选C、分选→吸嘴吸取芯片→收料D、分选→收料→吸嘴吸取芯片正确答案：A9、使用重力式分选机设备进行芯片检测，当遇到料管卡料时，设备会( )。
芯片设计基础知识题库100道及答案(完整版)
芯片设计基础知识题库100道及答案(完整版)1. 芯片设计中，用于描述电路功能和连接关系的语言通常是（）A. C 语言B. 汇编语言C. 硬件描述语言D. Java 语言答案：C2. 以下哪种不是常见的硬件描述语言（）A. VHDLB. VerilogC. PythonD. SystemVerilog答案：C3. 在芯片设计流程中，逻辑综合的主要作用是（）A. 将高级语言描述转换为门级网表B. 进行功能仿真C. 布局布线D. 生成测试向量答案：A4. 芯片的制造工艺通常用（）来表示A. 纳米B. 微米C. 厘米D. 毫米答案：A5. 以下哪个不是芯片设计中的时序约束（）A. 建立时间B. 保持时间C. 恢复时间D. 传播时间答案：D6. 芯片中的存储单元通常使用（）实现A. 触发器B. 计数器C. 加法器D. 减法器答案：A7. 下列哪种工具常用于芯片的功能仿真（）A. ModelSimB. QuartusC. CadenceD. Synopsys答案：A8. 芯片设计中的布线主要是为了（）A. 连接各个电路模块B. 优化芯片性能C. 节省芯片面积D. 以上都是答案：D9. 以下哪种不是常见的数字电路基本单元（）A. 与门B. 或门C. 非门D. 乘法器答案：D10. 在芯片设计中，降低功耗的方法不包括（）A. 降低工作电压B. 减少晶体管数量C. 提高时钟频率D. 采用低功耗工艺答案：C11. 芯片的性能指标通常不包括（）A. 工作频率B. 功耗C. 价格D. 面积答案：C12. 以下哪种不是芯片设计中的验证方法（）A. 形式验证B. 静态验证C. 动态验证D. 随机验证答案：D13. 芯片设计中的可测性设计主要是为了（）A. 提高芯片的可靠性B. 方便芯片测试C. 降低生产成本D. 增强芯片功能答案：B14. 下列哪种不是常见的芯片封装类型（）A. DIPB. BGAC. PGAD. IDE答案：D15. 芯片设计中，时钟树综合的目的是（）A. 优化时钟信号的分布B. 减少时钟偏差C. 降低时钟功耗D. 以上都是答案：D16. 以下哪种不是模拟电路的基本元件（）A. 电阻B. 电容C. 电感D. 触发器答案：D17. 在芯片设计中，面积优化的主要手段不包括（）A. 资源共享B. 逻辑化简C. 增加晶体管尺寸D. 复用模块答案：C18. 芯片中的电源网络主要用于（）A. 提供稳定的电源电压B. 传输信号C. 存储数据D. 控制时钟答案：A19. 下列哪种不是常见的EDA 工具（）A. Mentor GraphicsB. Altium DesignerC. Adobe PhotoshopD. Xilinx ISE答案：C20. 芯片设计中的逻辑优化通常在（）阶段进行A. 前端设计B. 后端设计C. 验证D. 测试答案：A21. 以下哪种不是常见的集成电路制造材料（）A. 硅B. 锗C. 铜D. 铝答案：C22. 在芯片设计中，信号完整性问题主要包括（）A. 反射B. 串扰C. 电磁干扰D. 以上都是答案：D23. 芯片的可靠性设计不包括（）A. 容错设计B. 冗余设计C. 加密设计D. 老化预测答案：C24. 下列哪种不是常见的芯片测试方法（）A. 功能测试B. 性能测试C. 压力测试D. 外观测试答案：D25. 芯片设计中的功耗分析通常包括（）A. 静态功耗分析B. 动态功耗分析C. 漏电功耗分析D. 以上都是答案：D26. 以下哪种不是常见的芯片架构（）A. RISCB. CISCC. DSPD. SQL答案：D27. 在芯片设计中，低功耗设计的策略不包括（）A. 门控时钟B. 多阈值电压C. 增加流水线级数D. 电源门控答案：C28. 芯片中的总线类型通常不包括（）A. 数据总线B. 地址总线C. 控制总线D. 通信总线答案：D29. 下列哪种不是常见的芯片设计流程模型（）A. 瀑布模型B. 迭代模型C. 敏捷模型D. 二叉树模型答案：D30. 芯片设计中的时序收敛主要是指（）A. 满足时序约束B. 优化性能C. 降低功耗D. 减小面积答案：A31. 以下哪种不是常见的数字信号处理算法在芯片中的实现方式（）A. 专用硬件B. 软件编程C. 混合实现D. 机械传动答案：D32. 在芯片设计中，静电防护的措施不包括（）A. 增加保护电路B. 提高工作电压C. 采用防静电材料D. 良好的接地答案：B33. 芯片的封装技术对芯片性能的影响不包括（）A. 散热B. 信号传输C. 成本D. 逻辑功能答案：D34. 下列哪种不是常见的模拟电路设计指标（）A. 增益B. 带宽C. 分辨率D. 时钟频率答案：D35. 芯片设计中的布局规划主要考虑（）A. 模块位置B. 布线资源C. 电源分布D. 以上都是答案：D36. 以下哪种不是常见的芯片验证技术（）A. 等价性检查B. 代码审查C. 边界扫描D. 故障注入答案：B37. 在芯片设计中，提高芯片集成度的方法不包括（）A. 减小晶体管尺寸B. 多层布线C. 增加芯片面积D. 三维集成答案：C38. 芯片中的模拟数字转换器（ADC）的主要性能指标不包括（）A. 转换精度B. 转换速度C. 功耗D. 存储容量答案：D39. 下列哪种不是常见的数字电路设计风格（）A. 行为级B. 结构级C. 物理级D. 生物级答案：D40. 芯片设计中的噪声分析主要针对（）A. 电源噪声B. 信号噪声C. 环境噪声D. 以上都是答案：D41. 以下哪种不是常见的芯片测试设备（）A. 逻辑分析仪B. 示波器C. 频谱分析仪D. 显微镜答案：D42. 在芯片设计中，降低时钟抖动的方法不包括（）A. 优化时钟源B. 增加时钟缓冲器C. 提高时钟频率D. 采用锁相环技术答案：C43. 芯片的电磁兼容性设计主要考虑（）A. 抗干扰能力B. 辐射发射C. 传导发射D. 以上都是答案：D44. 下列哪种不是常见的芯片可靠性测试（）A. 高温测试B. 低温测试C. 湿度测试D. 颜色测试答案：D45. 芯片设计中的电源完整性分析主要关注（）A. 电源电压波动B. 电流密度分布C. 地弹噪声D. 以上都是答案：D46. 以下哪种不是常见的芯片加密技术（）A. 对称加密B. 非对称加密C. 哈希函数D. 压缩技术答案：D47. 在芯片设计中，减少信号串扰的措施不包括（）A. 增加线间距B. 屏蔽C. 降低信号频率D. 增加信号强度答案：D48. 芯片中的数字信号处理器（DSP）通常用于（）A. 图像处理B. 音频处理C. 通信D. 以上都是答案：D49. 下列哪种不是常见的芯片设计中的知识产权（IP）核（）A. CPU 核B. GPU 核C. 内存控制器核D. 电池核答案：D50. 芯片设计中的性能评估指标通常不包括（）A. 吞吐量B. 延迟C. 重量D. 资源利用率答案：C51. 以下哪种不是常见的芯片制造工艺步骤（）A. 光刻B. 蚀刻C. 镀膜D. 焊接答案：D52. 在芯片设计中，解决时序违例的方法不包括（）A. 调整逻辑B. 改变布局C. 增加时钟周期D. 减少模块数量答案：D53. 芯片的散热设计主要考虑（）A. 散热器选择B. 风道设计C. 芯片封装D. 以上都是答案：D54. 下列哪种不是常见的模拟集成电路类型（）A. 运算放大器B. 比较器C. 计数器D. 滤波器答案：C55. 芯片设计中的布线拥塞解决方法不包括（）A. 重新布局B. 增加布线层数C. 减少布线资源需求D. 降低工作电压答案：D56. 以下哪种不是常见的芯片设计中的仿真类型（）A. 前仿真B. 后仿真C. 在线仿真D. 离线仿真答案：C57. 在芯片设计中，提高布线效率的方法不包括（）A. 智能布线算法B. 手动布线C. 增加布线资源D. 降低芯片性能答案：D58. 芯片中的锁相环（PLL）主要用于（）A. 时钟生成B. 频率合成C. 相位调整D. 以上都是答案：D59. 下列哪种不是常见的芯片验证语言（）A. SVAB. PSLC. HTMLD. OVL答案：C60. 芯片设计中的可综合代码编写原则不包括（）A. 避免使用不可综合的语法B. 优化代码结构C. 增加注释D. 提高代码可读性答案：C61. 以下哪种不是常见的芯片设计中的优化技术（）A. 逻辑重组B. 时钟门控C. 资源共享D. 颜色调整答案：D62. 在芯片设计中，降低电磁干扰的方法不包括（）A. 滤波B. 屏蔽C. 增加电磁辐射D. 合理布线答案：C63. 芯片的静电放电（ESD）保护主要针对（）A. 输入输出引脚B. 内部电路C. 电源引脚D. 以上都是答案：D64. 下列哪种不是常见的数字电路综合工具（）A. Design CompilerB. SynplifyC. VivadoD. Photoshop答案：D65. 芯片设计中的面积估算方法不包括（）A. 晶体管计数B. 模块面积累加C. 经验公式D. 重量测量答案：D66. 以下哪种不是常见的芯片设计中的时序分析工具（）A. PrimeTimeB. TimeQuestC. ModelSimD. Cadence答案：D67. 在芯片设计中，提高芯片稳定性的方法不包括（）A. 增加冗余电路B. 优化电源管理C. 降低工作温度D. 改变芯片颜色答案：D68. 芯片中的数模转换器（DAC）的主要性能指标不包括（）A. 分辨率B. 建立时间C. 线性度D. 存储容量答案：D69. 下列哪种不是常见的芯片设计中的布局工具（）A. ICCB. EncounterC. QuartusD. Vivado答案：C70. 芯片设计中的功耗估算方法通常不包括（）A. 基于公式计算B. 基于仿真C. 基于实测D. 基于猜测答案：D71. 以下哪种不是常见的芯片设计中的验证平台（）A. UVMB. VMMC. AVMD. WMM答案：D72. 在芯片设计中，减少布线延迟的方法不包括（）A. 缩短布线长度B. 减小线电阻C. 增加线电容D. 提高布线层数答案：C73. 芯片的热分析主要用于（）A. 评估芯片温度分布B. 优化散热设计C. 预测芯片寿命D. 以上都是答案：D74. 下列哪种不是常见的模拟电路仿真工具（）A. HSPICEB. SpectreC. LTspiceD. Python答案：D75. 芯片设计中的逻辑等效性检查主要检查（）A. 前后端设计的逻辑一致性B. 不同版本设计的逻辑一致性C. 不同模块设计的逻辑一致性D. 以上都是答案：D76. 以下哪种不是常见的芯片设计中的故障模型（）A. 固定故障B. 桥接故障C. 颜色故障D. 开路故障答案：C77. 在芯片设计中，提高芯片抗干扰能力的方法不包括（）A. 增加滤波电容B. 优化布线C. 降低电源电压D. 采用屏蔽技术答案：C78. 芯片中的存储器类型通常不包括（）A. SRAMB. DRAMC. ROMD. RAM答案：D79. 下列哪种不是常见的芯片设计中的性能优化策略（）A. 流水线设计B. 并行处理C. 串行处理D. 资源复用答案：C80. 芯片设计中的信号完整性仿真主要包括（）A. 反射仿真B. 串扰仿真C. 电磁兼容性仿真D. 以上都是答案：D81. 以下哪种不是常见的芯片设计中的低功耗技术（）A. 动态电压频率调整B. 多电压域设计C. 增加晶体管数量D. 门控电源答案：C82. 在芯片设计中，解决时钟偏差的方法不包括（）A. 插入缓冲器B. 调整时钟树结构C. 增加时钟频率D. 采用时钟网格答案：C83. 芯片的可靠性评估主要包括（）A. 失效率分析B. 寿命预测C. 故障模式影响分析D. 以上都是答案：D84. 下列哪种不是常见的数字电路测试向量生成方法（）A. 基于算法B. 基于仿真C. 基于模型D. 基于想象答案：D85. 芯片设计中的布线资源评估主要考虑（）A. 布线通道数量B. 过孔数量C. 布线层数D. 以上都是答案：D86. 以下哪种不是常见的芯片设计中的知识产权保护方式（）A. 专利申请B. 版权登记C. 商业秘密保护D. 公开源代码答案：D87. 在芯片设计中，提高模拟电路性能的方法不包括（）A. 采用高性能器件B. 优化电路结构C. 增加电路复杂度D. 进行参数校准答案：C88. 芯片中的控制器通常（）A. 负责数据处理B. 协调各部件工作C. 存储数据D. 进行信号转换答案：B89. 以下哪种不是芯片设计中的布线规则（）A. 线宽限制B. 线间距要求C. 颜色规定D. 布线层数限制答案：C90. 在芯片设计中，时钟树综合时需要考虑的因素不包括（）A. 时钟延迟B. 时钟偏斜C. 时钟频率D. 时钟功耗答案：C91. 芯片的测试覆盖率指标通常不包括（）A. 语句覆盖率B. 分支覆盖率C. 颜色覆盖率D. 条件覆盖率答案：C92. 下列哪种不是常见的芯片设计中的时序优化方法（）A. 寄存器重定时B. 逻辑复制C. 改变电路结构D. 增加芯片面积答案：D93. 芯片设计中的可测试性设计原则不包括（）A. 可观测性B. 可控制性C. 可修复性D. 可装饰性答案：D94. 以下哪种不是常见的芯片设计中的布局约束（）A. 模块间距B. 电源分布C. 布线通道D. 外观美观答案：D95. 在芯片设计中，降低串扰的方法不包括（）A. 增加屏蔽线B. 调整线的走向C. 提高信号幅度D. 减小并行线长度答案：C96. 芯片的故障诊断技术通常不包括（）A. 逻辑分析B. 信号监测C. 外观检查D. 功能测试答案：C97. 下列哪种不是常见的芯片设计中的仿真加速技术（）A. 硬件加速B. 并行仿真C. 模型简化D. 色彩优化答案：D98. 芯片设计中的电源网络设计要点不包括（）A. 降低电源噪声B. 提高电源效率C. 增加电源颜色D. 保证电源稳定性答案：C99. 以下哪种不是常见的芯片设计中的逻辑化简方法（）A. 卡诺图法B. 公式法C. 图形法D. 随机法答案：D100. 在芯片设计中，提高布线资源利用率的方法不包括（）A. 合理规划布线通道B. 减少布线层数C. 优化布线算法D. 随意布线答案：D。
集成电路封装技术考核试卷
9. ABCD
10. BD
11. AB
12. AB
13. ABCD
14. ABC
15. ABC
16. AC
17. ABCD
18. ABC
19. ABCD
20. AC
三、填空题
1.四侧引线扁平封装
2.陶瓷
3.信号传输
4.金线
5.热性能
6.湿热测试
7.助焊剂
8. QFN
9.材料选择
10.基板
四、判断题
D. TO-92
（）
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.集成电路的封装技术中，QFP是指_______。
（）
2.通常情况下，_______封装具有更好的热性能。
（）
3.集成电路封装的主要目的是保护芯片和_______。
（）
4.在引线键合工艺中，_______是常用的键合材料。
B.铜线键合
C.硅铝线键合
D.铁线键合
（）
15.以下哪些封装形式适用于微控制器？
A. QFN
B. QFP
C. PLCC
D. TO-92
（）
16.以下哪些封装材料在制造过程中具有较高的加工性？
A.塑料
B.陶瓷
C.金属
D.玻璃
（）
17.以下哪些是倒装芯片封装的优点？
A.提高电性能
B.提高热性能
C.降低封装成本
集成电路封装技术考核试卷
考生姓名：答题日期：得分：判卷人：
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.集成电路封装技术中，最常用的引线键合方式是以下哪一种？
半导体芯片制造中、高级工考试题
半导体芯片制造中、高级工考试题1、填空（江南博哥）大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。
解析：复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列2、单选人们规定：（）电压为安全电压.A.36伏以下B.50伏以下C.24伏以下答案：A3、问答题对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。
解析：（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。
采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN 结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。
（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。
因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。
同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。
4、填空在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。
解析：划片槽5、填空半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。
比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。
解析：半导体；化合物6、问答题叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。
解析：在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，长大成为单晶层。
化学方程式如下：7、填空化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
解析：酸性；氧化性8、问答题集成电路封装有哪些作用？解析：（1）机械支撑和机械保护作用。
（2）传输信号和分配电源的作用。
（3）热耗散的作用。
（4）环境保护的作用。
9、填空外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
解析：化学气相；液相；原子束外延10、填空半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。
1+X集成电路理论练习题库含参考答案
1+X集成电路理论练习题库含参考答案一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.进行芯片检测工艺的芯片外观检查时，将工作台整理干净后，根据物流提供的（）到待检查品货架上领取待外检的芯片。
A、中转箱号B、晶圆测试随件单C、芯片名称D、芯片测试随件单正确答案：A2.在Altium Designer软件设计完电路图后，设计制作样品电路需要用到的文件是（）。
A、BOMB、PCBC、ICTD、Gerber正确答案：A3.平移式分选机设备分选完成后，进入( )环节。
A、上料B、测试C、外观检查D、真空入库正确答案：C答案解析：平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→外观检查→真空包装。
4.晶圆检测工艺中，进行晶圆烘烤时，温度一般设置在（）℃。
A、120B、110C、150D、130正确答案：A5.封装工艺的电镀工序中，完成前期的清洗后，下一步操作是（）。
A、高温退火B、装料C、后期清洗D、电镀正确答案：D6.使用转塔式分选设备进行芯片测试时，其测试环节的流程正确的是（）。
A、芯片分选→测前光检→测后光检→测试B、测前光检→测后光检→测试→芯片分选C、测前光检→测试→测后光检→芯片分选D、测前光检→测后光检→芯片分选→测试正确答案：C7.在原理图编辑器内，执行Tools→Footprint Manager命令，显示（）。
A、工程变更命令对话框B、Messages窗口C、Navigator面板D、封装管理器检查对话框正确答案：D8.减薄工艺的正确流程是（）。
A、清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗B、清洗→上蜡粘片→原始厚度测量→压片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗C、清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗D、清洗→原始厚度测量→上蜡粘片→压片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗正确答案：D9.封装按材料分一般可分为塑料封装、（）和陶瓷封装等。
键合技术员3级试卷
工号_______ 姓名_________ 日期__________ 得分__________键合技术员3级试卷一，填空题（共26分）1， Auto Unclamp (自动打开夹具)设定为ON,目的是2， NSOP sensitivity 是对 （第一焊点/第二焊点）的侦测，较高的设定值可提高对 （NSOP/NSOL ）的检测能力。
3, 指出下图中，Shape Factor 参数从大到小排列的是 ， ， ；4，Iconn/Connx 设备上的Tensioner 装置中四段陶瓷管的安装顺序是（从上至下） 、 、 、 。
5.3100-M04-PDFN2*2产品到键合时，键合应注意一下2点:、 。
6.指出下图中的劈刀（其它劈刀参数均同））的TIP 从大到小排列的是 ， ， ， ；(每空2分）A DADA7.指出下图中的劈刀（其它劈刀参数均同））的FA从小到大排列的是，，；(每空2分）A,二，不定项选择题（每题2分）1．若键合时NSOL假报警频繁，可以尝试的解决方法有:A. 清洁线夹B. 适当减小NSOL SENSITIVITY设定值C. 检查金丝回路是否有短路D. 将报警关掉2. 下列键合参数中与1st球形及剥离强度无关的参数是：A．功率（POWER） B．时间（TIME） C．弧度（LOOP） D．压力（FORCE）3. force equ factor含义A．X方向的压力补偿 B．Y方向的压力补偿C．Z方向的压力补偿 D．X方向的功率补偿4．键合整体高度是指A．引线脚到线弧最高点的距离 B．芯片表面到线弧最高点的距离C．载片台表面到线弧最高点的距离 D．塑封体上模高度5.关于补焊，下列说法错误的是___;A.补焊前需将原焊线拔掉B.MOSFET产品gate区不允许焊C.同一压焊块上补焊的次数不受限制D.138客户产品允许补焊一次6.不可能引起NSOP的原因为（）A.芯片不良B.金丝沾污C.检测回路异常D.劈刀不匹配7.有关金丝弧形的判断描述描述错误的是:A.金丝的弧度应圆滑B.人为造成的金丝变形为不良品C.金丝反弧小一点没有关系D.金丝弧形应无明显的弯曲变形,变形角度大于90度8.制品在金线键合作业过程中有打洞现象，以下调整方法最不恰当的是（）A.减小工率，压力不变B.加大功率，压力不变C.加大压力，减小功率D.减小功率，减小压力9.以下空气球的外观照片中，合格的为：10.键合参数中与1st球形及剥离强度无关的是（）Ａ.ＰｏｗｅｒＢ.ＴｉｍｅＣ.ＬＯＯＰＤ.Ｆｏｒｃｅ三．简答题，（共54分）1，如何预防键合塌丝？（15分）答：2.指出下图是何异常？你认为有哪方面的因素有影响？怎样去杜绝？(15分）答:3..指出图中的字母各代表劈刀的哪个部位（共５个）（10分）？EDAA: B: C: D: E:4.UPH是什么含义？指出影响UPH的焊接参数有哪些？（14分）答:。
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芯片和键合考题
一、粘片
1、芯片质量检验
采用目检的方法，可以检验出芯片中存在的掩膜缺陷、金属化层缺陷、绝缘电阻以及在各金属化层布线之间、引线之间或引线与芯片边缘之间的缺陷、扩散和钝化层缺陷、划片和芯片缺陷。
2、芯片粘接剪切强度与器件可靠性的关系
1）芯片剪切强度小，粘接机械强度低，器件的耐机械冲击、耐振动、耐离心加速度的能力就小，严重时在进行上述试验时会使芯片脱落，造成器件致命性失效。
2）器件的内热阻会增大。
3）耐热冲击和温度循环能力差，间歇工作寿命（抗热疲劳、热循环次数）小。
4）通常芯片剪切强度差，热阻大，结温高，也会造成器件电性能变差。
3、影响芯片粘接剪切强度的因素
芯片在剪切力作用下可能发生断裂的界面和材料如图所示
硅片
芯片背面金属化层
底座镀层
底座
图1芯片可能发生断裂的界面和材料
只有经检验确定剪切试验时断裂面两边材料的性质，才能找到剪切强度低和剪切力分散的原因，继而找出解决办法。
可能发生断裂或脱层的材料为下列5种：
1）硅片。
脆性材料，易裂。
2）芯片背面多层金属层。
很薄的多层金属材料，工艺不良时易分层。
3）芯片焊层（粘接层）。
4）底座镀层。
5）底座。
正常情况下，这些材料的抗剪强度都大于芯片粘接剪切强度的要求。
可能发生断裂或脱层的材料界面为下列5种：
1）硅芯片与芯片背面多层金属层之间。
2）芯片背面多层金属层内各金属层之间。
3）芯片背面金属层与焊层之间。
4）芯片焊层与底座镀层之间。
5）底座镀层与底座基材之间。
剪切强度低的器件，断裂通常发生在材料的界面。
4、芯片装配通用工艺文件和管芯粘片、键合检验工艺文件。
二、键合
1、键合线和键合点的形状、位置检测
2、影响引线键合强度的一些主要因素
影响引线键合强度的因素很多，但主要是键合界面和键合系统参数的调整。
1）键合表面的洁净度
因为引线键合是原子间键合、共价键或互扩散粘接。
所以键合丝和管芯上铝压焊块或外壳压焊点表面的氧化层和吸附层会严重影响键合强度。
两个表面的原子间的高强度原子键合，需要两个原子级的清洁表面。
因此，从芯片、外壳、键合丝的生产过程、包装、储存和使用前的清洗和表面处理等，都要特别注意。
尤其是千万不能用手指去直接接触外壳和引线。
为了获得新鲜、洁净的表面，最好在压焊前对芯片和外壳压焊面采用超声清洗和等离子清洗。
待用的管芯、引线丝和外壳应存放在充氮气的气柜中。
2）参数的调整
超声波频率、功率、外加应力、作用时间等要和所用的外壳、引线丝性能匹配。
三、操作准备
对VJK3G进行装配，抽取样品进行键合拉力测试和芯片剪切力测试，然后计算SPC。
芯片粘接要求采用点胶机进行点胶，然后粘片。
点胶机只有一台，采取抽签决定点胶的先后顺序。
芯片的分装请提前准备，工具自行准备。
微波研究一所粘片和键合培训教材
劳动竞赛考卷
姓名工位号考分
一、判断题，共15分（粘片和键合操作者）
1.采用目检的方法，不能检验出芯片中存在的掩膜缺陷、金属化层缺陷、绝缘电阻以及在各金属化层布线之间、引线之间或引线与芯片边缘之间的缺陷、扩散和钝化层缺陷、划片和芯片缺陷。
（）
2.当管芯装在带线上时，导电胶溢出带线边缘不能超过0.1mm。
（）
3.管芯串联于微带线上时，管芯应与边缘对齐，允许略微缩进，但不能缩进
0.2mm。
（）
二、选择题，共5分（粘片和键合操作者）
1. 球焊设备的"焊接设置"选项通常是由操作者使用的。
下面是（）选项编程是可获得的选项。
A. 打火前升起的高度(Lift before torch)
B.超声功率
C.超声时间
D.凸丝(LOOP)高度
三、填空题，共45分（粘片和键合操作者）
1.对关键工艺采用统计过程控制技术，简称（），它已成为保证产品质量和可靠性的一项有效手段。
2、超声楔形键合的键合点线宽为（）倍引线直径，键合点长度为（）倍引线直径，管芯上焊点尾长（）引线直径，引线柱上焊点尾长（）引线直径。
3、金丝球焊键合的键合点直径为（）引线直径。
4、H20E导电胶配比为（）。
5、18um金丝最小键合强度（），25um金丝最小键合强度（）。
四、简答题，共35分
1、影响芯片粘接剪切强度的因素。
（限粘片操作者）
2、影响引线键合强度的因素。
（限键合操作者）。