MOSFET温升计算方法
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FSP060-2P06溫升測試Q10 Mosfet的Rds(on)對溫升的影響
Mosfet: STP10NK60Z 10A/600V; 當Vgs:10V,Id:4.5A 時Rds(on): 0.75 ohm Rjc:1.09'C/W 在90Vac max load, input power:74.7W 而AMB為28.9'C時溫升為: 82.3' C
82.3℃+1.08A2×0.75Ω×1.09℃/W+50℃-28.9℃=104.35℃
Mosfet: SSP10N60B 9A/600V; 當Vgs:10V,Id:4.5A 時Rds(on): 0.80 ohm Rjc:0.8'C/W
在90Vac max load, input power:74.8W 而AMB為30.1'C時溫升為: 76.2' C
76.2℃+1.08A2×0.80Ω×0.8℃/W+50℃-30.1℃=96.85℃
從以上結果看Rds(on)越小溫升越差
實驗結果與理論推算的Rds(on)越小溫升越好的結論則剛好是相反的