模拟电子技术模电课后习题含答案第三版
模拟电子技术基础第三版课后答案
-习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。
解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术第三版详细答案
第三章
自测题
一、(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√
二、(1)A A(2)D A(3)B A(4)D B(5)C B
三、(1)B D(2)C(3)A(4)A C(5)B(6)C
四、(1)IC3=(UZ-UBEQ3)/Re3=0.3mAIE1=IE2=0.15mA
4.16T1-共射电流的放大管,T2和T3-互补输出级,T4、T5、R2-消除交越失失真。
4.17(1)u11为反相输入端,u12为同相输入端。
(2)为T1和T2管的有源负载,将T1管集电极电路变化量转换到输出,使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。
(3)为T6设置静态电流,且为T6的集电极有源负载。
5.12
5.13(1)
(2)
图略。
5.14
5.15
图略。
5.16
(3)折线画法,低频段有两个拐点,f<4Hz时幅频特性的斜率为40dB/十倍频,4Hz<f<50Hz时幅频特性的斜率为20dB/十倍频;高频段有一个拐点,f>105Hz时幅频特性的斜率为-40dB/十倍频。图略。
5.17(1)Ce
(2) 所在回路的τ大于 所在回路的τ,第二级的上限频率低。
(4)消除交越失真。
4.18(1)由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5构成。
(2)三级放大电路:
T1~T4-共集-共基差分放大电路,T14~T16-共集-共射-共集电路,T23、T24-互补输出级。
(3)消除交越失真。UBE23+UBE24=UBE20+UBE19
第五章
自测题
一、(1)A(2)B A(3)B A(4)C C
高玉良《电路与模拟电子技术》第3版全部习题答案
第一章 电路的基本概念和基本定律1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U 1=-5V ,U 2=2V ,U 3=U 4=-3V ,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI ;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。
本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向,元件3上电压和电流为关联参考方向,因此P 1=-U 1×3= -(-5)×3=15W ; P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ; P 3=U 3×(-1)=-3×(-1)=3W ; P 4=-U 4×(-4)=-(-3)×(-4)=-12W 。
元件2、4是电源,元件1、3是负载。
1.2 在题 1.2图所示的RLC 串联电路中,已知)V 33t t C e e (u ---= 求i 、u R 和u L 。
解:电容上电压、电流为非关联参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=- 电阻、电感上电压、电流为关联参考方向()34t t R u Ri e e V --==- ()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中,已知I=2A ,求U ab 和P ab 。
解:U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V , 电流I 与U ab 为关联参考方向,因此P ab =U ab I=6×2=12W1.4 在题1.4图中,已知 I S =2A ,U S =4V ,求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率,验证电路的功率平衡。
解:I=I S =2A ,U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ,U S 与I 为关联参考方向,电压源功率:P U =IU S =2×4=8W ,+U 4-题1.1图ba题1.3图+u L-1/题1.2图题1.4图U 与I 为非关联参考方向,电流源功率:P I =-I S U=-2×6=-12W ,验算:P U +P I +P R =8-12+4=01.5 求题1.5图中的R 和U ab 、U ac 。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1_3
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。
如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ,I DO =4mA ,请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oUR i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=LR '=定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ,↓。
u A ↓。
u A ④增大β,则I BQ基本不变u Ai U +oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQ b V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程:10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q l 点处,0.5,CEQ CQ U V I ≈≈解:①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQb V U mA A R μ--==≈=直流负载线方程:10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处,0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ,u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60,V ,R b =530k Ω,R L =5M Ω,试:①估算静态工作点;值;,输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答:①测静态工作点Q :直流稳压电源、万用表(直流电压档):直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
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习题 1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理 想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题 1-2 假设一个二极管在 50℃时的反向电流为 10μ A , 试问它在 20℃和 80℃时的反向电流大约分别为多大?已知 温度每升高 10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在 20℃时的反向电流约为: 2 310 A 1.25 A 在80℃时的反向电流约为: 2310 A 80 A习题 1-3 某二极管的伏安特性如图 (a)所示: ① 如在二极管两端通过 1k? 的电阻加上 1.5V 的电压,如图(b) ,此时二极管的电流 I 和电压 U 各为多少? ② 如将图 (b)中的 1.5V 电压改为 3V ,则二极管的电流和电压各为多少? 解:根据图解法求解 ①电源电压为 1.5V 时 1.5 U II 0.8A, U 0.7V② 电源电压为 3V 时 3 U II 2.2A, U 0.8V 可见,当二极管正向导通后,如电源1.5V 1k? (b)电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题1-4 已知在下图中,u I = 10sinω t (V),R L=1k?,试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波形,并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z、动态电阻r Z以及温度系数α U,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数α U的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1-
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。
如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ,I DO =4mA ,请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b (a)交流通路R e i U +--oU R (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R ⎛⎫'= ⎪NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↓,↑。
u A ,↓。
u A ↓。
u A ④增大β,则I BQ 基本不变,r be ↑,基本不变u AWORD 完美格式编辑i U +--oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=Q 1WORD 完美格式编辑Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ,u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3R b 211k Ω2i U oU +_(b)图P2-7解:①直流负载线方程为:()153CE CC C c e C u V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU ++图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60,V ,R b =530k Ω,R L =5M Ω,试:①估算静态工作点;值;,输入电阻。
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N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。
解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。
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第一章 电路的根本概念和根本定律1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U 1=-5V ,U 2=2V ,U 3=U 4=-3V ,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI ;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。
此题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向,元件3上电压和电流为关联参考方向,因此P 1=-U 1×3= -〔-5〕×3=15W ; P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ; P 3=U 3×〔-1〕=-3×〔-1〕=3W ; P 4=-U 4×〔-4〕=-〔-3〕×〔-4〕=-12W 。
元件2、4是电源,元件1、3是负载。
1.2 在题 1.2图所示的RLC 串联电路中,)V 33t t C e e (u ---= 求i 、u R 和u L 。
解:电容上电压、电流为非关联参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=- 电阻、电感上电压、电流为关联参考方向()34t t R u Ri e e V --==-()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中,I=2A ,求U ab 和P ab 。
解:U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V , 电流I 与U ab 为关联参考方向,因此P ab =U ab I=6×2=12W1.4 在题1.4图中, I S =2A ,U S =4V ,求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率,验证电路的功率平衡。
解:I=I S =2A ,U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ,U S 与I 为关联参考方向,电压源功率:P U =IU S =2×4=8W ,+U 4-题1.1图ba题1.3图+u L-1/题1.2图题1.4图U 与I 为非关联参考方向,电流源功率:P I =-I S U=-2×6=-12W ,验算:P U +P I +P R =8-12+4=01.5 求题1.5图中的R 和U ab 、U ac 。
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模拟电子技术基础第三版课后答案免费习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性~管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好~还是小一些好,答:二极管的正向电阻越小越好~反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零~反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50?时的反向电流为10μA~试问它在20?和80?时的反向电流大约分别为多大,已知温度每升高10?~反向电流大致增加一倍。
,3解:在20?时的反向电流约为:2101.25,,,,AA3在80?时的反向电流约为:21080,,,,AA习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:?如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压~如图(b)~此时二极管的电流I 和电压U各为多少,?如将图(b)中的1.5V电压改为3V~则二极管的电流和电I/mA压各为多少,3+ U -解:根据图解法求解2?电源电压为1.5V时I11.5,,UIIAUV,,0.8,0.71k?1.5V0 0.5 11.52U/V?电源电压为3V时(b)(a)3,,UIIAUV,,2.2,0.8可见~当二极管正向导通后~如电源电压增大~则二极管的电流随之增大~但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中~u= 10sinωt (V)~R=1k?~试IL对应地画出二极管的电流i、电压u以及输出电压u的波DDO形~并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
u/VI10+ u-D0,t++i/mADuiuIDD10RL-- 0(a),tu/VI0,t-1010u/Vo0,t习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性~它的工作电、动态电阻r以及温度系数α~是大一些好还是小一流IZZU些好,愈小~则当稳压管的电流变化时稳压管的答:动态电阻rZ电压变化量愈小~稳压性能愈好。
愈大~一般来说~对同一个稳压管而言~工作电流IZ则其动态内阻愈小~稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗~以免损坏稳压管。
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第一章 电路的基本概念和基本定律1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U 1=-5V ,U 2=2V ,U 3=U 4=-3V ,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI ;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。
本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向,元件3上电压和电流为关联参考方向,因此P 1=-U 1×3= -(-5)×3=15W ; P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ; P 3=U 3×(-1)=-3×(-1)=3W ; P 4=-U 4×(-4)=-(-3)×(-4)=-12W 。
元件2、4是电源,元件1、3是负载。
1.2 在题 1.2图所示的RLC 串联电路中,已知)V 33t t C e e (u ---= 求i 、u R 和u L 。
解:电容上电压、电流为非关联参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=- 电阻、电感上电压、电流为关联参考方向()34t t R u Ri e e V --==- ()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中,已知I=2A ,求U ab 和P ab 。
解:U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V , 电流I 与U ab 为关联参考方向,因此P ab =U ab I=6×2=12W1.4 在题1.4图中,已知 I S =2A ,U S =4V ,求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率,验证电路的功率平衡。
解:I=I S =2A ,U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ,U S 与I 为关联参考方向,电压源功率:P U =IU S =2×4=8W ,+U 4-题1.1图ba题1.3图+u L-1/题1.2图题1.4图U 与I 为非关联参考方向,电流源功率:P I =-I S U=-2×6=-12W ,验算:P U +P I +P R =8-12+4=01.5 求题1.5图中的R 和U ab 、U ac 。
电路与模拟电子技术第三版高玉良课后习题答案
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模拟电子技术基础简明教程(第三版)_课后答案
+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。
解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
1、两个管子都正接。
(1.4V )2、6V 的管子反接,8V 的正接。
模拟电子技术基础第三版习题答案
模拟电子技术基础第三版习题答案第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
(×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
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第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流 其动态电阻:故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
1、两个管子都正接。
(1.4V )2、6V 的管子反接,8V 的正接。
(6.7V)3、8V 的反接, 6V 的管子正接。
(8.7V)4、两个管子都反接。
(14V ) (2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。
1、 两个管子都反接,电压小的先导通。
(6V) 2.、一个正接,一个反接,电压小的先导通。
(0.7V )1.8 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。
试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。
解:稳压管的最大稳定电流: I ZM =P ZM / U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin所以其取值范围为1.9 已知图Pl.9 所示电路中稳压管的稳定电压6ZU V =,最小稳定电流min 5Z I mA =,最大稳定电流max 25Z I mA =。
(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值; (2)若35IU V=时负载开路,则会出现什么现象? 为什么?解:(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时,输出电压才为6V 。
∴V U I 10=时,V U R R R U I LLO 3.3=+=;V U I 15=时,5LO I LR U U V R R ==+;V U I 35=时,11.7LO I Z LR U U V U R R =≈>+,∴VU U Z O 6==。
(2)当负载开路时,mA I mA RU U I Z ZI Z 2529max =>=-=,故稳压管将被烧毁。
1.11 电路如图P1.11(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波形如图(c )所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。
解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、be r 均相等,它们分别为: 空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:6.2CEQ CC CQ c U V I R V=-≈;308cu beR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω; 93beus u be sr A A r R ≈⋅≈-+3L R k =Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为:// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。
2.8在图P2.7所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图P2.8(a )、(b )、(c )所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。
解:(a )饱和失真,增大R b ,减小R c 。
(b )截止失真,减小R b 。
(c )同时出现饱和失真和截止失真,应增大V CC 。
2.10 已知图P2.10所示电路中,晶体管β=100,be r =1.4kΩ。
(1)现已测得静态管压降U CEQ =6V ,估算R b ;(2)若测得i U 和oU 的有效值分别为1mV 和100mV ,则负载电阻R L 为多少? 解:(1)mA R U V I c CECC C 2=-=,A I I C B μβ20/==,∴Ω=-=k I U V R BBECC b 565。
(2)由(//)100o c L ui beU R R A U r β=-=-=-, 可得:2.625L R k =Ω。
图P2.102.13 电路如图P2.13所示,晶体管β=100,b b r '=100Ω。
(1)求电路的Q 点、uA 、i R 和o R ; (2)若改用β=200的晶体管,则Q 点如何变化?(3)若电容C e 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?解:(1)静态分析:e (R ) 5.7CEQ CC EQ cf U V I R R V=-++= 图P2.13动态分析:'26(1)2.73bebb EQmVr r k I β=++≈Ω (2) β=200时,1122b BQCC b b R U V VR R =⋅=+(不变);1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+(不变);51EQ BQ I I A μβ==+(减小); e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V=-++=(不变)。
(3) C e 开路时,(//)// 1.92(1)()c L c Lube e f e fR R R R A r R R R R ββ=-≈-=-++++(减小); 12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω(增大);5o c R R k ==Ω(不变)。
2.12 电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,be r =1kΩ。
(1)求出Q 点; (2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的u A 、i R 和o R 。
解:(1)求解Q 点:图P2.12(2)求解放大倍数和输入、输出电阻:R L =∞时;(1)0.996(1)eu be e R A r R ββ+=≈++R L =3kΩ时;(1)(//)0.992(1)(//)e L ube e L R R A r R R ββ+=≈++输出电阻:////371s b beo e R R r R R β+=≈Ω+2.13 电路如图P2.13 所示,晶体管的β=60 ,'100bb r =Ω。
(1)求解Q 点、uA 、i R 和o R (2)设U s = 10mV (有效值),问?i U =,?o U =若C 3开路,则?iU =,?o U =解:(1) Q 点:uA 、i R 和o R 的分析: 图P2.13 '26(1)952be bb EQmVr r I β=++≈Ω, (//)95c L u be R R A r β=-≈- //952i b be R R r =≈Ω , 3o c R R k ==Ω。
(2)设U s = 10mV (有效值),则3.2ii s s iR U U mV R R =⋅=+;304o u i U A U mV =⋅=若C 3开路,则://[(1)]51.3i b be e R R r R k β=++≈Ω , // 1.5c Lu eR R A R ≈-≈- 9.6ii s s iR U U mV R R =⋅=+,14.4o u i U A U mV =⋅=。
(c) (d)3.6图P3.6所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,'100bb r =Ω,0.7BEQ U V≈。
试求R w 的滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 以及动态参数A d 和R i 。
图P3.6解:R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 分析如下: ∵22WBEQEQ EQ e EE R U I I R V +⋅+= ∴0.51722EE BEQ EQWe V U I mA R R -=≈+动态参数A d 和R i 分析如下:3.7电路如图P3.7所示,T 1和T 2两管的β均为140,be r 均为4kΩ。
试问:若输入直流信号mVu I 201=,mVu I 102=,则电路的共模输入电压?=Ic u 差模输入电压?=Id u 输出动态电压?=∆ou解:电路的共模输入电压IC u 、差模输入电压Id u 、差模放大倍数d A 和动态电压O u ∆分别为:12152I I ICu u u mV +==;1210Id I I u u u mV =-=1752cd beR A r β=-≈-; 1.75O d Id u A u V∆==-4.1根据下列要求,将应优先考虑使用的集成运放填入空内。
已知现有集成运放的类型是:①通用型 ②高阻型 ③高速型 ④低功耗型 ⑤高压型 ⑥大功率型 ⑦高精度型(1)作低频放大器,应选用( ① )。
(2)作宽频带放大器,应选用( ③ )。
(3)作幅值为1μV 以下微弱信号的量测放大器,应选用( ⑦ )。
(4)作内阻为100k Ω。
信号源的放大器,应选用( ② )。
(5)负载需5A 电流驱动的放大器,应选用( ⑥ )。
(6)要求输出电压幅值为±80V 的放大器,应选用( ⑤)。
(7)宇航仪器中所用的放大器,应选用( ④ )。
6.1选择合适答案填入空内。
(1)对于放大电路,所谓开环是指( B )。
A.无信号源B.无反馈通路C.无电源D.无负载 而所谓闭环是指( B )A.考虑信号源内阻B.存在反馈通路C.接入电源D.接入负载 (2)在输入量不变的情况下,若引入反馈后( D ),则说明引入的反馈是负反馈。