瞬态电压抑制二极管符号
TVS瞬态电压抑制二极管(钳位二极管)原理参数
TVS瞬态电压抑制二极管（钳位二极管）原理参数瞬态抑制(TVS)又叫钳位二极管，是目前国际上普遍用法的一种高效能庇护器件，它的外型与一般二极管相同，但却能汲取高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立刻降至极低的导通值，从而允许大通过，同时把电压钳制在预定水平，其响应时光仅为10-12毫秒，因此可有效地庇护线路中的精密元器件。
瞬态电压抑制二极管允许的正向浪涌电流在TA=250C，T=10ms条件下，可达50～200A。
双向TVS可在正反两个方向汲取瞬时大脉冲功率，并把电压钳制到预定水平，双向TVS适用于沟通电路，单向TVS普通用于直流电路。
可用于防雷击、防过电压、抗干扰、汲取浪涌功率等，是一种抱负的庇护器件。
耐受能力用瓦特(W)表示。
瞬态电压抑制二极管的主要电参数(1)击穿电压V(BR) 器件在发生击穿的区域内，在规定的实验电流I(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。
(2)最大反向脉冲峰值电流IPP在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。
IPP与最大钳位电压VC(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。
用法时应正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率PPR大于被庇护器件或线路可能浮现的最大瞬态浪涌功率。
瞬态电压抑制二极管的分类瞬态电压抑制二极管可以按极性分为单极性和双极性两种，按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特别电路适用的专用型器件。
如：各种沟通电压庇护器、 4~200mA电流环保器、数据线庇护器、同轴电缆庇护器、电话机庇护器等。
若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列(适用多线庇护)、贴片式、组件式和大功第1页共5页。
原理图常用符号
晶 振 石英晶体振荡器
表示符号：X
二端 石英晶体谐振器（晶振）
陶瓷滤波器 表示符号：X
三端 石英晶体谐振器 （晶振）
陶瓷滤波器 表示符号：X
双列集成电路 表示符号：IC 或 U
单列集成电路 表示符号：IC 或 U
运 算放大器
倒相放大器
AND gate 非门
OR gate 或门
NOR gate 或非门 NAND gate 与非门
保险管 表示符号：F
保险管 表示符号：F
变 压器 表示符号：T
永久磁铁电感 表示符号：L
带铁芯电感线圈 表示符号：L
838 电子
继 电器
继 线
电器
路输入端子
按键开关 表示符号:S
双极开关
电池 或直流电源
DC 838 电子
直流
电流源 公共接地端
扬声器 特别重要的
电池 或直流电源
AC 交流
恒压 源
恒流源
原理图常用符号
普通的二极管 表示符号:D
式 大全 变容二极管 表示符号:D838 电子
双向触发二极管 表示符号:D
稳压二极管 表示符号:ZD,D
稳压二
极管 注：单向型 TVS 瞬态电压 抑制二极管也是这个符号表示
符号:ZD,D
桥 式整流二极管 表示符号:D
838 电子 肖特基二极管
隧 道二极管
道二极管
PNP 型三极管 表示符号：Q,VT
型三极管
NPN
表示符号：Q,VT
带阻 尼二极管 NPN 型三极管
表示符号：Q,VT
带 阻尼二极管及电阻 NPN 型三极
管 表示符号：Q,VT
ab126 计算公式大全
TVS瞬态电压抑制二极管(钳位二极管)原理参数
TVS瞬态电压抑制二极管（钳位二极管）原理参数瞬态电压抑制二极管(TVS)又叫钳位二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压钳制在预定水平，其响应时间仅为10-12毫秒，因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。
瞬态电压抑制二极管允许的正向浪涌电流在TA＝250C，T＝10ms条件下，可达50～200A。
双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压钳制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。
可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等，是一种理想的保护器件。
耐受能力用瓦特(W)表示。
瞬态电压抑制二极管的主要电参数（1）击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。
（2）最大反向脉冲峰值电流IPP在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。
IPP与最大钳位电压VC(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。
使用时应正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。
瞬态电压抑制二极管的分类瞬态电压抑制二极管可以按极性分为单极性和双极性两种，按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的专用型器件。
如：各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。
若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列（适用多线保护）、贴片式、组件式和大功率模块式等。
瞬态电压抑制二极管的应用目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/ 直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN 、ADSL、USB、M P3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。
tvs瞬态抑制二极管参数
TVS瞬态抑制二极管参数1. 介绍瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor Diode，简称TVS二极管）是一种用于保护电子电路免受瞬态电压干扰的器件。
它可以有效地抑制过电压和过电流，保护电路中的其他元件不受损坏。
本文将重点介绍TVS瞬态抑制二极管的参数，包括其电气参数、封装参数和可靠性参数。
2. 电气参数2.1 额定电压（Vr）额定电压是指TVS二极管能够正常工作的最大电压。
当电压超过额定电压时，TVS二极管将开始导通，以保护电路免受过电压的影响。
2.2 尖峰脉冲功率（Ppp）尖峰脉冲功率是指TVS二极管能够吸收的瞬态脉冲能量。
它表示了TVS二极管在瞬态电压出现时能够承受的最大功率。
通常情况下，尖峰脉冲功率越大，TVS二极管的抑制能力越强。
2.3 最大反向峰值电流（Ipp）最大反向峰值电流是指TVS二极管能够承受的最大反向电流。
当电路中的电压超过额定电压时，TVS二极管将导通，使电流通过，以保护电路。
最大反向峰值电流越大，TVS二极管的抑制能力越强。
2.4 动态电阻（Rd）动态电阻是指TVS二极管在导通状态下的电阻。
动态电阻越小，TVS二极管的抑制能力越强。
因此，低动态电阻是衡量TVS二极管性能好坏的重要指标之一。
3. 封装参数3.1 封装类型TVS瞬态抑制二极管有多种封装类型可供选择，常见的封装类型有DO-214、SMA、SMB等。
不同的封装类型适用于不同的应用场景。
选择合适的封装类型可以提高电路的可靠性和稳定性。
3.2 封装尺寸封装尺寸是指TVS二极管的外部尺寸。
在进行电路设计时，需要考虑TVS二极管的封装尺寸是否符合电路板的布局要求，以确保TVS二极管能够正确安装在电路板上。
3.3 焊接温度焊接温度是指TVS二极管在焊接过程中所能承受的最高温度。
在进行电路组装时，需要控制焊接温度，避免超过TVS二极管的最大焊接温度，以免影响其性能和可靠性。
4. 可靠性参数4.1 工作温度范围工作温度范围是指TVS二极管能够正常工作的温度范围。
瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数
瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数一、TVS器件的特点瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。
TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间仅为1ps（10-12S）。
TVS允许的正向浪涌电流在T ＝25℃，T＝10ms条件下，可达50～200A 。
双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。
二、TVS器件的电特性1、单向TVS的V-I特性如图1-1所示，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。
从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上。
2、双向TVS的V-I特性如图1-2所示，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤V(BR)(正) /V（BR）(反) ≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。
三、TVS器件的主要电参数1、击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。
2、最大反向脉冲峰值电流I PP在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。
I PP与最大箝位电压Vc(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。
使用时应正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率P PR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。
常用电子元器件的符号
各种电子元件符号普通的二极管表示符号:D 变容二极管表示符号:D双向触发二极管表示符号:D稳压二极管表示符号:ZD,D稳压二极管注：单向型TVS瞬态电压抑制二极管也是这个符号表示符号:ZD,D桥式整流二极管表示符号:D肖特基二极管隧道二极管隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管发光二极管表示符号：LED双色发光二极管表示符号：LED光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT复合三极管表示符号：Q,VTNPN型三极管表示符号：Q,VT表示符号：Q,VTPNP型三极管表示符号：Q,VTPNP型三极管表示符号：Q,VTNPN型三极管表示符号：Q,VT带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT带阻尼二极管及电阻NPN型三极管表示符号：Q,VTIGBT 场效应管表示符号：Q,VT带阻尼二极管IGBT 场效应管表示符号：Q,VT双向型TVS瞬态电压抑制二极管接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS电阻电阻器或固定电阻表电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 示符号：R电位器表示符号:VR，RP,W可调电阻或微调电阻表示符号:VR，RP,W可调电阻或微调电阻表示符号:VR，RP,W电位器表示符号:VR，RP,W三脚消磁电阻表示符号：RT二脚消磁电阻表示符号：RT压敏电阻表示符号：RZ,VAR热敏电阻表示符号：RT光敏电阻CDS电容（有极性电容）表示符号：电容（有极性电容）表示符号：C可调电容表示符号：C电容器（无极性电容）表示符号：C四端光电光电耦合器表示符号：IC，N六端光电光电耦合器表示符号：IC，N半导体放电管（固体放电管）单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管)晶振石英晶体振荡器表示符号：X二端石英晶体谐振器（晶振）陶瓷滤波器表示符号：X三端石英晶体谐振器（晶振）陶瓷滤波器表示符号：X双列集成电路表示符号：IC或U单列集成电路表示符号：IC或U运算放大器倒相放大器AND gate 非门OR gate 或门NAND gate与非门NOR gate 或非门保险管表示符号：F保险管表示符号：F变压器表示符号：T永久磁铁电感表示符号：L带铁芯电感线圈表示符号：L继电器继电器线路输入端子按键开关表示符号:S双极开关扬声器电池或直流电源电池或直流电源电流源特别重要的AC交流DC直流公共接地端恒压源恒流源信号源GND公共接地端红外遥控一体化接收头驻极体话筒符号MC天线来自: /westfruit/blog/item/f50f7cecc8126b3627979111.html一．铝芯绝缘导线载流量与截面的倍数关系截面：1 1.5 2.5 4 6 10 16 25 3550 70 95 120倍数：9 9 9 8 7 6 5 4 3.53 3 2.5 2.5电流：9 14 23 3248 60 90100 123 150210238 300口诀一：十下五;百上二;二五三五四三界;七零九五两倍半;穿管温度八九折;铜线升级算;裸线加一半说明: 十下五就是十以下乘以五;百上二就是百以上乘以二;二五三五四三界就是二五乘以四,三五乘以三;七零九五两倍半就是七零和九五线都乘以二点五;穿管温度八九折就是随着温度的变化而变化,在算好的安全电流数上乘以零点八或零点九;铜线升级算就是在同截面铝芯线的基础上升一级,如二点五铜芯线就是在二点五铝芯线上升一级,则按四平方毫米铝芯线算.裸线加一半就是在原已算好的安全电流数基础上再加一半估算口诀二：二点五下乘以九，往上减一顺号走。
TVS管
TVS管TVS（TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR）或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,档TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度（最高达1*10-12秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。
TVS的反应速度绝对比RC回路快的多10e-12s,可不用考虑. 考虑TVS的击穿电压VBR,反响临界电压VWM,最大峰值脉冲电流IPP和最大嵌位电压VC及峰值脉冲功率PP. 选择VWM等于或大雨电路工作电压,VC为小于保护器件的耐压值,能测量最好(IPP),或估计出脉冲的功率,选功率较大的TVS. 抑制反向的用单向TVS,有交流的用双向TVS瞬态电压抑制器TVS的特性及应用瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件，有的文献上也为TVP、AJTVS、SAJTVS等。
当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10-12秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。
具体有以下三大特点：1、将TVS二极管加在信号及电源线上，能防止微处理器或单片机因瞬间的肪冲，如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。
2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲，并能持续10ms；而一般的TTL器件，遇到超过30ms的10V 脉冲时，便会导至损坏。
瞬态抑制二极管的符号
瞬态抑制二极管的符号
摘要：
1.瞬态抑制二极管的概念与特点
2.瞬态抑制二极管的结构与工作原理
3.瞬态抑制二极管的应用领域
4.瞬态抑制二极管的优势与局限性
5.瞬态抑制二极管的发展前景
正文：
瞬态抑制二极管，简称TSS（Transient Suppression Diode），是一种限压型的过电压保护器件。
它具有反应速度快、电压抑制能力强的特点，能够以ps 级的速度把过高的电压限制在一个安全范围之内，从而起到保护后面电路的作用。
瞬态抑制二极管广泛应用于半导体及敏感的电子零件过电压、ESD 保护上，主要包括消费类产品、工业产品、通讯、电脑、汽车、电源供应品、信号线路保护及军事、航天航空导航系统及控制系统等领域。
瞬态抑制二极管的结构与工作原理不同于普通的二极管。
当瞬态抑制二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能够以10 的负12 次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
瞬态抑制二极管的应用领域非常广泛，主要用于保护电子设备免受静电放电、闪电、电源电压瞬变等过电压现象的损害。
它主要包括消费类产品、工业
产品、通讯、电脑、汽车、电源供应品、信号线路保护及军事、航天航空导航系统及控制系统等领域。
瞬态抑制二极管的优势在于反应速度快、电压抑制能力强，可以有效地保护电子线路中的精密元器件。
然而，瞬态抑制二极管也存在局限性，例如其工作电压范围有限，无法应对较高的电压波动。
随着科技的发展，瞬态抑制二极管在电子领域的应用将越来越广泛，未来发展前景十分广阔。
瞬态抑制二极管 符号
瞬态抑制二极管1. 引言瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode，简称TVS二极管）是一种用于保护电子设备免受瞬态过电压损害的重要元件。
在现代电子设备中，由于各种原因（例如雷击、电源噪声、静电放电等），会产生瞬态过电压，这可能会对设备的稳定性和可靠性造成严重影响。
为了避免这种情况发生，TVS二极管被广泛应用于各种领域。
本文将介绍TVS二极管的符号、工作原理、特点以及应用领域。
2. 符号TVS二极管的符号如下所示：该符号与普通二极管的符号相似，但在箭头旁边加上了一个斜杠（）和一个横线（—），表示其具有抑制瞬态过电压的功能。
3. 工作原理TVS二极管是一种钆化二极管（Avalanche Diode），其工作原理基于击穿效应。
当电压超过其额定击穿电压时，TVS二极管会进入击穿状态，形成一个低阻抗通路，将过电压引到地或其他安全电平上，以保护后续电路。
TVS二极管通常由硅材料制成，其PN结具有高掺杂浓度，使得在反向偏置时形成一个强烈的电场。
当外部瞬态过电压作用于TVS二极管时，该电场会加速载流子的运动，并引发冲击离子化过程。
这种冲击离子化过程将产生大量的载流子，并形成一个雪崩放大效应。
这种效应将导致TVS二极管的阻抗迅速减小，使其能够吸收和耗散来自瞬态过电压的能量。
4. 特点4.1 高响应速度由于TVS二极管是一种快速响应的元件，在纳秒级别内就能够进入工作状态。
这使得它能够有效地抑制瞬态过电压，并保护后续电路免受损坏。
4.2 高能量吸收能力TVS二极管具有较高的能量吸收能力，可以吸收大量的瞬态过电压能量，并将其耗散到环境中。
这使得它在防护电子设备免受雷击等高能量冲击时非常有效。
4.3 低电压漏泄TVS二极管在正常工作状态下具有较低的反向漏泄电流，这有助于减少功耗和热量产生，提高设备的效率和可靠性。
4.4 高温度工作能力TVS二极管通常可以在较高的温度范围内正常工作，这使得它适用于一些恶劣环境下的应用场景。
各种元器件电路符号
带阻尼二极管及电阻 NPN 型 三极管
表示符号：Q,VT
IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT
双向型 TVS 瞬态电压抑制二
带阻尼二极管 IGBT 场效应
极管
管
表示符号：Q,VT
电子原件符号表 元件实物图片请参见 /jicu/Picture 本文不得转载
四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N
电子元器件符号图形
六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N
半导体放电管（固体放电管）
单向可控硅(晶闸管)
双向可控硅(晶闸管)
双向可控硅(晶闸管)
晶振 石英晶体振荡器 表示符号：X
二
端 石英晶体谐振器（晶振）
陶瓷滤波器 表示符号：X
三端 石英晶体谐振器 （晶振）
陶瓷波器 表示符号：X
电子元器件符号图形
接面型场效应管 P-JFET 接面型场效应管 N-JFET 场效应管增强型 P-MOS 场效应管增强型 N-MOS
场效应管耗尽型 P-MOS
电阻 电阻器或固定电阻 表 电阻 电阻器或固定电阻 表
场效应管耗尽型 N-MOS
示符号：R
示符号：R
电位器 表示符号:VR，RP,W
可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W
双色发光二极管 表示符号：LED
单结晶体管（双基极二极管） 光敏三极管或光电接收三极管
表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
复合三极管 表示符号：Q,VT
NPN 型三极管 表示符号：Q,VT
PNP 型三极管 表示符号：Q,VT
PNP 型三极管 表示符号：Q,VT
NPN 型三极管 表示符号：Q,VT
带阻尼二极管 NPN 型三极 管
1.5KE系列瞬态电压抑制二极管(TVS管)
SIYUR1.5KE6.8 ...... 1.5KE440AW 极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.单位 Unit参数 Parameter符号 Symbols数值 Value 功率消耗P ppm Minimum 1500电特性 TA = 25℃ 除非另有规定。
Electrical Characteristics Ratings at 25℃ ambient temperaturePower Dissipation200峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-waveAI FSM3.55.0V V F最大瞬间正向电压 I F = 100AMaximum Instantaneous Forward Voltage 20℃/W R θJA 典型热阻Typical Thermal Resistance Junction-to-lead℃Tj, TSTG-50 --- +175工作结温和存储温度Operating Junction And Storage Temperature Range瞬间电压抑制二极管Transient Voltage SuppressorsBreakdown Voltage 6.8 to 440V特征 Features机械数据 Mechanical Data转折电压 6.8 --- 440V·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:265℃/10 秒, 0.375" (9.5mm)引线长度。
瞬态电压抑制二极管
瞬态电压抑制二极管Transient Voltage Suppressors（TVS）概述电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因，常给人们带来无法估量的损失。
这些干扰通常来自于电力设备的起停操作、交流电网的不稳定、雷击干扰及静电放电等,瞬态干扰几乎无处不在、无时不有,使人感到防不胜防。
幸好,一种高效能的电路保护器件TVS的出现使瞬态干扰得到了有效抑制TVS（TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR）或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度（最高达1*１0-12秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。
TVS的特性及其参数（参数表见附表）S的特性如果用图示仪观察TVS的特性，就可得到图1中左图所示的波形。
如果单就这个曲线来看,TVS管和普通稳压管的击穿特性没有什么区别，为典型的PN结雪崩器件。
但这条曲线只反映了TVS特性的一个部分，还必须补充右图所示的特性曲线，才能反映TVS的全部特性。
这是在双踪示波器上观察到的TVS管承受大电流冲击时的电流及电压波形。
图中曲线1是TVS管中的电流波形，它表示流过TVS管的电流由1mA 突然上升到峰值，然后按指数规律下降，造成这种电流冲击的原因可能是雷击、过压等。
曲线2是TVS管两端电压的波形，它表示TVS中的电流突然上升时，TVS两端电压也随之上升，但最大只上升到VC值，这个值比击穿电压VBR略大，从而对后面的电路元件起到保护作用。
2、TVS的参数TVS在电路中和稳压管一样，是反向使用的，图2所示为单向TVS的工作曲线图。
各参数说明如下：A.击穿电压（VBR）：TVS在此时阻抗骤然降低，处于雪崩击穿状态。
B.测试电流（IT）：TVS的击穿电压VBR在此电流下测量而得。
TVS 即瞬态抑制二极管
TVS 即瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）2007-12-01 14:411、概述：TVS管是瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor）的简称。
它的特点是：响应速度特别快（为ns级）；耐浪涌冲击能力较放电管和压敏电阻差，其10/1000μs波脉冲功率从400W～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。
2、特性：TVS管有单向与双向之分，单向TVS管的特性与稳压二极管相似，双向TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联，其主要特性参数有：①反向断态电压(截止电压)VRWM与反向漏电流IR：反向断态电压(截止电压)VRWM表示TVS管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。
②击穿电压VBR：TVS管通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示TVS管导通的标志电压。
③脉冲峰值电流IPP：TVS管允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流（8/20μs 波的峰值电流约为其5倍左右），超过这个电流值就可能造成永久性损坏。
在同一个系列中，击穿电压越高的管子允许通过的峰值电流越小。
④最大箝位电压VC：TVS管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。
⑤脉冲峰值功率Pm：脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP 与最大箝位电压VC的乘积，即Pm=IPP*VC。
⑥稳态功率P0：TVS管也可以作稳压二极管用，这时要使用稳态功率。
⑦极间电容Cj：与压敏电阻一样，TVS管的极间电容Cj也较大，且单向的比双向的大，功率越大的电容也越大。
ESD保护对高密度、小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义。
本文探讨了采用TVS二极管防止ESD时，最小击穿电压和击穿电流、最大反向漏电流和额定反向关断电压等参数对电路的影响及选择准则，并针对便携消费电子设备、机顶盒、以及个人电脑中的视频线路保护、USB保护和RJ-45接口等介绍了一些典型应用随着移动产品、打印机、PC，DVD、机顶盒(STB)等产品的迅速发展，消费者正要求越来越先进的性能。
瞬态电压抑制二极管TVS
什么是TVS瞬态抑制二极管，瞬态抑制二极管（Transient V oltage Suppressor）简称TVS 管，TVS管的电气特性是由P-N结面积、掺杂浓度及晶片阻质决定的。
其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比。
当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
TVS管工作原理：器件并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态（高阻态），不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径，同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护IC或线路；当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。
TVS允许的正向浪涌电流在TA＝250C，T＝10ms条件下，可达50～200A。
双向TVS 可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压钳制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。
可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等，是一种理想的保护器件。
耐受能力用瓦特(W)表示。
TVS二极管可以很方便地与其它器件集成在一个芯片上，现有很多将EMI过滤和RFI 防护等功能与TVS管集成在一起的器件，不但减少设计所采用的器件数目降低成本，而且也避免PCB板上布线时易诱发的伴生自感。
瞬态电压抑制二极管的选用原则在选用瞬态电压抑制二极管(TVS)时，必须考虑电路的具体条件，一般应遵循以下原则：1) 箝位电压Vc(MAX)不大于电路的最大允许安全电压。
2) 最大反向工作电压(变位电压)VRWM不低于电路的最大工作电压，一般可以选VRWM等于或略高于电路最大工作电压。
3) 额定的最大脉冲功率，必须大于电路中出现的最大瞬态浪涌功率。
下面是TVS在电路应用中的典型例子:TVS用于交流电路图2-1是一个双向TVS在交流电路中的应用，可以有效地抑制电网带来的过载脉冲，从而起到保护整流桥及负载中所有元器件的作用。
瞬态电压抑制二极管外形特征和电路符号
瞬态电压抑制二极管外形特征和电路符号
1．瞬态电压抑制二极管外形特征
图13-17所示是瞬态电压抑制二极管实物图。
TVS管按极性分为单极性及双极性两种，双极性尾标中缀以C；按TVS管击穿电压值对标称值的离散程度划分有两类，即离散程度为±5%和±10%的，离散程度为±5%的，型号中尾标缀以A，如SA5.0 CA。
2．瞬态电压抑制二极管电路符号.
3．瞬态电压抑制二极管与稳压二极管特性比较
瞬态电压抑制二极管不会被击穿，宅能够在电压极高时降低电阻，从而使电流分流或控制其流向，从而保护电路元件在瞬间电压过高的情况下不被烧毁。
稳压二极管则能被击穿，但击穿后其两端的电压保持不变，使电路稳定，电压稳定，从而保护电路元件。
电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的重要原因，时常带来无法估量的损失。
这些干扰通常来自于电力设备的起停操作、交流电网的不稳定、雷击干扰及静电放电等，瞬态干扰几乎无处不在、无时没有，防不胜防，瞬态电压抑制二极管则能高效能地抑制这种瞬态干扰，从而保护电子电路。
当瞬态电压抑制二极管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，R6642-24从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。
TVS的作用
TVS管有单向与双向之分，单向TVS管的特性与稳压二极管相似，双向TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联，其主要特性参数有： ①反向断态电压(截止电压)VRWM与反向漏电流IR：反向断态电压(截止电压)VRWM表示TVS管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。 ②击穿电压VBR：TVS管通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示TVS管导通的标志电压。 ③脉冲峰值电流IPP：TVS管允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流（8/20μs波的峰值电流约为其5倍左右），超过这个电流值就可能造成永久性损坏。在同一个系列中，击穿电压越高的管子允许通过的峰值电流越小。 ④最大箝位电压VC：TVS管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。 ⑤脉冲峰值功率Pm：脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP与最大箝位电压VC的乘积，即Pm=IPP*VC。 ⑥稳态功率P0：TVS管也可以作稳压二极管用，这时要使用稳态功率。 ⑦极间电容Cj：与压敏电阻一样，TVS管的极间电容Cj也较大，且单向的比双向的大，功率越大的电容也越大。 瞬态抑制二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。编辑本段TVS和一般的稳压二极管有什么区别
电压开关型瞬态抑制二极管(TSS)原理图符号
电压开关型瞬态抑制二极管（TSS）原理图符号图TSS管的原理图符号电压开关型瞬态抑制二极管（TSS，Thyristor SurgeSuppressor）与TVS管相同，也是利用半导体工艺制成的限压保护器件，但其工作原理与气体放电管类似，而与压敏电阻和TVS管不同。
当TSS管两端的过电压超过TSS管的击穿电压时，TSS管将把过电压钳位到比击穿电压更低的接近0V的水平上，之后TSS管持续这种短路状态，直到流过TSS管的过电流降到临界值以下后，TSS恢复开路状态。
TSS是电压开关型瞬态抑制二极管，就是涌抑制晶体管，或者叫做导体放电管，固体放电管等等。
LangTuo等牌子。
TSS管是利用半导体工艺制成的保护器件，主要用于信号电路的防雷保护。
不能用在电源端口。
TSS器件的通流容量一般最高可达到150A（8/20uS）。
TSS管和TVS管都是利用半导体工艺制成的限压保护器件，TSS管是电压开关型的。
TVS是电压钳位型的。
TSS管在响应时间，结电容方面与TVS管是相同特点，易于制成表贴器件，很适合在单板上使用。
TSS管适合于信号电平较高的信号电路保护。
TSS管在响应时间、结电容方面具有与TVS管相同的特点。
易于制成表贴器件，很适合在单板上使用，TSS管动作后，将过电压从击穿电压值附近下拉到接近0V的水平，这时二极管的结压降小，所以用于信号电平较高的线路（例如：模拟用户线、ADSL等）保护时通流量比TVS管大，保护效果也比TVS 管好。
TSS适合于信号电平较高的信号线路的保护。
在使用TSS 管时需要注意的一个问题是：TSS管在过电压作用下击穿后，当流过TSS管的电流值下降到临界值以下后，TSS管才恢复开路状态，因此TSS管在信号线路中使用时，信号线路的常态电流应小于TSS管的临界恢复电流。
临界恢复电流值随TSS管的型号和设计应用场合的不同而不同，使用时应注意在器件手册中查明所用具体型号的确切值。
TSS管的击穿电压（min(UBR））、通流容量是电路设计时应重点考虑的。
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瞬态电压抑制二极管符号
瞬态电压抑制二极管（TVS管）的电路原理图符号与普通二极管的符号相似，但在箭头旁边加上了一个斜杠和一个横线，表示其具有抑制瞬态过电压的功能。
常见的瞬态抑制二极管电路原理图符号有：VBR、IPP、IR、VRWM、VC、PM、CP。
其中，VBR代表击穿电压，IPP代表反向脉冲峰值电流，IR代表漏电流，VRWM代表反向关态电压（截止电压）或反向工作电压，VC代表钳位电压，PM代表反向脉冲峰值功率，CP代表电容。
瞬态抑制二极管（TVS管）是一种用于保护电子设备免受瞬态过电压脉冲破坏的器件。
它具有非线性伏安特性，当其两端电压超过其击穿电压时，电流会迅速增加，形成一个低阻抗的导电路径，从而将瞬态过电压脉冲引入到地线中，从而保护电子设备免受损坏。
在电路原理图中，瞬态抑制二极管通常被标注为VBR、IPP、IR、VRWM、VC、PM、CP等符号。
这些符号代表了瞬态抑制二极管的主要参数和特性。
例如，VRWM代表反向关态电压（截止电压）或反向工作电压，这是瞬态抑制二极管能够承受的最大反向电压；VC代表钳位电压，这是瞬态抑制二极管在正常工作时所承受的最大正向电压；IPP代表反向脉冲峰值电流，这是瞬态抑制二极管在吸收瞬态过电压脉冲
时能够承受的最大电流；PM代表反向脉冲峰值功率，这是瞬态抑制二极管在吸收瞬态过电压脉冲时所消耗的最大功率。
除了电路原理图符号外，瞬态抑制二极管还具有一些常见的命名规则。
例如，SMAJ表示系列名称和功率，15表示工作电压VRWM=15V；P6KE表示系列名称和功率，30表示工作电压Vbr=30V；UNS表示系列名，功率，2K表示8/20us=2KA，15表示工作电压15V等。
总之，瞬态抑制二极管是一种用于保护电子设备免受瞬态过电压脉冲破坏的器件，其电路原理图符号与普通二极管相似但具有特定的标注和命名规则。