了解整个TFT-LCD open cell的制程
TFT制造原理和流程
CELL前工程 （配向膜印刷）
预干燥部
干燥方式
基板 Pin 加热盘 非接触式(Pin)加热
Doctor 滚轮 金属板滚轮
印刷原理
版胴
Anilox滚轮
Doctor 滚轮
版胴
印刷部
47
2.3 CELL工艺流程及设备
流向
空气洗净单元
CELL前工程 （摩擦取向）
TFT显示面板制造工程简介
目录
一、液晶显示器(LCD)的基础
1.1液晶材料及液晶显示器的基本定义 1.2液晶显示器的基础及原理
二、 TFT-LCD制造基本流程及设备
2.1 制造流程概要 2.2 ARRAY工艺流程及设备 2.3 CELL工艺流程及设备 2.4 Module工艺流程及设备
2
一、液晶显示器(LCD)的基础 1.1液晶材料及液晶显示器的基本定义
Array tester
Using instructions in the selected processing recipe, the pattern generator sends test signals to the probe frame. The illuminator is turned on, a bias voltage applied to the modulator and an image captured by the CCD camera. The image is sent to the image processing computer (IPPC) and panel flaws are identified and stored in the defect file by the Sun host computer.
LCD制程简介
Substrate
Ultrasonic vibration element
© Chi Mei Optoelectronics
Page18
Cleaning Process
洗净对象物
种类 附着粒子 例 洗净Tool Al、Stainless、 Glass、 Brush、MS、CJ 树脂磨耗屑、人体剥离片等 油、指纹、PR、空气及 Gas中有机物、洗剂残留等 配管中金属不纯物、纯 水药液中不纯之离子、 自然酸化膜等 洗剂、UV、MS
MS HEAD
© Chi Mei Optoelectronics
Page16
Cleaning Process
UV Clean
For removing particle
利用紫外光分解使大分子的化学键 断裂而分解；利用紫外反应生成 O3与沾污反应分解成CO2和水。
Brush Clean
For removing the particle size > 3m 利用毛刷与玻璃板基之间的摩擦
LCD PANEL后工程流程图
ODF
Cell Scriber PACN APAM Edge Grinding
Cutlet Remover
傳統線
Cell Scriber LC Filler End Sealing Realign Oven
Cutlet Remover
LOT 2
PACK
SRCN LOT 1 PACN
PI Prebake
After Rubbing Clean
Rubbing
PI Postbake
LCD生产流程
LCD生产流程作者：41233X01 蔡晓烨一、摘要LCD 的构造是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶盒，下基板玻璃上设置TFT（薄膜晶体管），上基板玻璃上设置彩色滤光片，通过TFT上的信号与电压改变来控制液晶分子的转动方向，从而达到控制每个像素点偏振光出射与否而达到显示目的。
一般地，TFT-LCD由上基板组件、下基板组件、液晶、驱动电路单元、背光灯模组和其他附件组成，其中：下基板组件主要包括下玻璃基板和TFT阵列，而上基板组件由上玻璃基板、偏振板及覆于上玻璃基板的膜结构，液晶填充于上、下基板形成的空隙内。
LCD的制造工艺有以下几部分：在TFT 基板上形成TFT阵列；在彩色滤光片基板上形成彩色滤光图案及ITO导电层；用两块基板形成液晶盒；安装外围电路、组装背光源等的模块组装。
二、目录1、前言2、LCD流程介绍（1）LCD显示基本结构和原理（2）工艺流程简介3、LCD的主要制造工序1、前言一般地，TFT-LCD由上基板组件、下基板组件、液晶、驱动电路单元、背光灯模组和其他附件组成，其中：下基板组件主要包括下玻璃基板和TFT阵列，而上基板组件由上玻璃基板、偏振板及覆于上玻璃基板的膜结构，液晶填充于上、下基板形成的空隙内。
在下玻璃基板的内侧面上，布满了一系列与显示器像素点对应的导电玻璃微板、TFT半导体开关器件以及连接半导体开关器件的纵横线，它们均由光刻、刻蚀等微电子制造工艺形成。
在上玻璃基板的内侧面上，敷有一层透明的导电玻璃板，一般为氧化铟锡（Indium Tin Oxide, 简称ITO）材料制成，它作为公共电极与下基板上的众多导电微板形成一系列电场。
若LCD 为彩色，则在公共导电板与玻璃基板之间布满了三基色（红、绿、蓝）滤光单元和黑点，其中黑点的作用是阻止光线从像素点之间的缝隙泄露，它由不透光材料制成，由于呈矩阵状分布，故称黑点矩阵（Black matrix）。
2、LCD流程介绍工艺流程简述前段工位：ITO玻璃的投入—玻璃清洗与干燥—涂光刻胶—前烘烤—曝光显影—蚀刻—去膜—图检—清洗干燥—TOP涂布—烘烤—固化—清洗—涂取向剂—固化—清洗—丝网印刷—烘烤—喷衬垫料—对位压合—固化后段工位：切割—Y轴裂片—灌注液晶—封口—X 轴裂片—磨边一次清洗—再定向—光台目检—电测图形检验—二次清洗—特殊制程—背印—干墨—贴片—热压—成检外观检判—上引线—终检—包装—入库一、LCD显示基本结构和原理：一般TN型液晶显示器结构如图所示。
TFT--cell制程简介
16
Cell TEST-2 CELLtest-1
WO/SB TEST Waveform
data c b scan 63.5us 16.7ms a
com
19
CELL TEST-2
WO/SB TEST 的 作 用 (一)
• 有些產品 shorting bar 受傷使信號無法傳 遞 , 故借由導電橡皮將線路short .
metal film
O-ring
flat heater
4-6a.Scribe & Break
【製程目的】將組合熱壓完成之大片基板組，切裂成最終尺寸之cell。
4-6b.切割方式
切割是以硬度比玻璃高的工具，在玻璃表面施加壓力行走，使玻璃產生線狀 crack；基本上cell與單板的切割方法相同。 1、diamond scriber(point tool)：其median crack深度會有各種變化，因 diamond尖端會磨耗，故難以得到穩定的銳利度。 2、超硬/diamond wheel chip：現行LCD之切割皆採用此方式。 3、Laser criber：尚在基礎實驗中。
Scan driver(Gate-line)
CF ITO電極 Source Gate 液晶分子 Pixel電極 Drain
2-4.TFT-LCD剖面圖
3-2.LCD流程-Overall
TFT基板
PI塗布
PI配向
框膠/銀點
TFT/CF 組合/ 熱壓/切裂
CF基板 PI塗布 PI配向 Spacer撒布
4-6c.裂片方式
Cell的裂片方法，是在產生引張應力的地方，施加局部壓縮應力進行裂片。Cell進行裂 片時，切割面接觸裂片檯面，上方以樹脂製成之加壓片施加壓縮荷重；此時因Glass與 檯面的縱向彈性係數不同，會沿著切割線形成引張應力及彎曲應力。
open cell
open cell
Open Cell主要指面板厂将面板完成Cell段组装，但未完成LCM组装的成品。
目前部分中小尺寸面板的出货以Open Cell为主，并交给后段模块厂进行组装，而目前面板厂由于多拥有自己的LCM厂，因此多以面板模块的形式出货为主，不过对应客户要求，部分面板厂也出大尺寸Open Cell给客户。
一般来说，TFT LCD面板制程可区分为前段Array、中段Cell 与后段LCM模块制程，其中Array段制程与半导体制程类似，其主要将薄膜晶体管制作于玻璃之上，包含成膜、黄光、蚀刻、去光阻等制程。
而Cell段制程主要是以前段TFT Array的玻璃为基板，让其与彩色滤光片结合，并在玻璃基板上灌注液晶，而后切割成所需要的尺寸。
后段LCM制程则将Cell段所切割好的面板，与其它元件如背光模块、电路板、框架等组装完成，而后就可外交给液晶显示终端厂进行整机的组装。
TFT—LCD open cell制程
TFT—LCD open cell制程作者：吴海清来源：《电脑知识与技术》2016年第27期摘要：文章主要介绍TFT-LCD open cell制程，TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行TFT玻璃的制作；中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合；后段制程指驱动IC、印刷电路板和液晶板的压合。
关键词：TFT-LCD；open cell；制程；驱动IC；印刷电路板中图分类号：TP391 文献标识码：A 文章编号：1009-3044（2016）27-0232-021 TFT-LCD open cell 制程简述TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行TFT玻璃的制作，这与半导体制程非常相似；中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合，并加上上下偏光板；后段制程指将驱动IC和印刷电路板压合至TFT玻璃，并完成我们所熟知的open cell。
2 TFT-LCD open cell前段制程TFT-LCD open cell前段制程与半导体制程非常相似，主要分成四个步骤：1）利用沉淀形成gate metal。
首先在玻璃基板上涂布一层金属，然后涂上光阻胶，最后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。
涂布的金属材料主要成分为：钛（TI）、铝（AL）、钼（MO）和铬（CR）以及其混合物。
2）沉淀SI3N4（氮化硅）、a-SI（非晶硅）和N+a-si（N型硅）。
首先利用PECVD（ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ）技术分别涂布一层SI3N4、N+a-si和a-si，然后在N+a-si和a-si上涂布光阻胶，通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。
PECVD指的是等离子体增强化学气相沉积法，原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉淀出所期望的薄膜，如图2所示。
tft-lcd文字说明
1.（Array）阵列制程1)一片表面光滑,没有任何杂质的玻璃,是制造TFT玻璃基板最主要的原料.在制作之前,需用特殊的冼净液,将玻璃洗得干干净净,然后脱水,甩干.2)要使玻璃基板镀上金属薄膜,需先将金属材料放在真空室内,让金属上面的特殊气体产生电浆后,金属上的原子就会被撞向玻璃,然后就形成一层层的金属薄膜了.3)镀完金属膜后，我们还要镀上一层不导电层与半导电层，在真空室内，先将玻璃板加温，然后由高压电的喷洒器喷洒特殊气体，让电子与气体产生电浆，经过化学反应后，玻璃上就形成了不导电层与半导体层。
4)薄膜形成后，我们要在玻璃上制作电晶体的图案。
首先，要进入黄光室喷上感光极强的光阻液，然后套上光罩照射蓝紫光进行曝光，最后送到显影区喷洒显影液，这样可以去除照光后的光阻，还可以让光阻层定型哦。
5)光阻定型后，我们可用蚀刻进行湿式蚀刻，将没有用的薄膜露出，也可用电浆的化学反应进行干式蚀刻，蚀刻后再将留下的光阻以溜液去除，最后就产生电晶体所需要的电路图案了。
6)要形成可用的薄膜电晶体，需要重复清洗，镀膜，上光阻，曝光，显影，蚀刻，去光阻等过程，一般来说，要制造TFT-LCD，就要重复5到7次。
2．（CELL）组立制程1)完成薄膜电晶体玻璃基板后，我们就要进行液晶面板的组合了，液晶面板是由电晶体玻璃基板与彩色滤光片组合而成，首先，我们要先将玻璃洗干净，再进行下一个步骤。
TFT-LCD的整个制造过程都必须在无尘室内，这样才不会有杂质在显示器里面。
2)彩色滤光片是以化学涂布的方式，在玻璃上形成红、绿、蓝的颜色，整齐排列后再覆盖一层会导电的薄膜即完成。
3)在整个组合的过程中，首先我们要为布满电晶体的玻璃和彩色滤光片涂上一层化学薄膜，然后再进行配向的动作。
4)在组合二片玻璃板之前，我们要先平均布满类似球状的隙子固定间隔，以免液晶面板组合后，二片玻璃向内凹曲。
通常液晶面板在组合时，会留下一个或二个缺口，以利后续灌入液晶，接着就以框胶及导电胶封在二片玻璃边缘，如此就完成玻璃的组合了。
TFT—LCD制程简介
•
总结以上参考13
液晶面板之製作過程
• 完成了薄膜電晶體玻璃基板後，就要進行 液晶面板的組合。液晶面板是由電晶體玻 璃基板與彩色濾光片組合而成，首先要將 玻璃洗乾淨，再進行下一個步驟。
電晶體玻璃與彩色濾光片配向。
• 在整個組合的過程中，首先要為佈滿電晶 體的玻璃和彩色濾光片塗上一層化學薄膜， 然後再進行配向的動作。
•
12
参考6页
薄膜电晶体玻璃基板怎么做？
• 要形成可用的薄膜電晶體，需要： • 重复清洗 镀膜 上光阻 曝光 • 去光阻 蚀刻 投影 一般來說，要製造TFT-LCD就要重覆五到七 次。
13
薄膜電晶體玻璃基板怎麼做?（1）
• 一片表面平滑，沒有任何雜質的玻璃，是 製造薄膜電晶體玻璃基板最主要的原料。 在製作之前，要用特殊的洗淨液，將玻璃 洗的乾乾淨淨，然後脫水、甩乾。
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TFT-LCD的三段主要制程
• 一、 前段Array （阵列制程） -前段的 Array 制程是将薄电晶体制作于玻璃上。 • 中段Cell （组立制程） -中段的Cell 製程，是以前段Array的玻璃為基板， 與彩色濾光片的玻璃基板結合，並在兩片玻璃 基板間灌入液晶(LC) • 後段Module Assembly （模组制程） - 后段模组组装製程是將Cell製程後的玻璃與其 他如背光板、電路、外框等多種零組件組裝的 生產作業。
TFT-LCD制程简介
1
目 录
•
一、什么是TFT—LCD
• • • • •
二、结构介绍 三、 TFT-LCD点亮原理 四、供应商和基板尺寸 五、制造流程 六、应用范围一、TFT-LCD 是薄膜电晶体液晶显示器。
TFT是薄膜电晶体 LCD是液晶显示器
TFT-LCD工艺流程讲解学习
涂胶后的玻璃基板经干燥、前烘后可以作图形曝光。对于小面积的基板，可以采用接近式一次完成曝光。但对大面积的基板，只能采用多次投影曝光的方式。下图是Canon曝光机的工作原理图：
由于大面积的均匀光源较难制作，Canon采用线状弧形光源。通过对Mask和玻璃基板的同步扫描，将Mask上的图形转移到玻璃基板上。
Cell工序是从将TFT基板和CF基板作定向处理后对贴成盒，到切割成单粒后贴上片光片。具体见下图：
Module工序是从LCD屏开始到驱动电路制作完成，形成一个显示模块。具体示意图如下：
在以下的各节中，我们将逐一介绍TFT、Cell、Module的工艺制程。由于天马公司现在没有规划CF工厂，所以CF的工艺流程在此不作详细介绍。
3、刻蚀：湿刻、干刻
刻蚀分为湿刻和干刻两种。湿刻是将玻璃基板浸泡于液态的化学药液中，通过化学反应将没有被PR覆盖的膜刻蚀掉。湿刻有设备便宜、生产成本低的优点，但由于刻蚀是各向同性的，侧蚀较严重。
干刻是利用等离子体作为刻蚀气体，等离子体与暴露在外的膜层进行反应而将其刻蚀掉。等离子体刻蚀有各向异性的特点，容易控制刻蚀后形成的截面形态；但但高能等离子体对膜的轰击会造成伤害。湿刻与干刻的原理见下图：
C)显影
经图形曝光后，Mask上的图形转移到玻璃基板上，被光阻以潜影的方式记录下来。要得到真正的图形，还需要用显影液将潜影显露出来，这个过程叫显影。如果使用的光阻为正性光阻，被UV光照射到的光阻会在显影过程中被溶掉，剩下没有被照射的部分。
显影设备往往会被连接成线，前面为显影，后面为漂洗、干燥。示意图如下：
随着玻璃基板的增大，曝光机的制作和大面积均匀光源的获得变得较难。为了有效利用曝光设备，在图形曝光时只对玻璃基板中间有图形的有效区域进行曝光。之后采用一种不需要Mask的边缘曝光设备对边缘区域曝光，然后去做显影。这一过程叫边缘曝光。
TFT-LCD原理及制程简介--五道光罩
Channel(通道)
(i)a-Si：H
通道與電極之接觸介面 (n+)a-Si：H
Source/Drain 電極 Cr
Contact hole
SiNx
畫素電極
ITO
19
Mask 1：GE (Gate電極形成)
A
A
A’
1. 受入洗淨
A’
芝蒲
2. 濺鍍Cr (4000A)
ULVAC
3. 成膜前洗淨
島田理化/芝蒲
DNS 島田理化 ORBOTEC 田葉井
TFT元件製程結束 , 後流至ARRAY TESTER
24
靜電保護：避免因Gate與Source電極的電壓差，而對TFT產生
不良的影響，達到靜電保護的目的。
Source Driver
Gate Driver
Source 線 或 Gate 線
尖 端 放 電
Short Ring
41325.. CGSPDEH製製程程
玻璃基板
ITO層:1000Å
半導體層(a-Si):1500Å
歐姆接觸層(n+ a-Si):300Å
閘極(Gate):4000Å
閘極絕緣層 (SiNx):3000Å+1000Å
保護層(SiNx):3000Å
汲極金屬層(Drain):4000Å
源極金屬層(Source):4000Å
3.一般RON與ROFF電阻比至少約為105以上。
7
認識 TFT
D
S
D
SD
S
G
G
G
1. TFT為一三端子元件。 2.在LCD的應用上可將其視為一開關。 3.為何要採 Inverted Staggered 之結構？
TFTLCD制造技术Cell工艺
( Current LC Filling Method )
LC C/F
ESC Stage
( One Drop Filling Method )
2.3.3 ODF与传统方式的比 较
二、成盒方式
Hot Press方式
Press（压力+温度） 液晶注入
.Cell Gap受加压封口的影响大
加压封口
.热压时Spacer变形量大，高温下的恢复率低，对Glass基板的反作用力小
TR: 主要成分为Ag和树脂
2.2.2 SEAL&TR PROCESS
脱泡： 去除SEAL&TR中的BUBBLE
自传
公转 流星式搅拌机动作原理
2.2.3 LC DROP PROCESS
一、目的 在 PI Coating 和Rubbing结束的Array基板或C/F基板的指定位 置上滴下一定量液晶的 L/C Drop 设备。
检测不良：
主要有density 和 cluster 不良
2.2.1 SPACER PROCESS
四、PHOTO SPACER检测设备
检测目的： Photo Type方式测试 Color Filter 基板上 PS（Photo Spacer)高 度后，根据其Data 控制LC Drop量 ，并判断 color filter 基板不 良与否.
ESC stage
Glass substrate
LC drop
Seal Line
粗Alignment 上下基板Gap : 100 ~ 200um
: Chamber 区域
细Alignment 上下基板几乎接触
Chamber 内部真空解除 Over lap完了的基板内部 的真空和基板外部大气压 差产生库伦力，而玻璃基 板受该库伦力的作用完成
tft lcd生产工艺流程
tft lcd生产工艺流程TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器）是一种高质量的平面显示技术，广泛应用于计算机、电视、手机和平板电脑等电子产品中。
下面是一个简要的TFT-LCD生产工艺流程的概述，包括薄膜涂布、模制、曝光、切割、组装和测试等步骤。
首先，薄膜涂布是整个生产工艺的第一步。
在这个步骤中，生产商会使用具有特殊化学成分的溶液，将液晶的薄膜涂布在玻璃基板上。
这个溶液通常包含液晶分子、聚合物和其他添加剂。
薄膜涂布对于最终产品的质量和性能非常重要。
接下来是模制步骤，也称为亨德尔过程。
在这个步骤中，玻璃基板上的薄膜被切割成所需的尺寸和形状。
这些切割好的基板将成为液晶显示器的各个部分。
然后是曝光步骤。
在这个步骤中，通过将特定的光线照射在液晶层上，将所需的图案和图像“曝光”在液晶中，形成所需的像素。
这个步骤非常关键，因为它决定了TFT-LCD显示器的分辨率和图像质量。
接下来是切割步骤。
在这个步骤中，将刚刚曝光完毕的玻璃基板切割成所需的尺寸，并将其分成多个独立的显示器单元。
这样可以保证每个单元都能够独立地显示图像和信息。
然后是组装步骤。
在这个步骤中，经过切割的显示器模块将被组装成完整的显示器。
这包括将各个部件（如液晶层、背光模块和电路板）连接在一起，并且进行胶合和固定。
组装过程通常需要非常精确的工艺和设备，以确保显示器的性能和品质。
最后是测试步骤。
在这个步骤中，已经组装完成的显示器将经过一系列的测试，以确保其质量和性能达到要求。
测试项目可能包括像素点亮、亮度调整、对比度检测、颜色准确性等等。
只有通过各项测试的显示器才会被认为是合格的，可以被投放到市场上销售。
综上所述，TFT-LCD的生产工艺流程包括薄膜涂布、模制、曝光、切割、组装和测试等步骤。
这些步骤的每个环节都非常重要，对于最终产品的质量和性能起到了决定性的作用。
随着技术的不断进步，TFT-LCD的生产工艺也在不断演进和改进，以满足市场对高质量和高分辨率显示器的需求。
TFT-LCD open cell制程
TFT-LCD open cell制程【摘要】文章主要介绍TFT-LCD open cell制程，TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行TFT玻璃的制作；中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合；后段制程指驱动IC、印刷电路板和液晶板的压合。
笔者认为，只有了解整个TFT-LCD open cell的制程才能更好的进行TV背光系统、主板甚至整个TV的设计。
【关键词】TFT-LCD open cell 制程驱动IC 印刷电路板一、TFT-LCD open cell 制程简述TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行TFT玻璃的制作，这与半导体制程非常相似；中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合，并加上上下偏光板；后段制程指将驱动IC和印刷电路板压合至TFT玻璃，并完成我们所熟知的open cell。
二、TFT-LCD open cell前段制程TFT-LCD open cell前段制程与半导体制程非常相似，主要分成四个步骤：1.利用沉淀形成gate metal。
首先在玻璃基板上涂布一层金属，然后涂上光阻胶，最后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。
涂布的金属材料主要成分为：钛（TI）、铝（AL）、钼（MO）和铬（CR）以及其混合物。
图1.沉淀形成gate metal2.沉淀SI3N4（氮化硅）、a-SI（非晶硅）和N+a-si（N型硅）。
首先利用PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition )技术分别涂布一层SI3N4、N+a-si和a-si，然后在N+a-si和a-si上涂布光阻胶，通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。
PECVD指的是等离子体增强化学气相沉积法，原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉淀出所期望的薄膜。
TFT—LCD制程简介 共32页
TFT-LCD的三段主要制程
• 一、 前段Array （阵列制程） -前段的 Array 制程是将薄电晶体制作于玻璃上。
• 中段Cell （组立制程） -中段的Cell 製程，是以前段Array的玻璃為基板，
與彩色濾光片的玻璃基板結合，並在兩片玻璃
基板間灌入液晶(LC)
• 後段Module Assembly （模组制程） - 后段模组组装製程是將Cell製程後的玻璃與其
組合電晶體玻璃與彩色濾光片
• 在組合兩片玻璃之前，要先平均佈滿類似球狀的 間隙子固定間隔，以免液晶面板組合後，兩片玻 璃向內凹曲，通常液晶面板在組合時，會留下一 個或二個缺口，以利後續灌入液晶， 接著就以框 膠及導電膠封在兩片玻璃邊緣，如此就完成玻璃 的組合。
將液晶灌入液晶面板
• 封完邊框之後，就將液晶面板放到真空室， 透過剛才預留的缺口把液晶面板的空氣抽 掉，然後藉助大氣壓力灌入液晶，再將缺 口封閉。而液晶是一種介於固體與液體的化合物 質，具有規則性分子排列的特性。
TFT-LCD制程简介
1
目录
• 一、什么是TFT—LCD • 二、结构介绍 • 三、 TFT-LCD点亮原理 • 四、供应商和基板尺寸 • 五、制造流程 • 六、应用范围
2
何谓TFT—LCD？
• 一、TFT-LCD 是薄膜电晶体液晶显示器。
TFT是薄膜电晶体 LCD是液晶显示器
英文全称：thin-film transistor 英文全称liquid-crystal display.
包裝、出貨
液晶显示器的应用范围
• 在很多的通讯器材或资讯设备都能看到， 例如:笔记本电脑、数位个人助理(PDA)、电 视、新型移动电话等。
Thank you！
TFT LCD简介与生产工艺流程
sunyes
6
TFT LCD简介与生产工艺流程
偏光板的特性
作用：将非偏极光（一般光线）过滤 成偏极光。 当非偏极光通过a方向的偏光片时，光 线被过滤成与a方向平行的线性偏极光。
右上图：线性偏极光继续前进，通过 第二片偏光片时，光线通过。
右下图：通过第二片时，光线被完全 阻挡。
sunyes
7
TFT LCD简介与生产工艺流程
Scribing & Breaking
sunyes
29
TFT LCD简介与生产工艺流程
Cutting Method
1ST CUTTING
2ND CUTTING
sunyes
30
TFT LCD简介与生产工艺流程
LCD面板世代
对设备的影响
玻璃基板的尺寸变大直接音响 电极图案形成设备。（Array）
e.g.成膜设备：占地面积加大与 确保膜厚均匀性等问题。 e.g.湿式设备：更换效率与节省 水等问题。 切割尺寸增大直接影响面板组 装设备。（CELL） e.g.液晶注入设备：处理时间过 长等问题。 次代交替快，产品生命周期短， 厂商设备开发成本高。
sunyes
24
TFT LCD简介与生产工艺流程
湿式洒布
sunyes
25
TFT LCD简介与生产工艺流程
Hot Pressure
sunyes
26
TFT LCD简介与生产工艺流程
Hot Press
sunyes
27
TFT LCD简介与生产工艺流程
Cell Process(3)
sunyes
28
TFT LCD简介与生产工艺流程
sunyes
12
TFT 各层制程简介
A
A’
A
A’
儲存電容
B B’
PV Strip
B
ITO(Indium Tin Oxide)
ITO Dep. TFT
ITO Ph.
ITO Etch
A
A’
A
A’
B’
ITO Etch
Anneal
B
儲存電容
B B’
பைடு நூலகம்FT 驅動原理
D (data line)
S (畫素電極)
G (gate line)
- - -- -- --
G-I-N MoN/AL/MoN
PASSIVATION
ITO
AlNd + MoN
Gate SiNx + I-Type a-Si + N+ a-Si
MoN+ Al + MoN
Pass. SiNx
Pass. SiNx
gate line A A’
TFT
畫素電極
B’
儲存電容
Cs line date line B
•接著關閉第一列水閘門，水位已經固定，所以顯示顏色也已固定。 •開啟第二列水閘門，其餘仍保持關閉。灌第二列儲水槽至預設水位。 •依此類推，可完成整個畫面之顯像。
Polarizer LC cell CF TFT Polarizer PCB Light Guide
Lamp
Data Line
Scan Line
問題及答覆！
~ END ~
VGS < VT
信號保持
VGS > VT
信號讀寫
等效電路
gate line
gate TFT 畫素電極
TFT-LCD制程简介
Array
Thin-Film Transistor
Cell
Liquid Crystal
Module
Array:電晶體 矩形陣列
Cell:顯示單元體
Module:產品模組
一廠:320*400(mm) 二廠:610*720(mm)
ARRAY
+
CELL
外購
cell + + +
MODULE
….
cell cell cell cell cell cell
第1代面板:長400mm,寬320mm
13.3“~14.1” 15“~17”
19“
22“~32”
720mm
610mm
面板範圍
裁餘部份, 拋棄不用
第3.5代面板:長720mm,寬610mm
液晶注入示意圖
液晶 液晶
2.封將閉液3C晶1.H破皿.A抽上M真真B昇空E,空使R,
注入口達到液面 之下
利用大氣壓力 及毛細現象 將液晶灌入
ADI的工作包括:
1.線幅 -- 線寬 -- Critical Dimension 2.配列 -- 同一層光罩之間的銜接 3.重合 -- 不同層光罩之間的對準 4.斜光目檢--玻璃表面刮傷及Particle的檢查
After Etching Inspection
1.蝕刻後檢查
不良的產品可以補蝕刻
2.去光阻後檢查
戴爾它(三角形)
最新的AV產品
Polyimide配向膜塗覆
APR板
淡黃色
800~1200 Å
配向絨布
PI膜配向:基板和 roller成45度角,
TFT和CF基板方向差 90 度. Roller高速旋轉時,絨毛上的纖維
TFT-LCD面板的制造工艺流程(图解)
TFT-LCD面板的制造工艺流程（图解）TFT-LCD是什么,这个在这里就不给大家介绍了，需要了解的在网站的产品介绍页面也是有的哦。
TFT-LCD主要的三段制程:首先是前段Array前段部分的Array 制程和半导体制程相似，但是不同的是将薄膜电晶体制作在玻璃之上，而不是矽晶圆上面。
然后是中段Cell中段部分的Cell ，是以前段的Array玻璃作为基板，和彩色的滤光片玻璃基板相结合，并且在两片玻璃基板之间灌入液晶(LC)。
最后是后段Module Assembly (模组组装)后段模组的组装制程则是将Cell制程之后的玻璃和其他的如电路、外框、背光板等等多种零组件组装生产的作业。
TFT-LCD面板的制作流程:薄膜晶体管液晶显示屏TFT-LCD)的模块薄膜晶体管液晶显示器模块:TFT-LCD:三明治一样的构造液晶显示屏的构造就如同三明治一样，将液晶夹杂在两片玻璃基板之间，这两片玻璃基板呢，就是TFT Array玻璃和彩色的滤光片。
在TFT Array玻璃的上面有着无数的画素(pixel)排列着，而彩色的滤光片则是画面颜色的重要来源，液晶呢便夹杂在TFT Array以及彩色的滤光片之间。
当电压在TFT(晶体管)的时候，液晶转向，那么光线便穿过了液晶在面板上面产生了一个画素，而此光源呢，则是由背光模块所负责提供的。
此时，彩色的滤光片给予了每一个画素特定的一个颜色。
结合了每一个不同颜色的画素最后所呈现出的，就是面板前端的影像了。
TFT-LCD:三明治一样的构造:经过300道以上的制程而产生TFT-LCD必须是在精密的无尘室之内，经过300道以上的制程而生产出来的。
无尘室的最高洁净度等级可以达到「10 」(即:在无尘室的环境之内，每立方尺最多只有10颗粉尘)。
经过300道以上的制程产生过程:TFT-LCD 工厂——世代和尺寸TFT-LCD 的工厂从以前的1代工厂演进到了现今的7.5代工厂，各个世代的厂房差别就是在于玻璃基板的一个尺寸。
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了解整个TFT-LCD open cell的制程
文章主要介绍TFT-LCD open cell制程，TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行TFT玻璃的制作；中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合；后段制程指驱动IC、印刷电路板和液晶板的压合。
笔者认为，只有了解整个TFT-LCD open cell的制程才能更好的进行TV背光系统、主板甚至整个TV的设计。
一、TFT-LCD open cell 制程简述
TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行TFT玻璃的制作，这与半导体制程非常相似；中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合，并加上上下偏光板；后段制程指将驱动IC和印刷电路板压合至TFT玻璃，并完成我们所熟知的open cell。
二、TFT-LCD open cell前段制程
TFT-LCD open cell前段制程与半导体制程非常相似，主要分成四个步骤：
1.利用沉淀形成gate metal。
首先在玻璃基板上涂布一层金属，然后涂上光阻胶，最后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。
涂布的金属材料主要成分为：钛（TI）、铝（AL）、钼（MO）和铬（CR）以及其混合物。
2.沉淀SI3N4（氮化硅）、a-SI（非晶硅）和N+a-si（N型硅）。
首先利用PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 技术分别涂布一层SI3N4、N+a-si和a-si，然后在N+a-si和a-si上涂布光阻胶，通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。
PECVD指的是等离子体增强化学气相沉积法，原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉淀出所期望的薄膜。
SI3N4、N+a-si和a-si三种材料充当的角色分别为：gate端和液晶存储电容的电解质、N型半导体和P型半导体。
3.形成source metal和drain metal。
首先在a-si上涂布一层金属材料来作为source metal和。