半导体物理试题

姓名：班级：学号：

密封线请在本线宽度范围内出题

新余学院　2010--2011学年　第二学期 新能源科学与工程学

院 09级光伏专业各班

《半导体物理与器件（闭卷）》期末试卷A卷出卷人：刘

坚批准人：

一、单项选择题（本题总分30分，每题3分）

1、本征半导体是指______的半导体。

A、不含杂质与缺陷

B、电子密度与空穴密度相等

C、电阻率最高

D、电子密度与本征载流子密度相等

2、在晶体硅中掺入元素______杂质后，能形成N型半导体。

A、锗

B、磷

C、硼

D、锡

3、300K下，硅本征载流子浓度是______cm-3。

A、2.33×1013

B、1.02×1010

C、

1.1×107 D、3.9×1018

4、电子在导带能级中分布的概率表达式是。

A、 B、 C、 D、

A、杂质电离，本征激发

B、本征激发，杂质电离

C、施主电离，本征激发

D、本征激发，受主电离

6、硅导带结构为。

A、位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面

B、一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面

C、一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面

D、位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面

7、一般半导体它的价带顶位于，而导带底位于。（

）

A、波矢k=0或附近，波矢k≠0

B、波矢k≠0，波矢k=0或附近

C、波矢k=0，波矢k≠0

D、波矢k=0或附近，波矢k≠0

或k=0

8、杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别

掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。

A、硼或铁

B、铁或铜

C、硼或磷

D、金或银

9、本征半导体费米能级的表达式是。

A、 B、 C、 D、

10、一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态

基本上，而能量小于费米能级的

量子态基本上为，而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是，所以费米能级的位置

比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。

A、没有被电子占据，电子所占据1/2

B、电子所占据，没有

被电子占据1/2

C、没有被电子占据，电子所占据1/3

D、电子所占据，没有

被电子占据1/3

二、名词解释（每题4分，共20分）

1、载流子的有效质量

2、有效态密度

第1页（共2页）

密封线请在本线宽度范围内出题

3、深能级杂质

4、费米能级

5、本征激发

三、简答题（每题6分，共30分）

1、从带隙及载流子占据的能级等方面说明导体、半导体和绝缘

体的导电性。

2、简述光伏材料和半导体材料的区别和联系。

3、以Si在GaAs中的行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中

可能出现的双性行为及电子浓度

随杂质浓度的变化。

4、画图并简要说明N型半导体中电子浓度随温度变化的趋势。

5、什么是直接带隙半导体和间接带隙半导体，有何区别？

四、计算题(每题10分,共20分)

1、在室温300K下，锗的有效态密度，。计算77K时的和。

2、有一块掺磷的n型硅，N D=1015cm-3，计算温度为500K时导带中电子浓度n0及价带中空穴浓度p0

（已知500K时硅本征载流子浓度n i=3.5×1014cm-3）。

第2页（共2页）