亿光光耦EL817
el817工作原理
el817工作原理
EL817是一款光电耦合器，也被称为Optocoupler或光耦，常
用于电气隔离和信号传输。
EL817工作原理如下：
1. 光发射器：EL817的光发射器由发光二极管（LED）构成。
当LED接收到输入电流时，它会发出光信号。
2. 光接收器：光接收器由一个光敏三极管（Phototransistor）
组成。
当光信号照射到光敏三极管时，它的发射电流会改变。
3. 输入端和输出端电气隔离：通过内部结构设计，LED和光
敏三极管之间没有直接的电气联系。
这种隔离设计可以有效防止输入和输出之间的电流泄露，从而提高系统的安全性和可靠性。
4. 光电转换：当输入电流通过LED时，它会产生光信号。
这
个光信号以脉冲的形式传播到光敏三极管。
光敏三极管根据光信号的强弱转换为相应的电流，进而输出一个对应的电信号。
5. 信号传输：光敏三极管的电流输出端可以连接到其他电路中，用于传输光电转换后的信号。
通过光耦的工作原理，输入电路和输出电路之间实现了电气隔离，避免了潜在的干扰和噪声。
总结：EL817的工作原理基于光电耦合效应，利用LED发出
的光信号，通过光敏三极管的光电转换，实现输入和输出之间的隔离和信号传输。
这种工作原理使得EL817在电气隔离和
信号传输方面具有广泛的应用价值。
光耦合器EL817光耦
2 Copyright Revision :8 © LifecyclePhase:
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
Release Date:2014-06-20 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 31, 2014. Issue No : DPC-0000011 Rev.8 Expired Period: Forever
3 Copyright Revision :8 © LifecyclePhase:
Release Date:2014-06-20 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 31, 2014. Issue No : DPC-0000011 Rev.8 Expired Period: Forever
Transfer Characteristics
Parameter EL817 EL817A Current Transfer ratio EL817B EL817C EL817D EL817X EL817Y Collector-Emitter saturation voltage Isolation resistance Floating capacitance Cut-off frequency Rise time Fall time * Typical values at Ta = 25°C VCE(sat) RIO CIO fc tr tf CTR Symbol Min 50 80 130 200 300 100 150 5×10 10
Typ. 0.1 0.6 80 6 8
Max. 600 160 260 400 600 200 300 0.2 1.0 18 18
EL817中文资料(everlight)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
和outpu（u维t 索= 50 V R0M0S0）
• 爬电距离7e
7.62 mm
• 操作TEMPgERATUR高达re+110
0°C
• 紧凑小外形封装
e
• 无铅并符合RoHS标准.
• UL认证（编号E214129）
• VDE认证（132249号）
• SEMKO一批个准
• NEMKO一批个准
• DEMKO一批个准
SMD选项.
1
芯片中文手册,看全文,戳
数据表
4PIN DIP光电晶体管光耦合器 EL817系列
绝对最大额定值（TA = 25℃）
Input
参数 正向电流
峰值正向电流（1微秒,脉冲）
反向电压
功耗
符号
IF IFP VR
PD
击穿电压
PC
产量
总功耗
隔离电压*
工作温度 储存温度
焊接温度*
集电极电流
• Programm梅布尔CONTRolOlers • 系统A 家电,公头 测量插件 struments • 电信 通信设备 • 家电,SUC风扇加热器等.ch • 信号TRAansmission b各色潜力和impueitdsa断路器操e作nt过电压之间s
ances
引脚Configuuration 1.阳极 2.阴极 e 3.发射 4.收集器
4
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数据表
4PIN DIP光电晶体管光耦合器 EL817系列
VCC
IF
IC
RL
产量
Input
脉冲
Input R IN
产量 脉冲
tr ton
图 7.开关时间测试电路和波形
EL817(C)-F中文资料(EVERLIGHT)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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数据表
4PIN DIP光电晶体管光耦合器 EL817系列
绝对最大额定值（TA = 25℃）
Input
参数 正向电流
峰值正向电流（1微秒,脉冲）
反向电压
功耗
符号
IF IFP VR
PD
击穿电压
PC
产量
总功耗
隔离电压*
工作温度 储存温度
焊接温度*
集电极电流
和outpu（u维t 索= 50 V R0M0S0）
• 爬电距离7e
7.62 mm
• 操作TEMPgERATUR高达re+110
0°C
• 紧凑小外形封装
e
• 无铅并符合RoHS标准.
• UL认证（编号E214129）
• VDE认证（132249号）
• SEMKO一批个准
• NEMKO一批个准
• DEMKO一批个准
Min.
Typ. Max.
-
1.2
1.4
-
-
10
-
30
250
产量
参数
集电极 - 发射极暗
当前
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
符号
Min
ICEO
-
BV CEO
35
BV ECO
6
Typ. Max.
-
100
-
-
-
-
传输特性
参数
符号
Min
Typ. Max.
EL817
50
-
600
EL817A
V
IF = 20mA时,IC = 1mA
光耦el817的工作原理
光耦el817的工作原理光耦（Optocoupler）是一种常用的光电器件，也称为光电隔离器或光电耦合器。
其中，EL817是一种常见的光耦型号，被广泛应用于电子设备中。
本文将从工作原理角度解析EL817的原理及其应用。
一、EL817的结构EL817主要由一个发光二极管（LED）和一个光敏三极管（光电晶体管）组成。
其中，LED作为输入端，当输入电流加到LED正极时，LED发出的光线会照射到光敏三极管的基极上，进而激活光敏三极管的发射结。
二、EL817的工作原理EL817的工作原理基于光电效应。
当输入电流加到LED正极时，LED发出的光线会照射到光敏三极管的基极上，光线的能量被吸收后会激活光敏三极管的发射结，形成电流的传导。
这个过程实现了输入信号的光电转换。
具体来说，当LED发出的光线照射到光敏三极管的基极上时，光敏三极管的发射结会受到光线的激发，使得发射结的电流得以流动。
这个电流被称为输出电流，它与输入电流之间存在一定的线性关系。
因此，EL817可以实现输入与输出之间的电隔离与信号转换。
三、EL817的应用由于EL817具有电隔离、信号转换等特点，因此在许多电子设备中得到广泛应用。
1. 电隔离EL817能够实现输入与输出之间的电隔离，从而保护输入与输出之间的电路不受干扰。
例如，在测量仪器中，输入端可能需要测量高压信号，而输出端则需要连接低压电路，这时就可以使用EL817实现输入与输出之间的电隔离，确保安全可靠的信号传输。
2. 信号转换EL817能够将输入信号转换为输出信号，实现不同电平之间的信号匹配。
例如，在数字电路与模拟电路之间，由于电平差异，可能需要使用EL817将数字信号转换为模拟信号，或者将模拟信号转换为数字信号，以实现两者之间的互联互通。
3. 电噪声隔离在一些噪声环境下，输入信号可能会受到电磁干扰或其他干扰源的影响，导致输出信号质量下降。
EL817能够通过电隔离的特性，将输入信号与输出信号隔离开来，从而减少噪声的传递和影响，提高信号的纯净度。
el817光耦工作原理
el817光耦工作原理EL817光耦是一种常见的光电器件，它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光控晶体管）组成。
它的工作原理是利用光敏器件对光信号的感应和转换。
在EL817光耦中，LED作为光源，当施加正向电压时，LED会发出光线。
光线经过透明封装后，照射到光敏三极管的基区，使之光电导起来。
光敏三极管的发射极和基极之间的电流变化取决于LED发出的光强度。
EL817光耦的工作原理可以通过以下几个步骤来解释：1. 发光二极管(LED)发出光信号：EL817光耦中的LED是一个二极管，它在正向电压的作用下发出光信号。
LED的电流和光强度之间存在正比关系，当电流增加时，光强度也随之增加。
2. 光线照射到光敏三极管的基区：发出的光线经过透明封装后，照射到光敏三极管的基区。
光敏三极管的基区是一个光敏材料，当光线照射到基区时，光子能量会激发基区的电子，使之跃迁到导带中。
3. 光敏三极管的电流变化：光敏三极管的发射极和基极之间的电流会随着光敏三极管基区的光电导起变化。
当光敏三极管的基区受到光线照射时，基区的电导率增加，从而导致发射极和基极之间的电流增加。
4. 光敏三极管的输出信号：光敏三极管的输出信号可以通过检测发射极和基极之间的电流变化来获取。
这个输出信号可以用来控制其他电路或器件，实现光电隔离、信号传输等功能。
总结来说，EL817光耦的工作原理是通过LED发出光信号，光线照射到光敏三极管的基区，使之光电导起来，进而影响光敏三极管的输出信号。
这种工作原理使得EL817光耦在电气隔离和信号传输方面有广泛的应用。
它可以用于电路的隔离、电压的检测、电流的测量等领域。
EL817光耦的工作原理为我们提供了一种新的光电转换技术，使得光信号和电信号之间可以进行有效的转换和传输。
在实际应用中，我们可以根据需要选择不同的光敏三极管和LED，以满足不同的光电转换要求。
同时，我们还可以根据实际情况设计合适的电路，以实现更加精确和可靠的光电转换效果。
详解光耦EL817的重要参数
详解光耦EL817的重要参数详解光耦EL817的重要参数——CTR值 CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%,300%(如4N35)，而pc817则为80%,160%，台湾亿光(如EL817)可达50%,600%。
这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。
鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号(高、低电平)，可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
el817用法
el817用法EL817是一种光电耦合器，也被称为光耦，是一种将输入电信号转换为光信号，再将光信号转换回电信号的器件。
它由一个发射机和一个接收机组成，通过光传输实现输入和输出的电隔离。
EL817具有广泛的应用领域，包括工控、通信、电力电子、汽车等多个领域。
EL817的基本结构由一颗发光二极管和一颗光探测器组成。
发光二极管通常使用红外LED作为发射源，而光探测器常用的是光敏三极管、光电二极管或光敏晶体管。
发射机和接收机之间通过一个透明的隔离壳相互隔离，使输入和输出之间不会相互影响。
EL817的工作原理基于光的传导。
当输入信号施加在发光二极管上时，发光二极管会产生相应的光信号，光信号经过隔离壳传输到光探测器上。
光探测器接收到光信号后，会产生相应的电信号输出，完成信号的光电转换。
EL817的优点之一是具有电隔离功能。
电隔离是指将高电压电路与低电压电路有效地隔离开，以防止高电压干扰低电压电路，提高整体系统的安全性和稳定性。
EL817通过光信号进行电隔离，使输入和输出之间不存在直接电流或电压连接，从而实现了电隔离的效果。
EL817的另一个优点是具有高速度和快速响应的特点。
它能够在微秒级的时间内完成发射和接收的过程，适用于需要高速信号传输的场合。
并且EL817还具有低功耗、小尺寸、抗干扰等特点，使其成为一种理想的电隔离解决方案。
在工业自动化领域，EL817常用于数字输入输出模块、变频器和PLC等设备中。
它能够将电机驱动回路与PLC控制回路进行电隔离，确保高压电源不会对PLC 控制回路产生干扰，提高设备的稳定性和可靠性。
此外，EL817还可以用于高压开关电源、电液伺服系统、通信设备等。
在电力电子领域，EL817可以用于电力开关设备中的电隔离过程。
在大功率电网中，为了保护低压控制回路和高压电路之间的可靠隔离，常使用EL817光耦来实现电隔离的效果。
光耦能够将高压电路信号转换为光信号，再将光信号转换为低压电路信号，从而避免高压电路对低压电路的干扰。
光耦的应用
功能渠道8-pin DIP8-pin DIP宽体5-pin MFP（SO-5）8-pin SOP（SO-8）高速光耦每秒钟传输1M比特单通道6N1356N136EL4502ELW135ELW136ELM0452ELM0453EL0500EL0501 双通道EL2530EL2531————EL0530EL0531每秒钟传输10M比特单通道6N137EL2601EL2611ELW137ELW2601ELW2611ELM600ELM601ELM611EL0600EL0601EL0611 双通道EL2630EL2631 ————EL0630EL0631EL0661 达林顿输出300K单通道6N1386N139————亿光的高速光耦一般应用在电源上，具体应用在放点等离子，固态继电器，工业测量机，调制器，电话，空调控制板，可编程逻辑控制器等等。
电源工作渠道固态继电器（SSR）Photo TriacEL302X，EL305X，EL304X，EL306X,EL308XELM302X,ELM305X，ELM304X，ELM306X,ELM308X高速光耦应用在空调标准EL817，EL357N-G 空调机应用到的光耦驱动EL3120高速光耦应用在驱动电源标准EL357N-G，EL3H7-G 驱动器应用到的光耦高速6N136，EL0500高速光耦的应用末端设备电话交换系统so8封装晶体管末端设备电机驱动逆变器/伺服系统栅极驱动器末端设备仪表控制/工业网络缝纫机串行总线接口隔离建议的使用设备：8-Pin DIP：6N135,6N136,,EL2503 8-Pin SOP:EL0500,EL0501总线网络描述·总线接口隔离·隔离控制器和分析设备（I/O,，伺服电机，控制板，流出物处理元件）应用·工厂自动化网络（总线接口，总线，CC-LINK）建议的使用设备：5-pin SOP:ELMO452,ELMO4538-pin DIP:EL2502,EL25038-pin SOP:EL0500,EL0501数据传输框图应用：·RS485和RS-422 的隔离接口·I²C的隔离接口建议的使用设备：5-pin SOP:ELM600,ELMO601，ELM06118-pin DIP:EL2601，EL26118-pin SOP:EL0500,EL0501，EL0601,EL0611PLC输入/输出（可编程逻辑控制器）通讯（面板与面板之间）建议的使用设备：5-pin SOP:ELM601,ELM6118-pin SOP:EL0601，EL0611，EL0630，EL0631电机控制描述·电流隔离电机线和控制集成电路·电机驱动控制的高速开关应用·IPM驱动/变频驱动建议的使用设备：5-pin SOP:ELM452，ELM453 8-pin DIP:EL0452，EL0453 8-pin SOP:EL0452,EL0453筑控设备描述：·通信线路之间的隔离室控制器·电机驱动控制的高速开关应用：·数据通信·IPM驱动/变频驱动建议的使用设备：5-pin SOP:ELM452，ELM4538-pin SOP:EL0630，EL0631，EL0611。
详解光耦的重要参数—CTR值
详解光耦的重要参数——CTR值CTR电流传输比（currenttransferratio）：描述光耦控制特性的参数，即副边的输出电流（IO）与原边输入电流（IF）的百分比，传输比CTR=IO÷IF×100%。
CTR：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压：集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%(如4N35)，而pc817则为80%～160%，台湾亿光(如EL817)可达50%～600%。
这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。
亿光的光耦el817的工作寿命评估方式
亿光的光耦el817的工作寿命评估方式光耦是一种将输入光信号和输出电信号进行电光转换的器件，广泛应用于各种电子设备中。
其中，亿光的光耦型号el817是一种常用的光耦产品。
在评估el817的工作寿命时，可以考虑以下几个方面：光电转换性能、环境因素、温度、电器荷电量、加电击波和终端压力。
首先，光电转换性能是评估el817工作寿命的重要指标之一。
光电转换性能包括光耦的转换速度、滞后时间和线性度等方面。
在实际应用中，光耦的转换速度要求越高，生命周期就越短。
因此，使用el817作为光耦时，需要根据具体需求选择合适的型号，并根据其提供的转换速度等参数进行评估。
其次，环境因素也会对el817的工作寿命产生影响。
环境因素主要包括湿度、光照强度和尘埃等。
湿度过高会导致光耦内部元件的腐蚀，从而降低工作寿命；光照强度过高会导致光耦内部元件的老化，同样会缩短工作寿命；而尘埃对光耦的外部结构形成阻隔，影响光信号的输入和输出，进而影响光耦的转换性能和工作寿命。
此外，温度对el817的工作寿命也有重要影响。
温度过高会使光耦内部元件的粘结材料老化，导致光电转换性能下降，从而缩短工作寿命。
因此，在设计电路时，需要根据实际环境温度，选择合适的散热措施，以保证el817在合适的温度范围内工作。
同时，电器荷电量也是评估el817工作寿命的重要因素之一。
电器荷电量是指光耦元器件上积累的电荷量，过高的电器荷电量会导致静电放电现象，进而对光电转换性能和工作寿命造成不可逆的损害。
此外，加电击波也是一个重要的评估因素。
在实际应用中，电路开关和继电器的加电冲击会影响光耦的工作寿命。
因此，在电路设计中，需要考虑合适的保护电路来减小电路开关对光耦产生的冲击，从而提高工作寿命。
最后，终端压力也是影响el817工作寿命的因素之一。
终端压力过大，会使光耦内部元件的结构变形，进而影响光电转换性能和工作寿命。
因此，在应用中需要注意处理好终端压力，避免对光耦造成不可逆的损害。
亿光EL817C光耦
Technical Data Sheet PhotocouplerEL817 Series Features:• Current transfer ratio(CTR:MIN.50% at IF =5mA ,VCE =5V) • High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms ) • Compact dual-in-line package EL817*:1-channel type • Pb free• UL approved (No. E214129) • VDE approved (No. 132249)• SEMKO approved (No. 0143133/01-03) • NEMKO approved (No. P0*******) • DEMKO approved (No. 310352-04) • FIMKO approved (No. FI 16763A2) • CSA approved (No. 1143601) • BSI approved (No. 8592 / 8593)• Options available:- Leads with 0.4”(10.16mm) spacing (M Type) - Leads bends for surface mounting (S Type)- Tape and Reel of Type Ⅰ for SMD(Add”-TA” Suffix) - Tape and Reel of Type Ⅱ for SMD(Add”-TB” Suffix) - The tape is 16mm and is wound on a 33cm reelDescriptionThe EL817 series contains a infrared emitting diode optically coupled to a phototransistor. It is packaged in a 4-pin DIP package and available in wide-lead spacing and SMD option.Applications• Computer terminals• System appliances, measuring instruments• Registers, copiers, automatic vending machines • Cassette type recorder• Electric home appliances, such as fan heaters, etc.• Signal transmission between circuits of different potentialsandimpedancesPhotocouplerEL817 Series Device Selection GuideChip MaterialPart. No.IR PTEL817* GaAs SiliconPhotocouplerEL817 Series2. Factory code shall be marked (T: Taiwan / C: China)3. Year date code4. 2-digit work week5. All dimensions are in millimeters6. Specifications are subject to change without noticeTechnical Data Sheet PhotocouplerEL817 SeriesAbsolute Maximum Ratings ( Ta=25°C )Parameter Symbol Rating UnitForward CurrentI F 50 mA Input Reverse Voltage V R 6 V Power Dissipation P 70mWCollector Power DissipationP C 150 mW Output Collector CurrentI C 50mA Collector-Emitter Voltage V CEO 35 V Emitter-Collector Voltage V ECO 6V Total Power DissipationPtot 200 mW＊1Isolation VoltageViso 5000 V rmsOperating Temperature Topr -55~+110 °CStorage TemperatureTstg -55~+125 °C＊2Soldering TemperatureTsol 260 °C*1 AC for 1 minute, R.H= 40~ 60%RH-Isolation voltage shall be measured using the following method.) (1) Short between anode and cathode on the primary side and ) between collector, emitter and base on the secondary side. ) (2) The isolation voltage tester with zero-cross circuit shall be used. ) (3) The waveform of applied voltage shall be a sine wave *2 For 10 secondsTechnical Data Sheet PhotocouplerEL817 SeriesElectro-Optical Characteristics (Ta=25°C)Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit ConditionForwardV F - 1.2 1.4 V I F =20mA ReverseCurrent IR - - 10 uAV R =4VInputTerminal Ct - 30 250 pF V=0,f=1kHz Collector Dark currentI CEO - - 100 nAV CE =20VOutputCollector- Emitter breakdown voltage BV CEO 35 - - V Ic=0.1mACurrent Transfer ratio CTR 50-600 % I F =5mA ,V CE =5VCollector- Emitter saturation voltageV CE(sat) - 0.1 0.2 V I F =20mA ,Ic=1 mAIsolationresistanceR ISO5×10101011 - ΩDC500V,40~60%R.HFloation capacitance Cf - 0.6 1.0 pF V=0, f=1MHz Cut-off frequency fc - 80 - kHz V CE =5V, I C =2 mA R L =100Ω, -3dBRise time t r - 4 18 us TransferCharacteristicsFall timet f - 3 18 usV CE =2VI C =2mA,R L =100ΩPhotocouplerEL817 Series SupplementTechnical Data Sheet PhotocouplerEL817 SeriesRELIABILITY PLANThe reliability of products shall be satisfied with items listed below.Confidence level : 90 % , LTPD : 10 %ClassificationTest ItemDescription & Condition(Acc.) SampleFailure CriteriaReference StandardOperation Life * Ta = 25 ± 3°C IR: If = 50 mAPt: Pc = 130 mW ( Vf=1.4v) , 1000 hrs0 / 22MIL-S-750 : 1026 MIL-S-883 : 1005JIS C 7021 : B-1High Temperature / High Humidity Reverse Bias (H3TRB)Ta = 85 ± 3°C , Humi. = 85 % rh Pt: 80% * Vce (max rating) , 1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-11High TemperatureReverse Bias (HTRB) Ta = 105 ± 3°CPt: 100% * Vce (Max rating) ,1000 hrs0 / 22JIS C 7021 : B-8Low Temperature Storage Ta = -50 ± 3°C, 1000 hrs 0 / 22JIS C 7021 : B-12High Temperature Storage Ta = 125 ± 3°C , 1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-10 MIL-S-883 : 1008Endurance testAuto claveP = 15 PSIG , Ta = 121 °C , Humi. = 100 % rh , 48 hrs0 / 22JESD 22-A102-BTemperature Cycling (Air to Air) 125°C ~ - 55 °C30 ~ 30 min , 100 cycles 0 / 22 MIL-S-883 :1010 JIS C 7021 : A-4Thermal Shock (Liquid to Liquid)125 ~ - 55°C t (dwell) = 5 mint (trans.) = 10 sec , 100 cycles0 / 22 MIL-S-202 : 107D MIL-S-750 : 1051 MIL-S-883 :1011Solder ResistanceTa = 260 ± 3°C t (dwell) = 10 ± 1 sec0 / 22 MIL-S-750 : 2031 JIS C 7021 : A-1Environmental TestSolder AbilityTa = 230 ± 3 °C t (dwell) = 5 ± 1 sec0 / 22CTR shift > 1.2Vf > U* 1.0 Ir > U * 1.0 Vce(sat) >U*1.0Bvceo < L*1.0 Bveco < L*1.0L :Low Spec.LimitU : Up Spec. LimitMIL-S-883 : 2003 JIS C 7021 : A-2Technical Data SheetPhotocouplerEL817 Series2. 25 Tubes / Inner Carton3. 12 Inner Cartons / Outside CartonTechnical Data Sheet Photocoupler-11-。
详解光耦EL817的重要参数
详解光耦EL817 的重要参数详解光耦EL817的重要参数一一CTR fi CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压: 发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V（BR）CEO 集电极-发射极饱和压降VCE（sat）。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压: 集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通? 什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF 特性曲线呈非线性，在IF 较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比（△ CTR衣IC/ △ IF）很接近于直流电流传输比CTR fi。
因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC 与直流输入电流IF 的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%,300%如4N35），而pc817则为80%,160%台湾亿光（如EL817）可达50%,600%这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准；由台湾亿光生成生产的EL817系列（如EL817B-F EL817C-F）光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。
鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号（高、低电平），可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
光耦元件PC817应用分析
光耦元件PC817应用分析光耦元件（Optocoupler）是一种将输入电信号和输出电信号进行电气隔离的器件，它由发光二极管（LED）和光敏三极管（Phototransistor）组成。
光耦元件PC817是一种常见的光耦元件，广泛应用于电源隔离、电路控制和信号传输等领域。
PC817的主要特点是：工作电流小、转速快、输出稳定、电气隔离性好。
它能够将输入电信号通过光信号传递给输出端，从而实现电气隔离，避免了因输入端和输出端之间的电流互相干扰而造成的干扰噪声。
在电源隔离方面，PC817常见于开关电源中，用于将输入端的开关信号通过光耦元件传递给控制电路，从而实现电源的开关。
它具有电气隔离性能，可以有效地隔离输入端和输出端的电源，避免了由于电源开关引起的电压干扰。
在电路控制方面，PC817可以用于替代机械继电器，实现电气隔离的继电器功能。
它的输出端具有较高的电压和电流能力，可以直接驱动电路中的负载，如电动机、灯泡等。
同时，光耦元件具有快速的响应速度，能够快速地将输入端的控制信号传递给输出端，实现对电路的精确控制。
在信号传输方面，PC817可以用于隔离输入端和输出端的信号，避免了信号干扰和波形畸变。
它能够将输入端的模拟信号或数字信号转换成光信号并传递给输出端，保证了信号的传输质量。
在工业自动化控制系统中，PC817可以广泛应用于PLC控制、DCS系统、传感器输出等信号隔离和传输的场景中。
此外，PC817还具有体积小、价格低廉、可靠性高等特点，可以满足不同应用场景的需求。
它广泛应用于电子设备、通信设备、仪器仪表、家电、机械控制和汽车电子等领域。
总结起来，光耦元件PC817是一种常见的光耦元件，应用广泛，主要用于电源隔离、电路控制和信号传输等领域。
它具有工作电流小、转速快、输出稳定、电气隔离性好的特点，可以有效地隔离输入端和输出端的电源和信号，保证了电路的稳定性和可靠性。
光耦手册EL817
Revision
: 10
Release Date:2010-05-29 16:39:31.0 Expired Period: Forever
LifecyclePhase:
4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)
Everlight Electronics Co., Ltd. Document No DPC-0000046
2 Rev.10
April, 21 2010
Revision
: 10
Release Date:2010-05-29 16:39:31.0 Expired Period: Forever
EL817 Series
Condition IF = 20mA VR = 4V V = 0, f = 1kHz
IR
Cin
Output
Parameter Collector-Emitter dark current Collector-Emitter breakdown voltage Emitter-Collector breakdown voltage Symbol ICEO BVCEO BVECO Min. 35 6 Typ.* Max. 100 Unit nA V V Condition VCE = 20V, IF = 0mA IC = 0.1mA IE = 0.1mA
4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
Features:
• Current transfer ratio (CTR: 50~600% at IF =5mA, VCE =5V) • High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms ) • Creepage distance >7.62 mm • Operating temperature up to +110°C • Compact small outline package • Pb free and RoHS compliant. • UL approved (No. E214129) • VDE approved (No. 132249) • SEMKO approved (No. 716108) • NEMKO approved (No. P08209467) • DEMKO approved (No. 314683) • FIMKO approved (No. FI 224433) • CSA approved (No. 1143601)
亿光高性能光耦应用
功能
通道 8-pin DIP
高速
. M+ Y+ Q% V7 w( G# |
照片耦合器的应用
单 1Mbps
双
单 10Mbps
双
达林顿管 300K
单
通道
8-pin DIP 6N135 6N136
EL4502 EL2530 EL2531 6N137 EL2601 EL2611 EL2630 EL2631
网络控制/工业缝纫机统
高速耦合器 串行总线接口隔离
, F, i% ?$ u/ [; X
- y) j- P, q& u) T8 T4 _$ ^
现场总线网络
2 d" \, U2 Y- k+ ~4 H$ m
描述
总线接口隔离 控制器和FA设备之间的分 隔阀（I/O，伺服电机， 面板等） 应用 工厂自动化网络（Profi Bus, DeviceNet, CCLINK）
& f2 c6 v; _6 r& `
数据传输框图
* K( W# W. `( d% O2 n- c
应用 WRS485和RS-422隔离接口 隔离接口 推荐器件
5-pin SOP：ELM600、ELM0601、 ELM0611 8-pin DIP：EL2601、EL2611
8-pin SOP：EL0500、EL0501、 EL0601、EL0611
]: F2 K& C" A0 g
EL306x、EL308x q7 E
}4 x; H9 w6 P7 _" p S
ELM302x、ELM305x、 ELM304x、ELM306x、 ELM308x, E2 |. @2 Z8 T
EL817
EVERLIGHT ELETCRONICS CO., LTDTechnical Data Sheet Photocoupler-RoHS Compliant深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ ＥＬ８１７是台湾亿光（ＥＶＥＲＬＩＧＨＴ）生产的线性光耦，用在电源的反馈回路，用来稳定电压和隔离。
亿光电子的光耦合器可提供各式封装型式 （４－Ｐｉｎ ＳＳＯＰ， ４－Ｐｉｎ ＳＯＰ， ４－Ｐｉｎ ＤＩＰ， ６－Ｐｉｎ ＤＩＰ， ８－Ｐｉｎ ＳＯＰ 与 ８－Ｐｉｎ ＤＩＰ） 且客户可依据产品输出功能，选用适合的产品。
ＥＬ８１７ 亿光光耦合器主要使用在电源设备上，隔离高低 电压的用途。
相关的终端产品应用包括家电、温控、冷气空调（ＨＶＡＣ）、贩卖机、照明控制装置、充电器与交换式的电源供应器。
E -Mail:1091944079@Photocoupler-RoHS Compliant深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 Series S1 TypeNotes:1.Rank shall be or shall not be marked2.Factory code shall be marked (T: Taiwan / C: China)3.Year date code4.2-digit work week5.All dimensions are in millimeters6.Specifications are subject to change without noticePhotocoupler-RoHS Compliant深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 SeriesAbsolute Maximum Ratings ( Ta=25°C )UnitRatingParameter SymbolmACurrent I F 50ForwardVVoltage V R 6Input ReversemWDissipation P 70PowermWCollector Power Dissipation P C 150mAOutput CollectorCurrent I C 50VVoltageV CEO 35Collector-EmitterVVoltageEmitter-CollectorV ECO 6Total Power Dissipation Ptot 200 mW＊1 Isolation Voltage Viso 5000rmsVOperating Temperature Topr -55~+110 °CStorage Temperature Tstg -55~+125 °C＊2 Soldering Temperature Tsol 260°C*1 AC for 1 minute, R.H= 40~ 60%RH-Isolation voltage shall be measured using the following method.(1) Short between anode and cathode on the primary side andbetween collector, emitter and base on the secondary side.(2) The isolation voltage tester with zero-cross circuit shall be used.(3) The waveform of applied voltage shall be a sine wave*2 For 10 secondsPhotocoupler-RoHS CompliantEL817 SeriesElectro-Optical Characteristics (Ta=25°C)Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit ConditionForwardV F - 1.2 1.4 V I F =20mA ReverseCurrent I R - - 10 uAV R =4VInputTerminal Ct - 30 250 pF V=0,f=1kHz Collector Dark currentI CEO - - 100 nAV CE =20VOutputCollector- Emitter breakdown voltage BV CEO 35 - - V Ic=0.1mACurrent Transfer ratio CTR 50-600 % I F =5mA ,V CE =5VCollector- Emitter saturation voltageV CE(sat) - 0.1 0.2 V I F =20mA ,Ic=1 mAIsolation resistance R ISO 5×1010 1011 - ΩDC500V,40~60%R.HFlotation capacitance Cf - 0.6 1.0 pF V=0, f=1MHz Cut-off frequency fc - 80 - kHz V CE =5V, I C =2 mA R L =100Ω, -3dBRise time t r - 4 18 us Transfer CharacteristicsFall timet f - 3 18 usV CE =2VI C =2mA,R L =100Ω深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 Series SupplementEL817 Series RELIABILITY PLANz The reliability of products shall be satisfied with items listed below.Confidence level : 90 % , LTPD : 10 %Classification Test Item Description & Condition (Acc.)Sample FailureCriteriaReferenceStandardOperation Life * Ta = 25±3°CIR: If = 50 mAPt: Pc = 130 mW ( Vf=1.4v) , 1000 hrs 0 / 22 MIL-S-750 : 1026MIL-S-883 : 1005JIS C 7021 : B-1High Temperature / High Humidity Reverse Bias (H3TRB) Ta = 85 ±3°C , Humi. = 85 % rhPt: 80% * Vce (max rating) , 1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-11High Temperature Reverse Bias (HTRB) Ta = 105 ±3°CPt: 100% * Vce (Max rating) ,1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-8Low Temperature Storage Ta = -50 ±3°C , 1000 hrs 0 / 22 JIS C 7021 : B-12High Temperature Storage Ta = 125 ±3°C , 1000 hrs 0 / 22 JIS C 7021 : B-10MIL-S-883 : 1008 Endurance testAuto clave P = 15 PSIG , Ta = 121 °C ,Humi. = 100 % rh , 48 hrs0 / 22 JESD 22-A102-BTemperature Cycling (Air to Air) 125°C ~ - 55 °C30 ~ 30 min , 100 cycles0 / 22 MIL-S-883 :1010JIS C 7021 : A-4Thermal Shock (Liquid to Liquid) 125 ~ - 55°Ct (dwell) = 5 mint (trans.) = 10 sec , 100 cycles0 / 22 MIL-S-202 : 107DMIL-S-750 : 1051MIL-S-883 :1011Solder Resistance Ta = 260 ±3°Ct (dwell) = 10 ±1 sec 0 / 22 MIL-S-750 : 2031JIS C 7021 : A-1Environmental TestSolder Ability Ta = 230 ±3 °Ct (dwell) = 5 ±1 sec 0 / 22CTR shift > 1.2Vf > U* 1.0Ir > U * 1.0Vce(sat) >U*1.0Bvceo < L*1.0Bveco < L*1.0L :LowSpec.LimitU : Up Spec.LimitMIL-S-883 : 2003JIS C 7021 : A-2深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 Series2.25 Tubes / Inner Carton3.12 Inner Cartons / Outside Carton深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 SeriesEL817 Series3. 10 Inner Cartons / Outside CartonTEL:755-36627339集成电路，光电藕合器，三端稳压管，二三极管，电阻电容深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ。
详解光耦的重要参数—CTR值
详解光耦的重要参数——CTR值CTR电流传输比（curren ttran sferr atio）：描述光耦控制特性的参数，即副边的输出电流（IO）与原边输入电流（IF）的百分比，传输比CTR=IO÷IF×100%。
CTR：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比C TR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
集电极-发射极电压：集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%(如4N35)，而pc817则为80%～160%，台湾亿光(如EL817)可达50%～600%。
这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
因此，CTR参数与晶体管的h FE有某种相似之处。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的E L817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。
el817共阴极应用电路
el817共阴极应用电路EL817是一种共阴极光耦合器，也称为光电耦合器。
它是一种集成电路，由一个红外发射二极管和一个NPN型光敏三极管组成。
在实际应用中，EL817常用于光电隔离和信号传输的电路。
共阴极光耦合器主要用于隔离输入和输出，电气隔离可以有效地阻止器件之间的电流和电压传导，提高电路的可靠性和稳定性，从而保护接收器和发送器。
因此，EL817广泛应用于多种电子设备和系统中，如工业自动化、仪器仪表、通信设备和家用电器等。
在工业自动化领域，EL817可以用于解决接口电路之间的地线传导问题。
由于工业现场存在较大的电磁干扰和噪声，为了保护控制电路和测量电路的正常运行，常需要将输入和输出信号进行隔离。
采用共阴极光耦合器可以实现输入和输出信号的电气隔离，提高系统的抗干扰能力。
在仪器仪表领域，EL817可以用于仪器仪表的漏电检测和信号隔离。
通过将待检测电路和测量电路进行隔离，可以减小测量误差，提高仪器的精度和稳定性。
此外，EL817还可以用于信号的放大和传输，可以扩大信号的幅度，使信号能够传输到远距离。
在通信设备领域，EL817可以用于光纤通信系统中的光电转换。
光电转换是将光信号转化为电信号的过程。
光信号在光纤中传输，当光信号到达接收端时，需要将其转化为电信号进行处理。
EL817可作为光电转换的核心元件，将光信号转化为电信号，实现通信信号的传输和处理。
在家用电器领域，EL817可以用于家用电器的控制电路。
通过采用共阴极光耦合器，可以实现电器的远程控制和智能化控制。
例如，通过EL817将电机控制电路和控制面板进行隔离，可以减小因电气干扰和噪声引起的故障，提高电器的使用安全性和可靠性。
总的来说，EL817作为一种共阴极光耦合器，被广泛应用于工业自动化、仪器仪表、通信设备和家用电器等领域中。
它通过电气隔离和信号转换，实现输入和输出之间的隔离和传输。
EL817的应用可以提高系统的抗干扰能力、稳定性和安全性，为电子设备和系统的正常运行提供保障。
关于开关电源上光耦817的电流传输比CTR档位选择问题
请教你关于开关电源上用的光耦电流传输比的选择问题。
我以前一直以为，光耦的CTR越高越好。
当然了，CTR档位越高，同个型号的光耦价格也会越高。
开关电源上用的光耦，一般会选择什么档位？我在网上搜到如下这句话：
“在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如
下：光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。
这是因为当CTR＜50%时，光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF＞5.0mA)，才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。
若CTR＞200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。
”
针对这句话，附件中的亿光光耦EL817选择什么档位最好，请帮我参考。
谢谢
具体选那个，看你的参数设计，满足在温度下控制器所需电流即可。
终合稳定性，驱动能力，价格，供货周期等因素考虑，
目前开关电源用得最多的档位是EL817B（CTR：130--260%）和EL817C（200--400%），EL817B会更多一些
联系QQ：158913063
从本人的经验来看，ABC都用过，也的确都工作正常。
但可能不是你说的这样！
其实隔离式的开关电源，主要利用光藕在1~5mA这段较为线性的区域，但是负反馈对非线性是不太敏感的，所以即使CTR是50%~200% ，负反馈的调节，在输出上也不过就是一点点的波纹振荡而已，几乎看不出来的。
所以即使用TLP521，60%~600%的CTR，也完全可能工作正常。
无须担心什么！。
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Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 26, 2014. Issue No: DPC-0000046 Rev.14
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 4PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL817 series
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Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 26, 2014. Issue No: DPC-0000046 Rev.14
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 4PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL817 series
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Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 26, 2014. Issue No: DPC-0000046 Rev.14
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DATASHEET 4PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL817 series
Operating Temperature Storage Temperature Soldering Temperature*
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TSOL
Notes: *1 AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1, 2 are shorted together, and pins 3, 4 are shorted together. *2 For 10 seconds
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)
Parameter Forward current Peak forward current (1us, pulse) Input Reverse voltage Power dissipation Derating factor (above Ta = 100°C) Power dissipation Derating factor (above Ta = 100°C) Output Collector current Collector-Emitter voltage Emitter-Collector voltage Total Power Dissipation Isolation Voltage*
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
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Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :May 26, 2014. Issue No: DPC-0000046 Rev.14
Output
Parameter Collector-Emitter dark current Collector-Emitter breakdown voltage Emitter-Collector breakdown voltage Symbol ICEO BVCEO BVECO Min 35 6 Typ. Max. 100 Unit nA V V Condition VCE = 20V, IF = 0mA IC = 0.1mA IE = 0.1mA
Wide lead bend (0.4 inch spacing) Surface mount lead form + TA tape & reel option Surface mount lead form + TB tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TA tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TB tape & reel option Surface mount lead form (Gull-wing) + TA tape & reel option Surface mount lead form (Gull-wing) + TB tape & reel option Surface mount lead form + TU tape & reel option Surface mount lead form + TD tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TU tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TD tape & reel option
Typ. 0.1 0.6 80 4 3
Max. 600 160 260 400 600 200 300 0.2 1.0 18 18
Unit
Condition
%
ห้องสมุดไป่ตู้
IF = 5mA ,VCE = 5V
V pF kHz µs µs
IF = 20mA ,IC = 1mA VIO = 500Vdc, 40~60% R.H. VIO = 0, f = 1MHz VCE = 5V, IC = 2mA RL = 100, -3dB VCE = 2V, IC = 2mA, RL = 100
Description
The EL817series of devices each consist of an infrared emitting diodes, optically coupled to a phototransistor detector. They are packaged in a 4-pin DIP package and available in wide-lead spacing and SMD option.
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Symbol IF IFP VR PD
Rating 60 1 6 100 2.9 150
Unit mA A V mW mW/°C mW mW/°C mA V V mW V rms °C °C °C
PC 5.8 IC VCEO VECO PTOT VISO TOPR TSTG 50 35 6 200 5000 -55 to 110 -55 to 125 260
Electro-Optical Characteristics (Ta=25℃ unless specified otherwise)
Input
Parameter Forward Voltage Reverse Current Input capacitance Symbol VF IR Cin Min. Typ. 1.2 30 Max. 1.4 10 250 Unit V µA pF Condition IF = 20mA VR = 4V V = 0, f = 1kHz
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4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL817 Series
Schematic
Features:
• Current transfer ratio (CTR: 50~600% at IF =5mA, VCE =5V) • High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms ) • Creepage distance >7.62 mm • Operating temperature up to +110°C • Compact small outline package • Pb free and RoHS compliant • UL and cUL approved(No. E214129) • VDE approved (No. 132249) • SEMKO approved • NEMKO approved • DEMKO approved • FIMKO approved Pin Configuration 1. Anode 2. Cathode 3. Emitter 4. Collector
Applications
• Programmable controllers • System appliances, measuring instruments • Telecommunication equipments • Home appliances, such as fan heaters, etc. • Signal transmission between circuits of different potentials and impedances
Order Information
Part Number
EL817X(Y)(Z)-FV
Note X Y Z F V = Lead form option (S, S1, S2, M or none) = CTR Rank (A, B, C, D, X , Y or none) = Tape and reel option (TA, TB, TU, TD or none). = Lead frame option (F: Iron, None: copper) = VDE safety (optional).
Option None M S (TA) S (TB) S1 (TA) S1 (TB) S2 (TA) S2 (TB) S (TU) S (TD) S1 (TU) S1 (TD) Standard DIP-4