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a．三电极电流关系：IE = IB + IC； b．IC IB ， IC IE； c． IC IB， IC/IB =β（β为常数，为三极管的电
流放大倍数）。
2、三极管的伏安特性曲线
输入伏安特性曲线
当集电极电压UCE一定时 ，基极电流IB与基极电压 UBE的关系：
输出伏安特性曲线
当基极电流IB为一定 时，集电极电流IC与 集电极电压UCE的关系
三极管分为NPN型和PNP型两种。
3个区（发射区、基区和集电区） 两个PN结（发射结和集电结） 3个电极（基极B、发射极E和集电极C）
（2）三极管的3种连接方式
（3）三极管电流放大原理
通过改变电阻RB， 使得基极电流IB在不
同的情况下，测得
集电极电流IC和发射 极电流IE，得到一组
数据。
分析实验所得数据，可有如下结论：
：
3个工作区域，即放大区、饱和 区和截止区。
3个区的工作特性：
① 放大区
发射结正偏，集电结反偏（对于NPN型管，UC>UB、 UB>UE；对于PNP型管，UC<UB、UB<UE）。
IB>0，IC = βIB，UCE=UCC ICRC IC仅决定于IB，与UCE无关，此时具有电流放大作用。
3个区的工作特性：
端（P端电压为UP，N端电压为UN）的电位差。 a．UP>UN，则二极管导通；否则截止。 b．有多个二极管符合UP>UN时，UP−UN最大的二极
管优先导通，再分析其他的二极管是否导通。 ③ 确定了二极管的工作状态后，用基尔霍夫定律分析 求解电路。
例题，分析图中二极管的状态：导通还是截止。
整流电路
限幅电路
仿真分析：限幅电路
钳位电路
VD1起钳位作用，把输出端F的电 位钳制在＋3V； VD2起隔离作用，把输入端B和输 出端F隔离开。
6、半导体器件型号命名方法
2AP9：“2”表示电极数为2，“A”表示N型锗材料， “P”表示普通管，“9”表示序号。
（三）三极管
1、三极管的基本知识 （1）三极管的结构和符号
（2）半导体的晶体结构 纯净的、具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在晶体中，原子的4个价 电子就会分别与其周围的 4个原子组成稳定的共价 键。
在常温下，本征半导体的导电能力极差。
本征激发 载流子 自由电子 空穴
3、半导体的导电原理
（1）N型半导体
在纯净的半导体中掺入 微量的五价元素，如砷 （As）或磷。 多子：自由电子； 少子：空穴。
3、二极管的伏安特性曲线
正向特性、反向特性
4、二极管的主要参数
（1）最大整流电流IFM 最大整流电流IFM是指二极管长期工作时允许通过的最大
正向平均电流。使用中电流超过此值，管子会因过热而 损坏。
（2）最高反向工作电压URM
二极管长期运行时所能承受的最大反向工作电压。为保
证二极管能安全工作，一般取UR为URM的二分之一。
问题讨论： 请分析一下，下面哪个三极管工作在放大？为什么？
仿真分析
（1）图中的三极管是NPN还是PNP型 ？工作在哪种状态，是放大、截止还 是饱和？
仿真分析
（2）图中的三 极管是NPN还是 PNP型？工作在 放大、截止还是 饱和？
项目一 半导体器件的认识
一、项目分析 二、相关知识 （一）半导体的基本知识 （二）二极管 （三）三极管 三、拓展知识 （一）特殊用途的二极管 （二）场效应管
一、项目分析
项目内容 半导体的导电特性和PN结的基本原理，二极管、三极 管、场效应管等的结构、工作原理、特性曲线及主要参 数。 知识点 ① 半导体的导电特性和PN结的基本原理； ② 二极管的结构、伏安特性； ③ 三极管的结构、电流分配原理、工作状态和条件。
PN结正向 偏置，则导 通，即正向 导通。
反向截止、反向击穿
PN结正向偏置时，PN结导通，正向电阻很小，正向电
流Iຫໍສະໝຸດ Baidu较大；
PN结反向偏置时，PN结截止，反向电阻很大，反向电
流IR很小。
PN结的这种正向导通和反向截止的特性定义为单向导电 特性。
（二）二极管
1、二极管的结构和符号
2、二极管的单向导电性 结论：二极管的这种正向导通、反向截止特性称为二极 管的单向导电性。
（2）P型半导体
在纯净的半导体中掺入 微量的三价元素，如硼 （Be）或铟（In）。 多子：空穴； 少子：自由电子。
通过改变掺入杂质的浓度可以控制半导体的导电能力。
（3）半导体PN结 ① PN结的形成。
PN结的宽度一般为几微米到几十微米。
② PN结的特性。
在没有外电场的作用下，PN结是不会导电的； 在外电场的作用下，PN结显示单向导电特性。
（3）反向击穿电压 反向击穿电压是指二极管能承受的最大反向工作电压， 外加电压超过该值，PN结会损坏。
（4）最高工作频率fM 最高工作频率fM是保证二极管正常工作时所加信号的最
高频率，否则会使二极管失去单向导电特性。
5、二极管的应用及电路分析方法
① 先确定相应的参考点。 ② 假设所有二极管全部断开，判断二极管原来位置两
2、半导体的物理特性
（1）半导体独特的物理特性 ① 热敏特性：半导体器件的温度稳定性差。 ② 光敏特性：在有光照和无光照的条件下，其电阻率有 几十到几百倍的差别。 ③ 掺杂特性：在纯净的半导体材料中掺入某种微量的杂 质元素后，其导电能力将猛增几万倍甚至几百万倍。 制造半导体器件的主要材料是锗和硅。
② 饱和区 发射结和集电结均正偏。 UCE=UCES，很小，C-E之间相当于一个接通的开关。 IC不受IB控制，IC不再随IB的增大而增大，而是由外电 路决定。
③ 截止区 发射结和集电结均反偏。
IB≈0，IC≈0，UCE=UCC ICRC 失去电流放大作用，C-E间相当于断开的开关。
三极管可工作在3种状态，若应用于电流放大时，应工 作在放大区；若作开关使用时，应工作在饱和区和截止 区。
一、项目分析
能力点 ① 会识别二极管、能测绘其伏安特性； ② 会识别三极管、能分析其电流分配情况； ③ 能测绘三极管的传输特性曲线； ④ 能熟练应用特殊二极管、绝缘栅型场效应管。
二、相关知识
（一）半导体的基本知识 1、半导体 自然界的物质按其导电能力可分为：导体、绝缘体和半 导体。 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，如 硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。
流放大倍数）。
2、三极管的伏安特性曲线
输入伏安特性曲线
当集电极电压UCE一定时 ，基极电流IB与基极电压 UBE的关系：
输出伏安特性曲线
当基极电流IB为一定 时，集电极电流IC与 集电极电压UCE的关系
三极管分为NPN型和PNP型两种。
3个区（发射区、基区和集电区） 两个PN结（发射结和集电结） 3个电极（基极B、发射极E和集电极C）
（2）三极管的3种连接方式
（3）三极管电流放大原理
通过改变电阻RB， 使得基极电流IB在不
同的情况下，测得
集电极电流IC和发射 极电流IE，得到一组
数据。
分析实验所得数据，可有如下结论：
：
3个工作区域，即放大区、饱和 区和截止区。
3个区的工作特性：
① 放大区
发射结正偏，集电结反偏（对于NPN型管，UC>UB、 UB>UE；对于PNP型管，UC<UB、UB<UE）。
IB>0，IC = βIB，UCE=UCC ICRC IC仅决定于IB，与UCE无关，此时具有电流放大作用。
3个区的工作特性：
端（P端电压为UP，N端电压为UN）的电位差。 a．UP>UN，则二极管导通；否则截止。 b．有多个二极管符合UP>UN时，UP−UN最大的二极
管优先导通，再分析其他的二极管是否导通。 ③ 确定了二极管的工作状态后，用基尔霍夫定律分析 求解电路。
例题，分析图中二极管的状态：导通还是截止。
整流电路
限幅电路
仿真分析：限幅电路
钳位电路
VD1起钳位作用，把输出端F的电 位钳制在＋3V； VD2起隔离作用，把输入端B和输 出端F隔离开。
6、半导体器件型号命名方法
2AP9：“2”表示电极数为2，“A”表示N型锗材料， “P”表示普通管，“9”表示序号。
（三）三极管
1、三极管的基本知识 （1）三极管的结构和符号
（2）半导体的晶体结构 纯净的、具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
在晶体中，原子的4个价 电子就会分别与其周围的 4个原子组成稳定的共价 键。
在常温下，本征半导体的导电能力极差。
本征激发 载流子 自由电子 空穴
3、半导体的导电原理
（1）N型半导体
在纯净的半导体中掺入 微量的五价元素，如砷 （As）或磷。 多子：自由电子； 少子：空穴。
3、二极管的伏安特性曲线
正向特性、反向特性
4、二极管的主要参数
（1）最大整流电流IFM 最大整流电流IFM是指二极管长期工作时允许通过的最大
正向平均电流。使用中电流超过此值，管子会因过热而 损坏。
（2）最高反向工作电压URM
二极管长期运行时所能承受的最大反向工作电压。为保
证二极管能安全工作，一般取UR为URM的二分之一。
问题讨论： 请分析一下，下面哪个三极管工作在放大？为什么？
仿真分析
（1）图中的三极管是NPN还是PNP型 ？工作在哪种状态，是放大、截止还 是饱和？
仿真分析
（2）图中的三 极管是NPN还是 PNP型？工作在 放大、截止还是 饱和？
项目一 半导体器件的认识
一、项目分析 二、相关知识 （一）半导体的基本知识 （二）二极管 （三）三极管 三、拓展知识 （一）特殊用途的二极管 （二）场效应管
一、项目分析
项目内容 半导体的导电特性和PN结的基本原理，二极管、三极 管、场效应管等的结构、工作原理、特性曲线及主要参 数。 知识点 ① 半导体的导电特性和PN结的基本原理； ② 二极管的结构、伏安特性； ③ 三极管的结构、电流分配原理、工作状态和条件。
PN结正向 偏置，则导 通，即正向 导通。
反向截止、反向击穿
PN结正向偏置时，PN结导通，正向电阻很小，正向电
流Iຫໍສະໝຸດ Baidu较大；
PN结反向偏置时，PN结截止，反向电阻很大，反向电
流IR很小。
PN结的这种正向导通和反向截止的特性定义为单向导电 特性。
（二）二极管
1、二极管的结构和符号
2、二极管的单向导电性 结论：二极管的这种正向导通、反向截止特性称为二极 管的单向导电性。
（2）P型半导体
在纯净的半导体中掺入 微量的三价元素，如硼 （Be）或铟（In）。 多子：空穴； 少子：自由电子。
通过改变掺入杂质的浓度可以控制半导体的导电能力。
（3）半导体PN结 ① PN结的形成。
PN结的宽度一般为几微米到几十微米。
② PN结的特性。
在没有外电场的作用下，PN结是不会导电的； 在外电场的作用下，PN结显示单向导电特性。
（3）反向击穿电压 反向击穿电压是指二极管能承受的最大反向工作电压， 外加电压超过该值，PN结会损坏。
（4）最高工作频率fM 最高工作频率fM是保证二极管正常工作时所加信号的最
高频率，否则会使二极管失去单向导电特性。
5、二极管的应用及电路分析方法
① 先确定相应的参考点。 ② 假设所有二极管全部断开，判断二极管原来位置两
2、半导体的物理特性
（1）半导体独特的物理特性 ① 热敏特性：半导体器件的温度稳定性差。 ② 光敏特性：在有光照和无光照的条件下，其电阻率有 几十到几百倍的差别。 ③ 掺杂特性：在纯净的半导体材料中掺入某种微量的杂 质元素后，其导电能力将猛增几万倍甚至几百万倍。 制造半导体器件的主要材料是锗和硅。
② 饱和区 发射结和集电结均正偏。 UCE=UCES，很小，C-E之间相当于一个接通的开关。 IC不受IB控制，IC不再随IB的增大而增大，而是由外电 路决定。
③ 截止区 发射结和集电结均反偏。
IB≈0，IC≈0，UCE=UCC ICRC 失去电流放大作用，C-E间相当于断开的开关。
三极管可工作在3种状态，若应用于电流放大时，应工 作在放大区；若作开关使用时，应工作在饱和区和截止 区。
一、项目分析
能力点 ① 会识别二极管、能测绘其伏安特性； ② 会识别三极管、能分析其电流分配情况； ③ 能测绘三极管的传输特性曲线； ④ 能熟练应用特殊二极管、绝缘栅型场效应管。
二、相关知识
（一）半导体的基本知识 1、半导体 自然界的物质按其导电能力可分为：导体、绝缘体和半 导体。 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，如 硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。