晶体三极管的结构和类型课件
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《晶体三极管》课件
晶体三极管的分类
有两种主要的晶体三极管 类型：PNP和NPN。
2. 晶体三极管的工作原理
1
简单电路
晶体三极管可以作为放大器、开关和振荡器在各种电路中发挥作用。
2
放大器电路
晶体三极管可以放大信号的幅度，使其更适合其他电路的输入。
3
开关电路
晶体三极管可以控制电流的通断，用于构建开关电路。
3. 晶体三极管的应用
5. 晶体三极管的优缺点
1 优点
小巧、高频响应、低功耗、可靠性高、成 本低。
2 缺点
温度敏感、容易受到噪声干扰、容易烧毁。
6. 结论
总结
晶体三极管是一种重要的电子元器件，广泛应用于各种电路和电子设备中。
展望
随着科技的发展，晶体三极管不断改进，将在更广泛的领域发挥作用。
《晶体三极管》PPT课件
晶体三极管是电子学中重要的元器件之一，本课件将介绍晶体三极管的结构、 工作原理、应用、特性以及优缺点，帮助您全面了解晶体三极管。
1. 介绍晶体三极管
ห้องสมุดไป่ตู้
什么是晶体三极管？
晶体三极管是一种半导体 器件，可用作放大，开关 和振荡器。
晶体三极管的结构
晶体三极管由三个不同掺 杂的半导体区域构成：发 射区，基区和集电区。
放大器
晶体三极管可用于构建各类放 大器，如音频放大器、射频放 大器等。
开关
晶体三极管可以用于构建数字 电路和模拟电路中的开关。
振荡器
晶体三极管可以作为振荡器的 关键元件，产生无线电频率信 号。
4. 晶体三极管的特性
基本参数
• 电流放大倍数 • 最大可承受电压 • 最大可承受功率
变化规律
• 输入特性曲线 • 输出特性曲线 • 电流-电压关系
第4章晶体三极管及其基本放大电路PPT课件
第28页/共127页
2.常见的两种共射放大电路
(1)直接耦合共射放大电路
(2)阻容耦合共射放大电路
Rb2
Rb1
T T
直接耦合共射放 大电路
I BQ
VCC
U BEQ Rb2
UBEQ Rb1
ICQ IBQ
UCEQ = VCC – ICQ RC
阻容耦合共射放 大电路
I BQ
VCC
U BEQ Rb
第31页/共127页
直接耦合共射放大电路及其直流通路和交流通路
第33页/共127页
阻容耦合共射放大电路的直流通路和交流通路
I
＝VCC－U
BQ
Rb
BEQ
ICQ IBQ
U CEQ VCC ICQ Rc
第34页/共127页
图解法
在三极管的输入、输出特性曲线上直接用作图的方 法求解放大电路的工作情况。
(2) 共基极交流电流放大系数α
α=iC/iE UCB=const
(3)特征频率 fT
值下降到1的信号频率
第18页/共127页
极限参数
IC/mA ICM
过流区
PCM=ICUCE 安
全
工
过损区
作
区
集电极最大允许电流 ICM
集-射反向击穿电压 U(BR)CEO
集电极最大允许耗散功率 PCM
过
压
使用时不允许超
（1）1 b、2 e、3 c NPN 硅 （2）1 b、2 e、3 c NPN 锗 （3）1 c、2 b、3 e PNP 硅 （4）1 c、2 b、3 e PNP 锗
第24页/共127页
4.2 放大电路的组成原则
基本共射放大电路的工作原理
电子技术课件第二章三极管及基本放大电路
10
2．三极管的主要参数
（1）直流参数 反映三极管在直流状态下的特性。
直流电流放大系数hFE 用于表征管子IC与IB的分配比例。
漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。
集—基反向饱和电流ICBO 它是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向
ICBO测量电路
ICEO测量电路
加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍，所以它受温度影响不可忽视。
性。 A——PNP锗材料，B——NPN锗材料， C——PNP硅材料，D——NPN硅材料。
三极管型号的读识 3 A G 54 A
规格号
第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
X——低频小功率管，G ——高频小功率管， D——低频大功率管，A ——高频大功率管。
三极管 NP锗材料 高频小功率 序号
第四部分用数字表示器件的序号。 第五部分用拼音字母表示规格号。
饱和区 当VCE小于VBE时，三极管的发
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主 要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
一、放大电路静态工作点不稳定的原因
（1）温度影响 （2）电源电压波动 （3）元件参数改变
二、分压式偏置放大电路 1．电路组成
Rb1是上偏置电阻，Rb2是下偏置电阻。电源电压经Rb1、Rb2串联分压后为三极 管提供基极电压VBQ。Re起到稳定静态电流的作用，Ce是Re的交流信号旁路电容。
分压式偏置放大电路
放大电路的电压和电流波形
2．三极管的主要参数
（1）直流参数 反映三极管在直流状态下的特性。
直流电流放大系数hFE 用于表征管子IC与IB的分配比例。
漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。
集—基反向饱和电流ICBO 它是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向
ICBO测量电路
ICEO测量电路
加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍，所以它受温度影响不可忽视。
性。 A——PNP锗材料，B——NPN锗材料， C——PNP硅材料，D——NPN硅材料。
三极管型号的读识 3 A G 54 A
规格号
第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
X——低频小功率管，G ——高频小功率管， D——低频大功率管，A ——高频大功率管。
三极管 NP锗材料 高频小功率 序号
第四部分用数字表示器件的序号。 第五部分用拼音字母表示规格号。
饱和区 当VCE小于VBE时，三极管的发
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主 要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
一、放大电路静态工作点不稳定的原因
（1）温度影响 （2）电源电压波动 （3）元件参数改变
二、分压式偏置放大电路 1．电路组成
Rb1是上偏置电阻，Rb2是下偏置电阻。电源电压经Rb1、Rb2串联分压后为三极 管提供基极电压VBQ。Re起到稳定静态电流的作用，Ce是Re的交流信号旁路电容。
分压式偏置放大电路
放大电路的电压和电流波形
优秀实用的三极管精品PPT课件
好。
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
SUCCESS
THANK YOU
2020/12/13
可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
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• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
《三极管基本知识》PPT课件
饱和区
4
放
3
2
大
100A
80A 60A 40A
1
区
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
截止区
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
IB=800,IC=AICEO,U
B称E<为6死0截区A止电区压。，
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
二、输出特性
IC(mA )
此区域满
ICBO A
ICBO是集
电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
3.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，
当值下降到正常值的三分之二时的集电极电
流即为ICM。
4.集-射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，
三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、
注意：β和β数值很接近，通常不将他们严格区分。
四、三极管的特性曲线
IB
A RB
V UBE
RP
EB
IC mA
EC
V UCE
实验线路
一、输入特性
IB(A) 80 60 40
20
死区电压，
0.4
硅管0.5V
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V
0.8 UBE(V)
一、输入特性
输入特性描述的是三极管基极电流IB和发射结两端电压UBE 之间的关系。
nnp发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极ppn发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极becnnp基极发射极集电极npn型pnp集电极基极发射极bcepnp型becnpn型becpnp型二极管检测用数字万用表测试二极管时是测量二极管的正向压降
4
放
3
2
大
100A
80A 60A 40A
1
区
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
截止区
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
IB=800,IC=AICEO,U
B称E<为6死0截区A止电区压。，
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
二、输出特性
IC(mA )
此区域满
ICBO A
ICBO是集
电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
3.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，
当值下降到正常值的三分之二时的集电极电
流即为ICM。
4.集-射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，
三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、
注意：β和β数值很接近，通常不将他们严格区分。
四、三极管的特性曲线
IB
A RB
V UBE
RP
EB
IC mA
EC
V UCE
实验线路
一、输入特性
IB(A) 80 60 40
20
死区电压，
0.4
硅管0.5V
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V
0.8 UBE(V)
一、输入特性
输入特性描述的是三极管基极电流IB和发射结两端电压UBE 之间的关系。
nnp发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极ppn发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极becnnp基极发射极集电极npn型pnp集电极基极发射极bcepnp型becnpn型becpnp型二极管检测用数字万用表测试二极管时是测量二极管的正向压降
三极管ppt课件完整版
常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低，观察电路是否有过载现象，若确认 损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值，若过大则检查电路是否存在漏 电现象，并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好，测量其热稳定性参数是否在规定范围内，若异常则改善散热条件或 更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极，即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间， 输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低，输出阻抗高，因此具有电压放大倍数大、频带宽等优 点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源 。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用，将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基 极和发射极之间，输出信号从集电极取出，经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流，使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压，使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压，适用于某些特殊
三极管的结构及工作原理解读ppt课件
2
1
T
1
3
1
T
2
1
3
(a)
(b)
唐东自动化教研室
电子技术基础 主编 吴利斌
例2图所示的电路中，晶体管均为硅管,β=30，试分析各晶体管的
工作状态。 解: （1）因为基极偏置电源+6V大于管子的导通电压，
故管子的发射结正偏，管子导通,基极电流：
+6V 5K IB
+10V 1K IC
-2V 5K IB
IC
10 0.3
+2V
9.7mIBA
5K
1K IC
因为IC ICS ,所以饱和
(a)
(b)
(c)
（2）因为基极偏置电源-2V小于管子的导通电压，管
子的发射结反偏，管子截止，所以管子工作在截止区。
(3)因为基极偏置电源++21V0V大于管子的导通电压+，10故V管
+10
子的发射结正偏,管子导通基极电流:：
UCC
继续增
增大大UUCCCC 0
U特U特C性EC性=E曲0=曲.15线VV线的的 UCE>1V的 特性曲线
UBE /V
继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值，结果发现：之后 的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同，曲线基本不 再变化。
实用中三极管的UCE值一般都超过1V，所以其输入特性通 常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出，双极型三极 管的输入特性与二极管的正向特性非常相似。
电区而形成集电极电流IC 。之后即 使UCE继续增大，集电极电流IC也不 会再有明显的增加，具有恒流特性。
0
IB=0 UCE / V
第三讲 晶体三极管
§2.2.3 三极管的主要参数
电流放大系数 三极管的参数是 用来表征管子性 能优劣适应范围 的，是选管的依 据，共有以下三 大类参数。
极间反向电流ICBO 、 ICEO
极限参数
• 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO
最大集电 极电流 c-e间击穿电压 最大集电极耗散功 率，PCM＝iCuCE
4.下列NPN型三极管各个极的电位，处于放 大状态的三极管是（ ） A VC=0.3V，VE=0V， VB=0.7V B VC=-4V， VE=-7.4V，VB=-6.7V C VC=6V， VE=0V， VB=-3V D VC=2V， VE=2V， VB=2.7V 5.如果三极管工作在截止区，两个PN结状 态（ ） A．均为正偏 B．均为反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏
三极管符号
结构特点：
基区很薄且杂质浓度很低；
发射区掺杂浓度高； 集电区面积很大。
二．分类
（1）按半导体结构不同：NPN 型和 PNP 型。
（2）按功率分：小功率管和大功率管。
（3）按工作频率分：低频管和高频管。
（4）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。
（5）按结构工艺分：合金管和平面管。
（6）按用途分：放大管和开关管。
放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
饱和区：发射结和集电结均正向偏置。
截止区：发射结电压小于开启电压，集电结 在电路中的连接方式
共发射极连接 共基极连接 共集电极连接
三极管的特性曲线
概 念
特性曲线是 指各电极之 间的电压与 电流之间的 关系曲线
输入特性曲线
输出特性曲线
（1）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电 流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。 （2）三极管的放大作用，需要一定的外部条件。
晶体三极管的结构和类型
晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。
电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
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电压须在外部施用，以使晶体管操作。施用电压以 使电流朝著发射极箭头的方向移动。施用电压时， 发射极电流Ie、集电极电流Ic和基点电流Ib将产生以 下的关系：
13.07.2020
2
二、三极管的封装形式和管 脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的 规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成 等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其 平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
为基极b发射极e和集电极c。
13.07.2020
1
引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基 区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚， 杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴， 其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里； NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动 方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极 箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下 的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有 PNP型和NPN型两种类型。
号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，电子爱好者最好还
13.07.2020
3
是了解一下：Leabharlann 13.07.20204
13.07.2020
5
晶体三极管样图
13.07.2020
6
晶体三极管的三种工作状态
截止状态
放大状态 饱和导通状态
13.07.2020
7
第五讲 三 极 管
一、晶体三极管的结构和类型
晶体三极管，是半导体基本元器件之
一，具有电流放大作用，是电子电路
的核心元件。三极管是在一块半导体
基片上制作两个相距很近的PN结，两
个PN结把正块半导体分成三部分，中
间部分是基区，两侧部分是发射区和
集电区，排列方式有PNP和NPN两种，
如图从三个区引出相应的电极，分别
电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、
9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的
型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品
中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型
13.07.2020
2
二、三极管的封装形式和管 脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的 规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成 等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其 平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
为基极b发射极e和集电极c。
13.07.2020
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引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基 区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚， 杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴， 其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里； NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动 方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极 箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下 的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有 PNP型和NPN型两种类型。
号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，电子爱好者最好还
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是了解一下：Leabharlann 13.07.20204
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晶体三极管样图
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晶体三极管的三种工作状态
截止状态
放大状态 饱和导通状态
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第五讲 三 极 管
一、晶体三极管的结构和类型
晶体三极管，是半导体基本元器件之
一，具有电流放大作用，是电子电路
的核心元件。三极管是在一块半导体
基片上制作两个相距很近的PN结，两
个PN结把正块半导体分成三部分，中
间部分是基区，两侧部分是发射区和
集电区，排列方式有PNP和NPN两种，
如图从三个区引出相应的电极，分别
电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、
9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的
型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品
中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型