晶体三极管的结构和类型
晶体三极管的结构和类型

晶体三极管的结构和类型双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。
正向偏置的EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流I C。
在共发射极晶体管电路中, 发射结在基极电路中正向偏置, 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
由于V BE很小,所以基极电流约为I=5V/50kΩ=0.1mA。
B如果晶体管的共发射极电流放大系数β=I C / I B=100, 集电极电流I C=β*I B=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流i b,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/i b=β,实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅G 电压V G增大时,p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。
当表面达到反型时,电子积累层将在n+ 源区S 和n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。
当V DS≠0时,源漏电极之间有较大的电流I DS流过。
使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压V T。
当V GS>V T并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的V DS下也将产生不同的I DS, 实现栅源电压V GS对源漏电流I DS的控制。
二、晶体管的命名方法晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG(旧)或(T)表示,二极管以D表示。
《晶体三极管》课件

晶体三极管的分类
有两种主要的晶体三极管 类型:PNP和NPN。
2. 晶体三极管的工作原理
1
简单电路
晶体三极管可以作为放大器、开关和振荡器在各种电路中发挥作用。
2
放大器电路
晶体三极管可以放大信号的幅度,使其更适合其他电路的输入。
3
开关电路
晶体三极管可以控制电流的通断,用于构建开关电路。
3. 晶体三极管的应用
5. 晶体三极管的优缺点
1 优点
小巧、高频响应、低功耗、可靠性高、成 本低。
2 缺点
温度敏感、容易受到噪声干扰、容易烧毁。
6. 结论
总结
晶体三极管是一种重要的电子元器件,广泛应用于各种电路和电子设备中。
展望
随着科技的发展,晶体三极管不断改进,将在更广泛的领域发挥作用。
《晶体三极管》PPT课件
晶体三极管是电子学中重要的元器件之一,本课件将介绍晶体三极管的结构、 工作原理、应用、特性以及优缺点,帮助您全面了解晶体三极管。
1. 介绍晶体三极管
ห้องสมุดไป่ตู้
什么是晶体三极管?
晶体三极管是一种半导体 器件,可用作放大,开关 和振荡器。
晶体三极管的结构
晶体三极管由三个不同掺 杂的半导体区域构成:发 射区,基区和集电区。
放大器
晶体三极管可用于构建各类放 大器,如音频放大器、射频放 大器等。
开关
晶体三极管可以用于构建数字 电路和模拟电路中的开关。
振荡器
晶体三极管可以作为振荡器的 关键元件,产生无线电频率信 号。
4. 晶体三极管的特性
基本参数
• 电流放大倍数 • 最大可承受电压 • 最大可承受功率
变化规律
• 输入特性曲线 • 输出特性曲线 • 电流-电压关系
npn型3极管结构特点

npn型3极管结构特点
NPN型三极管,也称为晶体三极管,由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成。
其基本结构包括三个电极:基极(B)、集电极(C)和发
射极(E)。
基区和发射区之间的结成为发射结,基区和集电区之间的结成
为集电结。
NPN型三极管的主要特点如下:
1. 发射极发射电子,集电极收集电子。
2. 发射区掺杂浓度高,自由电子多,基区很薄,掺杂浓度低。
3. 当发射结正偏时,发射区的自由电子会向基区加速扩散,由于基区很薄且掺杂浓度低,空穴的数量相对于发射区的自由电子来说数量很少。
因此,除了极少部分会与基区的空穴复合之外,其余的自由电子会继续向集电区扩散,而基区的基极则不断地产生空穴,与发射区扩散过来的自由电子复合。
扩散到集电区的大部分自由电子则形成集电极电流IC。
4. 反向电流Iebo:当发射结正向偏置时,基区的少子-自由电子也会不断地向发射极漂移,形成反向漂移电流Iebo。
由于基区掺杂浓度很低,自由电
子数量很少,因此Iebo电流很小,几乎可以忽略不计。
以上内容仅供参考,如需更多信息,建议查阅相关文献或咨询专业人士。
晶体三极管_结构及放大原理

晶体三极管又称晶体管、双极型晶体管;在晶体管中有两类不同的载流子参与导电。
一、晶体管的结构和类型
1.晶体管的结构
在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就形成三极管。
2.晶体管的类型
基极为P的称为NPN型,基极为N的称为PNP型。
二、晶体管的电流放大作用
晶体管的放大状态的外部条件:发射结正偏且集电结反偏。
发射结正偏:发射区的载流子可以扩散到基区
集电结反偏:基区的非平衡少子(从发射区扩散到基区的载流子)可以漂移到集电区。
如果发射结正偏,集电结也正偏,出现的情况将是发射区的载流子扩散到基区,同时集电区的载流子也漂移到基区。
1.晶体管内部载流子运动
①发射结正偏:发射区载流子向基区扩散,基区空穴向发射区漂移
②集电极反偏,非平衡少子运动:从发射区过来的载流子到达基区后,称为非平衡少子(基区是P带正电,载流子是电子,所以是非平衡少子;基区空穴虽然是多子,但是数量比较少),一方面与基区的空穴复合(少量);另一方面,由于集电极反偏,会产生非平衡少子的漂移运动,非平衡少子从基区漂移到集电极,从而产生漂移电流。
由于集电极面积非常大,所以可以产生比较大的漂移电流(到达基区的载流子,由于集电极反偏,所以对基区的非平衡少子有吸引,集电极带正电,非平衡少子带负电)
③集电极反偏,少子漂移电流:由于集电结反偏,处于基区的少子(电子)会漂移运到到集电区;集电区的少子(空穴)会漂移运动到基区
2.晶体管中的电流分关系
三、共射电路放大系数
1.直流放大系数:放大系数:I c=(1+β)I B
2.交流放大系数:直流电流放大系数可以代替交流电流放大系数
四、结语
希望本文对大家能够有所帮助。
实训15晶体三极管

小结:
晶体三极管:是一种利用输入电流控制输出电流的 电流控制型器件。
有三个区——发射区、基区、集电区; 两个PN结——发射结(BE结)、集电结(BC结); 三个电极——发射极e(E)、基极b(B)和集电极c©; 两种类型—— P N P型管和NPN型管。 工艺要求:发射区掺杂浓度较大;基区很薄且掺杂最 少;集电区比发射区体积大且掺杂少。
1.2 三极管的分类
➢按结构类型分为NPN型管和PNP型管 ➢按材料分为硅管和锗管 ➢按功率大小分为大功率管、中功率管和小功率管 ➢按工作频率分为高频管和低频管 ➢按其工作状态分为放大管和开关管
1.3 三极管的外部结构
常见三极管的外形结构图
半导体三极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下:
BJT是由两个PN结组成的。
c
集电区
基区
N
b
P
发射区
N
e NPN型
集电结 发射结
集电区 基区 b
发射区
(a)
c
P N P e PNP型
集电结 发射结
c b
V
c b
V
e N PN 型
e PN P型
(b )
图2.1 (a)结构示意图;(b)电路符号
无论是NPN型管还是PNP型管,它们内部均含有三 个区:发射区、基区、集电区。从三个区各引出一个金 属电极分别称为发射极(e)、基极(b)和集电极(c );同时在三个区的两个交界处形成两个PN结,发射区 与基区之间形成的PN结称为发射结,集电区与基区之间 形成的PN结称为集电结。三极管的电路符号如图2.1( b)所示,符号中的箭头方向表示发射结正向偏置时的电 流方向。
估测Байду номын сангаас的电路
检测三极管的B,C,E极以及PNP型与NPN型

怎样检测三极管的B,C,E极以及PNP型与NPN型一、晶体三极管的结构类型晶体三极管通常称为晶体管或三极管,是各种电子设备的常用元件。
三极管的内部结构和电路符号如图5-49所示。
它是由两个相距很近的PN结组成的,一般都有三个电极,即发射极E、基极B和集电极C。
三个电极分别与三极管内部半导体的三个区(发射区、基区和集电区)相接。
发射区与基区之间的PN结称为发射结:集电区与基区之间的PN结称为集电结。
按PN结的不同组合方式,晶体三极管分为PNP 型和NPN型两种,这两种类型的三极管在电路符号上是有区别的。
PNP型管的发射极箭头向内,NPN型管的发射极箭头向外。
二者电源电压的连接方式是不同的。
二、晶体管的检测方法利用数字万用表不仅能判定晶体管电极、测量管子的共发射极电流放大系数hFE,还可鉴别硅管与锗管。
由于数字万用表电阻档的测试电流小,所以不适用于检测晶体管,应使用二极管档及hFE档进行测试。
1.鉴别基极B将数字万用表拨至二极管档,红表笔固定任接某个引脚,用黑表笔依次接触另外两个引脚,如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”,则红表笔所接的引脚就是基极B。
如果在两次测试中,一次显示值小于1V,另一次显示溢出符号“1”,表明红表笔接的引脚不是基极B,此时应改换其他引脚重新测量,直到找出基极B为止。
2.区分NPN管与PNP管仍使用数字万用表的二极管档。
按上述操作确认基极B之后,将红表笔接基极B,用黑表笔先后接触其他两个引脚。
如果都显示0.500~0.800V,则被测管属于NPN 型;若两次都显示溢出符号“1”,则表明被测管属于PNP管。
3.区分集电极C与发射极E(兼测hFE值)鉴别区分晶体管的集电极C与发射极E,需使用数字万用表的hFE档。
如果假设被测管是NPN型管,则将数字万用表拨至hFE档,使用NPN插孔。
把基极B插入B 孔,剩下两个引脚分别插入C孔和E孔中。
若测出的hFE为几十~几百,说明管子属于正常接法,放大能力较强,此时C孔插的是集电极C,E孔插的是发射极E,参见图5-50(a)。
三极管结构 参数

三极管结构参数三极管,又称晶体三极管,是一种广泛应用于电子设备和电路中的半导体器件。
其结构简单、功能强大,在电子行业中起着举足轻重的作用。
下面将介绍三极管的结构和参数,以便更好地理解其工作原理和应用。
一、三极管结构1. PN结三极管的基本结构是PN结。
PN结是由p型半导体和n型半导体通过扩散、结合或外加电场形成的结,其中p型半导体富含正电荷载流子(空穴),n型半导体富含负电荷载流子(电子)。
当p型半导体和n型半导体接触时,电子从n型区域向p型区域扩散,而空穴则从p型区域向n型区域扩散,形成电势差。
2. 三层结构三极管通常由三层半导体材料构成,分别是发射层(Emitter)、基区(Base)和集电层(Collector)。
其中发射层为n型半导体,基区为p型半导体,集电层为n型半导体。
这三层结构构成了三极管的基本框架。
3. 接线三极管有三个引线分别对应三个区域,通过适当的接线方式可形成不同的工作方式,如共发射极结构、共基结构和共集结构。
其中共发射极结构常用于放大器和开关电路,共集结构则用于功率放大器等应用。
二、三极管参数1. 最大工作电压(VCEO)最大工作电压指的是集电极和发射极之间可承受的最大电压。
一般情况下,VCEO 的数值越大,三极管的工作范围越广。
2. 最大集电极电流(IC)最大集电极电流是指三极管在特定工作状态下能够承受的最大电流。
它反映了三极管的功率处理能力,是选择三极管用于具体应用时的重要参数。
3. 最大功耗(P)最大功耗指的是三极管在规定条件下能够耗散的最大功率。
其数值与三极管的导热性能和工作环境相关,是进行电路设计时需要考虑的重要参数之一。
4. 最大封装温度(Tj)最大封装温度是指三极管能够承受的最高温度。
这个参数直接影响着三极管的工作可靠性和稳定性。
5. 放大系数(β)放大系数表示三极管增益的大小,是指集电极电流变化与基极电流变化的比值。
β值越大,代表三极管的放大能力越强。
6. 饱和压降(VCEsat)饱和压降是指在三极管处于饱和状态时,集电极和发射极之间的压降。
模拟电子技术1.3晶体三极管.ppt

∴输入特性曲线不再明显右移
而基本重合。 对于小功率管,可用的任何 一条UCE>1曲线来近似UCE>1 的所有曲线。
共射接法输入特性曲线
2、输出特性曲线
iC f (uCE ) iB常数
①UCE增大 集电结电场增强,收集基区非平衡少子的能力增强, 电流iC随UCE增大而增大。
③U(BR)CEO:基极开路时集、射间的击穿电压。
几个击穿电压在大小上有如下关系:
U(BR)CBO>U(BR)CEO>U(BR) EBO
例1:在一个单管放大电路中,电源电压为30V,已知三只管子的 参数如下表,请选用一只管子,并简述理由。
晶体管参数
T1
T2
T3
ICBO/μA
0.01
0.1
0.05
UCEO/V
IC
IB
输入交流信号时,共射交流电流放大系数β
在近似分析中,
iC
iB
共基直流电流放大系数
I CN
IE
共基交流电流放大系数α
ic
iE
在近似分析中,
例:现测得放大电路中两只管子的两个电极的电流如下图所 示,分别求出另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈 中画出管子,且分别求出电流放大系数β。
VBB 1V , Rb 500 ,T工作在何种状态?
IB 0.6mA, IC 30mA,UCE 18V U B
从外部看: I E I B IC IE发射极电流最大
C IC B
IB E IE
NPN型三极管
C
B
IC
IB E IE
PNP型三极管
npn晶体管的结构特点

npn晶体管的结构特点
npn晶体管是一种三极管,由两个不同类型的半导体材料组成。
它的结构特点主要包括以下几个方面:
1. 材料选择
npn晶体管由三种不同的半导体材料组成,分别是N型半导体、P型半导体和N型半导体。
其中,P型半导体夹在两个N型半导体之间,形成了一个PN结。
2. 电极布局
npn晶体管有三个电极:发射极、基极和集电极。
发射极与基极之间形成PN结,而基极与集电极之间也形成PN结。
这样就形成了一个双PN结的结构。
3. 工作原理
当在基极端加上一个正向偏压时,会使得发射区域中的电子被注入到基区域中。
这样就会产生大量的少子(空穴),并且少子会向集电区移动。
当在集电区加上一个正向偏压时,少子就会被吸收,从而形成
一个连续的通路。
4. 放大特性
npn晶体管具有放大作用,在放大器中广泛应用。
当输入信号加到基
端时,它会控制发射区的电子注入量,从而控制集电区的电流。
这样
就可以将小信号放大为大信号。
5. 可靠性
npn晶体管具有高可靠性,因为它的结构简单,制造工艺成熟。
同时,它也具有较高的工作效率和稳定性。
总之,npn晶体管的结构特点包括材料选择、电极布局、工作原理、
放大特性和可靠性等方面。
它是一种重要的半导体器件,在电子技术
领域中得到了广泛应用。
第三讲 晶体三极管

§2.2.3 三极管的主要参数
电流放大系数 三极管的参数是 用来表征管子性 能优劣适应范围 的,是选管的依 据,共有以下三 大类参数。
极间反向电流ICBO 、 ICEO
极限参数
• 极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO
最大集电 极电流 c-e间击穿电压 最大集电极耗散功 率,PCM=iCuCE
4.下列NPN型三极管各个极的电位,处于放 大状态的三极管是( ) A VC=0.3V,VE=0V, VB=0.7V B VC=-4V, VE=-7.4V,VB=-6.7V C VC=6V, VE=0V, VB=-3V D VC=2V, VE=2V, VB=2.7V 5.如果三极管工作在截止区,两个PN结状 态( ) A.均为正偏 B.均为反偏 C.发射结正偏,集电结反偏 D.发射结反偏,集电结正偏
三极管符号
结构特点:
基区很薄且杂质浓度很低;
发射区掺杂浓度高; 集电区面积很大。
二.分类
(1)按半导体结构不同:NPN 型和 PNP 型。
(2)按功率分:小功率管和大功率管。
(3)按工作频率分:低频管和高频管。
(4)按管芯所用半导体材料分:锗管和硅管。
(5)按结构工艺分:合金管和平面管。
(6)按用途分:放大管和开关管。
放大区:发射结正向偏置,集电结反向偏置。
饱和区:发射结和集电结均正向偏置。
截止区:发射结电压小于开启电压,集电结 在电路中的连接方式
共发射极连接 共基极连接 共集电极连接
三极管的特性曲线
概 念
特性曲线是 指各电极之 间的电压与 电流之间的 关系曲线
输入特性曲线
输出特性曲线
(1)三极管的电流放大作用,实质上是用较小的基极电 流信号控制集电极的大电流信号,是“以小控大”的作用。 (2)三极管的放大作用,需要一定的外部条件。
晶体管(三极管)内部结构、管脚识别及电流放大原理图文说明

晶体管(三极管)内部结构、管脚识别及电流放大原理图文说明晶体管实物如图2.2 所示。
图2.2晶体管实物1.晶体管的结构与电路符号半导体晶体管由于在工作时半导体中的电子和空穴两种载流子都起作用,所以属于双极型器件,也称双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)。
晶体管的种类很多,按照半导体材料的不同,可分为硅管、锗管;按功率分为小功率管、中功率管和大功率管;按照频率分为高频管和低频管;按照制造工艺分为合金管和平面管等。
通常按照结构的不同分为两种类型:NPN型管和PNP 型管。
图2.3给出了NPN和PNP 管的结构示意图及其图形和文字符号,符号中的箭头方向是晶体管的实际电流方向。
文字符号有时也采用大写。
图2.3晶体管的结构示意与图形和文字符号2.晶体管的判别要准确地了解一只晶体管的类型、性能与参数,可用专门的测量仪器进行测试,但一般粗略判别晶体管的类型和引脚,可直接通过晶体管的型号简单判断,也可利用万用表测量的方法判断。
下面具体介绍其型号的意义及利用万用表简单测量的方法。
⑴晶体管型号的意义晶体管的型号一般由五大部分组成,如3AX31A、3DG12B、3CG14G等。
下面以3DG110B 为例来说明各部分的命名含义。
3D G110B电极数材料与类型功能序号规格号①第一部分由数字组成,表示电极数。
“3”代表晶体管。
②第二部分由字母组成,表示晶体管的材料与类型。
A表示PNP型锗管,B表示NPN 型锗管,C表示PNP型硅管,D表示NPN型硅管。
③第三部分由字母组成,表示晶体管的类型,即表明管子的功能。
④第四部分由数字组成,表示晶体管的序号。
⑤第五部分由字母组成,表示晶体管的规格号。
⑵判别晶体管的引脚、管型及好坏晶体管的引脚必须正确辨认,否则,不但接入电路不能正常工作,还可能烧坏晶体管。
当晶体管上标记不清楚时,可以用万用表来初步确定晶体管的类型(NPN型还是PNP 型),并辨别出e、b、c三个电极。
npn三极管工作原理

npn三极管工作原理一、什么是npn三极管?npn三极管是一种常用的电子器件,属于双极型晶体管的一种。
它由三个掺杂不同类型的半导体材料层叠而成,包括一片P型半导体作为基底,上面分别涂覆一层N 型半导体和一层P型半导体。
npn三极管具有二极管的所有特性,同时还可以进行放大和开关控制等功能。
二、npn三极管的结构npn三极管的结构由三个掺杂不同类型的半导体层叠而成,下面是npn三极管的具体结构:1.P型半导体(基底):位于最底层的是P型半导体,它具有正向导电性质。
2.N型半导体(发射极):涂覆在P型半导体上面的是N型半导体,它具有负向导电性质。
3.P型半导体(集电极):在N型半导体上又涂覆了一层P型半导体,这是npn三极管中的最上层。
三、npn三极管的工作原理npn三极管主要通过控制发射极和基底之间的电流变化来实现信号放大和开关控制功能。
下面是npn三极管的工作原理的详细解释:1.没有输入信号时:在没有输入信号时,三极管的发射极和基底之间的电流非常小,可以忽略不计。
这时,发射极和集电极之间的电流也非常小,三极管处于截止状态。
2.正向偏置时:当向三极管的基极施加正向偏置电压时,通过基极和发射极之间的结,会使电流从发射极注入到基极,然后通过基极和集电极之间的结流出。
这时,三极管处于放大状态。
3.反向偏置时:当向三极管的基极施加反向偏置电压时,发射极和基极之间的结变得更加耗尽,电流几乎不再流动。
这时,三极管处于截止状态。
四、npn三极管的应用npn三极管由于其小尺寸、低功耗和高可靠性等特点,广泛应用于各种电子设备中。
以下是npn三极管的一些主要应用:1.放大器:npn三极管可以放大小信号,并将其转化为较大的信号输出,常用于音频放大、射频放大等电路中。
2.开关:npn三极管可以控制大电流的开关,常用于数字电路、计算机电路和高频开关电路等。
3.检波器:npn三极管可以将交流信号转换为直流信号,常用于无线电接收机和调频接收机中。
晶体三极管的结构和类型

晶体三极管的结构和类型晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,如图对于小功率金属封装三极管,按图示底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。
目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。
电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。
第4讲晶体三极管及场效应管

2. 绝缘栅型场效应管
增强型管
大到一定 值才开启
高掺杂 耗尽层 空穴
衬底 SiO2绝缘层
反型层
uGS增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。当 反型层将两个N区相接时,形成导电沟道。
动画演示
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
iD随uDS的增 大而增大,可
uGD=UGS(th), 预夹断
变电阻区
夹断 电压
在恒流区iD时 ID, O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
3. 场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟 沟道 道((uuGGS> S<00, ,uuDDS< S>00)) 场效应管 绝缘栅型 耗 增尽 强型 型 PPN N沟 沟 沟 沟道 道 道 道((((uuuuG GG GSS< 极 SS> 极00, 性 , 性uu任 D任 DS< S> 意 意 00)u)u, , DDS< S>00))
区
区
低频跨导:
夹断区(截止区)
iD几乎仅决 定于uGS
击 穿 区
夹断电压
gm
iD uGS
UDS常量
不同型号的管子UGS(off)、IDSS 将不同。
动画演示Байду номын сангаас
(1)可变电阻区
i
是uDS较小,管子尚未预夹断时
的工作区域。虚线为不同uGS是预夹
断点的轨迹,故虚线上各点
uGD=UGS(off),则虚线上各点对应的 uDS=uGS-UGS(off)。
uDS的增大几乎全部用 来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅 受控于uGS,恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么?
晶体三极管的结构和类型

晶体三极管的结构和类型晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。
目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。
电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。
3极管的结构

3极管的结构3极管,也称为晶体三极管,是目前电子器件中最重要的一种元器件,其特点是具有放大、开关、稳压等多种功能,因此广泛应用于电子技术领域中。
在介绍3极管之前,有必要了解一下它的结构。
1. 基本结构3极管的基本结构由三个掺杂的半导体材料排列组成,分别是P型半导体、N型半导体以及P型半导体。
其中,P型半导体和N型半导体构成PN结,也称为二极管,而另外一个P型半导体则被称为集电极。
3极管中,PN结被称为发射结,集电极则被称为收集极,这种结构使电子在晶体管内部留下一条只能从发射极到集电极流动的反向电流通道。
2. 外部接线在3极管中,有3个引脚,分别是发射极、基极和集电极,对于PNP型3极管和NPN型3极管,这3个引脚的位置和接线方式是不同的。
对于PNP型3极管,发射极和集电极都是P型半导体,而基极是N型半导体。
因此,我们将两个正极连接一起,用来连接向P型半导体的正电位,将N型半导体连接到负电位。
而对于NPN型3极管,发射极和集电极都是N型半导体,而基极是P型半导体,因此基极赋予3极管一个电信号供电,当基极导通时,电流从发射极流向集电极,在3极管中形成一条高速的电子通路。
3. 工作原理3极管的工作原理可以分为两个阶段来描述,即放大阶段和开关阶段。
在放大阶段,将信号应用于基极,当基极和发射极之间的电压达到晶体管所选择的电压时,晶体管内部的多数载流子(electron和hole)就开始漂移,并且这种漂移是支持放大的。
在开关阶段,当晶体管的基极上施加电压时,就会形成一个电流堵塞通道,进而使集电极上的电压降低。
因此,开关输出阶段就能够通过对基极的控制来控制电路的电流。
总之,3极管是具有重要意义的电子器件,其结构包括基本结构、外部接线以及工作原理。
我们再次强调3极管在电子技术领域中的重要性,希望大家通过这篇文章对其有更清晰的认识和理解。
晶体三极管

31
四、三极管的电压放大作用
将 IE= IC + IB 代入 得:
IC
中 I C I E I CBO
IB 1 1 I CBO
1
28
此时定义:
称为共射电流放大系数
1
上式变为:
同时:
I C I B (1 ) I CBO
I E I C I B (1 ) I B (1 ) I CBO
19
结论:
→→发射区的电子源源不断越过PN结到 达基区形成 IEN
→→基区的空穴电子源源不断越过PN结 到达发射区形成 IEP 则:发射极电流 IE = IEN + IEP
≈IEN ( IEP<< IEN )
20
② 电子在基区扩散和复合的情况: (形成 IBN = IEN – ICN ,IB=IBN + IEP - ICBO )
:
这两个公式中令
ICEO称为穿透电流,又叫ICEO(pt),即基极开路(IB=0)时
由集电极直通到发射极的电流。
29
一般地: 故:忽略 ICEO 的影响 使得:
注意: 这两个式子是以后我们在分析运算中常用的近
似关系。
30
三、三极管的电流放大作用
从三极管中载流子的运动情况可知,我们
晶体三极管

vCE较大时,特性 曲线进入与vCE轴 基本平行的区域
当集电结反偏电压较大时,扩散到基区的电子基本 上都可以被集电区收集,此后 v CE 再增加,电流也 没有明显的增加 ,故特性曲线与 v C E 轴基本平行
BJT输出特性曲线的三个工作区
vCB= vCE - vBE
(1) 饱和区
特征: : 判断依据 iB 0 iB 0 范围 : 或 偏或反偏(但反偏电压很小 发射结正偏,集电结正 ); v v V vCE VCC BE vBECE vCE CC vCE 或 i 随 v 的增加而增加, iC iB ; C CE vBE Vth vBE Vth vCE 很小,称为“饱和管压 降vCES ”
BJT中的电流分配关系
I C I CN I CBO I B I B I CBO I E I B I C I I I B CN E
(2) 电流放大系数
(a) 电流控制作用
I CN 定义:= ,称为 IE
IC IE
IC IB
三个电极电流之间满 “共基极直流电流放大 足一定的比例分配关 系数”, 1但接近1 系,一个电极电流发 I CN 定义: = , 称为 生改变,另两个电流 I B 都会发生变化,因此 “共射极直流电流放大 I C I CN I CBO 可实现电流控制和放 I B I B I CBO I E I B I C 系数”, = 1 大作用 I I I 1 - E B CN
BJT安全工作区示意图
PCM=iCvCE 双曲线
集电极最大允许电流ICM
当集电极电流增加时, 即 I B 和 I C 增加, 就要 下降,当 值下降到线 性放大区 值的 70 ~ 30 %时,所对应的集电极 电流称为集电极最大允 许电流ICM。至于值下 降多少,会随三极管的 型号以及生产厂家而有 所差别。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
测得的阻值一般都较大,约300~∞;将红、黑表笔对调,即红表笔接 D 黑表笔接E,则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻,测得的阻值 一般都较小,约几欧至几十欧
万用表测量二极管方法
工作资料 2009-02-24 18:46:05 阅读1429 评论0 字号:大中小 订阅
怎么用万用表测二极管、发光二极管和三极管的好坏
好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或 漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。
3.反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测 量。其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被 测二 极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V”键,测试表即可指
普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极 管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻
值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。
1.极性的判别 将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出 一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的 阻值较大 (为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔
流比较大,因而其PN结的面积也较大。PN结较大,其反向饱和电流也必 然增大。所以,若像测量中、小功率三极管极间电阻那样,使用万用表 的R×1k挡测量,必然测得的电阻值很小,好像极间短路一样,所以通 常使用R×10或R×1挡检测大功率三极管。 3 普通达林顿管的检测 用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分PNP和NPN类型、估 测放大能力等项内容。因为达林顿管的E-B极之间包含多个发射结,所 以应该使用万用表能提供较高电压的R×10K挡进行测量。 4 大功率达林顿管的检测 检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功 率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件,所以在检 测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分,以免造成误判。具体可 按下述几个步骤进行: A 用万用表R×10K挡测量B、C之间PN结电阻值,应明显测出具有单向导 电性能。正、反向电阻值应有较大差异。 B 在大功率达林顿管B-E之间有两个PN结,并且接有电阻R1和R2。用万 用表电阻挡检测时,当正向测量时,测到的阻值是B-E结正向电阻与 R1、R2阻值并联的结果;当反向测量时,发射结截止,测出的则是(R1 +R2)电阻之和,大约为几百欧,且阻值固定,不随电阻挡位的变换而 改变。但需要注意的是,有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极 管,此时所测得的则不是(R1+R2)之和,而是(R1+R2)与两只二极管正 向电阻之和的并联电阻值。 5 带阻尼行输出三极管的检测 将万用表置于R×1挡,通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的 电阻值,即可判断其是否正常。具体测试原理,方法及步骤如下: A 将红表笔接E,黑表笔接B,此时相当于测量大功率管B-E结的等效二 极管与保护电阻R并联后的阻值,由于等效二极管的正向电阻较小,而 保护电阻R的阻值一般也仅有20~50 ,所以,二者并联后的阻值也较 小;反之,将表笔对调,即红表笔接B,黑表笔接E,则测得的是大功率 管B-E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值,由于等效 二极管反向电阻值较大,所以,此时测得的阻值即是保护电阻R的值, 此值仍然较小。 B 将红表笔接C,黑表笔接B,此时相当于测量管内大功率管B-C结等效 二极管的正向电阻,一般测得的阻值也较小;将红、黑表笔对调,即将 红表笔接B,黑表笔接C,则相当于测量管内大功率管B-C结等效二极管 的反向电阻,测得的阻值通常为无穷大。 C 将红表笔接E,黑表笔接C,相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻,
示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表 的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用 表(置于合适的直流电压档) 监测二极管两端的电压。如图4-71所示,摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加值即 是二极管的反向击穿电压。
之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。一般说来,中、小功率硅 管、锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以 上,如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO很大,管 子的性能不稳定。 (c) 测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的 刻度线及其测试插座,可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用 表功能开关拨至 挡,量程开关拨到ADJ位置,把红、黑表笔短接,调整 调零旋钮,使万用表指针指示为零,然后将量程开关拨到hFE位置,并 使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从hFE刻度线 上读出管子的放大倍数。 另外:有此型号的中、小功率三极管,生产厂家直接在其管壳顶部标示 出不同色点来表明管子的放大倍数β值,其颜色和β值的对应关系如表 所示,但要注意,各厂家所用色标并不一定完全相同。 B 检测判别电极 (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两 个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔 先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极 即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极 b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测三 极管为PNP型管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极 时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管。 (b) 判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1K 挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个 电阻值会是一个大一些,一个小一些。在阻值小的一次测量中,黑表笔 所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射 极。 C 判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于3MHz,而低频管的截止频率则小于3MHz,一般情 况下,二者是不能互换的。 D 在路电压检测判断法 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的 安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压 挡,去测量被测三极管各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而 判断其好坏。 2 大功率晶体三极管的检测 利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法,对 检测大功率三极管来说基本上适用。但是,由于大功率三极管的工作电
饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当 基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增 大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作 用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关 的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变 化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的 特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符 号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随 着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式 具有一定的规律,
底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次 为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚 朝下放置,则从左到右依次为e b c。
目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在 使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位 置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资 料。
晶体三极管的三种工作状态 截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流 为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作 用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截 止状态。
放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某 一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极 电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流 放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电 极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发 射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型 三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发 射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压 下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类 型。
根据三极管工作时各个电极的电位高低,就能判别三极管的工作状态, 因此,电子维修人员在维修过程中,经常要拿多用电表测量三极管各脚 的电压,从而判别三极管的工作情况和工作状态。 1 中、小功率三极管的检测 A 已知型号和管脚排列的三极管,可按下述方法来判断其性能好坏 (a) 测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1K挡,按照红、黑表笔 的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较 低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不 管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间 电阻大得多。 (b) 三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反 向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加 必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所 以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法,可间接估计 ICEO的大小,具体方法如下: 万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡,对于PNP管,黑表管接e 极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。要 求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反