多晶电池生产工艺流程

• 在正面形成银硅合金，形成良好的接触和遮光率；Ag浆料中的 玻璃添加料在高温（~700度）下烧穿SiN膜，使得Ag金属接触硅 片表面，在银硅共熔点（760度）以上进行合金化。
二、太阳电池生产工艺
分类检测
工作原理：
本系统通过模拟AM（Air Mass）1.5 1000W/m2太阳光脉冲照射PV电 池表面产生光电流，光电流流过可编程模拟负载，在负载两端产生电 压，负载装置将采样到的电流、电压传送给SCLoad计算,得到IV曲线 及其它指标，并根据实际光强和温度对它们进行修正。SCLoad 根据 测试结果，按照给定的分类规则分类，将分类结果传送给分检系统，
• 3、硅太阳能电池工作原理 • （三）、光生伏特效应 • 太阳光照在半导体P-N结界面层上，会激发出新的
空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，在P-N结内 部空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通 电路后就形成电流。我们把这种效应叫做“光生 伏特效应”，也就是太阳能电池的工作原理，因 此，太阳电池又称为“光伏电池”。
二、太阳电池生产工艺
• 太阳电池生产工艺流程
二、太阳电池生产工艺
• 工序一，硅片清洗制绒:
• 目的——HNO3 对硅表面氧化, 打破了硅表面的Si2H 键, 使Si 氧化为SiO2 , 然后HF溶解SiO2 , 并生成络合物H2SiF6 。从而导致硅表面发生各向同性 非均匀性腐蚀, 形成的半球状的绒面, 有利于减少光反射, 增强光吸收。
一、太阳电池简介
• 首先是P-N结附近的电子和空穴发生扩散运动：N型区域 的电子向P型区域扩散，相对于P型区域的空穴向N型区 域扩散。
一、太阳电池简介
• 在界面层附近，由于电子和空穴的迁移，就会使N区域 呈现正电性，而P区域呈现负电性。于是形成一个由N区 域指向P区域的内电场。
一、太阳电池简介
• P2O5 + Si → SiO2 + P
二、太阳电池生产工艺
二、太阳电池生产工艺
二、太阳电池生产工艺
• 工序三，等离子刻边： 去除扩散后硅片周边形成的短路环；
二、太阳电池生产工艺
二、太阳电池生产工艺
• 工序四，去除磷硅玻璃：
•
去除硅片表面氧化层及扩散时形成的磷硅玻璃（磷硅
玻璃是指掺有P2O5的SiO2层）。
分检系统将已分类的电池放到相应的电池盒里。
太阳电池的电性能参数：
Isc (短路电流)
Uoc (开路电压)
Impp (最大电流)
Umpp (最大电压) Pmpp（最大功率） Rs（串联电阻）
Rsh（并联电阻） FF（填充因子）
EFF（转换效率）
太阳能电池的效率计算公式
S-硅片面积 E-光强（正常1000W 50W）
二、太阳电池生产工艺
二、太阳电池生产工艺
• 工序六，丝网印刷：
•
用丝网印刷的方法，完成背场、背电极、正栅
线电极的制作，以便引出产生的光生电流；
•
工艺原理：
•
给硅片表面印刷一定图形的银浆或铝浆，通过
烧结后形成欧姆接触，使电流有效输出；
•
正面电极用Ag金属浆料，通常印成栅线状，在
实现良好接触的同时使光线有较高的透过率；背面
面形成铝硅合金和银铝合金，以制作良好的背接触（中间3个
区）；铝硅合金过程实际上是一个对硅进行P掺杂的过程，需加
热到铝硅共熔点（577℃）以上。经过合金化后，随着温度的下
降，液相中的硅将重新凝固出来，形成含有少量铝的结晶层，
它补偿了N层中的施主杂质，从而得到以铝为受主杂质的P层，
达到了消除背结的目的。
• 如果硅中掺入硼，镓等元素，由于这些元素可 捕获电子，就形成空穴半导体，用P表示。
• 如果掺入可以释放电子的磷，砷元素，就形成 电子型半导体，用N表示。
一、太阳电池简介
3、硅太阳能电池工作原理 （二）、P-N结 • P型半导体和N型半导体结合，交界面会形
成一个P-N结，形成P-N结内电场，阻碍着电 子和空穴的移动。
二、太阳电池生产工艺
二、太阳电池生产工艺
•
• 工序五，PECVD：
•
目的——渡减反射膜+钝化：
•
百度文库
PECVD即等离子体增强化学气相淀积设
备，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposi
tion； 制作减少硅片表面反射的SiN 薄膜
（～80nm）；
• 反应气体为SIH4和NH3
多晶电池生产工艺流程
2013/5/3 汪昭辉
目录
一、 太阳电池简介 二、 太阳电池生产工艺
一、太阳电池简介
1、太阳电池简介 太阳电池是一种对光有响应并能将光能转 换成电力的器件。
太阳能电池，又叫光生伏打电池，它是以半 导体材料为基础的一种具有能量转换功能 的半导体器件，是太阳能光伏发电的最核 心的器件。
工序二，扩散/制结：
•
硅片的单/双面液态源磷扩散，制作N型发
射极区，以形成光电转换的基本结构：PN结。
•
POCl3 液态分子在N2 载气的携带下进入炉
管，在高温下经过一系列化学反应磷原子被置
换，并扩散进入硅片表面，激活形成N型掺杂，
与P型衬底形成PN结。主要的化学反应式如下：
• POCl3 + O2 → P2O5 + Cl2；
一、太阳电池简介
2、太阳电池分类
一、太阳电池简介
• 晶体硅电池—单晶硅
一、太阳电池简介
• 晶体硅电池—多晶硅电池
一、太阳电池简介
• 3、硅太阳能电池工作原理 • （一）、硅的掺杂 • 半导体硅原子外层有4个电子，按固定轨道绕
原子核转动。当受到外来能量作用时，这些电 子会脱离轨道成为自由电子，并在原来位置形 成一个“空穴”。
通常用Al金属浆料印满整个背面，一是为了克服由
于电池串联而引起的电阻，二是减少背面的复合；
二、太阳电池生产工艺
• 背电极印刷及烘干（银浆或铝浆）；背电场印刷及烘干 （铝浆）；正面电极印刷（银浆）。
二、太阳电池生产工艺
二、太阳电池生产工艺
• 工序七，烘干和烧结:
•
目的及工作原理：
•
烘干金属浆料，并将其中的添加料挥发（前3个区）；在背
• 原理：利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性，对硅进行氧化和络合 剥离，导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，从而形成 类似“凹陷
坑”状的绒面。
•
Si + HNO3 → SiO2 + NOx ↑ + H2O
•
SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O
二、太阳电池生产工艺
二、太阳电池生产工艺