声光控延时电路

声光控延时电路

实验要求：要求制作节能型走道灯能实现以下功能1.能够实现光控声控控制灯的点亮2.能够使灯包点亮后一段时间自动熄灭。

设计思路：首先要实现声光自熄必须先要分布来实现其功能最后在把所有的功能综合在一起就能实现了。

根据现有的情况我决定先设计一个能点亮LED灯的直流稳压电路最后用继电器来控制交流部分的灯。

所以我第一先设计一个声控电路.

1．声控电路：

根据上次的实训我借鉴了上次的声控电路然后稍作改进把电路图画了出来：

首先来看一下电路图电源是6V供电当有声音信号的时候会通过点解电容给第一个三极管一个较小的电流但电流经过第一个三极管的b 极的时候三级管导通把较小的电流放大之后又经过一个三极管放大后使发光二极管点亮这样就实现了第一个步骤光控.

在光控电路中我们要注意电源不能过大以免把LED烧掉其次是三极管的管脚判别：其判别规则是把三极管管脚对自己半圆向左其管脚从上到下依次是e.b.c。特别要注意不要把管脚判断错误不然会把三极管烧坏的。还有一点是麦克的焊接我们在焊接麦克是要注意焊接的速度因为过高的温度会损坏麦克使其不能正常工作。注意以上部分的工作光控电路很快就焊接好了。

2.光控电路：

要设计光控电路首先要了解光敏电阻的特性经过查找资料和实际测

量我得知一些关于光敏电阻的数据。光敏电阻的阻值在一般情况下受

光时是2k-5k之间，而不受光时是10k-15k之间。根据这一特性我们就可以设计电路了。

我首先想到的是利用光敏电阻的这一特性用电阻并联分流的特性来控制光对电路的影响。根据这一假想我设计出了光控电路：

首先是接一个30K的电阻位的是使电流变小以至于经过光敏电阻时是电流的分流更加的明显。而第二个10k电阻是根据光敏电阻的最大最小值而取的。目的是同光敏电阻一同来实现电流的分流。

当接上电源时有光照是光敏电阻的阻值变小，过的三极管的电流就变小放大后的电流也就小就不能使LED发光。而当没光时光敏电阻变大，通过三极管的电流就变大经过三极管放大后的电流就大就能使二极管点亮就起到了一个光控的现象。

焊接电路时也是应该注意一下三极管的管脚。其次是发光的管脚其规则是长正短负。注意这些以后也能把电路焊接成功。

3.延时电路：

延时电路的设计我也是参考了上次设计的延时电路图通过简单的修改就设计出来了。

这个延时电路的设计原理是比较简单的，他的原理是电源接通后通过电阻给电解电容充电当开关闭合时电容被短路三极管导通二极管点亮。当开关断开时电解电容开始放电三极管导通同时二极管也导通但放电完毕时三极管截止二极管不发光这样就起到了一个控制的作用。

这样就把声光电路各个部分的电路分部做好就可以进行组合

4.声光控延时电路：

这样就可以把送的声光控延时延时电路设计出来了经过不断地测试于改进我最终还是没有把电路调试出来主要原因可能是还是延时电路的设计有点缺陷导致电路的整体效果不是很好。

这次电路主要用到的是一些电阻、二极管、三极管、麦克、光敏电阻、点解电容等。三极管的型号都是9014都是一些常见的电子元器件。

我只想简单的介绍一下光敏电阻和9014三极管。

光敏电阻器（photovaristor）

又叫光感电阻，是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。

通常，光敏电阻器都制成薄片结构，以便吸收更多的光能。当它受到光的照射时，半导体片（光敏层）内就激发出电子—空穴对，参与导电，使电路中电流增强。一般光敏电阻器结构如图所示。

原理

用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。

在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子—空穴对增加了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将逐

渐复合，光敏电阻的阻值也就逐渐恢复原值。

三极管c9014

C9014

NPN三极管

9014是非常常见的晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广,它是npn型小功率三极管，下面介绍9014的引脚图参数等资料，希望大家记住。

c9014

9014三极管（TO-92封装）管脚图

１、发射极２、基极３、集电极

9014三极管参数

集电极最大耗散功率PCM＝0.4W（Tamb=25℃）

集电极最大允许电流ICM=0.1A

集电极基极击穿电压BVCBO=50V

集电极发射极击穿电压BVCEO=45V

发射极基极击穿电压BVEBO=5V

集电极发射极饱和压降VCE(sat)=0.3V (IC=100mA; IB=5 mA)

基极发射极饱和压降VBE(sat)=1V (IC=100mA; IB=5mA) 特征频率fT=150MHz

HFE：A=60~150; B=100~300; C=200~600; D=400~100 0

（1）主要用途：

作为低频、低噪声前置放大，应用于电话机、VCD、

DVD、电动玩具等电子产品（与C9015互补）

心得与体会

本次实训使我第一次做这样的实训这次实训是，因为这次实训使我们独立完成要靠自己来查资料自己根据实际的需要

来设计自己的电路，设计思路要实现成电路图是非常难的一步因为设计思路和实际的电路会有一点差距即使你能设计

出来但不一定能调试出来这次我设计只用了1天但调试却

用了3天.可想而知调试的难度。通过这次实训我得到很多最主要的是我能了解到了怎样判断电路。怎样检查自己的电路为什么不能调试出来，通过实训我也提得高了自己的焊接水平，也使自己自己感觉到理论和实践的差距有时你理论能很