第4章存储器ppt课件
合集下载
第四章-存储器04-高速缓冲存储器
Cache 000 001 010 011 100 101 110 111 000 001 010 011 100 101 110 111
调入
4.1、地址映象——直接映像
例2：设一个Cache中有8块，访问主存进行读操作的块地址依次为： 10110、11010、10110、11010、10000、00100、10010， 求每次访问时Cache的内容。
硬件完成功能： 访存地址 转成 Cache地址 辅助存储器
Cache 的全部功能都是 由硬件完成的， 对程序员来说是透明的。
4.1、地址映象
映象：其物理意义就是位置的对应关系，将主存地址变成Cache地址。
常见的映象方式主要有三种： 1）直接映象 2）全相联映象 3）组相联映象
CPU Cache 字 数据总线 字
2位 主存区号标记 00 主存块号 比较 3位 区内块号 100 Cache块号 未命中 访问内存 000 001 010 011 100 101 110 111 块内地址 块内地址
Cache
000 001 010 011 100 101 110 111
调入
块表 000 001 010 011 100 101 110 111
4、高速缓冲存储器（Cache）
考研试题精选：
假设：CPU执行某段程序时，共访问Cache 3800 次，访问主存200 次，已知Cache存取周期为50ns，主存存取周期为250ns。
求：Cache—主存系统的平均存取时间和效率。 解： 系统命中率 h = 3800 / 3800 + 200 = 0.95
Cache
000 001 010 011 100 101 110 111 调入
块表 000 10 001 010 11 011 100 101 110 10 111
计算机组成原理 第 4 章 存储器系统
2013-11-4 22
• 存储单元的编址
• 编址单位：存储器中可寻址的最小单位。 • ① 按字节编址：相邻的两个单元是两个字节。 • ② 按字编址：相邻的两个单元是两个字。
• 例如一个32位字长的按字节寻址计算机，一个 存储器字中包含四个可单独寻址的字节单元。 当需要访问一个字，即同时访问4个字节时，可 以按地址的整数边界进行存取。即每个字的编 址中最低2位的二进制数必须是“00” ，这样可 以由地址的低两位来区分不同的字节。
• 主存储器用于存放CPU正在运行的程序和数据。 主存与CPU之间通过总线进行连接。
地址总线 MAR CPU MDR (k 位) 数据总线 (n 位) R/W MFC
2013-11-4 27
主 存 2k×n 位
主存的操作过程
• MAR：地址寄存器 MDR：数据寄存器
读操作（取操作） 地址 （MAR） AB
2013-11-4
5
(3) 高速缓冲存储器（Cache）
• Cache是一种介于主存与CPU之间用于解 决CPU与主存间速度匹配问题的高速小 容量的存储器。 • Cache用于存放CPU立即要运行或刚使用 过的程序和数据。
2013-11-4
6
2．按存取方式分类
• (1) 随机存取存储器(RAM) • RAM存储器中任何单元的内容均可按其地址随机地 读取或写入，且存取时间与单元的物理位置无关。 • RAM主要用于组成主存。
主存储器的组成和基本操作
地 址 译 码 驱 动 电 路 存 储 阵 列 读 写 电 路 数 据 寄 存 器 数 据 总 线
时序控制电路 R/W
2013-11-4
MFC
图 4-1
主存储器的基本组成 18
• 存储单元的编址
• 编址单位：存储器中可寻址的最小单位。 • ① 按字节编址：相邻的两个单元是两个字节。 • ② 按字编址：相邻的两个单元是两个字。
• 例如一个32位字长的按字节寻址计算机，一个 存储器字中包含四个可单独寻址的字节单元。 当需要访问一个字，即同时访问4个字节时，可 以按地址的整数边界进行存取。即每个字的编 址中最低2位的二进制数必须是“00” ，这样可 以由地址的低两位来区分不同的字节。
• 主存储器用于存放CPU正在运行的程序和数据。 主存与CPU之间通过总线进行连接。
地址总线 MAR CPU MDR (k 位) 数据总线 (n 位) R/W MFC
2013-11-4 27
主 存 2k×n 位
主存的操作过程
• MAR：地址寄存器 MDR：数据寄存器
读操作（取操作） 地址 （MAR） AB
2013-11-4
5
(3) 高速缓冲存储器（Cache）
• Cache是一种介于主存与CPU之间用于解 决CPU与主存间速度匹配问题的高速小 容量的存储器。 • Cache用于存放CPU立即要运行或刚使用 过的程序和数据。
2013-11-4
6
2．按存取方式分类
• (1) 随机存取存储器(RAM) • RAM存储器中任何单元的内容均可按其地址随机地 读取或写入，且存取时间与单元的物理位置无关。 • RAM主要用于组成主存。
主存储器的组成和基本操作
地 址 译 码 驱 动 电 路 存 储 阵 列 读 写 电 路 数 据 寄 存 器 数 据 总 线
时序控制电路 R/W
2013-11-4
MFC
图 4-1
主存储器的基本组成 18
微型计算机系统原理及应用 第4章 半导体存储器
17
4．3 半导体只读存储器（ROM）
4.3.1 掩膜式只读存储器ROM ROM制造厂家按用户提供的数据，在芯片制造时
写定。用户无法修改。
18
4.3.2 可编程的只读存储器PROM 只能写入一次。
19
4.3.3 可编程、可擦除的只读存储器EPROM
1. 紫外线擦除的EPROM 进行照射10～20min，擦除原存信息，成为全1状态。
8
2．静态RAM的结构 将多个存储单元按一定方式排列起来，就组成了一个静 态RAM存储器。
9
典型的SRAM 6116：2KB，A0~A10，D0~D7形成 128*16*8（每8列组成看作一个整体操作）的阵列
片选CS# 输出允许 OE#
读写控制 WE#
10
典型的SRAM芯片6264 (8KB)
29
存储器芯片的选用
RAM、ROM区别：
–ROM：ROM用来存放程序，为调试方便，多采用EPROM
–RAM：存储器容量不大，功耗较小时，可采用静态RAM；
系统较大，存储器容量很大，功能和价格成为主要矛盾， 要选择动态RAM，这时要考虑刷新问题。
组成存储器模块时，需要考虑的因素主要有：容
量、速度、负载等：
14
2. 双端口RAM举例
CY7C130/131/140/141 1K*8bit高速双端口SRAM A0~A9：地址线 I/O0~I/O7：数据线 CE#：片选 OE#：输出允许线 R/W#：读写控制 BUSY#： INT#：
15
存储器的基本组成 半导体存储器的内部结构为例
译码电路： 重合译码方式 存储体：核心。一个 基本存储电路可存入 一个二进制数码
A12 A7 A6 A5 A4 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 Vcc WE CS 2 A8 A9 A 11 OE A 10 CS 1 D7 D6 D5 D4 D3
计算机操作系统第四章-存储器管理
第四章存储器管理第0节存储管理概述一、存储器的层次结构1、在现代计算机系统中，存储器是信息处理的来源与归宿，占据重要位置。
但是，在现有技术条件下，任何一种存储装置，都无法从速度、容量、是否需要电源维持等多方面，同时满足用户的需求。
实际上它们组成了一个速度由快到慢，容量由小到大的存储装置层次。
2、各种存储器•寄存器、高速缓存Cache：少量的、非常快速、昂贵、需要电源维持、CPU可直接访问；•内存RAM：若干(千)兆字节、中等速度、中等价格、需要电源维持、CPU可直接访问；•磁盘高速缓存：存在于主存中；•磁盘：数千兆或数万兆字节、低速、价廉、不需要电源维持、CPU 不可直接访问；由操作系统协调这些存储器的使用。
二、存储管理的目的1、尽可能地方便用户；提高主存储器的使用效率，使主存储器在成本、速度和规模之间获得较好的权衡。
(注意cpu和主存储器，这两类资源管理的区别)2、存储管理的主要功能：•地址重定位•主存空间的分配与回收•主存空间的保护和共享•主存空间的扩充三、逻辑地址与物理地址1、逻辑地址(相对地址，虚地址)：用户源程序经过编译/汇编、链接后，程序内每条指令、每个数据等信息，都会生成自己的地址。
●一个用户程序的所有逻辑地址组成这个程序的逻辑地址空间(也称地址空间)。
这个空间是以0为基址、线性或多维编址的。
2、物理地址(绝对地址，实地址)：是一个实际内存单元(字节)的地址。
●计算机内所有内存单元的物理地址组成系统的物理地址空间，它是从0开始的、是一维的；●将用户程序被装进内存，一个程序所占有的所有内存单元的物理地址组成该程序的物理地址空间(也称存储空间)。
四、地址映射(变换、重定位)当程序被装进内存时，通常每个信息的逻辑地址和它的物理地址是不一致的，需要把逻辑地址转换为对应的物理地址----地址映射；地址映射分静态和动态两种方式。
1、静态地址重定位是程序装入时集中一次进行的地址变换计算。
物理地址= 重定位的首地址+ 逻辑地址•优点：简单，不需要硬件支持；•缺点：一个作业必须占据连续的存储空间；装入内存的作业一般不再移动；不能实现虚拟存储。
第四章内存及其与CPU连接
选中存储芯片，即进行片选；然后再从选中
旳芯片中根据地址码选择出相应旳存储单元，
以进行数据存取，这称为字选。
• 1、线选译码法
线选法就是用除了片内寻址外旳高位地址线直接（或经反 相器）接至各个存储芯片旳片选端，当某条地址线信息为“0” 时，就选中与之相应旳存储芯片。
2、全译码法
全译码法是用除了片内寻址外旳全部高位地址线作 为地址译码器旳输入，把经过译码器译码后旳输出作 为各芯片旳片选信号，将它们分别接到存储芯片旳片 选端，以实现对存储芯片旳选择。
芯片 RAM1
RAM芯片组地址范围
A15 A14 A13 A12 A11 A10
其可存储二进制位旳数量为2x×y。 • 3)控制信号：
CS*：片选信号 OE*：输出允许信号 ME*：写入允许信号
• 存储芯片内部由存储矩阵、地址译码电路和 读/写控制电路等构成。
• 1、存储矩阵
存储矩阵是存储单元旳集合，一种存储 单元能够存储一位或多位二进制数数据。所 以，能够把存储器芯片分为位片构造和字片 构造两种类型。
• 2、地址译码电路
• 译码器将地址锁存器输入旳地址码转换 成译码器输出线上相应旳有效电平，表达选 中了某一存储单元，并由驱动器提供驱动电 流去驱动相应旳读/写电路，完毕被选中单 元旳读/写操作。
• 译码驱动方式分为 一维地址译码和二维 地址译码两种。
• 3、读/写控制电路
控制逻辑接受CPU送来旳开启、读、写等命令， 经控制电路处理后，由控制逻辑产生一组时序信号来 控制存储器旳读出和写入操作。
缓存 主存 辅存 图1 微型计算机存储器旳三级构造
• 高速缓冲存储器（Cache）：主要由双极 型半导体存储器构成，速度快。为了弥 合主存和CPU旳速度上旳较大差别而设置。 存储正在执行旳程序和数据，速度与CPU 相匹配。有片内片外之分。
《计算机组成原理》电子课件第4章 多级结构的存储系统重庆
三.高速缓存 CACHE
用途：设置在 CPU 和 主存 储器之间，完成高速与 CPU 交换信息，尽量避免 CPU不 必要地多次直接访问慢速的 主存储器，从而提高计算机 系统的运行效率。
高速缓存 CACHE 实现：这是一个存储容量 很小，但读写速度更快的， 以关联存储器方式运行、 用静态存储器芯片实现的 高速静态存储器系统。
有 N个磁盘的容量 有更高的性能价格比 对阵列盘采用冗余技术提高信息的可靠性 有 1/N 的访问时间
RAID0：data Striping
RAID1: Drive Mirroring RAID4: Data Guarding RAID5: Distributed data Guarding
第四章作业
第四章习题中的 第1题， 第 2题，第 3题， 第6题， 第12题，第13题， 第27题，第31题。 （8个作业题均必做）
附：内存储器教学实验
(1) 教学实验计算机介绍
整机为 8位字长， 组合逻辑控制器方案， 内存储器为 8位字长， 使用 16位的地址， 按字节访问。
（2）教学实验内容
教学计算机已有 8KB 的ROM、 2KB 的RAM内存空间，在此基础上
《计算机组成原理》电子课件
第4章 多级结构的 存储系统
重庆电大网址：
计算机硬件系统
控 制 器
第3章
运 算 器 入 出 接 口 和 总 线
第2章
高速缓存
主存储器 外存设备
第4章
输入设备 输出设备
第5章
第四内容辅导
第四章的教学内容占全部教 学内容的 20% ， 涉及概念性的知识比较多， 原理性的内容一般理解即可； 实用性的知识较多，有些 线路或设备组成实例，勿背。
西安电子科技大学_计算机组成与体系结构_第4章存储系统_课件PPT
的时间一样。
存取方式 读写功能
随机读写：RAM 顺序(串行)访问：
顺序存取存储器 SAM 直接存取存储器 DAM
12
4.1 存储系统概述 4.1.2 存储器分类：不同的分类标准
存储信息的介质
在计算机中的用途
存放信息的易失(挥发)性
存取方式 读写功能
读写存储器 只读存储器
13
存储信息的介质
在计算机中的用途 存放信息的易失(挥发)性 存取方式 读写功能
易失：RAM 非易失：
ROM 磁盘
……
11
4.1 存储系统概述 4.1.2 存储器分类：不同的分类标准
存储信息的介质 在计算机中的用途 存放信息的易失(挥发)性
存储器的存取时间 与存储单元的物理 地址无关，随机读 写其任一单元所用
无
36
8086系统总线
D0～D7
A1～A13 MEMR MEMW
A0
D8～D15 A1～A13 MEMR MEMW
BHE
&
A19
A18
A17
&
A16 A15 A14
6264与8086系统总线的连接
6264
D0～D7
A0～A12
CS1
OE
WE
CS2
6264
D0～D7
A0～A12
CS1
OE
WE
CS2
74LS138
每次读出/写入的字节数 存取周期
价格
体积、重量、封装方式、工作电压、环境条件
14
4.1 存储系统概述 4.1.2 存储器的性能指标
容量 速度 可靠性
可维修部件的可靠性： 平均故障间隔时间（MTBF）
存取方式 读写功能
随机读写：RAM 顺序(串行)访问：
顺序存取存储器 SAM 直接存取存储器 DAM
12
4.1 存储系统概述 4.1.2 存储器分类：不同的分类标准
存储信息的介质
在计算机中的用途
存放信息的易失(挥发)性
存取方式 读写功能
读写存储器 只读存储器
13
存储信息的介质
在计算机中的用途 存放信息的易失(挥发)性 存取方式 读写功能
易失：RAM 非易失：
ROM 磁盘
……
11
4.1 存储系统概述 4.1.2 存储器分类：不同的分类标准
存储信息的介质 在计算机中的用途 存放信息的易失(挥发)性
存储器的存取时间 与存储单元的物理 地址无关，随机读 写其任一单元所用
无
36
8086系统总线
D0～D7
A1～A13 MEMR MEMW
A0
D8～D15 A1～A13 MEMR MEMW
BHE
&
A19
A18
A17
&
A16 A15 A14
6264与8086系统总线的连接
6264
D0～D7
A0～A12
CS1
OE
WE
CS2
6264
D0～D7
A0～A12
CS1
OE
WE
CS2
74LS138
每次读出/写入的字节数 存取周期
价格
体积、重量、封装方式、工作电压、环境条件
14
4.1 存储系统概述 4.1.2 存储器的性能指标
容量 速度 可靠性
可维修部件的可靠性： 平均故障间隔时间（MTBF）
计算机组成原理4第四章存储器PPT课件精选全文
4.2
11
4.2
请问： 主机存储容量为4GB，按字节寻址，其地址线 位数应为多少位？数据线位数多少位？ 按字寻址（16位为一个字）,则地址线和数据线 各是多少根呢？
12
数据在主存中的存放
设存储字长为64位（8个字节），即一个存 取周期最多能够从主存读或写64位数据。
读写的数据有4种不同长度:
字节 半字 单字 双字
34
3. 动态 RAM 和静态 RAM 的比较
主存
DRAM
SRAM
存储原理
电容
触发器
集成度
高
低
芯片引脚
少
多
功耗
小
大
价格
低
高
速度
慢
快
刷新
有
无
4.2
缓存
35
内容回顾: 半导体存储芯片的基本结构 4.2
…… ……
地
译
存
读
数
址
码
储
写
据
线
驱
矩
电
线
动
阵
路
片选线
读/写控制线
地址线（单向） 数据线（双向） 芯片容量
D0
…… D 7
22
(2) 重合法（1K*1位重合法存储器芯片）
0 A4
0,00
…
0,31
0 A3
X 地
X0
32×32
… …
0址
矩阵
A2
译
0码
31,0
…
31,31
A1
器 X 31
0 A0
Y0 Y 地址译码器 Y31 A 9 0A 8 0A 7 0A 6 0A 5 0
精品课件-微型计算机原理及应用(第二版)-第4章
第4章 存储系统
图4.2 6264全地址译码器
第4章 存储系统
图4.3 另一种译码电路
第4章 存储系统
2) 部分地址译码 部分地址译码就是只用部分地址线译码控制片选来决定 存储器地址。一种部分地址译码的连接电路原理图如图4.4 所示。
第4章 存储系统
图4.4 6264部分地址译码连接
第4章 存储系统
第4章 存储系统
2) 金属氧化物(MOS)RAM 用MOS器件构成的RAM又可分为静态读写存储器(SRAM)和 动态读写存储器(DRAM)。当前的微型计算机中均采用这种类 型的金属氧化物(MOS)RAM。 静态RAM的主要特点是，其存取时间为几到几百纳秒 (ns)，集成度比较高。目前经常使用的静态存储器每片的容 量为几十字节到几十兆字节。SRAM的功耗比双极型RAM低， 价格也比较便宜。
第4章 存储系统
CS1、CS2为两条片选信号引线。当两个片选信号同时有 效时，即 C=S01、CS2=1时，才能选中该芯片。不同类型的芯 片，其片选信号多少不一，但要选中芯片，只有使芯片上所有 片选信号同时有效才行。一台微型计算机的内存空间要比一块 芯片的容量大。在使用中，通过对高位地址信号和控制信号的 译码产生(或形成)片选信号，把芯片的存储容量放在设计者所 希望的内存空间上。简言之，就是利用片选信号将芯片放在所 需要的地址范围上。这一点，在下面的叙述中将会看到。
第4章 存储系统
2．存取时间 存取时间就是存取芯片中某一个单元的数据所需要的时 间。 当拿到一块存储器芯片的时候，可以从其手册上得到它的存 取时间。CPU在读写RAM时，它所提供给RAM芯片的读写时间 必须比RAM芯片所要求的存取时间长。如果不能满足这一点， 微型机则无法正常工作。 3．可靠性 微型计算机要正确地运行，必然要求存储器系统具有很 高的可靠性。内存的任何错误都足以使计算机无法工作。而 存储器的可靠性直接与构成它的芯片有关。目前所用的半导 体存储器芯片的平均故障间隔时间(MTBF)大概为5×106～ 1×108 h左右。
计算机组成原理第4章 主存储器
4.5 读/写存储器
VDD Xi
静态存储器(SRAM)
其中T1~T4组成两个反相器，构成双稳 态触发器，可存储一位二值信息。T5、 T6两只门控管相当于模拟开关，它们 的栅极接到字线上。由字选择线（行地 址译码器输出Xi ）控制该单元是否被 选中。还有两条位线连接到T5、T6 上 用来传送读写信号，T7、T8的开关状 态控制位线与输入/输出缓冲器间是否 接通,它们的开关状态受列译码器输出 Yj控制。
T3
T4
·
A
T1 T2
B
·
Bj
T8
T6
Bj
T7
D A3
Yj A1
D A2
R/W
I/O
计算机组成与结构
延安大学计算机学院
4.5 读/写存储器
计算机组成与结构
延安大学计算机学院
4.5 读/写存储器
静态存储器(SRAM)
计算机组成与结构
延安大学计算机学院
4.5 读/写存储器
动态存储器（DRAM）
计算机组成与结构
延安大学计算机学院
4.1 主存储器处于全机中心地位
在现代计算机中，主存储器处于全机中心地位，其原 因是：
当前计算机正在执行的程序和数据均存放在存储器中。 DMA(直接存储器存取)技术和输入/输出通道技术，在
存储器与输入/输出系统之间直接传送数据。
共享存储器的多处理机，利用存储器存放共享数据，
EEPROM：可用电擦除的可编程序只读存储器。
Flash Memory: 快擦型存储器(可以整块擦除，也可局部擦除)。
上述各种存储器中，RAM为“易失性存储器”，其余的 称为“非易失性存储器”(断电以后信息不会丢失)。
第四章 存储器管理(1-2)
物理地址空间
Load A data1
100
Load A 200
1100
Load A 1200
编译 连接
data1 3456 200 3456
地址映射
1200 3456 。 。
第四章 存 储 器 管 理
地址映射的方式
静态地址映射： 1）程序被装入内存时由操作系统的连接装入程序完成 程序的逻辑地址到内存地址的转换； 2）地址转换工作是在程序执行前由装入程序集中一次 完成。 假定程序装入内存的首地址为BR，程序地址为VR，内存 地址为MR，则地址映射按下式进行：MR=BR+VR
② 便于实现对目标模块的共享：将内存中的一个模块可 以连接到多个程序中。 ③ 要运行的程序都必须在装入时，全部连接调入内存。
第四章 存 储 器 管 理
3. 运行时动态链接(Run-time Dynamic Linking) 动态链接方式：将对某些模块的链接推迟到执行时才实施， 亦即，在执行过程中，当发现一个被调用模块尚未装 入内存时，立即由OS去找到该模块并将之装入内存， 把它链接到调用者模块上。特点如下： 特点：凡在执行过程中未被用到的目标模块，都不会被调 入内存和被链接到装入模块上，这样不仅可加快程序 的装入过程，而且可节省大量的内存空间。
硬件支持：在动态地址重定位机构中，有一个基地址寄存器BR和一 个程序地址寄存器VR，一个内存地址寄存器MR。
转换过程：MR=BR+VR
第四章 存 储 器 管 理
把程序装入起始地址为100的内存区
0 100
重定位寄存器 1000
…
MOV r1，[50]
0 1000 1100
… …
MOV r1பைடு நூலகம்[50]
计算机操作系统第4章存储器管理PPT课件
➢ 不支持多道程序
➢ 内存利用率不高
➢ 受内存容量限制
23
4.2.2 连续分区存储管理
➢ 将内存划分成若干个连续区域，称为分区 ➢ 每个分区只能存储一个程序，而且程序也只
能在它所驻留的分区中运行(连续性)
➢ 是实现多道程序的最简单的存储管理方案 ➢ 根据划定的分区是否可变，分为固定分区和
可变分区管理
编译/链接
地址映射
data1 3456
200
3456
1200
3456
15
三种装入方式
➢ 绝对装入
✓ 编译时给出绝对地址
✓ 相对地址与绝对地址相同，无须地址转换
✓ 适用于单道程序环境
➢ 静态重定位装入
✓ 相对地址与绝对地址不同
✓ 装入时一次性给出绝对地址
➢ 动态重定位装入
✓ 相对地址与绝对地址不同
✓ 地址的转换推迟到指令运行时才进行
24
1. 固定分区 ➢ 基本思想
✓ 由OS在初启时，将内存空间划分为若干连 续区域，一个区域称为一个分区
✓ 每个分区的大小固定不变，每个分区装一 个且只能装一个进程
✓ 每个分区大小可以相同也可以不同
25
➢ 数据结构 ✓ 分区说明表：分区号、起始地址、大小、状态 ✓ 分区请求表：进程号、内存大小
分区号 始址(K) 大小(K) 状态
要位置
➢ 任何一种存储装置，都无法同时从速度与
容量两方面，满足用户的需求
➢ 实际上它们组成了一个速度由快到慢，容
量由小到大的存储装置层次结构
5
存储器层次
存取时间减少
高速缓存
存取速度增加 存取成本增加
内存
存储容量减少
(精选)《主存储器》PPT课件
计算机组成原理
——第4章 主存储器
1
4.8 半导体存储器的组成与控制
1. 存储器容量扩展
位扩展 字扩展 字位扩展
2. 存储控制
集中刷新 分散刷新 异步刷新
3. 存储校验线路
2
复习（一）
❖RAM存储器芯片总结
RAM存储器芯片有多种型号，每一RAM存储器芯 片具有：
地址线Ai：引脚数与存储芯片的单元数有关； 数据线Di：引脚数与存储芯片的字长有关； 片选信号CS：只有CS有效时，芯片才被选中，
❖ 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。
…
9
1、存储器容量扩展——字扩展
例3 使用16K×8位的RAM芯片组成一个 64K×8位的存储器。
分析： ①芯片的字数不够，需进行字扩展。 ②共需芯片数目是64K÷16K＝4。将4片RAM的地 址线、数据线、读写线一一对应并联。 ③出现地址线不够问题，如何解决？ 可以用高2位 地址作为选片端。 ④详细的连接见下图：
12
…
1、存储器容量扩展——字位扩展
❖ 实际存储器往往需要在字向、位向两个方向同时 扩展。
❖ 一个存储器的容量为M×N位，若使用L×K位的存 储芯片，则该存储器共需的芯片个数为：
M× N
L
K
❖ 需解决：芯片的选用、
…
地址分配与片选逻辑、
…
…
信号线的连接。 …
13
2114（1K×4）SRAM芯片组成容量为4K×8的存储器
10
16K×8位的RAM芯片组成一个64K×8位的存储器
10
地 CS
址 端
WE
地 CS
址 端
WE
地 CS
址 端
WE
——第4章 主存储器
1
4.8 半导体存储器的组成与控制
1. 存储器容量扩展
位扩展 字扩展 字位扩展
2. 存储控制
集中刷新 分散刷新 异步刷新
3. 存储校验线路
2
复习（一）
❖RAM存储器芯片总结
RAM存储器芯片有多种型号，每一RAM存储器芯 片具有：
地址线Ai：引脚数与存储芯片的单元数有关； 数据线Di：引脚数与存储芯片的字长有关； 片选信号CS：只有CS有效时，芯片才被选中，
❖ 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。
…
9
1、存储器容量扩展——字扩展
例3 使用16K×8位的RAM芯片组成一个 64K×8位的存储器。
分析： ①芯片的字数不够，需进行字扩展。 ②共需芯片数目是64K÷16K＝4。将4片RAM的地 址线、数据线、读写线一一对应并联。 ③出现地址线不够问题，如何解决？ 可以用高2位 地址作为选片端。 ④详细的连接见下图：
12
…
1、存储器容量扩展——字位扩展
❖ 实际存储器往往需要在字向、位向两个方向同时 扩展。
❖ 一个存储器的容量为M×N位，若使用L×K位的存 储芯片，则该存储器共需的芯片个数为：
M× N
L
K
❖ 需解决：芯片的选用、
…
地址分配与片选逻辑、
…
…
信号线的连接。 …
13
2114（1K×4）SRAM芯片组成容量为4K×8的存储器
10
16K×8位的RAM芯片组成一个64K×8位的存储器
10
地 CS
址 端
WE
地 CS
址 端
WE
地 CS
址 端
WE
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
32片
8片
8片
8片
8片
16K × 1位 16K × 1位 16K × 1位 16K × 1位
当地址为 65 535 时，此 8 片的片选有效
2. 半导体存储芯片的译码驱动方式 4.2
(1) 线选法
A3 0
字线
地0 A2 0 址
译
A1
0码 器
A0 0
15
读 / 写选通
… …
…
0,0 … 0,7
16×8矩阵
0
0
0行
0地 0址 1
第一组
0 … 15
第二组
16 … 31
第三组
32 … 47
第四组
48 … 63
…
…
…
…
…
…
…
…
0译
0 码 63
0
15 16 31
32
47
48
63
…
0 列0 0地 0 址 15 0译
码
WE
CS
…
读写电路 I/O1 读写电路 I/O2 读写电路 I/O3 读写电路 I/O4
③ Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写 4.2
第一组
0 … 15
第二组
16 … 31
第三组
32 … 47
第四组
48 … 63
…
…
…
…
…
…
…
…
0译
0 码 63
0
15 16 31
32
47
48
63
…
0 列0 0地 0 址 15 0译
码
WE
CS
…
读写电路 I/O1 读写电路 I/O2 读写电路 I/O3 读写电路 I/O4
③ Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写 4.2
48 … 63
…
…
…
…
…
…
…
…
0译
0 码 63
0
15 16 31
32
47
48
63
…
0 列0 0地 0 址 15 0译
码
WE
CS
…
读写电路 I/O1 读写电路 I/O2 读写电路 I/O3 读写电路 I/O4
③ Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写 4.2
0
0
0行
0地 0址 1
② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读 4.2
0
0
0行
0地 0址 1
第一组
0 … 15
第二组
16 … 31
第三组
32 … 47
第四组
48 … 63
…
…
……
…
…
…
…
…
0译
0 码 63
0
15 16 31
32
47
48
63
…
0 列0 0地 0 址 15 0译
码
WE
CS
…
读读写写电电路路 I/O1 读写电路 I/O2 读写电路 I/O3 读写电路 I/O4
0
0
0行
0地 0址 1
第一组
0 … 15
第二组
16 … 31
第三组
32 … 47
第四组
48 … 63
…
…
…
…
…
…
…
…
0译
0 码 63
0
15 16 31
32
47
48
63
…
0 列0 0地 0 址 15 0译
码
WE
CS
…
读读写写电电路路 I/O1 读写电路 I/O2 读写电路 I/O3 读写电路 I/O4
0
0
0行
0地 0址 1
第一组
0 … 15
第二组
16 … 31
第三组
32 … 47
第四组
48 … 63
…
…
…
…
…
…
…
…
0译
0 码 63
0
15 16 31
32
47
48
63
…
0 列0 0地 0 址 15 0译
码
WE
CS
…
读写电路 I/O1 读写电路 I/O2 读写电路 I/O3 读写电路 I/O4
② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读 4.2
第４章存储器ppt课件
4.1 概 述
一、存储器分类
1. 按存储介质分类
(1) 半导体存储器 TTL 、MOS
易失
(2) 磁表面存储器 (3) 磁芯存储器 (4) 光盘存储器
磁头、载磁体
非 硬磁材料、环状元件 易
失
激光、磁光材料
二、存储器的层次结构
4.1
1. 存储器三个主要特性的关系
速度 容量 价格／位
0
0
0行
0地 0址 1
第一组
0 … 15
第二组
16 … 31
第三组
32 … 47
第四组
48 … 63
…
…
…
…
…
…
…
…
0译
0 码 63
0
15 16 31
32
47
48
63
…
0 列0 0地 0 址 15 0译
码
WE
CS
…
读写电路 I/O1 读写电路 I/O2 读写电路 I/O3 读写电路 I/O4
② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读 4.2
0
0
0行
0地 0址 1
第一组
0 … 15
第二组
16 … 31
第三组
32 … 47
第四组
48 … 63
…
…
……
…
…
…
…
…
0译
0 码 63
0
15 16 31
32
47
48
63
…
0 列0 0地 0 址 15 0译
码
WE
CS
…
读写电路 I/O1 读写电路 I/O2 读写电路 I/O3 读写电路 I/O4
② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读 4.2
48 … 63
…
…
…
…
…
…
…
…
A4 译
A3 码 63
0
15 16 31
32
47
48
63
…
A9 列 0 A2 地 A1 址 15 A0 译
码
WE
CS
…
读写电路 I/O1 读写电路 I/O2 读写电路 I/O3 读写电路 I/O4
② Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 读 4.2
0
③ Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写 4.2
0
0
0行
0地 0址 1
第一组
0 … 15
第二组
16 … 31
第三组
32 … 47
第四组
48 … 63
……
…
……
…
…
…
…
…
0译
0 码 63
0
15
16
31
32
47
48
63
…
0 列0 0地 0 址 15 0译
码
WE
CS
…
读读写写电电路路 I/O1 读写电路 I/O2 读写电路 I/O3 读写电路 I/O4
32
47
48
63
…
0 列0 0地 0 址 15 0译
码
WE
CS
…
读写电路 I/O1 读写电路 I/O2 读写电路 I/O3 读写电路 I/O4
③ Intel 2114 RAM 矩阵 (64 × 64) 写 4.2
0
0
0行
0地 0址 1
第一组
0 … 15
第二组
16 … 31
第三组
32 … 47
第四组
4.2
位线A ´ T5
A´
T1
~ T4
A
行地址选择
位线A
T6
行选
T5、T6 开
列选 T7、T8 开
T7
T8
写选择有效
列地址选择 写放
写放
DIN
读放
两个写放
写选择
DOUT
读选择
DIN （左） DIN
反相
T7 T5
A´
（右） DIN
T8 T6 A
(2) 静态 RAM 芯片举例 ① Intel 2114 外特性
• 存取周期 连续两次独立的存储器操作 （读或写）所需的 最小间隔时间 读周期 写周期
(3) 存储器的带宽 位/秒
二、半导体存储芯片简介
4.2
1. 半导体存储芯片的基本结构
地
译
存
读
数
… …
址
码
储
写
据
线
驱
矩
电
线
动
阵
路
片选线
读/写控制线
地址线（单向） 数据线（双向） 芯片容量
10
4
1K×4位
14
1
16K×1位
快小高
CPU
寄存器
CPU 主 机
缓存
主存
磁盘 光盘 磁带