非晶硅太阳电池
非晶硅太阳电池
三、非晶硅太阳能电池尽管单晶硅和多晶硅太阳能电池经过多年的努力已取得很大进展,特别是转换效率已超过20%,这些高效率太阳能电池在空间技术中发挥了巨大的作用。
但在地面应用方面,由于价格问题的影响,长久以来一直受到限制。
太阳能电力如果要与传统电力进行竞争,其价格必须要不断地降低,而这对单晶硅太阳能电池而言是很难的,只有薄膜电池,特别是下面要介绍的非晶硅太阳能电池最有希望。
因而它在整个半导体太阳能电池领域中的地位正在不断上升。
从其诞生到现在,全世界以电力换算计太阳能电池的总生产量的约有1/3是非晶硅系太阳能电池,在民用方面其几乎占据了全部份额。
1、非晶态半导体与晶态半导体材料相比,非晶态半导体材料的原子在空间排列上失去了长程有序性,但其组成原子也不是完全杂乱无章地分布的。
由于受到化学键,特别是共价键的束缚,在几个原子的微小范围内,可以看到与晶体非常相似的结构特征。
所以,一般将非晶态材料的结构描述为:“长程无序,短程有序”。
晶硅的结构模型很多,左面给出了其中的一种,即连续无规网络模型的示意图。
可以看出,在任一原子周围,仍有四个原子与其键合,只是键角和键长发生了变化,因此在较大范围内,非晶硅就不存在原子的周期性排列。
在非晶硅材料中,还包含有大量的悬挂键、空位等缺陷,因而其有很高的缺陷态密度,它们提供了电子和空穴复合的场所,所以,一般说,非晶硅是不适于做电子器件的。
1975年,研究人员通过辉光放电技术分解硅烷,得到的非晶硅薄膜中含有一定量的氢,使得许多悬挂键被氢化,大大降低了材料的缺陷态密度,并且成功地实现了对非晶硅材料的p型和n 型掺杂。
电导激活能的变化说明了材料的费米能级随着掺杂浓度的变化而被调制,表明确实可以对非晶硅进行掺杂以控制它的导电类型和导电能力。
2、非晶硅太阳能电池的特点及发展历史It wasn't until 1974 that researchers began to realize that amorphous silicon could be used in PV devices by properly controlling the conditions under which it was deposited and by carefully modifying its composition. Today, amorphous silicon is commonly used for solar-powered consumer devices that have low power requirements (e.g., wrist watches and calculators).非晶硅太阳能电池的特点非晶硅太阳能电池之所以受到人们关注和重视,是因为它具有以下优点:1、非晶硅具有较高的光吸收系数。
非晶硅太阳电池
非晶硅太阳电池非晶硅太阳电池是一种薄膜太阳能电池,也被称为非晶硅薄膜电池。
其特点是能够将光能转化为电能,具有较高的光电转换效率和较低的制造成本,因此在太阳能应用领域有着广泛的应用前景。
以下是与非晶硅太阳电池相关的参考内容。
1. "非晶硅太阳电池的制备与性能研究进展"(《光学学报》)这篇论文系统地介绍了非晶硅太阳电池的制备方法、性能研究以及光电转换效率的提高等方面的研究进展。
从材料选择到薄膜制备、器件结构设计和性能测试等方面进行了深入的探讨,对于非晶硅太阳电池的研究提供了很多有价值的信息。
2. "非晶硅薄膜太阳电池的工艺研究及性能提升"(《半导体学报》)这篇论文主要研究了非晶硅薄膜太阳电池的工艺方法,包括制备工艺和后处理工艺等方面。
通过对各种工艺参数的优化调整,实现了非晶硅太阳电池性能的显著提升。
研究结果表明,合理的工艺设计和优化对于改善非晶硅太阳电池性能具有重要意义。
3. "纳米结构在非晶硅太阳电池中的应用"(《材料导报》)这篇综述性文章讨论了纳米结构在非晶硅太阳电池中的应用。
通过引入纳米结构材料,如纳米线、纳米颗粒等,可以增强光吸收和光电转换效率,提高非晶硅太阳电池的性能,并且可以通过合理设计纳米结构的形状和尺寸来调控电子传输行为,进一步提高光电转换效率。
4. "非晶硅太阳电池的商业化应用前景"(《太阳能材料与太阳能电池》)这篇综述性文章讨论了非晶硅太阳电池的商业化应用前景。
随着清洁能源的需求增加,非晶硅太阳电池作为一种低成本、高效率的太阳能电池,具有广泛应用的潜力。
在文章中,介绍了非晶硅太阳电池在建筑领域、电动汽车领域和户外设备领域的应用案例,并讨论了相关市场发展和商业化应用的前景。
5. "非晶硅太阳电池的发展趋势及挑战"(《太阳能学报》)这篇综述性文章回顾了非晶硅太阳电池的发展历程,并展望了未来的发展趋势和面临的挑战。
非晶硅太阳电池分类
非晶硅太阳电池分类非晶硅太阳电池是一种新型的太阳能电池,也被称为非晶硅薄膜太阳能电池。
它是利用非晶硅材料制成的薄膜,通过吸收太阳光的能量来产生电流,从而转化为可用的电能。
非晶硅太阳电池具有高效能转换、柔性和轻便等特点,被广泛应用于太阳能光伏发电领域。
非晶硅太阳电池主要分为非晶硅薄膜太阳电池和非晶硅多晶太阳电池两种类型。
非晶硅薄膜太阳电池是将非晶硅薄膜沉积在透明导电玻璃基板上制成的,它具有较高的光吸收能力和较高的光电转换效率。
非晶硅多晶太阳电池则是将非晶硅薄膜沉积在多晶硅基底上制成的,它能够在相对较低的光照条件下产生较高的电流输出。
非晶硅太阳电池相比于传统的结晶硅太阳电池具有以下几个优点。
首先,非晶硅薄膜太阳电池可以在室温下制备,而结晶硅太阳电池需要高温制备,因此非晶硅太阳电池的制备成本更低。
其次,非晶硅太阳电池具有较高的光吸收能力,可以在较低的光照条件下产生较高的电流输出。
此外,非晶硅太阳电池可以制成柔性的薄膜形式,可以用于制作柔性太阳能电池板,具有更广阔的应用前景。
非晶硅太阳电池的工作原理是光吸收-电荷分离-电流输出。
当太阳光照射到非晶硅薄膜上时,光子的能量被吸收并转化为电子的能量。
这些电子被激发到导带中,并在电场的作用下形成电流。
同时,光生电子和空穴的复合过程也会发生,这使得非晶硅太阳电池的光电转换效率相对较低。
为了提高非晶硅太阳电池的效率,可以采用掺杂和多层结构等方法进行优化。
非晶硅太阳电池的应用领域非常广泛。
首先,它可以应用于家庭和商业建筑的太阳能光伏发电系统中,用于发电和供电。
其次,非晶硅太阳电池还可以用于太阳能充电器、太阳能通信设备等小型电子设备中,为这些设备提供可再生的电能。
此外,非晶硅太阳电池还可以应用于太阳能电池板、太阳能路灯等领域,为城市提供清洁的能源。
非晶硅太阳电池是一种高效能转换、柔性和轻便的太阳能电池。
它具有较高的光吸收能力和较高的光电转换效率,可以在室温下制备,制备成本较低。
非晶硅太阳电池
非晶硅太阳电池非晶硅太阳电池,也被称为非晶硅薄膜太阳电池,是一种利用非晶硅材料制成的光伏电池。
非晶硅太阳电池具有柔性、轻薄和低造价等优点,适用于一些特殊场合和应用领域。
本文将从非晶硅材料的特性、非晶硅太阳电池的结构和工作原理、非晶硅太阳电池的优缺点以及应用领域等方面进行详细介绍。
非晶硅是一种非晶态的硅材料,其原子结构杂乱无序,与晶体硅相比,非晶硅具有更高的能量转换效率和更低的制造成本。
非晶硅太阳电池通常由玻璃或塑料基底、透明导电薄膜、非晶硅光伏层、背电极和接线等部分组成。
非晶硅太阳电池使用非晶硅材料作为光伏层,其中掺杂了少量的杂质元素,使得材料具有较高的光电转换效率。
非晶硅太阳电池的工作原理主要基于光伏效应,即光子入射到非晶硅光伏层上后被吸收,释放出电子和空穴,并在电场的作用下分别流向背电极和透明导电薄膜,从而形成电流。
非晶硅太阳电池的光伏转换效率与光伏层的材料性能、光伏层的厚度、非晶硅材料的电学性质等因素密切相关。
非晶硅太阳电池具有以下优点:首先,非晶硅太阳电池可以制备成柔性和轻薄的结构,适应各种复杂的曲面和形状,具有更广阔的应用空间;其次,非晶硅太阳电池的制造成本较低,生产工艺简单,可以实现大规模生产和应用;此外,非晶硅太阳电池在低光强和低温环境下具有较高的光电转换效率,适用于一些特殊应用领域。
然而,非晶硅太阳电池也存在一些缺点:首先,非晶硅太阳电池的光电转换效率相比于其他材料的太阳电池要低一些;其次,非晶硅太阳电池对光强和温度的变化较为敏感,在高温和强光环境下效果较差;另外,非晶硅太阳电池的使用寿命较短,一般在10年左右。
非晶硅太阳电池在一些特殊领域有广泛应用。
例如,在电子设备领域,非晶硅太阳电池可以用于制备柔性和可折叠的光伏电池组件,为电子设备提供可持续的电力;在建筑领域,非晶硅太阳电池可以嵌入到建筑材料中,如玻璃幕墙、屋顶瓦片等,实现建筑一体化太阳能利用;此外,非晶硅太阳电池还可以应用于一些便携式充电设备、户外太阳能供电系统等领域。
单晶硅,多晶硅及非晶硅太阳能电池的区别
单晶硅,多晶硅及非晶硅太阳能电池的区别太阳电池最早问世的是单晶硅太阳电池。
硅是地球上极丰富的一种元素,几乎遍地都有硅的存在,可说是取之不尽,用硅来制造太阳电池,原料可谓不缺。
但是提炼它却不容易,所以人们在生产单晶硅太阳电池的同时,又研究了多晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池,至今商业规模生产的太阳电池,还没有跳出硅的系列。
其实可供制造太阳电池的半导体材料很多,随着材料工业的发展、太阳电池的品种将越来越多。
目前已进行研究和试制的太阳电池,除硅系列外,还有硫化镉、砷化镓、铜铟硒等许多类型的太阳电池,举不胜举,以下介绍几种较常见的太阳电池。
单晶硅太阳电池单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池,它的构成和生产工艺已定型,产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。
这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料,纯度要求99.999%。
为了降低生产成本,现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒,材料性能指标有所放宽。
有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料,经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。
将单晶硅棒切成片,一般片厚约0.3毫米。
硅片经过成形、抛磨、清洗等工序,制成待加工的原料硅片。
加工太阳电池片,首先要在硅片上掺杂和扩散,一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。
扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。
这样就在硅片上形成P/FONT>N结。
然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面涂覆减反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉,至此,单晶硅太阳电池的单体片就制成了。
单体片经过抽查检验,即可按所需要的规格组装成太阳电池组件(太阳电池板),用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流,最后用框架和封装材料进行封装。
用户根据系统设计,可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵,亦称太阳电池阵列。
目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为15%左右,实验室成果也有20%以上的。
非晶硅叠层薄膜太阳能电池优点
非晶硅叠层薄膜太阳能电池优点
以非晶硅叠层薄膜太阳能电池优点为题,我们来探究一下这种太阳能电池的特点和优势。
非晶硅叠层薄膜太阳能电池是一种利用非晶硅薄膜叠层技术制造的太阳能电池。
相比于传统的硅晶太阳能电池,它具有以下优点:
1.成本低廉
非晶硅叠层薄膜太阳能电池的制造工艺简单,生产成本较低。
同时,由于其薄膜结构,可以在较小的面积上实现较高的发电功率,从而进一步降低了生产成本。
2.高效率
由于其叠层结构,非晶硅叠层薄膜太阳能电池可以吸收更多的太阳光,从而提高了发电效率。
同时,由于非晶硅材料的光吸收特性,这种太阳能电池在弱光条件下也可以正常发电。
3.轻量化
非晶硅叠层薄膜太阳能电池的薄膜结构使得它比传统的硅晶太阳能电池更轻便。
这种轻量化特性使得它在一些特殊的应用场合,比如航空航天领域,具有更大的优势。
4.灵活性
非晶硅叠层薄膜太阳能电池可以制造成各种形状和尺寸,具有很高的灵活性。
这种特性使得它可以应用于更广泛的场合,比如建筑外墙、屋顶等,从而扩大了太阳能电池的应用范围。
非晶硅叠层薄膜太阳能电池具有成本低廉、高效率、轻量化、灵活性等优点,是未来太阳能电池发展的重要方向之一。
虽然它目前的发展仍然面临一些挑战,比如稳定性和寿命等问题,但随着技术的不断进步和改进,相信它将会在未来的应用中发挥越来越重要的作用。
非晶硅太阳电池的原理
非晶硅太阳电池的原理2010-11-1314:54目录一、非晶硅薄膜太阳电池基础知识简介二、非晶硅薄膜太阳电池生产线及制造流程简介三、国产提供的非晶硅薄膜太阳电池生产线介绍一、非晶硅薄膜太阳电池基础知识简介1976年美国RCA实验室的D.E.Conlson和C.R.Wronski在Spear形成和控制p-n结工作的基础上利用光生伏特(PV)效应制成世界上第一个a-Si太阳能电池,揭开了a-Si在光电子器件或PV组件中应用的幄幕。
目前a-Si多结太阳能电池的最高光电转换效率己达15%。
图1为一般单结的非晶硅太阳能电池结构图,图2为非晶硅太阳能电池图1非晶硅太阳能电池结构图图2非晶硅柔性太阳能电池第一层,为普通玻璃,是电池载体。
第二层为绒面的TCO。
所谓TCO就是透明导电膜,一方面光从它穿过被电池吸收,所以要求它的透过率高;另一方面作为电池的一个电极,所以要求它导电。
TCO制备成绒面起到减少反射光的作用。
太阳能电池就是以这两层为衬底生长的。
太阳能电池的第一层为P层,即窗口层。
下面是i层,即太阳能电池的本征层,光生载流子主要在这一层产生。
再下面为n 层,起到连接i和背电极的作用。
最后是背电极和Al/Ag电极。
目前制备背电极通常采用掺铝ZnO(A1),或简称AZO。
由于a-Si(非晶硅)多缺陷的特点,a-Si的p-n结是不稳定的,而且光照时光电导不明显,几乎没有有效的电荷收集。
所以,a-Si太阳能电池基本结构不是p-n 结而是p-i-n结。
掺硼形成P区,掺磷形成n区,i为非杂质或轻掺杂的本征层(因为非掺杂的a-Si是弱n型)。
重掺杂的p、n区在电池内部形成内建势,以收集电荷。
同时两者可与导电电极形成欧姆接触,为外部提供电功率。
i区是光敏区,光电导/暗电导比在105~106,此区中光生电子、空穴是光伏电力的源泉。
非晶体硅结构的长程无序破坏了晶体硅电子跃迁的动量守恒选择定则,相当于使之从间接带隙材料变成了直接带隙材料。
非晶硅薄膜太阳能电池概要课件
定义与特性
定义
非晶硅薄膜太阳能电池是一种利 用非晶硅材料制成的太阳能电池 。
特性
具有轻便、柔韧、可折叠等优点 ,同时制造成本较低,适合大规 模生产。
工作原理
01பைடு நூலகம்
02
03
光吸收
非晶硅薄膜能够吸收太阳 光并将其转换为电能。
电极
通过电极将产生的电流导 出,实现电能的有效利用 。
染料敏化太阳能电池
非晶硅薄膜太阳能电池与染料敏化太 阳能电池相比,具有更高的光电转换 效率和更长的使用寿命,但制造成本 较高。
03
非晶硅薄膜太阳能 电池的制造工艺
硅烷气体选择
硅烷气体是制造非晶硅薄膜太阳能电池的关键原料之一,其纯度对电池的性能和稳 定性有着至关重要的影响。
选择高纯度的硅烷气体可以减少杂质和缺陷,提高非晶硅薄膜的质量和光电性能。
非晶硅薄膜太阳能电 池概要课件
目录
CONTENTS
• 非晶硅薄膜太阳能电池简介 • 非晶硅薄膜太阳能电池的优势与
局限 • 非晶硅薄膜太阳能电池的制造工
艺 • 非晶硅薄膜太阳能电池的应用与
前景
目录
CONTENTS
• 非晶硅薄膜太阳能电池的挑战与 解决方案
• 非晶硅薄膜太阳能电池的实际案 例分析
01
反应温度与压强控制
制造非晶硅薄膜太阳能电池需要在一定 的温度和压强条件下进行。
温度和压强对非晶硅薄膜的结构、性能 和光电性能有着直接的影响。通过精确 控制温度和压强,可以优化非晶硅薄膜 的结构,提高其光电转换效率和稳定性
。
通常需要在较低的温度和压强条件下进 行非晶硅薄膜的合成,以减少缺陷和杂
质,提高其质量。
非晶硅太阳能电池
1、电池结构
下图是两种非晶硅内部结构示意图:
2、制作步骤
清洗 裁块 PECVD 刻铝 镀铝 刻a-Si膜 测试
⑴ 清洗 将标准透明导电玻璃板和玻璃背板放入 专用清洗机进行清洗,清洗液用电阻率 10MΩ以上的去离子纯水
⑵ 裁块
根据实际需要,用专用激光刻线机对透 明导电玻璃板进行激光刻线(用1064nm的 红外激光)
⑸ 镀铝 做电池的背电极,以增大太阳能电池对 光的吸收
制作方法:掩膜蒸发镀铝
⑹ 刻铝 根据预定的线宽以及与SnO2切割线的线 间距,用波长为532nm绿激光将a-Si刻穿, 目的是让背电极通过,并与前电极相连接, 从而使最初切割而成的若干电池串联
⑺ 测试 在经过上面六道主要工序过后,非晶硅 电池板已形成,需要进行测试,以获得电 池板各性能参数,通过对参数的分析,来 判定工序的质量,以便提高电池质量
主要用于光伏发电站;
3、封装
由于不同的太阳能电池对于封装要求不 同,根据适用范围,大致可以分为以下4个 方面: ⅰ:电池/PVC膜(封装结构) 适用于一般太阳能应用产品,如应 急灯、要求不高的小型用电户电源;
ⅱ:电池/EVA/PET(TPT) 适用于一般户用发电; ⅲ:电池/EVA/普通玻璃 可用于发电系统; ⅳ:钢化玻璃/EVA/电池/EVA/普通玻 璃二、非晶硅太阳能电池
基本原理
一、太阳能电池的基本原理
什么叫太阳能电池?
太阳能电池是光能转换为电能的器件。 太阳光照在半导体p-n结上,产生新的 电子-空穴对,在p-n结电场的作用下,空 穴由p区流向n区,电子由n区流向p区的过 程
基本原理
为了将整板分为若干块,作为若干个单 体电池的电极
非晶硅
非晶硅(a-Si)太阳电池是在玻璃(glass)衬底上沉积透明导电膜(TCO),然后依次用等离子体反应沉积p型、i型、n型三层a-Si,接着再蒸镀金属电极铝(Al).光从玻璃面入射,电池电流从透明导电膜和铝引出,其结构可表示为glass/TCO/pin/Al,还可以用不锈钢片、塑料等作衬底。
硅材料是目前太阳电池的主导材料,在成品太阳电池成本份额中,硅材料占了将近40%,而非晶硅太阳电池的厚度不到1μm,不足晶体硅太阳电池厚度的1/100,这就大大降低了制造成本,又由于非晶硅太阳电池的制造温度很低(~200℃)、易于实现大面积等优点,使其在薄膜太阳电池中占据首要地位,在制造方法方面有电子回旋共振法、光化学气相沉积法、直流辉光放电法、射频辉光放电法、溅谢法和热丝法等。
特别是射频辉光放电法由于其低温过程(~200℃),易于实现大面积和大批量连续生产,现成为国际公认的成熟技术。
在材料研究方面,先后研究了a-SiC窗口层、梯度界面层、μC-SiC p层等,明显改善了电池的短波光谱响应.这是由于a-Si太阳电池光生载流子的生成主要在i层,入射光到达i层之前部分被p层吸收,对发电是无效的.而a-SiC和μC-SiC材料比p 型a-Si具有更宽的光学带隙,因此减少了对光的吸收,使到达i层的光增加;加之梯度界面层的采用,改善了a-SiC/a-Si异质结界面光电子的输运特性.在增加长波响应方面,采用了绒面TCO膜、绒面多层背反射电极(ZnO/Ag/Al)和多带隙叠层结构,即glass/TCO/p1i1n1/p2i2n2/p3i3n3/ZnO/Ag/Al结构.绒面TCO膜和多层背反射电极减少了光的反射和透射损失,并增加了光在i层的传播路程,从而增加了光在i层的吸收.多带隙结构中,i层的带隙宽度从光入射方向开始依次减小,以便分段吸收太阳光,达到拓宽光谱响应、提高转换效率之目的。
在提高叠层电池效率方面还采用了渐变带隙设计、隧道结中的微晶化掺杂层等,以改善载流子收集。
非晶硅薄膜太阳能电池基础知识大全(百科)
非晶硅太阳电池是以玻璃、 不锈钢及特种塑料为衬底的薄膜太阳电池, 结构如图 1 所示。 为减少串联电阻, 通常用激光器将 TCO 膜、 非晶硅(A-si)膜和铝(Al)电极膜分别切割成 条状, 如图 2 所示。国际上采用的标准条宽约 1cm,称为一个子电池,用内部连接的方式将 各子电池串连起来, 因此集成型电池的输出电流为每个子电池的电流, 总输出电压为各个子 电池的串联电压。在实际应用中,可根据电流、电压的需要选择电池的结构和面积,制成非 晶硅太阳电池。
独立光伏电源系统设计方法
经过光伏工作者们坚持不懈的努力,太阳能电池的生产技术不断得到提高,并且日益 广泛地应用于各个领域。特别是邮电通信方面,由于近年来通信行业的迅猛发展,对通信电 源的要也越来越高, 所以稳定可靠的太阳能电源被广泛使用于通信领域。 而如何根据各地区 太阳能辐射条件, 来设计出既经济而又可靠的光伏电源系统, 这是众多专家学者研究已久的 课题,而且已有许多卓越的研究成果,为我国光伏事业的发展奠定了坚实的基础。笔者在学 习各专家的设计方法时发现, 这些设计仅考虑了蓄电池的自维持时间 (即最长连续阴雨天) , 而没有考虑到亏电后的蓄电池最短恢复时间 (即两组最长连续阴雨天之间的最短间隔天数) 。 这个问题尤其在我国南方地区应引起高度重视, 因为我国南方地区阴雨天既长又多, 而对于 方便适用的独立光伏电源系统, 由于没有应急的其他电源保护备用, 所以应该将此问题纳入 设计中一起考虑。 本文综合以往各设计方法的优点, 结合笔者多年来实际从事光伏电源系统 设计工作的经验, 引入两组最长连续阴雨天之间的最短间隔天数作为设计的依据之一, 并综 合考虑了各种影响太阳能辐射条件的因素,提出了太阳能电池、蓄电池容量的计算公式,及 相关设计方法。 影响设计的诸多因素 太阳照在地面太阳能电池方阵上的辐射光的光谱、 光强受到大气层厚度 (即大气质量) 、 地理位置、所在地的气候和气象、地形地物等的影响,其能量在一日、一月和一年内都有很 大的变化,甚至各年之间的每年总辐射量也有较大的差别。 太阳能电池方阵的光电转换效率, 受到电池本身的温度、 太阳光强和蓄电池电压浮动的 影响,而这三者在一天内都会发生变化,所以太阳能电池方阵的光电转换效率也是变量。 蓄电池组也是工作在浮充电状态下的,其电压随方阵发电量和负载用电量的变化而变 化。蓄电池提供的能量还受环境温度的影响。 太阳能电池充放电控制器由电子元器件制造而成, 它本身也需要耗能, 而使用的元器件 的性能、质量等也关系到耗能的大小,从而影响到充电的效率等。 负载的用电情况, 也视用途而定, 如通信中继站、 无人气象站等, 有固定的设备耗电量。 而有些设备如灯塔、航标灯、民用照明及生活用电等设备,用电量是经常有变化的。 因此,太阳能电源系统的设计,需要考虑的因素多而复杂。特点是:所用的数据大多为 以前统计的数据,各统计数据的测量以及数据的选择是重要的。 设计者的任务是:在太阳能电池方阵所处的环境条件下(即现场的地理位置、太阳辐射 能、气候、气象、地形和地物等),设计的太阳能电池方阵及蓄电池电源系统既要讲究经济 效益,又要保证系统的高可靠性。 某特定地点的太阳辐射能量数据, 以气象台提供的资料为依据, 供设计太阳能电池方阵 用。这些气象数据需取积累几年甚至几十年的平均值。 地球上各地区受太阳光照射及辐射能变化的周期为一天 24h。处在某一地区的太阳能电 池方阵的发电量也有 24h 的周期性的变化,其规律与太阳照在该地区辐射的变化规律相同。 但是天气的变化将影响方阵的发电量。如果有几天连续阴雨天,方阵就几乎不能发电,只能 靠蓄电池来供电, 而蓄电池深度放电后又需尽快地将其补充好。 设计者多数以气象台提供的 太阳每天总的辐射能量或每年的日照时数的平均值作为设计的主要数据。 由于一个地区各年 的数据不相同,为可靠起见应取近十年内的最小数据。根据负载的耗电情况,在日照和无日 照时, 均需用蓄电池供电。 气象台提供的太阳能总辐射量或总日照时数对决定蓄电池的容量 大小是不可缺少的数据。 对太阳能电池方阵而言, 负载应包括系统中所有耗电装置 (除用电器外还有蓄电池及线
非晶硅太阳能电池转换效率
非晶硅太阳能电池转换效率
非晶硅太阳能电池是一种新型的太阳能转换技术,其转换效率是衡量其性能优劣的重要指标之一。
转换效率是指太阳能电池将太阳能转化为电能的能力,通常以百分比表示。
非晶硅太阳能电池与传统的晶体硅太阳能电池相比具有一些明显的
优势。
首先,非晶硅太阳能电池的制造成本相对较低,生产工艺简单,可以在较低的温度下制备。
其次,非晶硅太阳能电池具有较好的低光强响应特性,可以在低光照条件下仍有较高的转换效率。
此外,非晶硅太阳能电池的柔性较好,可以制备成薄膜形式,便于应用于柔性电子设备。
然而,与晶体硅太阳能电池相比,非晶硅太阳能电池的转换效率相对较低。
这主要是由于非晶硅太阳能电池的非晶结构导致其内部结晶程度较低,电子迁移能力较差。
此外,非晶硅太阳能电池表面存在较多的缺陷和界面态,容易引起电子和空穴的复合损失,降低了转换效率。
为了提高非晶硅太阳能电池的转换效率,研究者们采取了多种策略。
一方面,通过优化非晶硅材料的合成和制备工艺,提高其结晶度和晶界质量,减少缺陷和界面态,从而提高电子和空穴的传输效率。
另一方面,研究者们探索了多层结构和复合材料等新型器件结构,以提高光电转换效率。
此外,还有研究团队利用纳米材料、量子点和等离子
体等新型材料和结构来增强非晶硅太阳能电池的光吸收和光电转换效率。
总的来说,非晶硅太阳能电池的转换效率在不断提高,已经达到了相对较高的水平。
随着技术的不断进步和优化,相信非晶硅太阳能电池将在未来成为太阳能转换领域的重要技术之一。
非晶硅太阳能电池
+E
+E
RW
IB
D
IB
(a)
(b)
图2.4.11 用可变电阻RW、二极管D产生所需的附加电压
2) 作电压源使用
硅光电池的开路(负载电阻RL趋于无限大时) 电压与照度的关系是非线性的,因此,作为测量 元件使用时,一般不宜当作电压源使用。而且硅 光电池的开路电压最大也只有0.6V左右,因此如 果希望得到大的电压输出,不如采用光电二极管 和光电三极管,因为它们在外加反向电压下工作, 可得到几伏甚至十几伏的电压输出。但如果照 度跳跃式变化,如从零跳变至某值,对电压的线 性关系无要求,光电池可有0.5V左右(开路电压) 的电压变化,亦可适合于开关电路或继电器工作 状态。
表2.4.1 几种硅光电池的性能参数
3.电路分析和计算
1) 作电流源使用
光电池短路电流与照度有较好的线性关系,作为测量 元件使用时,常当作电流源使用。光电池的受光面积,一般 要比光电二极管和光电三极管大得多,因此它的光电流比 后两者大,受光面积越大光电流也越大,适于需要输出大电 流的场合。
前面图2.4.8已给出了硅光电池的输出伏安特性曲线。 由图可见,对于0.5kΩ的负载线,照度每变化100lx时,相应 的负载线上的线段基本上相等,输出电流和电压随照度变 化有较好的线性。而对于3kΩ的负载线,照度每变化100lx 时,相应的负载线上的线段不等,输出电流和电压与照度的 关系就会出现非线性。
4) 温度特性
光电池的温度特性是指开路电压Uoc 和 短 路 电 流 Isc 随 温 度 变 化 的 关 系 。 图 2.4.7为硅光电池在照度为1000lx下的温 度特性曲线。由图可知,开路电压随温度 上升下降很快,但短路电流随温度的变化 较慢。
温度特性影响应用光电池的仪器设备 的温度漂移,以及测量精度或控制精度等 重要指标。当其用作测量器件时,最好能 保持温度恒定或采取温度补偿措施。
单晶硅、多晶硅以及非晶硅太阳能电池的特点
单晶硅、多晶硅以及非晶硅太阳能电池的特点一、单晶硅太阳能电池单晶硅太阳能电池是一种高效能的太阳能电池,它可以将太阳能转化为电能。
单晶硅太阳能电池的核心是由一块纯净的单晶硅制成的,晶体结构是一个完整的结构,其中晶体的基础本质是一枝结构,由多个小的晶粒构成一个大的晶体,这种晶体的结构是一个完整的结构,它具有许多不同的特点,下面来详细介绍一下单晶硅太阳能电池的特点。
1、优点(1)单晶硅太阳能电池具有高转换效率。
由于其结构的完整性,使其能够在太阳能的照射下效率更高,这样可以提高太阳能电池的转换效率。
(2)单晶硅太阳能电池具有很高的耐久性。
单晶硅太阳能电池具有比较高的耐久性,且比较稳定,可以长期的使用,具有良好的使用效果。
2、缺点(1)单晶硅太阳能电池价格比较昂贵,且生产工艺复杂,一般价格比较昂贵。
(2)单晶硅太阳能电池偶尔会出现断路,由于它的晶体结构比较完整,在正常状态下,断路是很少发生的,但是由于其它原因仍然有可能出现断路状况。
二、多晶硅太阳能电池多晶硅太阳能电池是一种比较常见的太阳能电池,其主要结构是由多个小的晶体组成,这些晶体结构都是由多个小的晶体组成的,这些晶体之间可以按照一定的方式组合在一起,从而形成一个大的晶体结构,因此,多晶硅太阳能电池的特点也就不难理解了,下面详细介绍一下多晶硅太阳能电池的特点。
1、优点(1)多晶硅太阳能电池的可靠性比较高,它的结构与单晶硅相比,更加的安全可靠。
(2)多晶硅太阳能电池可以很好的满足客户的需求,因为它可以根据客户的需求,进行不同尺寸的定制。
2、缺点(1)多晶硅太阳能电池的价格比较贵,多晶硅电池的价格因为它的质量较高而比较昂贵,一般比单晶硅电池价格要高一些。
(2)多晶硅太阳能电池的转换效率也比较低,一般比单晶硅太阳能电池的转换效率要低一些。
三、非晶硅太阳能电池非晶硅太阳能电池是一种新型的太阳能电池,它具有一定的优势,并且在太阳能发电领域具有重要的应用价值。
下面详细介绍一下非晶硅太阳能电池的特点。
非晶硅薄膜太阳能电池
一、引言太阳能光电转换电池主要分为两类,一类是晶体硅电池,包括单晶硅(sc—si)电池、多晶硅(mc—si)电池两种,它们占据约93%的市场份额;另一类是薄膜电池,主要包括非晶体硅(a—Si,使用的是硅,但以不同的形态表现)太阳能电池、铜铟镓硒(cICS)太阳能电池和碲化镉(cdTe)太阳能电池,这类电池占据7%的市场份额。
晶体硅太阳能电池一直是主流产品,其中多晶硅太阳能电池自l998年开始成为世界光伏市场的主角。
但是由于晶体硅太阳能电池所需的高纯多晶硅价格飙升,使得晶体硅电池价格上涨,为非晶硅太阳能电池带来了行业机会。
制造晶体硅类太阳能电池成本高、能耗大、有污染,要解决这些问题,使太阳能行业真正变成最环保的产业,只能大力发展非晶硅太阳能电池。
二、优点1.非晶硅具有较高的光吸收系数.特别是在0.3-0.75um的可见光波段,它的吸收系数比单晶硅要高出一个数量级.因而它比单晶硅对太阳能辐射的吸收率要高40倍左右,用很薄的非晶硅膜(约1um厚)就能吸收90%有用的太阳能.这是非晶硅材料最重要的特点,也是它能够成为低价格太阳能电池的最主要因素.2.非晶硅的禁带宽度比单晶硅大,随制备条件的不同约在1.5-2.0eV的范围内变化,这样制成的非晶硅太阳能电池的开路电压高.3.制备非晶硅的工艺和设备简单,淀积温度低,时间短,适于大批生产.制作单晶硅电池一般需要1000度以上的高温,而非晶硅电池的制作仅需200度左右.4.由于非晶硅没有晶体硅所需要的周期性原子排列,可以不考虑制备晶体所必须考虑的材料与衬底间的晶格失配问题.因而它几乎可以淀积在任何衬底上,包括廉价的玻璃衬底,并且易于实现大面积化.5.制备非晶硅太阳能电池能耗少,约100千瓦小时,能耗的回收年数比单晶硅电池短很多三、原理非晶硅电池的工作原理是基于半导体的光伏效应。
当太阳光照射到电池上时,电池吸收光能产生光生电子—空穴对,在电池内建电场Vb的作用下,光生电子和空穴被分离,空穴漂移到P边,电子漂移到N边,形成光生电动势VL,VL与内建电势Vb相反,当VL=Vb时,达到平衡;IL=0,VL达到最大值,称之为开路电压Voc;当外电路接通时,则形成最大光电流,称之为短路电流Isc,此时VL=0;当外电路加入负载时,则维持某一光电压VL 和光电流IL。
非晶硅太阳能电池发展现状
非晶硅太阳能电池发展现状
非晶硅太阳能电池是一种新型的太阳能电池技术,它具有高效率、轻薄、柔性等特点,因此备受关注。
目前,非晶硅太阳能电池
的发展取得了一些进展,但仍面临着一些挑战。
首先,非晶硅太阳能电池的高效率是其最大的优势之一。
与传
统的多晶硅太阳能电池相比,非晶硅太阳能电池在光电转换效率上
有着明显的优势。
然而,目前非晶硅太阳能电池的效率仍然有待提高,特别是在低光照条件下的性能仍有待改善。
其次,非晶硅太阳能电池的轻薄柔性特点也为其在一些特殊应
用场景中提供了更多可能性。
例如,可以应用于建筑一体化、户外
休闲用品等领域。
然而,目前非晶硅太阳能电池的生产成本仍然较高,导致其在大规模商业应用中受到限制。
另外,非晶硅太阳能电池的稳定性和寿命也是当前亟待解决的
问题。
由于其材料特性,非晶硅太阳能电池在长时间使用后可能会
出现性能下降的情况,这也是目前产业界普遍关注的问题之一。
总的来说,非晶硅太阳能电池作为一种新型的太阳能电池技术,
具有很大的发展潜力。
随着技术的不断进步和成本的不断降低,相信非晶硅太阳能电池将会在未来得到更广泛的应用。
同时,需要产业界和科研机构共同努力,解决其在效率、成本、稳定性等方面的挑战,推动非晶硅太阳能电池技术的进一步发展。
非晶硅太阳能电池板特性
1、更低的成本目前,主流的光伏组件产品仍以硅为主要原材料,仅以硅原材料的的消耗计算,生产1兆瓦晶体硅太阳电池,需要10-12吨高纯硅,但是如果消耗同样的硅材料用以生产薄膜非晶硅太阳电池可以产出超过200兆瓦。
从能源消耗的角度看,非晶硅太阳电池仅1-1.5年的能源回收期,更体现了其在制造过程中对节约能源的贡献。
组件成本在光伏系统中的占有很高的比例,组件价格直接影响系统造价,进而影响到光伏发电的成本。
按目前的组件售价计算,同样的资金,购买非晶硅产品,您可以多获得接近30%的组件功率。
2、更多的电力对于同样功率的太阳电池阵列,非晶硅太阳电池比单晶硅、多晶硅电池发电要多约10%。
这已经被美国的Uni-Solar System LLC、Energy Photovoltaic Corp.、日本的Kaneka Corp.、荷兰能源研究所以及其他的光伏界组织和专家证实了。
在阳光充足的月份,也就是说在较高的环境温度下,非晶硅太阳电池组件能表现出更优异的发电性能。
3、更好的弱光响应由于非晶硅材料原子排列无序的特点,它的电子跃迁不再遵守传统的“选择定则”限制,因此,它的光吸收特性与单晶硅材料存在着较大的差别。
非晶硅和单晶硅材料的吸收曲线如图所示• 非晶硅的吸收曲线具有明显的三段(A、B、C)特征。
A区对应电子在定域态间的跃迁,如费米能及附近的隙态向带尾态的跃迁,该区的吸收系数较小,约1-10cm-1,为非本正吸收;B区的吸收系数随光子能量的增加指数上升,它对应于电子从价带边扩展态到导带定域态的跃迁,以及电子从价带尾定域态向导带边扩展态的跃迁,该区的能量范围通常只有半个电子伏特左右,但吸收系数通常跨越两三个数量级,达到104cm-1;C区对应于电子从价带内部到导带内部的跃迁,该区的吸收系数较大,通常在104cm-1以上。
后两个吸收区是非晶硅材料的本征吸收区。
• 从图中可以看到,两条曲线的交点约在1.8ev左右。
值得注意的是,在整个可见光范围内(1.7-3.0ev),非晶硅材料的吸收系数几乎都比单晶硅大一个数量级。
非晶硅太阳能电池
非晶硅太阳能电池1.简介非晶硅太阳能电池是是20世纪70年代中期发展起来的一种新型薄膜太阳电池,与其他太阳电池相比,非晶硅太阳能电池具有以下优点:(1)非晶硅价格便宜,不受硅材料短缺的限制;(2)制作材料来源广泛,非晶硅可沉积在玻璃、柔性不锈钢、聚乙烯等材料上;(3)生产工艺简单,便于工业化大面积、连续、自动化生产,成本低。
(4)具有更强的弱光响应。
(5)高温性能优良,具有较低的温度系数和优良的伏安特性,在相同条件下,非晶硅电池的发电量较单晶硅电池高8%左右,较多晶硅电池高13%左右。
(6)具有很宽的光谱响应和较高的光谱吸收系数,特别是在0.3-0.75um 的可见光波段,它的吸收系数要比单晶硅高出一个数量级,因而它比单晶硅对太阳辐射的吸收效率要高40倍左右,用很薄的非晶硅膜(约1um厚)就可以吸收90%有用的太阳光。
这是非晶硅太阳能电池的主要特点,也是它能够成为低价格太阳能电池的主要因素。
2.结构和原理由于未掺杂的非晶硅实际是弱n型材料,因此,在淀积有源集电区时适当加入痕量硼,使其成为费米能级居中的i型,有助于提高太阳能电池的性能。
因而在实际制备过程中,常常将淀积次序安排为p-i-n,以利用淀积p层时的硼对有源集电区进行自然掺杂。
这一淀积顺序决定了透明导电衬底电池总是p层迎光,而不透明衬底电池总是n层迎光。
3.制作工艺具体步骤:(1)利用红外光激光对TCO导电玻璃基片进行激光刻线;(2)激光刻线后进行超声清洗;基片清洗后装入专用沉积夹具,推入烘箱进行预热;(3)预热后沉积夹具推入PECVD沉积真空室,利用PECVD沉积工艺,进行非晶硅沉积;(4)利用绿激光对沉积好非晶硅的基片进行第二次激光刻线,刻线后进行清洗;(5)对清洗好的基片利用PVD技术,镀金属背电极复合膜,作为金属背电极复合膜之一的氧化锌层沉积在非晶硅层表面,其他金属背电极层沉积在氧化锌层之上;(6)利用绿激光对沉积好金属背电极的基片进行第三次激光刻线,刻线后进行清洗,至此,电池芯片结构已经形成;(7)对电池芯片进行层压封装,并安装接线盒及引出导线;(8)对组件进行性能检测,合格品装箱。
非晶硅太阳能电池基础知识
由太阳电池的输出特性曲线可以看出:虽然在同样的光照下同一块太 阳电池负载不同,太阳电池的输出功率也不同,
A点:负载电阻RA,RA.VA/Id(1/RA的斜率)此时太阳电池的输出功率为: PA=Id*VA
B点:“负载电阻为RB的输出功率为PB=IdVB,显然PB>PA P点:输出功率最大,Vm=Im-Vm称作
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
1、晶体硅太阳电池 2、非晶硅太阳电池
1、短路电流Isc ----- 在一定的光照下通常取AM1.5=100mw/cm²输 出端短路时,太阳电池的输出电流。
2、开路电压Voc---在一定的光照(AM1.5)输出端开路时,太阳电池 的两端的电压。
3、填充因子 FF 填充因数FF定义为:FF=Pm / (Isc * Voc) =(Im * Vm) /
非晶硅太阳能电池基础知识
太阳能电池是能把光能直接转换成电能的半导体器件,主要是 半导体材料制造成的。
太阳电池把光能转化成电能,包括下面三个过程; 1、太阳光或其他光照射到太阳能电池的表面。 2、太阳能电池的半导体能吸收光子,并激发出电子-空穴对,
这些电子空穴对被太阳电池的内建场分离,分离的条件: a、有内建电场; b、电子空穴有足够长的寿命和迁移率,使μt足够大, μt
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4、填充因数 FF 填充因数FF定义为:FF=Pm/(Isc * Voc) =(Im-Vm)/Isc.voc 即最大输出功率与短路电流和开路电压乘积的比, “有时也把Isc称作太阳电池的极限功率”填充 因数是太阳电池质量好坏的一个重要标志,FF 越大,说明电池的最大输出功率越接近极限输出 的功率。 影响FF的重要 因素是串联电 阻Rsh,Rs越 大,FF越小。
边为B边。 W Ya-si A×B
例如:左图A×B为
60×70mm电池芯片
右图为A×B 70×60mm电池芯片
工艺流程:
涂胶
开孔 测试
光固化
测试 擦板
切割
下线焊 装箱
边缘处理
保护
第四节、太阳电池的等效电路和输出特性 1、太阳电池的等效电路由下列元件构成 1)电流源; 2)二极管 3)串联电阻
4)并联电阻
质量为1”记
AM1
48.20
600
太阳光与海平面的法线夹角 600时它通过大气的质量为: AM2
AM0太阳光谱总投射功率为: 135.3mw/cm2 AM1太阳光谱总投射功率为: 100mw/cm2 AM2太阳光谱总投射功率为: 72~75mw/cm2
Байду номын сангаас
测试太阳电池的标准光强是:
AM1.5 1000W/m2 温度为:25℃
A点:负载电阻RA,RA.VA/Id(1/RA的斜率)此 时太阳电池的输出功率为:PA=IdVA
B点:“负载电阻为RB的输出功率为 PB=IdVB,显然PB>PA
P点:输出功率最大,Vm=Im-Vm称作太阳 电池的最大输出功率相对应的负载电阻Pm称 为最佳负载,在设计太阳电池的应用产品时, 一定要注意选用的负载,使其电阻等于最佳 负载电阻,使其输出功率Pm最大,即尽量发 挥太阳电池的潜力。
2、非晶硅太阳电池
3、a-Si工艺流程 序号 工序名称 技术要求
1) 切割玻璃
2) 一次清洗
635×1245mm2
清洗烘干
3) 制导电膜 APCVD或溅射工艺。 制成 SnO2膜、 R□≤ 20Ω/□ 4) 磨 边 磨去玻璃所有边角的锐口
5)清洗
同前清洗并烘干玻璃
6)激光刻划1 导电膜上刻划出39单元 , 间距在15.62mm 7) 装箱预热 预热炉温200℃
第一节:太阳光的光谱发布 1)太阳光是以辐射的方式向空间传输能 量的,地球每年接受到的阳光的能量相 当于现在世界年发电量的14万倍。太阳 光谱的波长范围约在0.2-0.3μ m之间 0.7-几百微米 红外光 0.4-0.75微米 可见光 红、橙、黄、绿、青、兰、紫等7种 颜色,波长不同颜色不同。
0.3-0.4微米 0.3以下 2、波长与频率的关系
IL随电压变化越大,Voc越小 2)、输出功率与电流电压的关系 Pone=Iv =I(mnkT/∑en((Il-I+Is)/Is -(V+IRs)/IsRsh)-IRs 如:Rs=0 Rsh=∞ Pone=ImnkT/∑en(Il-I+Is)/Is 3)、最大输出功率与开路电压、短路电流、填充因 数的关系 Pm=FF-Voc.Isc FF=Voc.Isc/pm Voc: V Pm: w Isc: I 4)、输出效率与填充因数、开路电压、短路电流的 关系
η=pm×100% / 0.1×s =FF.Voc.Isc.100%/pin =FF.Voc.Isc×100%/0.1×s 设定电池有效面积7260cm² S: 面积 单位:cm² Voc(V) Isc(A) Pm(w) η=Pm(w)/72600%=53W/726.100%=7.3% Rs 上升 Rsh下降电流随电压变化大FF下降 光电流影响:1、填充因子减小 2、开路电压减小 Rs影响:1)填充因子减少 2)短路电流减小
IL=ID+Ish+I I = IL-ID-Ish =IL-Is
第五节、太阳电池的参数 1、短路电流Isc ----- 在一定的光照下通常取 AM1.5=100mw/cm² 输出端短路时,太阳电池的 输出电流。 2、开路电压Voc---在一定的光照下(AM1.5)输出端 开路时,太阳电池的两端的电压。 3、最大输出功率Pm----“峰值功率”在一定光照下 (AM1.5)太阳电池能够输出的最大功率。 由太阳电池的输出特性 Pm=Im-Vm 曲线可以看出: 虽然在同样的光照下同一 块太阳电池负载不同,太 阳电池的输出功率也不同,
5、转换效率 η-----在一定光照下 (Am1.5(1000nw)/cm² ),太阳电池的最 大输出功率Pm与入射光能之比。 η=Vm.Im/Pin η=pm/pin 转换效率是一个太阳电池性能好坏的最主要 的标志,显然转换效率越高太阳电池把太 阳能转换变成电能越强,太阳能的利用越 高,在相同的条件下,输出的电能越大。 目前单晶硅电池,实验室可排到18%, 批量生产可达到14% 非晶硅电池,实验室可达到13.2%,批 量生产可达到6-10%
大气质量增加光的散射,吸收也增加
光——波长性, 粒子性,二重性 光子流密度F(λ);特定波长的光>单位时间内通过 每平方厘米面积的光子数,显然光子流密度越小, 产生的光电流密度越大。 “一个光子产生一个电子-空穴对”
5、非晶硅对光的吸收 光吸收 Ф(x)=Ф.e-αλx Iλ(X)=I0(X).e-αλx 当 λ= 0. 6μ 时 α =6-7×106(cm-1) α λ -吸收系数
8)PECVD 真空下RF等离子体沉积, PIN-PIN双节电池 9)降温卸夹具 玻璃在夹具中降温后卸下夹 具,高温不宜卸夹具里的玻璃,否则会弯 曲或炸裂。 10)激光刻线2 用532绿色激光机
11)溅射氧化锌 溅射炉中获得氧化锌膜; 12)溅射铝膜 在溅射炉中获得铝膜。 13)激光刻线3 激光机刻出金属膜单元。 14)测试 VOC、ISC、Vm、Im、Wp 、
上图为晶体硅等效电路
右图为非晶硅等效电路
左图为 集成型等效电路 当RSh相等,VDi相等,ILi相等 RL=M/LRsi。Rsh=mRshI, IL=Ici, VD=mp, i=1
1)、电流源-光电产生的光电流,在一定光强照射下, 产 生的光电流IDh, 2)、二极管D太阳电池由于本身实际上是一个大面积的 二极管。 3)、串联电阻Rs是太阳电池的接触电阻,电极的体电阻, 半导体本身就是电阻引起的, 4)、并联电阻,Rsh由于制造工艺上的原因,如针孔等 造成漏电,相当于和二极管并联一个电阻。 2、太阳电池的伏-安特性: Io=Is 其中Is是二极管的反向饱和电流。 e是电子电荷,VD是二极管的电压,K-常数,T—绝 对温度,n叫二极管指数在1~2之间。单个电池:
3) Pm=FF×Voc×Isc a: Voc大,Pm大 b:Isc 大,Pm大 c:FF大,Pm大 曲线I的FF,大于曲线Ⅱ的FF2,“PmⅠ>PmⅡ” 4)EF=Pm/pin×100% 《标准光强》 EF∝Pm EF=Pm(w)/726×100% 5) 开路电压、短路电流及填充因子与光电流随电 压变化、并联电阻、串联电阻的关系。 ①光电流随电压变化的影响 IL2变化大于IL1 Voc1>Voc2 FF1>FF2 Pm1>Pm2 n1>n2 ②Rsn的影响 Rsh1<Rsh2 “RS=0” a.Isc不变 b.FF1 <FF2 c.Voc1<Voc2 d.Rsh减小,最大输出功率Pm, 效率η减小
2、太阳电池的半导体吸收光子,激发出电子 -空穴对,这些电子空穴对被太阳电池的内 建场分离,分离的条件:
a、有内建电场;
b、电子空穴有足够长的寿命和迁移率, 使μt足够大,μt为在内建场的作用下, 在电子空穴的寿命时间内漂移的距离, 这个距离保证电子空穴“分开”,电子 集中在一边,空穴集中在另一边,太阳 电池利用PN结或PIN结势垒区的静电场 达到分离电子、空穴的目的。 3、被分离的电子空穴,经电极收集输出 到电池体外,形成电池。
紫外光 X射线
λ=L / V
λ:波长, V:频率, L:光速
hv=E
光子能量
3、光谱分布
4、大气质量: 1)太阳光穿透大气层,峰底 大气层对太阳光吸收, 波长向长波方向偏移,水气二 散射.
氧化碳滤掉一部分红外光, O3滤掉一部分紫外光。
2)大气层外,太阳光谱的峰值在 0.5μ 附近 大气层的厚度在100公里左右。 大气层外“大气质量为0”记 AM0 太阳垂直照射在海平面“大气
2、按使用方式: 干板式 聚光式 自动跟踪式 3、按使用材料分: 单晶硅太阳电池 多晶硅太阳电池 非晶硅太阳电池 4、按“结”分: PN结电池 PIN结电池 多结电池 异质结电池 5、其他薄膜太阳电池: a-Si、 CIS 研究中的铜铟硒、及各 种非晶硅基合金电池。
第三节、 太阳电池的结构 1、晶体硅太阳电池
6、温度系数 串联电阻---------RS 电压、电流,最大输出功率的温度系数 在某一温度,温度每升一度,参数相对变化。 如:25℃ (Isc(26℃)-Isc(25℃)) /Isc(25℃)×100%/℃ 电池电压温度系数 -0.33%/℃, 电流温度系数 0.09%/℃, 输出功率温度系数 -0.23%/℃ 第六节、集成型非晶硅太阳电池各参数间的关系 开路电压与光电流随电压变化的关系 Rsh=∞ Ma/cm2 Voc=mnkT/∑em((Ic(v=Voc)+Is)/Is
③Rs影响 Rs1<Rs2<Rs3 “ Rsh=∞” a.Voc不变 b.Isc3<Isc2<Isc1,Rs增加,Isc下降 c.FF3<FF2<FF1 Rs增加 填充因数下降 d.由于Rs增加, 使最大输出功率Pm及转换效率η 下降。
第二章、太阳电池的工作原理
上一章对太阳电池的特性作了简要的介绍, 下面从微电子的角度对太阳电池的工作原理, 即为什么太阳电池能把阳光直接转换成电能, 太阳电池是一种把光直接变成电的半导体, 它们利用了半导体及一些物殊性能,所以先 介绍一些半导体方面的基本知识。