用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏 场效应管的识别方法及测量

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如何用数字万用表判定三极管的好坏

如何用数字万用表判定三极管的好坏

用数字万用表检测三极管的好坏方法如下:1、找出基极:将数字万用表置于二极管档,红表笔任接一个引脚,用黑表笔依次接触另外2个引脚,如果2次显示的值均小于1V或都显示溢出符号1,则红表笔所接的引脚就是基极b。

如果在2次测试中,一次显示值小于1V,另一次显示溢出符号1,表明红表笔接的引脚不是基极,再改用其它引脚重新测量,找出基极.2、确定管型,将数字万用表置于二极管档,闺怨红表笔接基极,用黑笔先后接触其它2个引脚,如果都显示0.5V到0.8V,则被测管属于NPN型,若2次都显示溢出符号1,则表明被测管属于PNP管。

3、判别集电极C和发射极e,以NPN型管为例,将数字万用表置于HFE档,使用PNP插孔。

把基极B插入B孔,剩余2个引脚分别插入C孔和E孔中。

若测出的HFE为几十到几百,说明管子属于正常接法,放大能力强,此时C孔插的是集电极C,E孔插的是发射极E。

若测出的HFE值只有几或十几,则表明被测管的集电极c与发射极e插反了,这时C 孔手的是发射极e,E孔插的是集电极c,为了使测试结果更可靠,可将基极b固定插在B 孔,把集电极c与发射极e调换重复测试2次,以显示值大的一次为准,C孔插的引脚即是集电极c,E孔插的引脚则是发射极e。

4、测试好坏。

还是以NPN型为例。

将基极b开路,测量c\e极间的电阻。

用万用表红笔接发射极,黑笔接集电极,若阻值在几万欧以上,说明穿透电流较小,管子能正常工作。

若c、e极间电阻小,测管子工作不稳定,在技术指标要求高的电路中不能使用。

若测得阻值近似为0,则管子已被击穿。

若阻值为无穷大,则说明管子内部已经断路。

如何用数字万用表测场效应管好坏万用表, 场效应管用数字万用表最好测量场效应管的好坏:先把数字万用表拨到二极管档,然后将场效应管的三只脚短路,接着用红、黑笔测试场效应管的二脚,测得三组数据,如果2组数据为1,另一组为300-800欧,则场效应管正常,如果其中一组数据为0,则场效应管被击穿。

MOS管如何检测S、D、G集,如何判别好坏

MOS管如何检测S、D、G集,如何判别好坏

MOS管如何检测S、D、G集,如何判别好坏
一、定性判断场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。

给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。

再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。

二、判断结型场效应管的电极
将万用表拨至R×100档,红表笔任意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬空。

若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。

欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。

若将人体感应电压直接加在栅极上,由于输入干扰信号较强,上述现象会更加明显。

如表针向左侧大。

用指针及数字万用表判断场效应管的好坏的方法

用指针及数字万用表判断场效应管的好坏的方法

用指针及数字万用表判断场效应管的好坏的方法用指针及数字万用表判断场效应管的好坏的方法一.指针万用表判断场效应管的好坏的方法:1.将指针式万用表拨至“RX1K”档,并电调零。

场效应管带字的一面朝着自己,管脚向下,从左到右依次为:G(栅极),D(漏极),S(源极)。

将黑表笔接在D极,红表笔接在S极上,此时,万用表指针应不动;然后再对换表笔,再测,此时,万用表指针应向右摆动。

用指针万用表测G极,与其余两个极之间,无论是两个表笔怎样对调测,万用表指针均应不动。

2.将万用表拨到Rx1K以上(Rx10k最好): 右手拿表笔、黑笔接散热片或中间脚(D)、红笔接右边脚(S)。

此时万用表指示的电阻越大越好,然后左手食指同时接触(从顶上按住)左边脚(G)与中间脚(D)<相当于给G极一个正压>,此时表针会大幅向右偏转,偏转越大管子的放大能力越大。

放开食指后指针停住不动时管子是好的。

再测时将三个脚短路后再则。

测P沟管时将红黑笔对调就行转的位置停下来的k值就是放大倍数二.用数字万用表如何检测场效应管好坏的方法?1.用二极管档红表笔接栅极G,黑表笔接源极S,数字表显示1,黑表笔接S不动,将红表笔移至漏极D,此时数字表应显示150-300左右的数值,将红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,此时应有60-100的数据,然后换过来,即S接黑,D接红,此时数据还是在150-300左右,用手一边接D,一边碰一下栅极G或用镊子短路DS,此时数据会慢慢变为无穷大1,然后交换表笔,即S接红,D接黑,数据将在500左右,此时证明该管是好的。

2.将数字万用表拨至“二极管”档,也就是,蜂鸣器档。

黑表笔接D极,红表笔接S极,此时,应显示一个数值,一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。

然后,再对换表笔,应无显示,为“1”。

然后,黑表笔接D极,红表笔先去触碰一下G极,然后红表笔再接到S 极上,此时,会发现显示的数值与原来相比变小了许多,一般为100多Ω到几十Ω之间。

万用表测试三极管好坏及管型的方法

万用表测试三极管好坏及管型的方法

万用表测试三极管好坏及管型的方法(1)三极管好坏的检验三极管有两个P-N结(放射结和集电结),相当于两个二极管。

因此用检验二极管好坏的方法,检验三极管的好坏。

下面以锗管为例加以说明。

万用表置R×100或R×10挡,用正表笔接管子的基极,负表笔接放射极,表的指针指示一读数;正表笔不动,负表笔换接集电极,表的指针又指示一读数。

这两次测试的分别是放射结和集电结的正向电阻,假如两次读数都较小(指针接近满刻度处),说明两个P-N结正向特性良好。

然后再用万用表的负表笔接管子基极,正表笔分别接放射极和集电极作两次测试。

则这两次是反向电阻的测量,假如两次读数都较大(表针指在约1/4满刻度处),说明两个结反向特性良好。

最终再进行放射极、集电极间电阻测量,正负表笔分别交换各测一次,如都是高阻值(指针不超过满标度的1/4)说明正常。

六次测试结果均如上述,被测三极管则是好管子,否则管子已损坏。

(2)PNP和NPN型的判别三极管有PNP型和NPN型之分,只要知道管子型号,也就知道它是PNP还是NPN型了。

例如3AX31、3CG1等于PNP型管而3GB1、3DG6则为NPN型三极管。

假如遇到管子型号模糊不清,这时可通过测试来判别是PNP还是NPN型。

用上面检验三极管好坏的方法,用万用表先判定管子完好,这个过程中有两次测到低阻值。

利用这个方法测试时,假如正表笔接某极,负表笔分别接另外两个极,读得的均是低阻值,如图1(a)所示,此管为PNP型管;假如负表笔接三极管某极,用正表笔分别接另外两个极,读数均是低阻值,如图1(b)所示,则该管是NPN型管。

图1 PNP型和NPN型的检验。

场效应管检测方法

场效应管检测方法

场效应管检测方法一、用指针式万用表对场效应管进行(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。

要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

如何定性判断场效应管、三极管的好坏?

如何定性判断场效应管、三极管的好坏?

如何定性判断场效应管、三极管的好坏?
场效应管和三极管的相同点就是都为半导体器件,并且都可以作为信号的放大和电子开关使用,既然都是半导体器件,那么其内部也都会有PN结的存在,而且大多数的损坏都表现为击穿,所以只要会测二极管,就可以测量这两种的好坏了,下面我们来看具体方法。

三极管的测量方法
我们可以将三极管看做是两个背靠背或面对面的二极管,使用数字万用表的二极管档位依次测量两个PN结就可以测出损坏了。

1.将数字万用表打至二极管档位,红黑表笔分别接触基极和集电极,正反测量只有一组读数则为正常。

否则为集电结击穿。

2.再将红黑表笔分别接触基极和发射极,正反测量只有一组读数为正常,否则为发射结击穿。

并且这个读数和第一步中的读数差不多大小为正常,如果偏差过大则视为性能不良。

3.红黑表笔分别接集电极和发射极,不管正反测量都没有读数显
示为正常,否则为损坏。

场效应管测量方法
场效应管和三极管一样同样有三个电极,分别为栅极、源极和漏极,使用数字万用表的200K电阻档位,分别测量每两个管脚的阻值,当有两个管脚的正反阻值差不多大小时,这两个即为源极和漏极,其余一脚为栅极。

下面我们以N沟道场效应管为例,来看下测量方法(测量前需短路放电)。

1.将万用表置于二极管档位,红黑表笔正反接源极和漏极,只有一组显示数值为正常,正反都有数值显示且很小说明漏源击穿。

2.将红表笔接漏极,黑表笔接源极,没有读数显示为正常,此时黑表笔不动,红表笔碰触一下栅极(栅源充电),然后再接回漏极,此时会有读数显示(漏源导通),且数值应该越来越大为正常。

3.将三个管脚短路放电,再用红表笔接漏极,黑表笔接源极,此时没有数值显示为正常。

场效应管测量经验

场效应管测量经验

场效应管检测方法与经验∙∙三芹∙2位粉丝∙1楼场效应管检测方法与经验一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。

要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

场效应管的检测

场效应管的检测

场效应管的检测:由于场效应管的结构、原理和普通三极管不同,在业余条件下用万用表作判别的方法亦不相同,在测试前将双手摸触一下自来水管或地线,以放掉身体的电荷。

1.G极(栅极)的判定:万用表用R×100档,分别测量场效应管每两脚间的阻值(正反向各测一次),应有一对脚阻值为数百欧姆(如均为大阻值,则用两表笔卡住两只脚,黑笔再点另一脚,如仍为高阻值,再将红笔点另一脚,总有一次出现有两脚低阻值的情况,如没有这种情况,管子应属已损坏)这时万用表两表笔所接的引脚是D极(漏极)和S极(源极),对其它脚均为阻值大的是G极(栅极)。

2.D极(漏极)、S极(源极)的判定:万用表置于R×10档,将红、黑表笔卡住要判断的D、S极上,别测量两极间的正反向电阻值,在测得阻值为较大值时,用黑表笔与G极(栅极)接触一下,然后再恢复原状,在此过程中,红、黑笔应始终与原管脚相触,这时万用表的读数会出现两种情况:若读数由大变小,则万用表黑笔所接的管脚为D极(漏极),红表笔所接的管脚为S极(源极);若万用表读数没有明显变化,仍为较大值,这时就应把黑表笔与引脚保持接触,然后移动红表笔与G极(栅极)触碰一下。

此时若阻值由大变小,则黑表笔所接的管脚为S极(源极),红表笔所接的管脚为D极(漏极)。

3.类型的判定:确定D极(漏极)和S极(源极)后,如果万用表黑表笔所接为D极(漏极),红表笔所接为S极S极(源极),而且用黑表笔触发G(栅极)极,这时表明该场效应管为N沟道;如果黑表笔所接为S极(源极),红表笔所接为D极(漏极),且需用红表笔才能触发G极(栅极),则表明该场效应管为P沟道。

4.跨导大小的判别:对于N沟道的场效应管,用红表笔接S极(源极)黑表笔接D极(漏极),万用表读数应较大,这时若用100K电阻一端先按D极(漏极),再碰G极(栅极),万用表读数就会发生变化,变化越明显,说明该场效应管的跨导越大。

对于D沟道的场效应管,用黑表笔接S极(源极),红表笔接D极(漏极),方法同前。

常用场效应管型参数管脚识别及检测表

常用场效应管型参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。

要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

三极管和场效应管判断

三极管和场效应管判断

场效应管的判别一、用指针万用表1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档,用黑表笔接触假定为栅极G管脚,如图,:然后用红表笔分别接触另两个管脚。

若阻值均比较小(约5'--10欧),再将红、黑表笔交换测量一次。

如阻值均很大,属N沟道管,且黑表接触的管脚为栅极G,说明原先的假定是正确的。

同样也可以判别出P 沟道的结型场效应管。

2.金属氧化物场效应管的判别(1)栅极G的判定用万用表Rxl00挡,测量功率场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值,其中一次测量中两引脚电阻值为数百欧姆,这时两表笔所接的引脚是D极与S极,则另一引脚未接表笔为G 极。

(2)漏极D、源极S及类型的判定用万用表RxlokD,挡测量D极与S极之间正、反向电阻值,正向电阻值约为0.2x10kfl,反向电阻值在(5—∞)x10kfl。

在测反向电阻时,红表笔所接引脚不变,黑表笔脱离所接引脚后,与G极触碰一下,然后黑表笔去接原引脚,此时会出现两种可能:若万用表读数由原来较大阻值变为零,则此时红表笔所接为S极,黑表笔所接为D极。

用黑表笔触发G极有效(使功率场效应管D极与S极之间正、反向电阻值均为012),则该场效应管为N沟道型。

若万用表读数仍为较大值,则黑表笔接回原引脚不变,改用红表笔去触碰G极,然后红表笔接回原引脚,此时万用表读数由原采阻值较大变为0,则此时黑表笔所接为S极,红表笔所接为D极。

用红表笔触发G,极有效,该场效应管为P沟道型。

(3)金属氧化物场效应管的好坏判别用万用表Rxlkll挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。

如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为0xkll),则该场效应管损坏;如果仅出现一次电阻值较小(一般为数百欧姆),其余各次测量电阻值均为无穷大,还需作进一步判断。

用万用表Rxlkfl挡测量D极与S极之间的正、反电阻值。

对于N沟道管,红表笔接S极,黑表笔先触碰G极后,然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值。

数字万用判断表场效应管和三极管

数字万用判断表场效应管和三极管

用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。

给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。

再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档,红表笔任意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬空。

若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。

欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。

若将人体感应电压直接加在栅极上,由于输入干扰信号较强,上述现象会更加明显。

如表针向左侧大幅度偏转,就意味着管子趋于截止,漏-源极间电阻RDS增大,漏-源极间电流减小IDS。

反之,表针向右侧大幅度偏转,说明管子趋向导通,RDS↓,IDS↑。

但表针究竟向哪个方向偏转,应视感应电压的极性(正向电压或反向电压)及管子的工作点而定。

注意事项:(1)试验表明,当两手与D、S极绝缘,只摸栅极时,表针一般向左偏转。

但是,如果两手分别接触D、S极,并且用手指摸住栅极时,有可能观察到表针向右偏转的情形。

其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用,使之进入饱和区。

(2)也可以用舌尖舔住栅极,现象同上。

三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯(两个PN结)、三个电极和管壳组成,三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b,目前常见的三极管是硅平面管,又分PNP和NPN型两类。

现在锗合金管已经少见了。

这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。

如何用普通数字万用表测量场效应管好坏?听我讲解,超简单!

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如何用普通数字万用表测量场效应管好坏?听我讲解,超简
单!
场效应管是一个应用非常广泛的重要的电子元件,很多电路里都可以看到其身影,但很多初学者却不知道如何下手检测其好坏。

下面教大家数字万用表,三步就可以检测出场效应管的好坏,简单,实用。

场效应管有三个引脚,正面朝自己,从左到右分别是G(栅极),D(漏极),S(源极)。

如上图。

测量方法:先把万用表调至二极管测量档。

如图
第一步:
黑表笔接D(漏极),红表笔接S(源极),这个时候,正常的话应该有0.2~0.5的压降,万用表显示0.2~0.5之间数字。

如下图
第二步:
黑表笔接S(源极),红表笔接D(漏极)这个是应该没有压降,万用表显示OL或1(数字万用表品牌不一样,显示有点区别,意思一样)
第三步:
黑表笔接S(源极),红表笔点触G(栅极)后松开,如图
然后,黑表笔不动,再用红表笔接D(漏极),应该有很小的电压降(万用表显示0.1左右的数字那么这个晶体场效应管就是好的。

请注意图中表笔颜色,我特意再上面添加了文字,以示区别。

用数字万用表检测三极管的好坏方法如下

用数字万用表检测三极管的好坏方法如下

用数字万用表检测三极管的好坏方法如下:1、找出基极:将数字万用表置于二极管档,红表笔任接一个引脚,用黑表笔依次接触另外2个引脚,如果2次显示的值均小于1V或都显示溢出符号1,则红表笔所接的引脚就是基极b。

如果在2次测试中,一次显示值小于1V,另一次显示溢出符号1,表明红表笔接的引脚不是基极,再改用其它引脚重新测量,找出基极.2、确定管型,将数字万用表置于二极管档,闺怨红表笔接基极,用黑笔先后接触其它2个引脚,如果都显示到,则被测管属于NPN型,若2次都显示溢出符号1,则表明被测管属于PNP管。

3、判别集电极C和发射极e,以NPN型管为例,将数字万用表置于HFE档,使用PNP插孔。

把基极B插入B孔,剩余2个引脚分别插入C孔和E孔中。

若测出的HFE为几十到几百,说明管子属于正常接法,放大能力强,此时C孔插的是集电极C,E孔插的是发射极E。

若测出的HFE值只有几或十几,则表明被测管的集电极c与发射极e插反了,这时C孔手的是发射极e,E孔插的是集电极c,为了使测试结果更可靠,可将基极b固定插在B孔,把集电极c与发射极e调换重复测试2次,以显示值大的一次为准,C孔插的引脚即是集电极c,E孔插的引脚则是发射极e。

4、测试好坏。

还是以NPN型为例。

将基极b开路,测量c\e极间的电阻。

用万用表红笔接发射极,黑笔接集电极,若阻值在几万欧以上,说明穿透电流较小,管子能正常工作。

若c、e极间电阻小,测管子工作不稳定,在技术指标要求高的电路中不能使用。

若测得阻值近似为0,则管子已被击穿。

若阻值为无穷大,则说明管子内部已经断路。

①测NPN 三极管:将万用表欧姆挡置"R 100" 或"R lk" 处,把黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。

②测PNP 三极管:将万用表欧姆挡置"R 100" 或"R lk" 处,把红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。

场效应管好坏测量方法

场效应管好坏测量方法

场效应管好坏测量方法场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种常用的半导体器件,广泛应用于放大、开关、调制和其他电路中。

在实际应用中,我们经常需要对场效应管进行好坏测量,以确保电路的正常工作。

本文将介绍场效应管好坏测量的方法,希望能够为大家提供一些帮助。

首先,我们可以通过使用万用表来测试场效应管的好坏。

在测试前,需要将场效应管从电路中取下,并清洁引脚,以确保测试的准确性。

然后,将万用表调至二极管测试档位,分别用红表笔和黑表笔连接场效应管的源极和漏极,观察表笔的指示情况。

如果表笔指示正常,说明场效应管工作正常;如果表笔不指示,说明场效应管可能损坏。

接着,再用表笔连接场效应管的栅极和源极,进行同样的测试。

通过这种方法,我们可以初步判断场效应管的好坏。

除了使用万用表进行测试外,我们还可以利用示波器来测试场效应管的好坏。

示波器可以直观地显示电压和电流的变化情况,对于一些特殊情况下的场效应管好坏测试非常有帮助。

在测试时,将示波器的探头连接到场效应管的源极和漏极,然后将输入信号连接到场效应管的栅极,观察示波器屏幕上的波形变化。

如果波形变化正常,说明场效应管工作正常;如果波形变化异常,说明场效应管可能存在问题。

通过示波器的测试,我们可以更加准确地判断场效应管的好坏。

除了以上介绍的两种方法外,还有一些其他的测试方法可以用来判断场效应管的好坏,比如使用专门的场效应管测试仪器进行测试。

不同的测试方法适用于不同的场合,我们可以根据实际情况选择合适的方法进行测试。

总的来说,场效应管好坏的测量方法有多种,每种方法都有其适用的情况。

在实际工作中,我们可以根据需要选择合适的方法进行测试,以确保场效应管的正常工作。

希望本文介绍的方法能够为大家在实际工作中提供一些帮助。

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别1用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极;具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值;当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S;因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G;也可以将万用表的黑表笔红表笔也行任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值;当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极;若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极;若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止;2用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏;具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的,如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极;然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的;要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测;3用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值;然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上;这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动;如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的;根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F;先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力;运用这种方法时要说明几点:首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动电阻值减小,也可能向左摆动电阻值增加;这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同或者工作在饱和区或者在不饱和区所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS 减小,使表针向右摆动;但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力;第二,此方法对MOS场效应管也适用;但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿;第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下;这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行;4用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2;把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S;用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样;当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序;5用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOSN沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压;此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的;将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高;当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大;二、.场效应管的使用注意事项1为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值;2各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性;如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等; 3MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿;尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮;4为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出;以上安全措施在使用场效应管时必须注意;5在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等;对于功率型场效应管,要有良好的散热条件;因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作;总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管;常用场效应管型号参数表型号参数IRF530NMOS100V14A79W IRFP9530 PMOS100V12A75WIRF540 NMOS100V28A150W IRFP9540 PMOS60V18A100WIRF630 NMOS200V9A75WIRFP9630 PMOS200V6.5A75WIRF640 NMOS200V18A125WIRF720 NMOS400V3.3A50WIRF730 NMOS400V5.5A75WIRF740 NMOS400V10A125WIRF830NMOS500V4.5A75WIRF840NMOS500V8A125W场效应管分类型号耐压电流封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220F/P。

场效应管检测方法与经验

场效应管检测方法与经验

场效应管检测方法与经验场效应管检测方法与经验一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。

要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

电阻电容三极管基础及好坏判断方法

电阻电容三极管基础及好坏判断方法

1、用万用表电阻档检查电解电容器的好坏电解电容器的两根引线有正、负之分,在检查它的好坏时,对耐压较低的电解电容器(6V或l0V),电阻档应放在R×100或R×1K档,把红表笔接电容器的负端,黑表笔接正端,这时万用表指针将摆动,然后恢复到零位或零位附近。

这样的电解电容器是好的。

电解电容器的容量越大,充电时间越长,指针摆动得也越慢。

2、用万用表判断电解电容器的正、负引线一些耐压较低的电解电容器,如果正、负引线标志不清时,可根据它的正接时漏电电流小(电阻值大),反接时漏电电流大的特性来判断。

具体方法是:用红、黑表笔接触电容器的两引线,记住漏电电流(电阻值)的大小(指针回摆并停下时所指示的阻值),然后把此电容器的正、负引线短接一下,将红、黑表笔对调后再测漏电电流。

以漏电流小的示值为标准进行判断,与黑表笔接触的那根引线是电解电容器的正端。

这种方法对本身漏电流小的电解电容器,则比较难于区别其的极性。

3、用万用表检查可变电容器可变电容有一组定片和一组动片。

用万用表电阻档可检查它动、定片之间有否碰片,用红、黑表笔分别接动片和定片,旋转轴柄,电表指针不动,说明动、定片之间无短路(碰片)处;若指针摆动,说明电容器有短路的地方。

4、用万用表电阻档粗略鉴别5000PF以上容量电容的好坏用万用表电阻档可大致鉴别5000PF以上电容器的好坏(5000PF以下者只能判断电容器内部是否被击穿)。

检查时把电阻档量程放在量程高档值,两表笔分别与电容器两端接触,这时指针快速的摆动一下然后复原,反向连接,摆动的幅度比第一次更大,而后又复原。

这样的电容器是好的。

电容器的容量越大,测量时电表指针摆动越大,指针复原的时间也较长,我们可以根据电表指针摆动的大小来比较两个电容器容量的大小。

用万用表测三极管分类:电子技术我们一般可以容易找到基极b,但另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。

万用表判别结型场效应管的电极及场效应管的好坏的方法

万用表判别结型场效应管的电极及场效应管的好坏的方法

万用表判别结型场效应管的电极及场效应管的好坏的方法万用表是电力电子等部门不可缺少的测量仪表,一般以测量电压、电流和电阻为主要目的。

万用表按显示方式分为指针万用表和数字万用表。

一般万用表可测量直流电流、直流电压、交流电流、交流电压、电阻和音频电平等。

下面说下万用表判别结型场效应管的电极及场效应管的好坏的方法:用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R乘以1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

用测电阻法判别场效应管的好坏用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于R乘以10或R乘以100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),。

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用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏
一、定性判断MOS型场效应管的好坏
先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。

给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。

再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极
将万用表拨至R×100档,红表笔任意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬空。

若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。

欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。

若将人体感应电压直接加在栅极上,由于输入干扰信号较强,上述现象会更加明显。

如表针向左侧大幅度偏转,就意味着管子趋于截止,漏-源极间电阻RDS增大,漏-源极间电流减小IDS。

反之,表针向右侧大幅度偏转,说明管子趋向导通,RDS↓,IDS↑。

但表针究竟向哪个方向偏转,应视感应电压的极性(正向电压或反向电压)及管子的工作点而定。

注意事项:
(1)试验表明,当两手与D、S极绝缘,只摸栅极时,表针一般向左偏转。

但是,如果两手分别接触D、S极,并且用手指摸住栅极时,有可能观察到表针向右偏转的情形。

其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用,使之进入饱和区。

(2)也可以用舌尖舔住栅极,现象同上。

三、晶体三极管管脚判别
三极管是由管芯(两个PN结)、三个电极和管壳组成,三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b,目前常见的三极管是硅平面管,又分PNP和NPN型两类。

现在锗合金管已经少见了。

这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。

1.找出基极,并判定管型(NPN或PNP)
对于PNP型三极管,C、E极分别为其内部两个PN结的正极,B极为它们共同的负极,而对于NPN型三极管而言,则正好相反:C、E极分别为两个PN结的负极,而B极则为它们共用的正极,根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。

具体方法如下:
将万用表拨在R×100或R×1K档上。

红笔接触某一管脚,用黑表笔分别接另外两个管脚,这样就可得到三组(每组两次)的读数,当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时,若公共管脚是红表笔,所接触的是基极,且三极管的管型为PNP型;若公共管脚是黑表笔,所接触的是也是基极,且三极管的管型为NPN型。

2.判别发射极和集电极
由于三极管在制作时,两个P区或两个N区的掺杂浓度不同,如果发射极、集电极使用正确,三极管具有很强的放大能力,反之,如果发射极、集电极互换使用,则放大能力非常弱,由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。

在判别出管型和基极b后,可用下列方法来判别集电极和发射极。

将万用表拨在R×1K档上。

用手将基极与另一管脚捏在一起(注意不要让电极直接相碰),为使测量现象明显,可将手指湿润一下,将红表笔接在与基极捏在一起的管脚上,黑表笔接另一管脚,注意观察万用表指针向右摆动的幅度。

然后将两个管脚对调,重复上述测量步骤。

比较两次测量中表针向右摆动的幅度,找出摆动幅度大的一次。

对PNP型三极管,则将黑表笔接在与基极捏在一起的管脚上,重复上述实验,找出表针摆动幅度大的一次,对于NPN型,黑表笔接的是集电极,红表笔接的是发射极。

对于PNP型,红表笔接的是集电极,黑表笔接的是发射极。

这种判别电极方法的原理是,利用万用表内部的电池,给三极管的集电极、发射极加上电压,使其具有放大能力。

有手捏其基极、集电极时,就等于通过手的电阻给三极管加一正向偏流,使其导通,此时表针向右摆动幅度就反映出其放大能力的大小,因此可正确判别出发射极、集电极来。

场效应管的识别方法及测量
一、符号:“Q、VT” ,场效应管简称FET,是另一种半导体器件,是通过电压来控制输出电流的,是电压控制器件
场效应管分三个极:
D极为漏极(供电极)
S极为源极(输出极)
G极为栅极(控制极)
D极和S极可互换使用
场效应管图例:
二、场效应管的分类:
场效应管按沟道分可分为N沟道和P沟道管(在符号图中可看到中间的箭头方向不一样)。

按材料分可分为结型管和绝缘栅型管,绝缘栅型又分为耗尽型和增强型,一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管,并且大多采用增强型的N沟道,其次是增强型的P沟道,结型管和耗尽型管几乎不用。

三、场效应管的特性:
1、工作条件:D极要有供电,G极要有控制电压
2、主板上的场管N沟道多,G极电压越高,S极输出电压越高
3、主板上的场管G极电压达到12V时,DS完全导通,个别主板上5V导通
4、场管的DS功能可互换
N沟道场管的导通截止电压:
导通条件:V
G>V

,V
GS
=0.45--3V时,处于导通状态,且V
GS
越大,I

越大
截止条件:V
G<V

,I

没有电流或有很小的电流
四、场效应管的作用:
放大、调制、谐振、开关
五、场效应管的测量及好坏判断
1、测量
极性及管型判断
红笔接S、黑笔接D值为(300-800)为N沟道
红笔接D、黑笔接S值为(300-800)为p沟道
如果先没G、D再没S、D会长响,表笔放在G和最短脚相连放电,如果再长响为击穿
贴片场管与三极管难以区分,先按三极管没,如果不是按场管测
场管测量时,最好取下来测,在主板上测量会不准
2、好坏判断
测D、S两脚值为(300-800)为正常,如果显示“0”且长响,场管击穿;如果显示“1”,场管为开路软击穿(测量是好的,换到主板上是坏的),场管输出不受G极控制。

六、场管的代换原则(只适合主板)
场管代换只需大小相同,分清N沟道P沟道即可
功率大的可以代换功率小的
技嘉主板的场管最好原值代换
七、主板上常见的场管型号
N沟道:
702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF
中等大小的场管:3055、09N05、40N03、45N03
外型较大的场管:L3103S、K3296、K3289、6030、7030
55N03、76139D、76129S、10N03、15M03
F827、F841、BPS100
P沟道:
352A、356。

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