ESD培训教材资料
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
擦生电，屏蔽静电场或免除静电放电对ESDS组件产生破坏的 包装
➢ EOS (Electrical Over Stress) 过电应力 使用电源的
设备的漏电流，漏电压引起的异常过大的电流或电压。
原子充电模型
➢ 原子是产生电荷的基本
体。
➢ 静态情况下，原子核中
心的质子（带正电） 与外 围的电子（带负电）呈自然 平衡的状态。
又没有影响电场的分布。
人体对静电的感觉
和电器件相比之下,我们的感觉性极差:
感觉到: 听到: 看到：
>2000-4000V >4000-5000V >5000V
<100V的静电放电就足以损坏某些电子器件！
缺乏管理意识的主要原因
➢ 人体能感觉出静电存在的水平为2000~4000 volts，
但敏感器件只须＜100 volts便能被损坏（大部分＜ 1000 volts）
➢ 当一个电性不平衡的 物体靠近或接触其他 物体，将可能形成一 个电性的粒子流来试 图获得电子达到新的 平衡条件。
➢ 这个过程称为放电
磨擦和接触生电
➢静电不是由磨擦产生的！ ➢磨擦过程增加接触面，接触产生静电。 ➢许多物料的表面都不够平整或具备足够的柔性
，来达到接触/分离所需要产生静电的程度。
➢片状物和粘带具备良好的接触条件，所以较容
磨擦生电
原子核相对更有吸引力的一个物体，将会“偷”走另 一个物体的电子。
磨擦生电
电子 “丢失”了
电子“增加” 了
当两个物体分开时， 电子也随着物体被移走了
感应生电
一个电荷不平衡的物体表面产生一个电场。 这个足够强的电场迫使附近物体靠近它的那一个表面的同性
电荷向远离一端移动或“逸出”
感应生电
如果电场附近有良好的导体接地，那么逸出的电荷将传 向大地， 这样，重新实现了这一区域的电荷平衡，同时
➢ 大部分的静电破坏是潜在的，并不能够马上识别出
来。
➢ 静电破坏现象有较差的重复性，并且不容易模拟。 ➢ 找出静电破坏的证据和根源一般相当不容易，而且
成本可能很高（ESD破坏常被误判为EOS损坏）。
➢ 缺乏培训和对问题的重视。
ESD敏感度的分档
业界有不同的标准… MIL-STD-1686推荐
ClassⅠ：0~1999 volts ClassⅡ：2000~3999 volts
ESD敏感度的分档
较常用的ESDA标准…
Class
Voltage Range
Class 0
＜250V
Class 1A
250 to ＜500V
Class 1B
500 to ＜1000V
Class 1C
1000 to ＜2000V
Class 2
2000 to ＜4000V
Class 3A
4000 to ＜8000V
➢ 模式化对比较和沟通工作十分重要 ➢ 即使在相同的模式中，不同的设备测试，测量结果还可能有
一定的差异会出现。 分档的目的：
STM-4011
Rev# 03
ESD基础知识培训
Saitek品质保证部
2004.12.30
静电的基本述语
➢ ESD (Electro Static Discharge)静电放电 当两个带不
同静电电位的物件相互接近到某程度或接触时，静电从一个 物件突然流放到另一物件上的现象。
➢ ESDS (Electro Static Discharge Sensitive)静电放电
ClassⅠ ClassⅡ ClassⅢ
Class M1 Class M2 Class M3 Class M4 Class M5 Class C1 Class C2 Class C3 Class C4 Class C5 Class C6 Class C7
Voltage Range
~1999V 2000V~3999V 4000V~15999V
敏感元件 对于静电放电敏感(易被ESD破坏)的元件、组件或 模块
➢ EPA (ESD Protective Area)静电放电防护区域 内涵
ESDS Item的大范围工作区域.所有人员进入时皆应穿戴适当 的接地措施，且所有行为亦须遵守其相关规定
➢ SSP (Static-Safe Package)静电安全包装 能够限制摩
易产生静电。
➢除了增加接触面，磨擦也同时增加分离速度。 ➢磨擦过程所产生的热能增加电荷 的迁移程度。 ➢‘接触生电’较‘磨擦生电’的观念较为正确
。
磨擦生电
主要来源: 接触 +
摩擦
或 + 分离
压力
这就是‘磨擦生Biblioteka Baidu’
磨擦生电
我们现在有两个物体，当他们慢慢靠近…
磨擦生电
当两个物体密切接触，那么接触面的电子将会实现共 享，并进行着再分配。
ClassⅢ：4000~＞8000 volts
AT&T内部标准 Class 0：0~199 volts ClassⅠ：200~499 volts ClassⅡ：500~1999 volts ClassⅢ： ＞2000 volts
ClassⅣ：No ESDS
Hewlett Packard内部标准 ClassⅠ：0~1000 volts ClassⅡ：1000~4000 volts ClassⅢ：4000~15000 volts
Class 3B
＞=8000V
Table1.ESDS Component sensitivity classification-Human body
Model(Per ESD STM5.1-1998)
ESD model
HBM 人体带电
模型
MM 机器带电
模型
CDM 组件带电
模型
ESD敏感度的分档
ESD Class
~100V 101V~200V 201V~400V 401V~800V ＞800V ~100V 101V~200V 201V~400V 401V~800V ＞800V 401V~800V ＞800V
ESD敏感度的分档
HBM模式在业界中是最常用的，不过器件还可能在其它如MM或 CDM模式下被破坏，甚至更容易遭受破坏。所以了解您的供应商 的测量模式是关键的。
➢ 电子则象卫星一样围绕
着原子核旋转。
➢当质子与电子相等时，物
体成平衡状态。
电量不平衡的行成
电子“丢失”
例如：
➢ 当原子丢了一个电子后
整个平衡被打破了。
➢ 由于原子丢失是一个带
负电的电子，所以总体上 呈现正电性。
➢ 当原子得到一个电子时
,总体上呈现负电性
➢ 当它得到一个电子，那
么就可以重新平衡
放电
➢ EOS (Electrical Over Stress) 过电应力 使用电源的
设备的漏电流，漏电压引起的异常过大的电流或电压。
原子充电模型
➢ 原子是产生电荷的基本
体。
➢ 静态情况下，原子核中
心的质子（带正电） 与外 围的电子（带负电）呈自然 平衡的状态。
又没有影响电场的分布。
人体对静电的感觉
和电器件相比之下,我们的感觉性极差:
感觉到: 听到: 看到：
>2000-4000V >4000-5000V >5000V
<100V的静电放电就足以损坏某些电子器件！
缺乏管理意识的主要原因
➢ 人体能感觉出静电存在的水平为2000~4000 volts，
但敏感器件只须＜100 volts便能被损坏（大部分＜ 1000 volts）
➢ 当一个电性不平衡的 物体靠近或接触其他 物体，将可能形成一 个电性的粒子流来试 图获得电子达到新的 平衡条件。
➢ 这个过程称为放电
磨擦和接触生电
➢静电不是由磨擦产生的！ ➢磨擦过程增加接触面，接触产生静电。 ➢许多物料的表面都不够平整或具备足够的柔性
，来达到接触/分离所需要产生静电的程度。
➢片状物和粘带具备良好的接触条件，所以较容
磨擦生电
原子核相对更有吸引力的一个物体，将会“偷”走另 一个物体的电子。
磨擦生电
电子 “丢失”了
电子“增加” 了
当两个物体分开时， 电子也随着物体被移走了
感应生电
一个电荷不平衡的物体表面产生一个电场。 这个足够强的电场迫使附近物体靠近它的那一个表面的同性
电荷向远离一端移动或“逸出”
感应生电
如果电场附近有良好的导体接地，那么逸出的电荷将传 向大地， 这样，重新实现了这一区域的电荷平衡，同时
➢ 大部分的静电破坏是潜在的，并不能够马上识别出
来。
➢ 静电破坏现象有较差的重复性，并且不容易模拟。 ➢ 找出静电破坏的证据和根源一般相当不容易，而且
成本可能很高（ESD破坏常被误判为EOS损坏）。
➢ 缺乏培训和对问题的重视。
ESD敏感度的分档
业界有不同的标准… MIL-STD-1686推荐
ClassⅠ：0~1999 volts ClassⅡ：2000~3999 volts
ESD敏感度的分档
较常用的ESDA标准…
Class
Voltage Range
Class 0
＜250V
Class 1A
250 to ＜500V
Class 1B
500 to ＜1000V
Class 1C
1000 to ＜2000V
Class 2
2000 to ＜4000V
Class 3A
4000 to ＜8000V
➢ 模式化对比较和沟通工作十分重要 ➢ 即使在相同的模式中，不同的设备测试，测量结果还可能有
一定的差异会出现。 分档的目的：
STM-4011
Rev# 03
ESD基础知识培训
Saitek品质保证部
2004.12.30
静电的基本述语
➢ ESD (Electro Static Discharge)静电放电 当两个带不
同静电电位的物件相互接近到某程度或接触时，静电从一个 物件突然流放到另一物件上的现象。
➢ ESDS (Electro Static Discharge Sensitive)静电放电
ClassⅠ ClassⅡ ClassⅢ
Class M1 Class M2 Class M3 Class M4 Class M5 Class C1 Class C2 Class C3 Class C4 Class C5 Class C6 Class C7
Voltage Range
~1999V 2000V~3999V 4000V~15999V
敏感元件 对于静电放电敏感(易被ESD破坏)的元件、组件或 模块
➢ EPA (ESD Protective Area)静电放电防护区域 内涵
ESDS Item的大范围工作区域.所有人员进入时皆应穿戴适当 的接地措施，且所有行为亦须遵守其相关规定
➢ SSP (Static-Safe Package)静电安全包装 能够限制摩
易产生静电。
➢除了增加接触面，磨擦也同时增加分离速度。 ➢磨擦过程所产生的热能增加电荷 的迁移程度。 ➢‘接触生电’较‘磨擦生电’的观念较为正确
。
磨擦生电
主要来源: 接触 +
摩擦
或 + 分离
压力
这就是‘磨擦生Biblioteka Baidu’
磨擦生电
我们现在有两个物体，当他们慢慢靠近…
磨擦生电
当两个物体密切接触，那么接触面的电子将会实现共 享，并进行着再分配。
ClassⅢ：4000~＞8000 volts
AT&T内部标准 Class 0：0~199 volts ClassⅠ：200~499 volts ClassⅡ：500~1999 volts ClassⅢ： ＞2000 volts
ClassⅣ：No ESDS
Hewlett Packard内部标准 ClassⅠ：0~1000 volts ClassⅡ：1000~4000 volts ClassⅢ：4000~15000 volts
Class 3B
＞=8000V
Table1.ESDS Component sensitivity classification-Human body
Model(Per ESD STM5.1-1998)
ESD model
HBM 人体带电
模型
MM 机器带电
模型
CDM 组件带电
模型
ESD敏感度的分档
ESD Class
~100V 101V~200V 201V~400V 401V~800V ＞800V ~100V 101V~200V 201V~400V 401V~800V ＞800V 401V~800V ＞800V
ESD敏感度的分档
HBM模式在业界中是最常用的，不过器件还可能在其它如MM或 CDM模式下被破坏，甚至更容易遭受破坏。所以了解您的供应商 的测量模式是关键的。
➢ 电子则象卫星一样围绕
着原子核旋转。
➢当质子与电子相等时，物
体成平衡状态。
电量不平衡的行成
电子“丢失”
例如：
➢ 当原子丢了一个电子后
整个平衡被打破了。
➢ 由于原子丢失是一个带
负电的电子，所以总体上 呈现正电性。
➢ 当原子得到一个电子时
,总体上呈现负电性
➢ 当它得到一个电子，那
么就可以重新平衡
放电