片式多层陶瓷电容

2
+65
4
+85
5
+105
6
+125
7
+150
8
+200
9
片式多层陶瓷电容
(e) 在整个温度范围
内 ΔC/C极大值
%
±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10.0 ±15.0 ±22.0
+22/-33
+22/-56
+22/-82
(a) （e）行
的 字母代码
A B C D E F P R S T U V
(b) (a)行有效数
字母代码
C B L A M P R S T U
(c) 对(a)行适
用 的倍数
(d) (c)行倍数的
数字代码
0
-1.0
1
-10
2
-100
3
-1000
4
-10000
5
+1
6
+10
7
+100
8
+1000
9
+10000
片式多层陶瓷电容
(e) 温度系数 允许偏差
±30 ±60 ±120 ±250 ±500 ±1000 ±2500
烯PS、聚碳酸酯PC、聚2,6萘乙烯酯PEN、 聚苯硫醚PPS）
• 电解类：钽、铝电解液、有机半导体络合
盐TCNQ、导电聚合物阴极聚吡咯（PPY）\ 聚噻吩（PTN）
• 其他类（云母、云母纸、空气）
片式多层陶瓷电容
2）各类电容器的特点
• MLCC（1类）-微型化、高频化、超低损耗、低
ESR、高稳定、高耐压、高绝缘、高可靠、无极 性、低容值、低成本、耐高温
2类陶瓷介质的温度特性
• X7R:ΔC/C±15%，
(-55℃~125℃)
• X5R:ΔC/C±15%，
(-55℃~85℃)
• Z5U:ΔC/C+22~-56%，
(+10℃~+85℃)
• Y5V:ΔC/C+22~-82%，
(-30℃~+85℃)
片式多层陶瓷电容
4.电容在电路中的作用
• 滤波 • 耦合 • 去耦 • 旁路 • 谐振 • 时间常数（定时） • 自举升压电容 • 预加重 • 补偿 • 反馈
• 1）MLCC的概念：
MLCC (Multi-Layer Ceramic Chip Capacitor) 片式多层陶瓷电容器的英文缩写
片式多层陶瓷电容
2）MLCC内部结构示意图
片式多层wk.baidu.com瓷电容
3） MLCC制造工艺流程
片式多层陶瓷电容
4）陶瓷介质电容器的分类
• 1类陶瓷介质——顺电体，线性温度系数，
D4
u2
D1
S +
D3
C–
uo
D2
RL
b
片式多层陶瓷电容
2.名词解释-耦合、退耦：
• 耦合：连接于信号源和信号处理电路或两级放大
器之前，用以隔断直流电，让交流或脉动信号通 过，使相邻的放大器直流工作点互不影响。（广 义的理解：信号之间的传递）
• 退耦：并接于电路和正负极之间，可防止电路通
过电源内阻形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。 （消除或减轻两个或两个以上电路间在某方面的 相互影响的方法称为退耦。）
片式多层陶瓷电容
内容提要
• 1.电容的基础知识 • 2.电容的分类及特点 • 3.MLCC的基础知识 • 4.电容在电路中的作用 • 5.MLCC的应用
片式多层陶瓷电容
1.电容的基础知识
• 1）概念： • 能存储电荷的容器。 • 电容器基本模型是一种中间被电介质材料
隔开的的双层导体电极所构成的单片器件。 这种介质必须是纯绝缘材料。电容器常用 的介质材料有空气、天然介质、合成材料。 电容器所用陶瓷介质是以钛酸盐为主要成 份。
片式多层陶瓷电容
1.名词解释-滤波
• 并接在电路正负极之间，把电路中无用的
交流去掉，一般采用大容量电解电容，也 有采用其他固定电容器的。
• （将整流后的单向脉动电流中的交流分量
滤支，使单向脉动电流变成平滑的直流电 流。）
片式多层陶瓷电容
实例：整流滤波电路（方框图）
全波整流电容滤波电路
a
u1 u1
• MLCC（2类）-微型化、高比容、中高压、无极性、
高可靠、耐高温、低ESR、低成本
• 钽电解电容器-高容值、低绝缘、有极性、低耐压、
高成本
• 铝电解电容器-超高容值、漏电流大、有极性 • 有机薄膜电容器-中容值、高耐压、低损耗、较稳
定、无极性、高成本、耐高温性差
片式多层陶瓷电容
3.MLCC的基础知识
片式多层陶瓷电容
实例：谐振电路
片式多层陶瓷电容
5）时间常数
• 在RC定时电路中与电阻R串联共同决定时间
(f) (e)行 允许偏差 字符代码
G H J K L M N
1类陶瓷介质温度系数
• EIA代码(简码) 温度系数及其允许偏差 • C0G （NP0） 0 ppm/℃±30 ppm/℃ • R2G (N220) -220 ppm/℃±30 ppm/℃ • U2J (N750) -750 ppm/℃±120ppm/℃ • T3K(N4700) -4700
片式多层陶瓷电容
实例：耦合、退耦电路
片式多层陶瓷电容
3.名词解释-旁路电容
• 并接在电阻两端或由某点直接跨接至共用
电位为交直流信号中的交流或脉动信号设 置一条通路，避免交流成分在通过电阻时 产生压降。
片式多层陶瓷电容
实例：旁路滤波电路（电路图）
片式多层陶瓷电容
4.名词解释-谐振
当接收电路的固有频率跟接收到的 电磁波的频率相同时，接收电路中 产生的振荡电流最强。 这种现象就叫做电谐振
ppm/℃±250ppm/℃
• M7G(P100) +100 ppm/℃±30 ppm/℃
片式多层陶瓷电容
附2：2类瓷的标志代码（ ANSI/EIA 198-E）
(a) 下限类别温
度 /℃
+10 -30 -55
(b) （a）行
的 字母代
码
Z Y X
(c)
(d)
上限类别温度 （c）行
/℃
的
数字代码
+45
热稳定型或热补偿型
• 2类陶瓷介质——铁电体，非线性温度特性，
高比体积电容，小型化、微型化
• 3类陶瓷介质——阻挡层或晶界层型陶瓷 ，
单层型圆片电容器介质
片式多层陶瓷电容
附1）1类瓷的标志代码（ ANSI/EIA 198-E）
(a) 电容量 温度系数 有效位数
（ ppm/℃
）
0.0 0.3 0.8 0.9 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 7.5
片式多层陶瓷电容
2）电容器两个重要的特性
• 通交隔直 • 在充电或放电的过程中，两极板上的电荷
有积累过程，或者说极板上的电压有建立 过程，因此电容器上的电压不能突变
片式多层陶瓷电容
2.电容器的分类及特点
• 1）电容器的分类 • 陶瓷介质类（1、2、3类） • 有机薄膜类（聚酯PET、聚丙烯PP、聚苯乙