半导体芯片制造中级工试题
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案2025年
2025年招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体工艺中，使用多种类型的光刻胶，其中最常用于大规模集成电路生产的是（）。
A. GRI-45B. GRI-25C. GRI-46D. GRI-422、MOS（金属-氧化物-半导体）制作技术中，晶体管结构所采用的材料中不包括（）。
A. 金属B. 绝缘体C. 导电材料D. 电阻体3.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的半导体制造流程？A. 氧化B.光刻C. 薄膜沉积D. 清洗4.下列哪种材料是用于制作半导体器件的理想材料？A. 铜B. 锌C. 石墨D. 硅5、以下哪个半导体工艺技术能够实现更小的晶体管尺寸？A、传统CMOS工艺B、FinFET工艺C、GAAFET工艺D、平面晶体管工艺6、在半导体制造过程中，以下哪个步骤是为了提高硅片的纯度？A、扩散B、蚀刻C、清洗D、热处理7、半导体材料中最常用的材料是什么？（）A. 硅（Si）B. 铜（Cu）C. 金（Au）D. 镁（Mg）8、在芯片制造过程中，光刻技术的主要作用是什么？（）A. 去除不需要的材料B. 增加材料的功能性C. 将电路设计图案转移到硅片上D. 加热固化硅片结构9.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的CMOS工艺流程？A. 氧化硅膜沉积B. 光刻C. 切割D. 离子注入 10.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 栅极D. 上述全部二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪个物理现象通常用于提高晶体管开关速度？（）A、短沟道效应B、量子隧道效应C、沟道极化D、多晶硅栅极2、在数字电路中，一种常见的数字缓冲器是 _ 。
（）A、反馈触发器B、D触发器C、三态缓冲器D、差分放大器3.以下关于半导体材料的说法正确的是（）：A. SiC的禁带宽度比 Si 更宽B. GaN的发光效率比 Si 更高C. InGaAs 的电子迁移率比 Si 更快D. ZnSe可以用于制造红光 LED4.在半导体器件制造中，对于离子注入工艺，正确的工作原则包括（）：A. 离子注入可以形成三维空间中的杂质分布B. 注入离子可以改变晶格特性，增强材料强度C. 注入离子能量过高，可能导致晶体缺陷D. 离子注入温度应当尽可能高，以提高注入效率5.半导体芯片制造过程中，哪些步骤通常需要使用光刻技术？A. 芯片设计B. 光刻C. 薄膜沉积D. 金属化6.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 次沟道区D. 栅极7、在半导体的制造过程中，以下哪个工艺步骤不用于清洗晶圆？A. 刻蚀B. 化学机械抛光C. 清洁去毛刺D.湿法沉积8、在半导体制造过程中，以下哪种类型的晶圆对齐是用来确保图案精确地转移到光罩上的？A. 接触式对准B. 深亚微米对准C. 缩放对准D. 光学对准9.在半导体行业中，晶体管通常分为两种类型：双极型晶体管（BJTs）和场效应晶体管（FETs）。
半导体制造技术考试答案(考试必看
1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
2、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？3、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
6、问答题说明影响氧化速率的因素。
7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
9、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
10、问答题以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
12、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？13、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
14、问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
15、问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g 各段的名称。
可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
16、问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
17、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
18、问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？19、问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
20、问答题简述几种典型真空泵的工作原理。
21、问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？22、问答题下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。
半导体芯片制造中级工题库6-1-8
半导体芯片制造中级工题库6-1-8
问题：
[判断题]晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。
（）
A.正确
B.错误
/ 郑多燕瘦身操
问题：
[判断题]设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能也就越高，对烧结越有利。
（）
A.正确
B.错误
问题：
[判断题]厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。
（）
A.正确
B.错误。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案(某大型国企)
招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(某大型国企)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、以下哪个选项不属于半导体制造过程中的关键步骤？A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、组装2、在半导体行业中，以下哪个术语用来描述晶体管中用于控制电流流动的导电区域？A、源极B、栅极C、漏极D、基区3、题干：以下关于半导体制造工艺的描述，正确的是：A、光刻工艺是将光刻胶图案转移到硅片上的过程。
B、蚀刻工艺是利用光刻胶保护硅片，通过化学或物理方法去除硅片表面不需要的层。
C、离子注入是将离子直接注入硅片表面，用于掺杂的过程。
D、扩散工艺是通过在硅片表面形成一层光刻胶，然后利用高温使杂质原子扩散到硅片中。
4、题干：在半导体制造过程中，以下哪种缺陷类型对芯片性能影响最为严重？A、表面缺陷B、体缺陷C、界面缺陷D、晶格缺陷5、在半导体制造过程中，以下哪种材料通常用于制造晶圆的基板？A. 石英玻璃B. 单晶硅C. 聚酰亚胺D. 氧化铝6、以下哪种技术用于在半导体器件中实现三维结构，从而提高器件的集成度和性能？A. 厚膜技术B. 硅片减薄技术C. 三维封装技术D. 双极型晶体管技术7、在半导体制造过程中，下列哪种缺陷类型是指由于光刻胶在曝光和显影过程中产生的缺陷？A. 逻辑缺陷B. 光刻缺陷C. 杂质缺陷D. 损伤缺陷8、下列哪种技术用于在硅片上形成纳米级结构的半导体器件？A. 溶胶-凝胶法B. 化学气相沉积法（CVD）C. 离子束刻蚀D. 电子束刻蚀9、以下哪项不属于半导体制造过程中的关键步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、焊接二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、掺杂2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A、晶体管结构B、工艺节点C、材料选择D、功耗控制E、封装设计3、以下哪些技术是现代半导体制造中常用的光刻技术？A. 干法光刻B. 湿法光刻C. 电子束光刻D. 紫外光刻E. 激光直接成像4、下列关于半导体材料掺杂的描述，正确的是：A. N型半导体通过加入五价元素如磷（P）或砷（As）来制造B. P型半导体通过加入三价元素如硼（B）或铟（In）来制造C. 掺杂的目的是增加半导体的导电性D. 杂质原子在半导体中的浓度被称为掺杂浓度E. 掺杂过程会改变半导体的电学性质5、以下哪些技术属于半导体制造过程中常用的光刻技术？（）A. 光刻胶技术B. 具有纳米级分辨率的电子束光刻C. 紫外光光刻D. 平板印刷技术E. 双光束干涉光刻6、以下哪些因素会影响半导体器件的可靠性？（）A. 热稳定性B. 电压应力C. 材料纯度D. 封装设计E. 环境因素7、以下哪些是半导体制造过程中常见的缺陷类型？（）A. 晶圆划痕B. 氧化层破裂C. 线路短路D. 热应力裂纹E. 杂质沾污8、在半导体器件的测试与表征中，以下哪些方法用于评估器件的电气特性？（）A. 频域分析B. 温度特性测试C. 噪声分析D. 瞬态响应测试E. 微观结构分析9、以下哪些是半导体制造过程中常用的物理或化学方法？（）A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 磨光E. 蚀刻三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接将电路图案转移到硅片上的关键步骤。
半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试练习.doc
半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试练习考试时间：120分钟 考试总分：100分题号 一 二 三 四 五 总分 分数遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning （SADP ）的工艺流程图。
本题答案：2、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line ，姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
本题答案：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。
电子在导电过程中会撞击导本题解析：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。
电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。
该现象称为电迁移。
在导电过程中，电迁移不断积累，并最终在导体中产生分散的缺陷。
这些缺陷随后集合成大的空洞，造成断路。
因此，电迁移直接影响电路的可靠性。
采用铜互连可大幅降低金属互连线的电阻从而减少互连造成的延迟。
铜的电迁移比铝材料小很多：铜的晶格扩散的激活能为2.2eV，晶界扩散结合能在0.7到1.2eV之间；而铝分别为1.4eV和0.4-0.8eV.采用低介电常数材料填充平行导线之间的空间可降低金属互连线之间的电容从而减少延迟。
采用铜/low-k互连可大幅减小互连pitch，从而减少互连金属层数。
3、问答题简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。
本题答案：APCVD一些最早的CVD工艺是在大气压下进行的，由于反应速率快，CVD 系统简单，适于较厚的介质淀积。
半导体芯片制造中级工试题
1、单项选择题半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。
外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。
A.热阻B.阻抗C.结构参数2、填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
3、单项选择题反应离子腐蚀是（）。
A.化学刻蚀机理B.物理刻蚀机理C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合4、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
A.掩膜版B.扩散C.光刻5、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
6、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A.扩散层质量B.设计C.光刻7、单项选择题溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.电子B.中性粒子C.带能离子8、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料B.玻璃C.金属9、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。
10、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
11、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂12、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
14、问答题什么叫晶体缺陷?15、问答题简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量?16、问答题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求?17、单项选择题双极晶体管的高频参数是（）A.hFEVcesB.BVceC.ftfm18、单项选择题塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间A.准备工具B.准备模塑料C.模塑料预热19、填空题外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。
半导体芯片制造中级复习题a.doc
半导体芯片制造中级工复习题-判断题：1.单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。
（A/）2.迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。
掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。
同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。
（“）3.点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的复合体。
（丿）4.位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。
（J）5.抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。
（X）6.液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。
（J ）7・离子源是产生离子的装置。
（“）8.半导体芯片制造工艺对水质的要求一般. （x ）9.光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。
（“）10・设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理，可直接进入净化区。
（x ） 11・干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。
（“）12・光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。
（x ）13.在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。
因此要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性能上相互绝缘。
（J）14・金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。
（“）15.表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。
（“）二选择题1.下列材料属于N型半导体是AC 。
A硅中掺有元素杂质磷（P）、碑（As） B.硅中掺有元素杂质硼（B）、铝（Al）C神化铢掺有元素杂质硅（Si）、确（Te） D.神化铢中掺元素杂质锌、镉、镁2.属于绝缘体的正确答案是一 B 。
半导体工艺及芯片制造技术问题答案（全）.
半导体工艺及芯片制造技术问题答案（全）.常用术语翻译1.active region 有源区2.active component有源器件3.Anneal退火4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积5.BEOL（生产线）后端工序6.BiCMOS双极CMOS7.bonding wire 焊线，引线8.BPSG 硼磷硅玻璃9.channel length沟道长度10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化12.damascene 大马士革工艺13.deposition淀积14.diffusion 扩散15.dopant concentration掺杂浓度16.dry oxidation 干法氧化17.epitaxial layer 外延层18.etch rate 刻蚀速率19.fabrication制造20.gate oxide 栅氧化硅21.IC reliability 集成电路可靠性22.interlayer dielectric 层间介质（ILD）23.ion implanter 离子注入机24.magnetron sputtering 磁控溅射25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积26.pc board 印刷电路板27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD28.polish 抛光29.RF sputtering 射频溅射30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）第一章半导体产业介绍1. 什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？(15分)集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。
集成电路芯片/元件数产业周期无集成 1 1960年前小规模(SSI) 2到50 20世纪60年代前期中规模(MSI) 50到5000 20世纪60年代到70年代前期大规模(LSI) 5000到10万 20世纪70年代前期到后期超大规模(VLSI) 10万到100万 20世纪70年代后期到80年代后期甚大规模(ULSI) 大于100万 20世纪90年代后期到现在2. 写出IC 制造的５个步骤？(15分)Wafer preparation(硅片准备)Wafer fabrication (硅片制造)Wafer test/sort (硅片测试和拣选)Assembly and packaging (装配和封装)Final test(终测)3. 写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？(15分)发展方向：提高芯片性能——提升速度(关键尺寸降低,集成度提高,研发采用新材料)，降低功耗。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案
招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体器件中，以下哪个材料是制作晶体管的最佳选择？A、硅（Si）B、锗（Ge）C、砷化镓（GaAs）D、碳化硅（SiC）2、在半导体工艺中，以下哪个步骤用于形成晶体管的有源区？A、光刻B、扩散C、蚀刻D、离子注入3、题干：在半导体制造过程中，下列哪种设备用于在硅片上形成绝缘层？A. 溶胶-凝胶法B. 气相沉积法C. 化学气相沉积法D. 离子注入法4、题干：下列哪种材料在制造芯片时用作硅片的基板？B. 蓝宝石C. 硅D. 玻璃5、题干：在半导体制造过程中，以下哪个步骤是用于形成晶体管的沟道区域？A. 源极/栅极/漏极扩散B. 化学气相沉积（CVD）C. 光刻D. 离子注入6、题干：以下哪个选项不是半导体器件性能退化的主要因素？A. 氧化B. 金属污染C. 温度D. 磁场7、以下哪种技术不属于半导体制造中的光刻技术？A. 具有曝光光源的接触式光刻B. 具有投影光源的接触式光刻C. 具有曝光光源的投影式光刻D. 具有投影光源的扫描式光刻8、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是用来形成半导体器件中的掺杂层的？A. 离子注入B. 化学气相沉积D. 硅烷刻蚀9、在半导体制造过程中，下列哪一种工艺主要用于晶体管的掺杂？A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 光刻 10、以下哪一项不是半导体芯片制造过程中的关键环节？A. 材料制备B. 设备测试C. 晶圆加工D. 封装测试二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 沉积C. 刻蚀D. 化学气相沉积E. 离子注入2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A. 电路设计B. 材料选择C. 制造工艺D. 封装技术E. 电源电压3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？A. 光刻B. 溅射C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 硅片切割4、以下哪些是影响半导体器件性能的主要因素？A. 杂质浓度B. 静电放电C. 温度D. 电压E. 射线辐照5、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 硅片切割E. 激光打标6、在芯片设计过程中，以下哪些工具或方法有助于提高设计效率？A. 逻辑综合B. 硅基模拟C. 动态仿真D. FPGA原型E. 硅验证7、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A. 光刻B. 刻蚀C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 线宽控制8、以下哪些因素会影响芯片的性能？（）A. 集成度B. 电压C. 温度D. 材料E. 制造工艺9、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 晶圆切割E. 热处理 10、以下哪些是影响半导体器件性能的关键参数？（）A. 集电极电压B. 跨导C. 开关速度D. 噪声电压E. 耗散功率三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。
半导体或芯片岗位招聘笔试题及解答(某世界500强集团)
招聘半导体或芯片岗位笔试题及解答(某世界500强集团)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、下列关于半导体材料的描述，错误的是：A、半导体材料在室温下的导电性介于导体和绝缘体之间。
B、常见的半导体材料有硅、锗等。
C、半导体材料的导电性可以通过掺杂来调节。
D、半导体材料在高温下的导电性会降低。
2、在半导体芯片制造过程中，以下哪个步骤是为了提高芯片的集成度？A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积3、以下哪种类型的晶体管是现代半导体器件中应用最为广泛的？A、双极型晶体管（BJT）B、金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）C、隧道晶体管（Tunnel FET）D、光晶体管（Phototransistor）4、在半导体制造过程中，用于去除硅片表面杂质的工艺是？A、光刻（Photolithography）B、蚀刻（Etching）C、离子注入（Ion Implantation）D、化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）5、在半导体制造过程中，以下哪种设备用于在硅片表面形成绝缘层？A. 离子注入机B. 化学气相沉积（CVD）设备C. 离子束刻蚀机D. 线宽测量仪6、在芯片设计过程中，以下哪个术语描述了晶体管中电子流动的方向？A. 电流B. 电压C. 漏极D. 源极7、以下哪个选项不属于半导体制造过程中的关键步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 钎焊8、以下哪种类型的晶体管在数字电路中应用最为广泛？（）A. 双极型晶体管B. 场效应晶体管C. 双栅场效应晶体管D. 双极型与场效应晶体管的混合结构9、以下哪个选项不属于半导体制造过程中常见的物理气相沉积（PVD）技术？A. 真空蒸发B. 离子束刻蚀C. 化学气相沉积D. 热丝蒸发 10、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是为了提高晶圆的表面平整度？A. 光刻B. 化学机械抛光（CMP）C. 离子注入D. 硅片切割二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、化学气相沉积D、离子注入E、封装2、以下关于芯片设计的描述，正确的是？（）A、芯片设计主要包括逻辑设计、物理设计和验证设计B、逻辑设计关注电路的功能实现，物理设计关注电路的布局和布线C、验证设计确保设计的正确性，通常通过仿真和测试来完成D、芯片设计过程中，设计者需要考虑功耗、性能和面积等因素E、以上都是3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 线宽测量E. 晶圆切割4、以下关于半导体材料的描述中，正确的是？（）A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体或芯片岗位招聘笔试题及解答(某大型国企)
招聘半导体或芯片岗位笔试题及解答(某大型国企)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、下列哪种材料最适合用于制造半导体器件？A. 铜B. 硅C. 金D. 银答案：B解析：在这些选项中，硅是最常用的半导体材料。
铜、金和银都是良好的导体，而非半导体，因此不适合用来制造半导体器件。
2、在P型半导体中，多数载流子是什么？A. 自由电子B. 空穴C. 质子D. 中子答案：B解析： P型半导体是通过向纯半导体（如硅）中掺入三价元素（如硼）来形成的。
这种掺杂会创造出额外的空穴，这些空穴成为多数载流子。
自由电子则成为少数载流子。
质子和中子不是半导体中的载流子。
3、在半导体工艺中，以下哪种材料常用于制造N型半导体？A. 硼（B）B. 磷（P）C. 镓（Ga）D. 硅（Si）但未经掺杂答案：B解析：N型半导体是指在半导体材料中掺入少量五价元素（如磷P）后形成的半导体。
这些五价元素替代了半导体中的某些四价元素（如硅Si或锗Ge中的原子），从而产生了多余的自由电子，使得半导体导电性增强，并呈现出带负电的特性，即N型半导体。
硼（B）是三价元素，常用于制造P型半导体；镓（Ga）和硅（Si）本身并不直接决定半导体的类型，而是需要通过掺杂其他元素来改变其导电性。
4、在CMOS（互补金属氧化物半导体）技术中，以下哪个组件通常用于实现逻辑非（NOT）门的功能？A. NMOS晶体管B. PMOS晶体管C. NMOS和PMOS晶体管组合D. 电阻和电容组合答案：C解析：在CMOS技术中，逻辑非（NOT）门通常由一对互补的MOS晶体管（即NMOS 和PMOS晶体管）组合而成。
这种配置利用了NMOS晶体管在逻辑高（接近电源电压）时导通、PMOS晶体管在逻辑低（接近地电位）时导通的特性。
当输入为高电平时，NMOS 晶体管导通，将输出拉至低电平；当输入为低电平时，PMOS晶体管导通，将输出拉至高电平。
这样，就实现了逻辑非的功能。
半导体或芯片岗位招聘笔试题及解答(某大型央企)
招聘半导体或芯片岗位笔试题及解答(某大型央企)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体行业中，以下哪种材料通常用作硅晶圆的衬底材料？A. 氧化铝B. 硅C. 硅碳D. 氧化硅2、在芯片制造过程中，以下哪种工艺属于光刻工艺的范畴？A. 刻蚀B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 光刻3、以下哪个选项不属于半导体制造过程中使用的蚀刻技术？A. 化学蚀刻B. 物理蚀刻C. 光刻D. 激光蚀刻4、在半导体器件中，以下哪种现象与二极管正向导通有关？A. 内部电流增大B. 内部电流减小C. 内部电势降低D. 内部电势升高5、以下哪种元素是半导体材料的主要成分？A. 钙（Ca）B. 铝（Al）C. 硅（Si）D. 钾（K）6、在半导体器件中，用于控制电流通断的器件称为：A. 电阻B. 晶体管C. 电容D. 电感7、题干：在半导体制造过程中，用于去除硅片表面的杂质和氧化物层的工艺称为：A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 化学机械抛光D. 硅片清洗8、题干：在芯片设计中，以下哪项技术用于提高晶体管的工作速度？A. 多晶硅技术B. 封装技术C. 纳米技术D. 缓存技术9、题干：在半导体制造过程中，用于将硅晶圆表面氧化形成绝缘层的工艺是：A. 光刻B. 离子注入C. 化学气相沉积D. 硅片切割二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些选项是半导体制造过程中常用的化学气体？（）A、氮气（N2）B、氢气（H2）C、氯气（Cl2）D、氧气（O2）E、氟化氢（HF）2、以下哪些技术是用于提高半导体芯片集成度的关键？（）A、CMOS技术B、FinFET技术C、3D集成电路技术D、量子点技术E、微机电系统（MEMS）3、以下哪些是半导体制造过程中常见的缺陷类型？（）A、表面划痕B、孔洞缺陷C、金属化层缺陷D、硅片位错E、氧化层缺陷4、在芯片设计中，以下哪些是常用的数字设计技术？（）A、组合逻辑设计B、时序逻辑设计C、模拟电路设计D、数字信号处理E、VLSI设计5、以下哪些技术或工艺与半导体制造密切相关？（）A. 光刻技术B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 热氧化E. 机械加工6、在半导体器件设计中，以下哪些因素会影响器件的功耗？（）A. 工作电压B. 静态功耗C. 动态功耗D. 工作频率E. 材料特性7、以下哪些属于半导体制造工艺流程的关键步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、热处理8、以下哪些因素会影响半导体器件的性能？（）A、半导体材料的纯度B、器件的结构设计C、温度D、电场强度E、工作频率9、以下哪些选项是半导体制造过程中常见的材料？A. 高纯度硅B. 硅酸盐C. 金D. 光刻胶三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、集成电路的制造过程中，光刻步骤是直接在硅晶圆上进行的，无需任何掩模。
半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试卷.doc
半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试卷考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题说明影响氧化速率的因素。
本题答案： 2、问答题个投影曝光系统采用ArF 光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。
本题答案： 3、填空题研究细胞结构和功能异常与疾病关系的细胞生物学分支称为（ ）。
本题答案： 4、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？ 本题答案： 5、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
本题答案： 6、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
本题答案： 7、问答题姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
本题答案：8、问答题分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
本题答案：9、问答题简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
本题答案：10、问答题下图为一个典型的离子注入系统。
（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。
（2）阐述部件2的工作原理。
本题答案：11、问答题采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？本题答案：12、问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？本题答案：13、问答题下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反l18、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。
给工作人士用的--集成电路制造中级工程师考试资料
给工作人士用的--集成电路制造中级工程师考试资料半导体芯片制造中级工程师职业鉴定目录半导体芯片制造中级工程师职业鉴定 (1)基础知识 (4)1.第一代半导体材料：硅、锗； (4)2.导体、绝缘体、半导体 (4)3.半导体材料特征 (4)4.N型半导体 (5)5.P型半导体 (5)6.单晶、多晶 (5)7.半导体晶体结构 (5)8.常用半导体材料的晶体生长方向 (5)9.电导率和电阻率 (6)10.迁移率 (6)11.方块电阻 (6)12.晶体缺陷 (6)13.弹性形变 (7)14.范性形变 (7)15.位错 (7)16.层错 (7)17.半导体材料表征参数 (7)18.单晶材料制备方法 (8)19.化合物半导体制备方法 (8)20.砷化镓单晶材料的应用 (8)21.InP单晶的主要应用 (8)22.常用清洗剂的配方 (8)23.衬底清洗过程 (8)24.石英器具清洗过程 (9)25.抛光片检测项目 (9)26.抛光片质量要求 (9)27.砷化镓抛光片的清洗 (9)28.InP抛光片的清洗 (9)29.外延片优点及用途 (10)30.外延片检测项目 (10)31.外延生长 (10)32.同质外延 (10)33.异质外延 (10)34.外延生长种类 (10)35.化学气相外延概述 (11)36.硅化学气相外延概述 (11)37.硅外延生长工艺 (11)38.原位气相腐蚀抛光 (11)39.硅外延片质量要求 (11)40.硅外延反应源 (12)35.影响外延生长速度因素 (12)36.影响反应速度因素 (12)37.硅外延片应用 (12)38.离子概念 (13)39.离子注入概念 (13)40.离子注入优点 (13)41.离子注入能量损失机构 (13)42.沟道效应 (13)43.沟道离子、非沟道离子、准沟道离子 (14)44.离子注入机主要组成部分及相应作用 (14)45.离子注入的能量和能量单位 (14)47.半导体芯片制造厂对厂房洁净度的要求（见教材31页）。
半导体芯片制造工半导体芯片制造中级工考试卷模拟考试题.docx
《半导体芯片制造中级工》考试时间：120分钟 考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、下列材料属于N 型半导体是（）。
（ ）A.硅中掺有元素杂质磷（P ）、砷（As ）B.硅中掺有元素杂质硼、铝（Al ）C.砷化镓掺有元素杂质硅（Si ）、碲（TE ）D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁2、属于绝缘体的正确答案是（）。
（ ）A.金属、石墨、人体、大地B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷C.硅、锗、砷化镓、磷化铟D.各种酸、碱、盐的水溶液3、说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：（ ）A.逻辑设计B.物理设计C.电路设计D.系统设计4、腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）（ ） A.盐酸 B.硫酸 C.硝酸 D.氢氟酸姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线-------------------------5、下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）（）A.单基极条图形B.双基极条图形C.基极和集电极引线孔都是马蹄形结构D.梳状结构6、位错的形成原因是（）。
（）A.位错就是由弹性形变造成的B.位错就是由重力造成的C.位错就是由范性形变造成的D.以上答案都不对7、硅外延生长工艺包括（）。
（）A.衬底制备B.原位HCl腐蚀C.生长温度，生长压力，生长速度D.尾气的处理8、硅外延片的应用包括（）。
（）A.二极管和三极管B.电力电子器件C.大规模集成电路D.超大规模集成电路9、离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
（）A.能量B.剂量10、离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案(某世界500强集团)
招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(某世界500强集团)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体制造过程中，以下哪个步骤属于光刻工艺？A. 清洗B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 刻蚀2、以下哪种半导体器件属于场效应晶体管（FET）？A. 双极型晶体管（BJT）B. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）C. 晶体管-晶体管逻辑（TTL）D. 二极管3、在半导体制造过程中，以下哪项工艺是用于制造晶体管的？A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 热处理4、在半导体芯片制造中，以下哪种缺陷检测方法主要用于检测晶体管中的漏电流问题？A. X射线检测B. 电子显微镜检测C. 荧光检测D. 原子力显微镜检测5、在半导体制造过程中，以下哪种工艺用于去除硅片表面的杂质和缺陷？A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 化学机械抛光（CMP）6、在芯片设计中，以下哪种设计方法可以提高芯片的集成度和性能？A. 逻辑门级设计B. 结构级设计C. 电路级设计D. 体系级设计7、以下哪项不是半导体制造过程中的关键工艺步骤？A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 热压焊接8、以下哪种材料不是常用的半导体绝缘材料？A. 氧化硅B. 氮化硅C. 氮化铝D. 硅9、在半导体制造过程中，以下哪种设备主要用于去除晶圆表面的杂质和缺陷？A. 化学机械抛光机（CMP）B. 刻蚀机C. 离子注入机D. 硅片清洗机 10、以下哪种半导体器件在工作时会产生电流，而电流的大小与输入电压成正比？A. 变容二极管B. 线性稳压器C. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）D. 二极管二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、封装2、以下关于芯片设计的相关术语，正确的是？（）A、CPU是中央处理单元的缩写B、GPU是图形处理单元的缩写C、FPGA是现场可编程门阵列的缩写D、ASIC是专用集成电路的缩写E、CPU的主频表示其每秒可以执行的指令数3、以下哪些技术是现代半导体制造中常用的光刻技术？（）A. 克雷顿光刻技术B. 紫外光刻技术C. 电子束光刻技术D. 纳米压印光刻技术4、在半导体制造过程中，以下哪些工艺步骤属于化学气相沉积（CVD）技术？（）A. 氧化硅的沉积B. 氮化硅的沉积C. 多晶硅的制备D. 氧化物的蚀刻5、以下哪些是半导体制造过程中常用的清洗技术？（）A. 水洗B. 氨水清洗C. 酸洗D. 离子液体清洗E. 氩气清洗6、下列哪些因素会影响半导体器件的可靠性？（）A. 材料质量B. 制造工艺C. 环境因素D. 使用条件E. 封装设计7、以下哪些是半导体制造过程中常用的光刻技术？（）A. 光刻机B. 干法刻蚀C. 湿法刻蚀D. 电子束光刻E. 分子束外延8、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A. 电路设计B. 材料选择C. 制程工艺D. 温度控制E. 电源电压9、以下哪些是半导体制造过程中常用的光刻技术？（）A. 光刻胶B. 光刻机C. 电子束光刻D. 紫外线光刻E. 激光直接成像 10、在芯片设计过程中，以下哪些是常见的电路设计语言？（）A. VHDLB. VerilogC. C++D. SystemCE. SPICE三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体制造过程中，光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。
半导体芯片制造工：半导体制造技术模拟考试.doc
半导体芯片制造工：半导体制造技术模拟考试考试时间：120分钟 考试总分：100分题号 一 二 三 四 五 总分 分数遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。
1、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
本题答案：结晶形SiO2由Si-O 四本题解析：结晶形SiO2由Si-O 四面体在空间规则排列构成每个顶角的O 原子与两个相邻四面体中心的Si 原子形成共价键。
无定形SiO2Si-O 四面体的空间排列没有规律Si-O-Si 键桥的角度不固定，在110-180之间，峰值144。
无定形SiO2的性质：Si-O 四面体在空间的排列无规则，大部分O 与相邻的两个Si-O 四面体的Si 形成共价键（称为桥键氧），也有一部分只与一个Si-O 四面体的Si 形成共价键（称为非桥键氧）；无定形网络疏松、不均匀、有孔洞，SiO2分子约占无定形网络空间体积43%，密度2.15-2.25g/cm3结晶形SiO2密度为2.65g/cm3在无定形SiO2网络中，氧的运动（1-2个Si-O 键）比Si （4个Si-O 键）容易；室温下Si-O 键以共价键为主，也含有离子键成份，随温度的升高，离子键成份比例增大。
密度：一般为2.20g/cm3（无定形，一般用称量法测量）；折射率：是波长的函数，5500左右时为1.46，密度较大则折射率较大；电阻率：高温干氧氧化法制备的SiO2电阻率高达1016cm ；介电强度：单位厚度的SiO2所能承受的最小击穿电压，与致密程度、均匀性、杂质含量等因素有关，一般为106-107V/cm ；化学性质：非常稳定，室温下只与氢氟酸发生反应：姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------2、问答题什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？本题答案：非对称性常用偏斜度（skewness）表本题解析：非对称性常用偏斜度（skewness）表示：为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加，即x＜Rp区域浓度增加。
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1、单项选择题半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。
外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。
A.热阻
B.阻抗
C.结构参数
2、填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
3、单项选择题反应离子腐蚀是（）。
A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
4、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
B.扩散
C.光刻
5、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
6、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A.扩散层质量
B.设计
C.光刻
7、单项选择题溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
B.中性粒子
C.带能离子
8、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A.塑料
B.玻璃
C.金属
9、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。
10、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
11、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂
B.热固性或橡胶型胶粘剂
12、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
13、填空题芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
14、问答题什么叫晶体缺陷？
15、问答题简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？
16、问答题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？
17、单项选择题双极晶体管的高频参数是（）。
A.hFEVces
B.BVce
C.ftfm
18、单项选择题塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。
A.准备工具
B.准备模塑料
C.模塑料预热
19、填空题外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。
20、单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。
A.管帽变形
B.镀金层的变形
C.底座变形
21、填空题如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。
22、单项选择题禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受
23、填空题最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。
24、填空题厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。
25、单项选择题在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。
A.80％～90％
B.10％～20％
C.40％-50％
26、填空题硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。
砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
27、单项选择题厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。
A.降低
B.升高
C.保持不变
28、单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（）。
A.小于0.1mm
B.0.5～2.0mm
C.大于2.0mm
29、问答题简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
30、单项选择题双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。
A.基区宽度
B.外延层厚度
C.表面界面状态
31、单项选择题变容二极管的电容量随（）变化。
A.正偏电流
B.反偏电压
C.结温
32、填空题禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
33、填空题铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
34、填空题二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
35、问答题引线焊接有哪些质量要求？
36、填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.
37、问答题粘封工艺中，常用的材料有哪几类？
38、问答题有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
39、填空题金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（）同类电极系统的楔刀焊接。
40、填空题钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。
41、单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
A.高斯
B.余误差
C.指数
42、填空题半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。
比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。
43、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。
底盘、管帽和引线的材料常常是（）。
A.合金A-42
B.4J29可伐
C.4J34可伐
44、单项选择题平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。
焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的（）。
压力太大，电阻值下降，对形成焊点不利，焊轮压力太小，则造成接触不良，不但形不成良好点。
A.电流值
B.电阻值
C.电压值
45、单项选择题外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。
A.电性能
B.电阻
C.电感
46、问答题洁净区工作人员应注意些什么？
47、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
48、填空题延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
49、问答题单晶片切割的质量要求有哪些？
50、单项选择题在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（）
A.焊接电流、焊接电压和电极压力
B.焊接电流、焊接时间和电极压力
C.焊接电流、焊接电压和焊接时间
51、填空题杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分
为（）扩散和（）扩散两种。