P、N型半导体的形成及原理

P型和N型半导体区别

P型半导体也称为空穴型半导体。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。

在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。

空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

N型半导体也称为电子型半导体。

N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。

自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。

掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

（学习的目的是增长知识，提高能力，相信一分耕耘一分收获，努力就一定可以获得应有的回报）
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p型半导体和n型半导体的概念

p型半导体和n型半导体的概念1. 什么是半导体？嘿，大家好，今天我们来聊聊半导体，尤其是p型半导体和n型半导体。

你可能会想，半导体到底是什么玩意儿？其实，简单来说，半导体就是介于导体和绝缘体之间的一种材料。

就像你在沙滩上找到的贝壳，不是海水里的鱼，也不是沙子，它们有自己的特点。

半导体在电子产品中可谓是举足轻重，没有它们，我们的手机、电脑都得“哭爹喊娘”。

说到这里，咱们不妨把话题往前推，先看看这些小家伙是怎么工作的。

1.1 半导体的基本性质半导体的一个重要特性就是它们的导电性可以被调节。

就像你在调音台上调节音量一样，半导体的导电能力可以通过掺杂其他元素来改变。

这就像给你的沙拉里加点盐，味道瞬间变得不一样。

掺杂的过程就是往半导体里加入一些“外援”，从而改变它的电性。

这里面就产生了p型和n型半导体。

2. p型半导体好，接下来咱们聊聊p型半导体。

名字听起来很高大上，其实它的原理并不复杂。

p型半导体是通过掺杂一些带有“缺电子”的元素来制造的。

想象一下，这就像一个热闹的聚会，大家都在开心地跳舞，但突然有几个朋友不小心走开了，留下了空位。

这个“空位”就是我们说的“正电荷”，也就是“洞”。

这些洞实际上是电流的载体，就像聚会上的舞者们在空位之间游走，传递着热情。

2.1 p型半导体的特点p型半导体的一个特别之处就是它的“洞”会吸引电子，形成电流。

就像你在游乐园里排队玩过山车，队伍中的人越多，气氛越热烈。

p型半导体中，缺少的电子会让周围的电子更积极地参与到“舞会”中。

这使得p型半导体在电子器件中发挥着重要作用，比如二极管和晶体管。

2.2 p型半导体的应用说到应用，p型半导体可谓是“干将莫邪”，在很多地方都能看到它的身影。

比如在太阳能电池中，p型半导体与n型半导体结合，形成了一个小小的“发电厂”。

阳光一照，电流就开始源源不断地输出，简直就是“坐收渔利”。

所以，如果你有一天想在家里装个太阳能板，没准儿就是p型半导体在帮你省钱呢。

半导体pn结的形成原理

半导体pn结的形成原理半导体pn结是一种半导体器件结构，由p型半导体和n型半导体组成，中间隔离一层窄的无掺杂区域。

它是电子电路中最基本的器件之一，应用广泛，如二极管、LED等。

下面将分步骤阐述半导体pn结的形成原理。

第一步：制备p型半导体和n型半导体。

p型半导体的制备是在硅晶体中通过掺杂5族元素，如铋、镓和铝等。

这些元素的原子外层有一个单独的电子，称为杂质原子。

当投放p型杂质时，硅晶体的少量硼原子将取代一些硅原子。

因为硼原子比硅原子少一个电子，替换后的硅晶体会有一个空位，称为“空穴”。

这样在p型半导体中会有大量的空穴，形成“空穴”电流。

同样，n型半导体是掺杂3族元素后得到的。

3族元素的原子外层有一个多余的电子，称为杂质原子。

当投放n型杂质时，硅晶体中的少量磷原子将取代一些硅原子。

因为磷原子比硅原子多一个电子，替换后的硅晶体中会多出一些自由电子，形成“电子”电流。

第二步：将p型半导体与n型半导体相接触。

现在我们有了p型半导体和n型半导体，然后把它们放在一起，就形成了p-n结。

它们之间的接触面被称为p-n界面。

当p型半导体和n型半导体触碰在一起时，会发生特别的现象。

p型半导体中的空穴会迁移到n型半导体中，n型半导体中的电子也会迁移到p型半导体中。

这种现象称为“扩散”。

第三步：形成屏障。

在形成pn结时，p型半导体中的正离子和n型半导体中的负离子会相互吸引，在p-n界面处会形成一个电势垒，成为屏障。

由于在连接处的电子和空穴将会被固定在接口上，电荷不再能流动。

因此，p-n结只能在一个方向上传导电流，成为二极管。

第四步：应用半导体pn结广泛用于多种电子元器件，如二极管、LED、太阳能电池、Zener二极管等。

非常实用的nmos和pmos晶体管也是由p-n结构成的。

pn结技术被应用于射频线路中的Mixer、振荡器及放大器等电路，也被用于半导体探测器、放大器等。

总的来说，半导体pn结的形成原理与它的应用是相互联系的。

pn结的导电原理

pn结的导电原理pn结是一种常见的半导体器件结构，其导电原理是通过p型半导体和n型半导体之间的结合形成的。

本文将从以下几个方面详细介绍pn结的导电原理。

1. pn结的结构和形成原理pn结是由p型半导体和n型半导体通过扩散、结合等工艺方法形成的。

在p型半导体中，多数载流子是空穴；在n型半导体中，多数载流子是电子。

当两种半导体材料结合形成pn结时，由于材料的不同，形成了空穴浓度较高的p区和电子浓度较高的n区。

在结区域，p区的空穴与n区的电子发生复合，形成了一个带电的耗尽层，这种结构使得pn结具有一些特殊的导电性质。

2. pn结的正向偏置导电原理当外加电压的正极连接在p区，负极连接在n区时，称为正向偏置。

此时，外加电压会使得p区的空穴向耗尽层移动，n区的电子向耗尽层移动，这样会减小耗尽层的宽度，进而减小耗尽层的电阻。

同时，p区的空穴与n区的电子会发生复合，形成电流。

这样，正向电流就能够通过pn结，这种导电状态称为正向导通。

3. pn结的反向偏置导电原理当外加电压的正极连接在n区，负极连接在p区时，称为反向偏置。

此时，由于电压的作用，n区的电子向正极移动，p区的空穴向负极移动，进一步增加耗尽层的宽度，增加耗尽层的电阻。

因此，在反向偏置下，pn结的导电性能非常差，只有极小的反向漏电流。

4. pn结的击穿现象和导电原理当反向偏置电压继续增大，超过了pn结的击穿电压时，就会发生击穿现象。

在击穿时，耗尽层中的电子和空穴会受到电场的加速，产生大量的电子空穴对，导致电流剧增。

这种情况下，pn结的导电性能会急剧提高，形成击穿电流。

5. pn结的温度对导电性能的影响温度对pn结的导电性能也有一定影响。

一般来说，温度升高会导致载流子的浓度增加，从而增加导电性能。

但是，在一定温度范围内，温度升高也会使得载流子的复合速率增加，导致导电性能下降。

因此，在实际应用中，需要根据具体的温度条件来选择合适的pn结器件。

pn结的导电原理是通过正向偏置和反向偏置下的载流子移动和复合，以及击穿现象来实现的。

n型半导体p型半导体

在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体。

半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

晶体管可以简单地理解为一种微型的开关，根据不同的组合设计，具有整流、放大、开关、稳压等等功能；制作晶体管的关键就是半导体材料，因为半导体材料一般具有特殊性质，比如硅掺入磷元素可以形成N型半导体，掺入硼元素可以形成P型半导体。

n型p型半导体

n型p型半导体N型和P型半导体是半导体材料中最基本的两种类型，它们在电子学和半导体器件中起着至关重要的作用。

本文将从N型和P型半导体的基本概念、特性以及应用领域等方面进行介绍。

我们先来了解一下N型半导体。

N型半导体是指在晶体中掺杂了能够提供自由电子的杂质原子，如磷或砷。

这些杂质原子准备一个或多个外层电子，使得晶体中形成了过剩的自由电子。

这些自由电子可以在晶体中自由移动，从而使得N型半导体具有较好的导电性能。

此外，N型半导体的电子浓度远远大于空穴浓度。

P型半导体则是在晶体中掺入了能够提供空穴的杂质原子，如硼或铝。

这些杂质原子缺少一个或多个外层电子，形成了空位。

这些空位可以吸收自由电子，从而形成了过剩的空穴。

空穴可以在晶体中自由移动，从而使得P型半导体也具有较好的导电性能。

与N型半导体相比，P型半导体的空穴浓度远远大于电子浓度。

N型和P型半导体的结合形成了PN结，也是半导体器件中最基本的元件之一。

PN结的形成是通过将N型和P型半导体材料直接接触而形成的。

在PN结中，P型半导体的空穴会扩散到N型半导体中，而N型半导体的自由电子也会扩散到P型半导体中。

这导致了PN结形成了一个空间电荷区，也称为耗尽区。

耗尽区中的电荷分布导致PN结具有特殊的电学特性，如整流、开关和放大等。

除了PN结，N型和P型半导体还有其他重要的应用。

例如，N型半导体可以用于制造电子器件，如晶体管和场效应管等。

这是因为N型半导体中的自由电子能够在外加电场的作用下形成电子流，从而实现信号的放大和开关控制。

而P型半导体则可以用于制造二极管和光电二极管等器件。

这是因为P型半导体中的空穴能够在外加电场的作用下形成空穴流，从而实现信号的整流和光电转换。

N型和P型半导体还可以通过控制掺杂材料的类型和浓度来实现对半导体器件性能的调节。

例如，通过控制N型半导体和P型半导体的杂质浓度比例，可以制造出不同类型的二极管，如肖特基二极管和整流二极管等。

通过进一步优化杂质浓度和结构设计，还可以制造出其他类型的器件，如太阳能电池和激光二极管等。

n型半导体和p型

n型半导体和p型一、概述半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

根据导电类型的不同，半导体可以分为n型半导体和p型半导体。

这两种类型的半导体在电子设备和器件中有着广泛的应用，例如晶体管、集成电路、太阳能电池等。

二、n型半导体1. 定义n型半导体是指电子浓度较高的半导体，也称为电子型半导体。

在n 型半导体中，多数载流子是电子，空穴作为少数载流子。

2. 形成机制n型半导体可以通过掺杂获得，例如将硅或锗单晶中的某个元素（如磷、砷）以一定的浓度范围取代晶格中的原子。

这些取代原子的最外层电子数比硅或锗原子多，因此它们会释放出额外的电子，形成电子浓度较高的半导体。

3. 电学性质n型半导体的导电性主要取决于电子，因此其导电性较好。

在电场的作用下，电子会向电场的反方向移动，形成负电流。

三、p型半导体1. 定义p型半导体是指空穴浓度较高的半导体，也称为空穴型半导体。

在p型半导体中，多数载流子是空穴，电子作为少数载流子。

2. 形成机制p型半导体同样可以通过掺杂获得，例如将硅或锗单晶中的某个元素（如硼、磷）以一定的浓度范围取代晶格中的原子。

这些取代原子的最外层电子数比硅或锗原子少，因此它们会缺少电子，形成空穴浓度较高的半导体。

3. 电学性质p型半导体的导电性主要取决于空穴，因此其导电性较弱。

在电场的作用下，空穴会向电场的反方向移动，形成正电流。

四、应用n型和p型半导体在电子设备和器件中有广泛的应用。

例如，晶体管就是由n型和p型半导体构成的器件，它可以通过控制电流的大小和开关状态来控制电路中的信号。

此外，在集成电路、太阳能电池、发光二极管等器件中也需要使用n型和p型半导体。

五、结论n型和p型半导体是半导体的两种基本类型，它们在电子设备和器件中有广泛的应用。

通过掺杂不同的元素可以获得这两种类型的半导体，其导电性质也各不相同。

了解n型和p型半导体的基本概念、形成机制和电学性质对于理解电子设备和器件的工作原理以及进行相关研究和应用具有重要的意义。

n型和p型半导体

N型和P型半导体半导体分类P型半导体N型半导体无杂质半导体含杂质半导体种类氮化物半导体氧化物半导体非晶半导体电界型半导体磁性半导体半导体器件集成电路微处理器内存晶体管-晶体管逻辑电路互补式金属氧化物半导体固体物理学能带结构能带计算第一原理计算导带价带能隙费米能不纯物准位电子空穴施主受主物性物理学晶体管双极性晶体管场效应管MOSFET闸流体薄膜晶体管关连二极管太阳能电池发光二极管其他PN结耗尽层欧姆接触肖特基接触MOS接合电子学电路半导体器件制造金属绝缘体1、特点半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。

在这类半导体中，参与导电的(即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。

凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。

例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

由于N 型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。

自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。

掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

2、形成原理掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高。

对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主。

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。

某些氧化物半导体，如ZnO、Ta2O5等，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度，这表现为更强的电子导电性。

半导体掺杂原理

半导体掺杂是指向半导体材料中有意地引入一定的杂质，以改变其电子结构和导电性质的过程。

掺杂可以分为两种类型：n型掺杂和p型掺杂。

1. n型掺杂：在纯净的半导体晶体中，通过引入五价元素（如磷、砷等），取代部分原子位置，并形成额外的自由电子。

这些额外的自由电子增加了半导体的导电性，因此被称为n型掺杂。

掺杂后的半导体材料中的自由电子数量增加，带负电荷。

2. p型掺杂：在纯净的半导体晶体中，通过引入三价元素（如硼、铝等），取代部分原子位置，并形成空穴（缺少一个电子的状态）。

这些空穴在半导体中类似于正电荷，增加了半导体的导电性，因此被称为p型掺杂。

掺杂后的半导体材料中的空穴数量增加，带正电荷。

掺杂的过程可以通过热扩散或离子注入等方法进行。

在掺杂后，半导体材料中的杂质原子会形成电子与空穴的复合，从而影响材料的导电性质。

此外，掺杂还可以调节半导体材料的能带结构，改变其禁带宽度和载流子浓度，进而影响器件的电特性。

通过适当的n型和p型掺杂，可以制造出各种半导体器件，如二极管、晶体管、场效应管等。

这些器件的正常工作依赖于掺杂所引入的额外载流子，并利用掺杂后的电子和空穴之间的相互作用来实现电流的控
制和放大。

总而言之，半导体掺杂是通过有意向半导体材料中引入适量的杂质，改变其电子结构和导电性质的过程，是制造各种半导体器件的基础。

n型p型半导体

n型p型半导体n型和p型半导体是半导体材料中最常见的两种类型。

它们在电子学和半导体器件中起着重要的作用。

本文将介绍n型和p型半导体的基本概念、特性和应用。

一、n型半导体n型半导体是指在半导体晶体中掺入少量的五价元素，例如砷、磷或锑。

这些五价元素会带有一个多余的电子，称为自由电子。

这些自由电子可以在晶体中自由移动，形成电流。

因此，n型半导体具有良好的导电性能。

n型半导体的导电性主要来自于自由电子。

当n型半导体受到外加电压或光照时，自由电子会被激发并移动，形成电流。

n型半导体通常用于制造电子器件，例如二极管、场效应晶体管和太阳能电池等。

二、p型半导体p型半导体是指在半导体晶体中掺入少量的三价元素，例如硼、铝或镓。

这些三价元素会带有一个缺少的电子，称为空穴。

空穴相当于一个正电荷，可以在晶体中自由移动。

因此，p型半导体也具有良好的导电性能。

p型半导体的导电性主要来自于空穴的移动。

当p型半导体受到外加电压或光照时，空穴会被激发并移动，形成电流。

p型半导体通常用于制造电子器件，例如二极管、晶体管和集成电路等。

三、n型和p型半导体的结合n型和p型半导体可以通过特定的工艺结合在一起形成p-n结。

在p-n结中，n型半导体中的自由电子会与p型半导体中的空穴结合，形成正负电荷的重新组合区域。

这个区域被称为耗尽区，没有电流通过。

当在p-n结上加上正向偏置电压时，耗尽区变窄，电流开始流动。

这种情况下，电子从n型半导体向p型半导体移动，而空穴从p型半导体向n型半导体移动，形成电流通过。

当在p-n结上加上反向偏置电压时，耗尽区变宽，电流几乎不流动。

这种情况下，电子和空穴被阻止在耗尽区内，形成一个高电阻区域。

四、n型和p型半导体的应用n型和p型半导体的结合形成的p-n结是制造各种半导体器件的基础。

例如，二极管是一种由p-n结构成的器件，它可以将电流限制在一个方向上，用于整流电路。

晶体管是一种由多个p-n结构成的器件，它可以放大电流和控制电流，用于放大电路和开关电路。

N型和P型半导体

N型和P型半导体
1、特点
半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。

在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。

凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。

例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。

自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。

掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

2、形成原理
掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高。

对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主。

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。

某些氧化物半导体，如ZnO、Ta等，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度，这表现为更强的电子导电性。

pn半导体的工作原理

pn半导体的工作原理PN半导体的工作原理一、引言PN半导体是一种常见的二极管结构，具有独特的工作原理。

本文将介绍PN半导体的结构、电流传导和工作原理。

二、PN半导体的结构PN半导体由P型半导体和N型半导体组成。

其中，P型半导体中的杂质原子的掺入使得电子亏损，形成空穴；而N型半导体中的杂质原子的掺入则使得电子过剩。

当P型和N型半导体相互接触时，形成PN结。

三、PN结的电流传导PN结中存在着电子和空穴的扩散电流以及由于电子和空穴的复合而产生的漂移电流。

在PN结的正向偏置下，电子从N区域向P区域扩散，空穴则从P区域向N区域扩散，同时在PN结的正向偏置下形成了漂移电流。

这两个电流方向相同，共同形成了正向电流。

而在PN结的反向偏置下，电子从P区域向N区域扩散，空穴从N 区域向P区域扩散，漂移电流几乎为零，因此只有极小的反向漏电流。

四、PN半导体的工作原理1. 正向偏置：当PN结的P端加上正电压，N端加上负电压时，形成正向偏置。

在这种情况下，P区域的空穴被推向PN结的接触面，而N区域的电子则被PN结的接触面吸引。

由于空穴和电子的扩散，它们在PN结中相遇并发生复合。

这种复合导致了电子和空穴的能量释放，形成电流。

因此，在正向偏置下，PN结具有较低的电阻，电流可以流过。

2. 反向偏置：当PN结的P端加上负电压，N端加上正电压时，形成反向偏置。

在这种情况下，P区域的空穴被PN结的接触面吸引，而N区域的电子则被推向PN结的接触面。

由于电子和空穴的扩散，它们在PN结中相遇并发生复合。

这种复合导致了电子和空穴的能量释放，形成少量的反向漏电流。

由于反向漏电流很小，所以在反向偏置下，PN结具有很高的电阻，电流几乎无法流过。

五、PN半导体的应用由于PN半导体具有正向导电和反向隔离的特性，因此广泛应用于电子行业。

其中，最常见的应用是二极管。

二极管是一种电子器件，利用PN半导体的工作原理，实现电流的单向导通。

此外，PN半导体还可用于太阳能电池、发光二极管（LED）和激光二极管等设备。

P型和N型半导体

P型和N型半导体如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。

因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。

在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。

在这样的材料中传导主要是由带正电的空穴引起的，因而在这种情况下电子是“少数载流子”。

如图1所示。

N型半导体如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元素──施主杂质，例如砷或锑，这些元素的价电子带都有五个电子，然而，杂质元素价电子的最大能级大于锗（或硅）的最大能级，因此电子很容易从这个能级进入第Ⅳ族元素的传导带。

这些材料就变成了半导体。

因为传导性是由于有多余的负离子引起的，所以称为“N”型。

也有些材料的传导性是由于材料中有多余的正离子，但主要还是由于有大量的电子引起的，因而（在N型材料中）电子被称为“多数载流子”。

如图2所示。

P型和N型半导体的应用由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。

由P型与N型半导体结合而构成的单结半导体元件，最常见的是二极管；此外，FET也是单结元件。

PNP或NPN以及形成双结的半导体就是晶体管。

（1）用于LEDLED在20世纪60年代诞生后就被认定是荧光灯管、灯泡等照明设备的终结者，甚至有人认为LED将会开创一个新的照明时代，最终出现在所有需要照明的场合。

LED的工作原理和我们常见的白炽灯、荧光灯完全不同，LED从本质上来说是一种半导体器件。

LED的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体的交界面就会出现一个具有特殊导电性能的薄层，也就是常说的PN结(PNJunctionTransistors)。

PN结可以对P型半导体和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生阻力，当对PN结施加正向电压时，电流从LED的阳极流向阴极，而在PN结中少数载流子与多数载流子进行复合，多余的能量就会转变成光而释放出来。

P型和N型半导体

P型和N型半导体如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。

因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。

在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。

在这样的材料中传导主要是由带正电的空穴引起的，因而在这种情况下电子是“少数载流子”。

如图1所示。

N型半导体如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元素──施主杂质，例如砷或锑，这些元素的价电子带都有五个电子，然而，杂质元素价电子的最大能级大于锗（或硅）的最大能级，因此电子很容易从这个能级进入第Ⅳ族元素的传导带。

这些材料就变成了半导体。

因为传导性是由于有多余的负离子引起的，所以称为“N”型。

也有些材料的传导性是由于材料中有多余的正离子，但主要还是由于有大量的电子引起的，因而（在N型材料中）电子被称为“多数载流子”。

如图2所示。

P型和N型半导体的应用由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。

由P型与N型半导体结合而构成的单结半导体元件，最常见的是二极管；此外，FET也是单结元件。

PNP或NPN以及形成双结的半导体就是晶体管。

（1）用于LEDLED在20世纪60年代诞生后就被认定是荧光灯管、灯泡等照明设备的终结者，甚至有人认为LED将会开创一个新的照明时代，最终出现在所有需要照明的场合。

LED的工作原理和我们常见的白炽灯、荧光灯完全不同，LED从本质上来说是一种半导体器件。

LED的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体的交界面就会出现一个具有特殊导电性能的薄层，也就是常说的PN结(PN Junction Transistors)。

PN结可以对P型半导体和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生阻力，当对PN结施加正向电压时，电流从LED的阳极流向阴极，而在PN结中少数载流子与多数载流子进行复合，多余的能量就会转变成光而释放出来。

PN结原理P-N结的形成和能带

PN结原理: P-N 结的形成和能带电子科技大学微电子与固体电子学院谢孟贤教授博导p-n结基本概念是解决许多微电子和光电子器件的物理基础。

对于许多半导体器件问题的理解不够深透，归根到底还在于对于p-n结概念的认识尚有模糊之处的缘故。

因为p-n结的一个重要特点就是其中存在有电场很强的空间电荷区，故p-n结的形成机理，关键也就在于空间电荷区的形成问题；p-n结的能带也就反映了空间电荷区中电场的作用。

载流子的转移：p型半导体和n型半导体在此需要考虑的两个不同点即为（见图(a)）：①功函数W不同；②主要（多数）载流子种类不同。

因此，当p型半导体和n型半导体紧密结合而成的一个体系——p-n结时，为了达到热平衡状态（即无能量转移的动态平衡状态），就会出现载流子的转移：电子从功函数小的半导体发射到功函数大的半导体去，或者载流子从浓度大的一边扩散到浓度小的一边去。

对于同质结而言，载流子的转移机理主要是浓度梯度所引起的扩散；对于异质结（例如Si-Ge 异质结，金属-半导体接触）而言，载流子的转移机理则主要是功函数不同所引起的热发射。

空间电荷和内建电场的产生：现在考虑同质p-n结的形成：在p型半导体与n型半导体的接触边缘附近处（即冶金学界面附近处），当有空穴从p型半导体扩散到n 型半导体一边去了之后，就在n型半导体中增加了正电荷，同时在p 型半导体中减少了正电荷，从而也就在p型半导体中留下了不能移动的电离受主中心——负离子中心；与此同时，当有电子从n型半导体扩散到p型半导体一边去了之后，就在p型半导体中增加了负电荷，同时在n型半导体中减少了负电荷，从而也就在n型半导体中留下了不能移动的电离施主中心——正离子中心。

这就意味着，在p型半导体一边多出了负电荷（由电离受主中心和电子所提供），在n型半导体一边多出了正电荷（由电离施主中心和空穴所提供），这些由电离杂质中心和载流子所提供的多余电荷即称为空间电荷，它们都局限于接触边缘附近处，以电偶极层的形式存在，如图(b)所示。

N型与P型半导体

N型与P型半导体什么是N型半导体，什么是P型半导体？N型半导体也称为电子型半导体。

N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N 型半导体。

在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电.自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。

掺入的杂质越多，多子（自由电子)的浓度就越高，导电性能就越强.P型半导体也称为空穴型半导体.P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。

在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。

空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强.掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强.在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电.由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。

空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

n型半导体就是在单晶硅中掺入5族元素杂质，多子为电子，p型半导体是掺入3族杂质，多子为空穴。

更深入的理解是通过改变费米能级使得自由电子或空穴的占有率提升,从而改变半导体导电性能。

怎么使N型半导体变成P型半导体？什么条件下可以使N型半导体变成P型半导体？N型半导体就是导电载流子是电子,P型半导体就是导电载流子是空穴。

N型半导体中之所以是电子导电是因为其在本征半导体基础上进行了施主掺杂（例如在本征Si中掺入5价的磷元素）而P型半导体中之所以是空穴导电是因为其在本征半导体基础上进行了授主掺杂（例如在本征Si中掺入3价的硼元素) Si为4价所以假设要想把磷掺杂量为X的N型半导体转为P型当然就是在此N型半导体中掺入大于X量的磷（当然具体掺杂量与工艺及材料有关）半导体的掺杂等工艺要在超净间中进行,掺杂是半导体工艺中的一步,主要的掺杂方法有离子注入和热扩散半导体材料中形成pn结,是不是一定要先有p型半导体跟n型半导体？P型硅中是怎么形成pn结的？求解是的。