(完整版)电力电子技术复习题3.0(已补答案)
电力电子技术复习题
电力电子技术复习题一、单项选择题（请选出1个正确答案填入括号中）。
1．电子技术包括信息电子技术和（）技术两大分支。
A. 电力电子B.通信电子C.模拟电子D.数字电子答案：A2．在下列电力电子器件中属于半控型器件的是（）。
A.SCRB.GTRC. IGBTD. POWER MOSFET 答案：A3．具有擎住效应的全控器件是（）。
A.SCRB.GTRC. IGBTD. POWER MOSFET 答案：C4．电力电子技术中，DC-DC是什么变换？（）A. 整流B. 逆变C. 直流斩波D. 交流变换答案：C5．隔离型DC-DC变换器主要类型有（）、反激、桥式和推挽式。
A. 同向B. 反向C. 正激D. 反相答案：C6．逆变器的三种变换方式为方波变换、阶梯波变换和（）变换。
A. 余弦波B. 正弦波C. 三角波D. 正切波答案：B7．不控整流电路中的整流管为（）。
A. GTRB. 二极管 C . IGBT D. SCR答案：B8．变压器漏感对整流电路输出电压的影响，使得输出电压（）。
A、恒定B、不能确定C、变大 D.变小答案：D9．AC-DC变换器又可分为（）和有源逆变运行两种工作状态。
A、交流调压B、直流斩波C、逆变D、整流答案：D10．交流调压电路一般采用相位控制，其特点是维持（）不变，仅改变输出电压的幅值。
A、初相B、相位C、平均值D、频率答案：D11．按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，电力电子器件分为（）和电压驱动型。
A. 电流驱动型B.电子驱动型C.空穴驱动型D.电荷驱动型答案：A12．电力电子装置中会产生外因过电压和（）过电压。
A. 内因B.电源C. 负载D. 电阻答案：A13．缓冲电路分为关断缓冲电路和（）缓冲电路。
A. 开通B.电源C. 负载D. 吸收答案：A14．电力电子技术中，DC-AC是什么变换？（）A. 整流B. 逆变C. 直流斩波D. 交流变换答案：B15．隔离型DC-DC变换器主要类型有正激、（）、和桥式和推挽式。
电力电子复习题(包括答案)
一、填空题绪论1、电力变换的四大类整流、直流斩波、交流电力控制变频变相和逆变。
第二章1、电力电子器件一般都工作在开关状态。
2、电力电子器件一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组。
3、电力电子器件的损耗主要为通态损耗和断态损耗，当器件的开关频率较高时，开关损耗会增大。
4、按电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件。
5、晶闸管有阳极A、阴极K和门极G。
6、电力二极管的特性是正向导通和反向截止。
7、要使晶闸管导通必须在阳极可正向电压，在门极加正向电压。
8、在晶闸管的阳极加反向电压时，不论门极加何种电压，晶闸管都截止。
9、多个晶闸管并联要考虑均流问题，多个晶闸管串联要考虑均压问题。
第二章1、单向半波可控整流电路带电阻负载时α角的移相范围0~π，阻感负载α角的移相范围是0~π/2。
2、单向桥式全控整流电路带纯电阻负载时α角的移相范围是0~π，单个晶闸管承受的最大反压是0~π/2，单个晶闸管承受的最大反压是3、三相半波可控整电路中，三个晶闸管的触发脉冲相序互差120°，单个晶闸管承受最大反压带阻感性负载时α角的移相范围是0~π/2。
4、逆变电路中，当交流侧和电网联结时称有源逆变，若要实现逆变必须要用可控整流电路，当0〈α〈π/2时，电路工作在整流状态，π/2〉α〉π时，电路工作在逆变状态。
5、使变流器工作于有源逆变状态的条件有二：①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；②要求晶闸管的控制角α>π/2，使U d为负值。
第三章1、直流斩波电路是把直流变为直流的电路。
2、斩波电路2种最基本的电路是降压斩波和升压斩波。
3、斩波的三种控制方法是脉冲宽度调制（脉冲调宽型）、频率调制（调频型）和混合型。
4、升降压斩波电路升压的条件是1/2〈α〈1。
第四章1、改变频率的电路叫变频电路。
《电力电子技术》课后复习题(附答案)
电力电子技术课后复习题（全面）1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换、和传输的技术。
2、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。
3、电力电子技术的基本转换形式和功能：整流电路----AC/DC----整流器直流斩波----DC/DC----斩波器逆变电路----DC/AC----逆变器交流电路----AC/AC----变频器4、电力电子器件是指在可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
5、广义上，电力电子器件也可分为电真空器件和半导体器件。
6、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度的程度进行分类：不可控器件---------电力二极管（功率二极管PD）半控型器件---------晶闸管(SCR)全控型器件---------电力晶体管（GTR）7、全控型器件也称自关断器件。
代表元件：门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
8、按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质进行分类：电流驱动型：晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管等。
电压驱动型：电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管等。
9、按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：双极型器件:电力二极管、晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管单极型器件：电力场效应晶体管。
复合型器件：绝缘栅双极晶体管。
10、功率二极管（PD）又称电力二极管，也称半导体整流器。
其基本结构与普通二极管一样。
有螺栓型和平板型两种封装。
正平均电流I F(A V): 电流最大有效值I 11．功率二极管的测试：用万用表的Rx100或Rx1测量。
【注】严禁用兆欧表测试功率二极管。
选择二极管时要考虑耗散功率。
不可控器件------功率二极管（电力二极管）12、功率二极管的主要类型：普通二极管、快速恢复二极管、肖特基二极管。
13、半控型器件----晶闸管（SCR）是硅晶体闸流管的简称，又称为可控硅整流器。
电力电子技术复习题 _含答案)
12、 在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取 U2（）
13、 在单相桥式全控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。
（）
14、 单相全控晶闸管整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
（）
15、 三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。（ ）
2 晶闸管整流电路
2、 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 （ ）
3、 晶闸管导通后其电流趋向无穷大。
（）
4、 已经导通的晶闸管恢复阻断的唯一条件是 AK 极电源电压降到零或反向。（ ）
5、 晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。 （ ）
6、 晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。 （ ）
7、 触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。（ ）
合型 的 PWM 控制方法。 3、 正激电路和反激电路属于 13 励磁，半桥电路和全桥电路属于 14 励磁。 4、 开关电源大都采用 15 PWM 控制器.其原理方案分为 16 、 17 和 18 三类。 5、 试填写下列电路的名称
3 / 14
半桥电路 反激电路
正激电路 全桥电路
推挽电路
4、逆变电路
中，通常采用 规则采样法 来代替上述方法，在计算量大为减小的情况下得到的效果能够满足工程需要。
3. PWM 逆变电路３种目标控制： ７ 电压、 ８
电流和圆形磁链的 ９ 压 比较、 滞环电流比较 和 三角波比较。
5. 相电压正弦波叠加 3 次谐波构成 13 与三角波比较产生 PWM，可以提高 14 利用率并降低 15 。
2 / 14
致集电极电流增大，造成器件损坏。这种电流失控现象被称这 擎住 效应。 11、 IGBT 往往与 反并联 的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。 12、电力电子器件是在电力电子电路中是作为可控开关来用。电力电子器件是一种半导体开关，实际上是一种单 向单极开关。它不是理想开关，存在开关时间和开关暂态过程。开关时间尤其是关断时间限制了电力电子器件的 开关频率。 13、电力电子应用系统一般由控制电路、驱动电路和主电路组成一个系统。为了提高系统可靠性，还应加入电 压、电流检测电路和过压、过流保护电路并构成反馈闭环控制。 14.几乎所有的电力半导体器件均为 单向极性 开关。电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可 关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（Power MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中， 在可控的器件中，功率范围最大的是 SCR 晶体管 ，开关频率最高的是_PMOS 电力场效应管
电力电子技术题库及答案整理版
电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是______智能功率集成电路_________。
3、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM__小于__UBO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_UFm为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流_______________________。
电力电子技术_复习题答案
电⼒电⼦技术_复习题答案第⼆章：1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过⼤，就会使晶闸管出现_ 误导通_，若di/dt过⼤，会导致晶闸管_损坏__。
2.⽬前常⽤的具有⾃关断能⼒的电⼒电⼦元件有电⼒晶体管、可关断晶闸管、功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管⼏种。
简述晶闸管的正向伏安特性？答: 晶闸管的伏安特性正向特性当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很⼩的正向漏电流流过。
如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增⼤，器件开通。
随着门极电流幅值的增⼤，正向转折电压降低，晶闸管本⾝的压降很⼩，在1V左右。
如果门极电流为零，并且阳极电流降⾄接近于零的某⼀数值IH以下，则晶闸管⼜回到正向阻断状态，IH称为维持电流。
3.使晶闸管导通的条件是什么?答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
4.在如下器件：电⼒⼆极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电⼒晶体管（GTR）、电⼒场效应管（电⼒MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于半控型器件的是 SCR 。
5.晶闸管的擎住电流I L答：晶闸管刚从断态转⼊通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最⼩电流。
6.晶闸管通态平均电流I T(AV)答：晶闸管在环境温度为40 C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最⼤⼯频正弦半波电流的平均值。
标称其额定电流的参数。
7.晶闸管的控制⾓α（移相⾓）答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲⽌的电⾓度,⽤a表⽰,也称触发⾓或控制⾓。
8.常⽤电⼒电⼦器件有哪些？答：不可控器件：电⼒⼆极管。
半控型器件：晶闸管。
全控型器件：绝缘栅双极晶体管IGBT，电⼒场效应晶体管（电⼒MOSFET），门极可关断晶闸管（GTO），电⼒晶体管。
电力电子技术复习题及答案
电力电子技术复习题及答案第1页共17页三、填空（每空1分,共30分）1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦，输出电流波形为方波5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种11、双向晶闸管的触发方式有：I+触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接正电压，T2接负电压。
I-触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接负电压，T2接正电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压,门极G接正电压，T2接负电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接负电压，T2接正电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。
电力电子技术习题+参考答案
一、选择题1. 电力电子技术的主要研究对象是什么？A. 电力系统B. 电子电路C. 功率半导体器件及其应用D. 电力设备和控制系统答案：C2. 以下哪种器件不属于电力电子器件？A. 晶闸管B. MOSFETC. 晶体管D. 线圈答案：D3. 在电力电子技术中，以下哪个不是一种电力变换方式？A. 电压变换B. 电流变换C. 频率变换D. 波形变换答案：D4. 下列哪种电力电子变换器可以实现直流电压的升降？A. 逆变器B. 整流器C. 直流变换器D. 交交变频器答案：C5. 电力电子技术中的“开关频率”指的是什么？A. 电路中电流的频率B. 电路中电压的频率C. 功率开关动作的频率D. 输出电压或电流的频率答案：C二、填空题1. 电力电子技术是利用_________对电能进行_________的技术。
答案：功率半导体器件；高效变换2. 电力电子技术中常用的功率半导体器件有_________、_________和_________。
答案：晶闸管；MOSFET；GTO3. 电力电子技术中的“硬开关”和“软开关”技术主要针对_________。
答案：开关过程三、判断题1. 电力电子技术只应用于工业领域，与日常生活无关。
（）答案：错误2. 电力电子技术中的整流器可以将交流电转换为直流电。
（）答案：正确3. 电力电子技术中的逆变器只能将直流电转换为交流电。
（）答案：错误4. 电力电子技术中的变频器可以实现交流电的频率变换。
（）答案：正确四、简答题1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：- 交流-直流变换：如太阳能光伏发电、风力发电等新能源的并网；- 直流-直流变换：如电动汽车充电、电力电子设备供电等；- 交流-交流变换：如变频调速、电力电子补偿等。
2. 简述电力电子技术中的功率半导体器件的特点。
答案：电力电子技术中的功率半导体器件具有以下特点：- 高开关速度：能够快速实现电路的通断；- 高导通电压：能够在高电压下工作；- 高导通电流：能够在大电流下工作；- 高功率密度：能够在有限的体积内实现高功率输出。
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一、填空题1、写出下列电力电子器件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT。
2、双向晶闸管的图形符号是；3个电极分别是第一阳极T1，第二阳极T2，门极G。
3、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
4、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角，用α表示。
5、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳极A，阴极K和门极G。
6、直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有等频调宽控制、等宽调频控制、脉宽与频率同时控制三种。
7、在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是0→π，负载是阻感性时移相范围是。
8、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100 安。
9、KP5-7E表示额定电流为5A，额定电压为是700V的普通晶闸管。
10、只有当阳极电流小于最小维特电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
11、整流是把交流电变换为直流电的过程；逆变是把直流电变换为交流电的过程。
12、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。
13、逆变角β与控制角α之间的关系为α=π- β。
14、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为150 H Z；三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为300 H Z。
15、KP50-7表示额定电流为50A，额定电压为是700 V的普通晶闸管。
16、三相桥式全控整流电路是由一组共阴极三只晶闸管和一组共阳极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。
每隔60度换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通120度。
要使电路工作正常，必须任何时刻要有两只晶闸管同时导通，一个是共阴极的，另一个是共阳极的元件，且要求不是在同一桥臂上的两个元件。
17、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管；可关断晶闸管；功率场效应晶体管；绝缘栅双极型晶体管。
（与第一题重复）二、判断题1、双向晶闸管和普通晶闸管一样，额定电流也用通态电流平均值表示。
（✗）2、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太小造成的。
（✓）3、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
（✗）4、变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。
（✓）5、KP2—5表示的是额定电压200V，额定电流500A的普通型晶闸管。
（✗）6、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
( ✗ )7、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。
（✗）8、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
（✓）9、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
（✗）10、增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。
（✗）11、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
（✗）12、双向晶闸管的结构与普通晶闸管不一样，它是由五层半导体材料构成的。
（✓）13、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的最大值来表示的。
（✗）14、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用。
（✗）15、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
（✓）16、普通晶闸管外部有三个电极，分别是阳极、阴极和门极。
（✓）17、KP5—5表示的是额定电压500V，额定电流500A的普通型晶闸管。
（✗）18、双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（✓）19、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
（✗）20、三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是150H Z。
（✗）三、简答题1、晶闸管与普通二极管、晶体管在控制上有什么区别？使晶闸管导通和关断的条件是什么？晶闸管（也称可控硅）与普通二极管的最大区别就是可控硅有一个控制极，在可控硅连接正向电压后，控制极如果得到一个适合的导通电压（一般是0.6V左右），该可控硅就会导通并保持，控制极失去电压后可控硅就会关断。
2、试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
答：IGBT开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高为电压驱动，驱动功率小。
开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO。
GTR耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低。
开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。
GTO电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强。
电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。
电力MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。
电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过 10kW的电力电子装置。
3、比较说明交-直-交变频电路和交-交变频电路的优缺点及应用场合？P1314、使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么？①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；②要求晶闸管的控制角α>π/2，使Ud为负值。
5、单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时，要求的晶闸管移相范围分别是多少？答：单相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 180°，当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90°。
三相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 120°，当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是0 ~ 90°。
6、维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
7、简述说明斩波电路的3种电压控制方式？1)保持开关周期T不变，调节开关导通时间ton不变，称为脉冲宽度调制(PWM)。
2)保持开关导通时间ton不变，改变开关周期T，称为脉冲频率调制(PFM)。
3)ton和T都可调，使占空比改变，称为混合型。
8、什么叫有源逆变？什么叫无源逆变？P54 9、简述电压源型变频电路的主要特点。
P139 10、电力变换的种类有哪几种？整流、逆变、斩波、变频11、什么是逆变失败？如何防止逆变失败？逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。
防止逆变失败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角β等。
12、对晶闸管的触发电路有哪些要求？1、触发电路输出的脉冲必须具有足够的功率2、触发脉冲必须与晶闸管的主电压保持同步3、触发脉冲能满足主电路移相范围的要求4、触发脉冲要具有一定的宽度，前沿要陡13、试简述Buck-Boost 电路同Cuk 电路的异同。
答：这两种电路都有升降压变换功能，其输出电压与输入电压极性相反，而且两种电路的输入、输出关系式完全相同，Buck-Boost 电路是在关断期内电感L 给滤波电容C 补充能量，输出电流脉动很大，而Cuk 电路中接入了传送能量的耦合电容C1，若使C1足够大，输入输出电流都是平滑的，有效的降低了纹波，降低了对滤波电路的要求。
14、简述电流源型变频电路的主要特点。
P140 15、什么叫整流？什么叫逆变？交流电能转换为直流电能。
直流电能转换为交流电流。
四、计算题下图a ）b ）c ）阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试写出各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3的表达式。
002π2π2ππ5π5π26π5a)b)c)五、分析计算题1、（1）简述下图所示的降压斩波电路工作原理。
P101（2）上图所示的降压斩波电路中，已知E=200V，R=10Ω，L值极大，E M=30V，T=50μs,t on=20μs,计算输出电压平均值Uo，输出电流平均值Io。
2、单相全控桥式带电阻负载时的电路，如图所示，分析说明其控制过程，并画出一个周期内直流输出电压u d、晶闸管VT1，4电压及变压器二次侧电流i2的波形。
Ti2aVT1VT3i dRπu1u2a)bVT2VT4u dωtωtωt 0i2u dc)d)e)ααu VT1,4ωt 0u2b)3、（1）简述下图所示的升压斩波电路工作原理。
P104（2）上图所示的降压斩波电路中，，已知E=50V，L值和C值极大，R=20Ω，当T=40μs，t on=25μs 时，计算输出电压平均值Uo，输出电流平均值Io。
4、单相半波可控整流电路如图所示，分析说明其控制过程，并画出一个周期内触发角为α时输出直流电压Ud和晶闸管VT的电压波形。
并求出当触发角为α=60︒时输出电压的平均值。
TVT R0a)u 1u 2u VTu di dωt 1π2πωtωtωtωtu 2u g u d u VT α0b)c)d)e)005、一台工业电炉（电阻性负载）原由额定电压为单相交流220V供电，额定功率为10千瓦。
现改用双向晶闸管组成的单相交流调压电源供电，如果正常工作时负载只需要5千瓦。
根据题意画出此双向晶闸管的单相交流调压电路。
回答下列问题：（图为课本P117图6-3（b））（1）双向晶闸管的触发角α应为多少度？（2）试求此时的电流有效值。
（3）求电源侧的功率因数。
6、试简述下图Cuk斩波电路的基本原理。
P1077、调压范围为0-30V 的直流电源，采用三相半波可控整流电路带电阻负载，输出电流最大100A ，求：（1）整流变压器二次侧相电压有效值。
（2）计算输出电压为10V 时的α角。
（3）选择晶闸管的型号。
E RVD C V L 1 L 2u o。