CMOS模拟集成电路反向设计流程
CMOS反相器的电路仿真及其工艺模拟和版图设计
CMOS反相器的电路仿真及其工艺模拟和版图设计摘要：CMOS技术自身的巨大发展潜力是IC高速持续发展的基础。
集成电路制造水平发展到深亚微米工艺阶段，CMOS的低功耗、高速度和高集成度得到了充分的体现。
本文主要通过简单的介绍基于Cadence的CMOS反相器的电路仿真和版图设计及基于SILV ACO的CMOS反相器的工艺仿真，体现了集成电路CAD 的一种基本方法和操作过程。
关键词：CMOS反相器、Cadence、SILV ACO、仿真、工艺、版图0引言：电子技术的发展使计算机辅助设计（CAD）技术成为电路设计不可或缺的有力工具。
国内外电子线路CAD软件的相继推出与版本更新，是CAD技术的应用渗透到电子线路与系统设计的各个领域，如电路图和版图的绘制、模拟电路仿真、工艺模拟与仿真、逻辑电路分析、优化设计、印刷电路板的布线等。
CAD 技术的发展使得电子线路设计的速度、质量、精确度得以保证。
顺应集成电路发展的要求，集成电路CAD，确切地说是整个电子设计自动化必须要有更大的发展。
随着集成电路与计算机的迅速发展，以CAD为基础的EDA技术一渗透到电子系统和专用集成电路设计的各个环节。
一个能完成比较复杂的VLSI设计的EDA系统一般包括10~20个CAD工具，涉及从高层次数字电路的自动综合、数字系统仿真、模拟电路仿真到各种不同层次的版图设计和校验工具，完成自顶向下的VLSI设计的各个环节和全部过程。
为满足日益增大的信息处理能力的需求，主要从实现图形最小尺寸的工艺精度和提高单位面积晶体管数目的集成度两个方面来努力，还要综合考虑满足电路功能以及工作频率和功耗的性能指标。
CMOS技术自身的巨大发展潜力是IC高速持续发展的基础。
集成电路制造水平发展到深亚微米工艺阶段，CMOS的低功耗、高速度和高集成度得到了充分的体现。
1基于Cadence的CMOS反相器的设计：1.1 Cadence简介：Cadence是一个大型的EDA软件，它几乎可以完成电子设计的方方面面，包括ASIC设计、FPGA设计和PCB板设计。
模拟cmos集成电路设计实验
模拟cmos集成电路设计实验实验要求：设计一个单级放大器和一个两级运算放大器。
单级放大器设计在课堂检查，两级运算放大器设计需要于学期结束前，提交一份实验报告。
实验报告包括以下几部分内容：1、电路结构分析及公式推导（例如如何根据指标确定端口电压及宽长比）2、电路设计步骤3、仿真测试图（需包含瞬态、直流和交流仿真图）4、给出每个MOS管的宽长比（做成表格形式，并在旁边附上电路图，与电路图一一对应）5、实验心得和小结单级放大器设计指标两级放大器设计指标实验操作步骤：a.安装Xmanagerb.打开Xmanager中的Xstartc.在Xstart中输入服务器地址、账号和密码Host：202.38.81.119Protocol: SSHUsername/password: 学号（大写）/ 学号@567& （大写）Command : Linux type 2然后点击run运行。
会弹出xterm窗口。
修改密码输入passwd，先输入当前密码，然后再输入两遍新密码。
注意密码不会显示出来。
d.设置服务器节点用浏览器登陆http://202.38.81.119/ganglia/,查看机器负载情况，尽量选择负载轻的机器登陆，（注：mgt和rack01不要选取）选择节点，在xterm中输入 ssh –X c01n?? (X为大写，??为节点名)如选择13号节点，则输入ssh –X c01n13e.文件夹管理通常在主目录中，不同工艺库建立相应的文件夹，便于管理。
本实验采用SMIC40nm工艺，所以在主目录新建SMIC40文件夹。
在xterm中，输入mkdir SMIC40然后进入新建的SMIC40文件夹，在xterm中，输入cd SMIC40.f.关联SMIC40nm 工艺库在xterm窗口中，输入gedit&,(gedit为文档编辑命令)将以下内容拷贝到新文档中。
SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/dfII/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/hdl/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/pic/cds.lib SOFTINCLUDE /soft1/cadence/IC5141/share/cdssetup/sg/cds.libDEFINE smic40llrf /soft2/eda/tech/smic040/pdk/SPDK40LLRF_1125_2TM_CDS_V1.4/smic40llrf_1 125_2tm_cds_1P8M_2012_10_30_v1.4/smic40llrf保存为cds.lib 。
集成电路反向设计流程
集成电路反向设计流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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使用化学或物理方法将芯片封装打开，暴露出芯片的内部结构。
MOS集成电路--CMOS反相器电路仿真及版图设计
MOS管集成电路设计题目：CMOS反相器电路仿真及版图设计*名：***学号：***********专业：通信工程指导老师：***2014年6月1日摘要本文介绍了集成电路设计的相关思路、电路的实现、SPICE电路模拟软件和LASI7集成电路版图设计的相关用法。
主要讲述CMOS反相器的设计目的、设计的思路、以及设计的过程，用SPICE电路设计软件来实现对反相器的设计和仿真。
集成电路反相器的实现用到NMOS和PMOS各一个，用LASI7实现了其版图的设计。
关键字：集成电路CMOS反相器LT SPICE LASI7目录引言 ....................................................................................................................................... - 2 -一、概述 ............................................................................................................................... - 2 -1.1MOS集成电路简介.................................................................................................... - 2 -1.2MOS集成电路分类.................................................................................................... - 2 -1.3MOS集成电路的优点................................................................................................ - 3 -二、LTspice电路仿真 .......................................................................................................... - 3 -2.1SPICE简介 ................................................................................................................... - 3 -2.2CMOS反相器LT SPICE仿真过程 ..................................................................... - 3 -2.2.1实现方案 .............................................................................................................. - 3 -2.2.2 LTspice电路仿真结果 ...................................................................................... - 5 -三、LASI版图设计 ............................................................................................................... - 5 -3.1LASI软件简介........................................................................................................ - 5 -3.2版图设计原理......................................................................................................... - 6 -3.3LASI的版图设计.................................................................................................... - 6 -四、实验结果分析 ............................................................................................................... - 8 -五、结束语 ........................................................................................................................... - 8 -参考文献 ............................................................................................................................... - 8 -引言CMOS技术自身的巨大潜力是IC高速持续发展的基础。
CMOS反相器版图流程N+
P-SUB
N-WELL
4. 有源区注入——P+，N+区（select)。
CMOS反相器版图流程(8) Contact孔
P-SUB
N-WELL
5. 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。
CMOS反相器版图流程(9) Metal 1
P-SUB
N-WELL
6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝
集成电路设计版图设计制版掩膜版集成电路设计制造过程加工制造晶圆划片裸片封装封装完后的成品芯片下面以简化nwell工艺制作反相器版图设计的流程工艺制作反相器版图设计的流程cmos反相器的电路结构用用n沟道和p沟道mos管联合组成反相器
IC的设计流程
集成电路设计制造过程
电路系统架构
确定电路的制造工艺，搭建系统架构，明确电路的整体参数和性能。
CMOS反相器版图流程(10)
NMOS
INPUT
PMOS
GND
P-SUB
OUTPUT
N-WELL
VDD
谢谢
CMOS反相器版图流程(5) Poly Gate
P-SUB
N-WELL
3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处， 保留多晶硅
CMOS反相器版图流程(6) N+ Implant
P-SUB
N-WELL
4. 有源区注入——P+，N+区（select)。
CMOS反相器版图流程(7) P+ Implant
集成电路设计制造过程
集成电路设计
版图设计
制版
掩膜版
加工制造 晶圆
划片
裸片
封装
封装完后的成品芯片
下面以简化N-WELL工艺制 作反相器版图设计的流程
集成电路版图设计-反相器-传输门
集成电路版图设计实验报告学院：电气与控制工程学院班级: XXXXＸXXXXX 学号：ＸXＸXＸＸXX 姓名：XXXX完成日期：２015年1月22日一、实验要求1、掌握Lｉnux常用命令（cd、lｓ、ｐwｄ等)。
（1)ｃd命令。
用于切换子目录。
输入cd并在后面跟一个路径名,就可以直接进入到另一个子目录中；cｄ..返回根目录;cd返回主目录。
（2）ｌｓ命令。
用于列出当前子目录下所有内容清单。
(3)pwｄ命令。
用于显示当前所在位置。
2、掌握集成电路设计流程。
模拟集成电路设计的一般过程：(1)电路设计。
依据电路功能完成电路的设计。
（２)前仿真。
电路功能的仿真，包括功耗,电流，电压，温度,压摆幅,输入输出特性等参数的仿真。
（3)版图设计(Ｌａｙｏut)。
依据所设计的电路画版图。
一般使用Cadencｅ软件。
（4)后仿真。
对所画的版图进行仿真,并与前仿真比较，若达不到要求需修改或重新设计版图。
（5）后续处理。
将版图文件生成GDＳIＩ文件交予Fｏundry流片。
3、掌握Caｄence软件的使用（1）使用Ｃadence SchemａｔicＥdiｔoｒ绘制原理图。
（2）由Schematｉc产生symboｌ。
（3）在测试电路中使用AnａloｇEnｖirｏnｍent工具进行功能测试。
（4）使用Cａｄence Ｌａyout Editoｒ根据原理图绘制相应版图,以0.6umCＭOS设计规则为准。
（5）对所设计的版图进行DRC验证，查错并修改。
以PMOS为例，部分设计规则如下:(uｍ)Ｎ-Wｅｌl包含P+Actｉｖe的宽度:１.8MOＳ管沟道最小宽度:０．７5最小长度：0.6Ａctivｅ区伸出栅极Pｌoｙ的最小延伸长度:0．5Conｔaｃｔ最小尺寸：0．6＊０.６Coｎｔact与Contａｃｔ之间的最小间距:０.7Ａctｉve包最小尺寸Cｏntact的最小宽度：0.4 非最小尺寸Cｏntac ｔ的最小宽度：0．6Actｉve上的Contａｃｔ距栅极Poly1的最小距离:0.6Metal1包最小尺寸的Contact:０.3Mｅｔal１与Metａl１之间的最小间距:0.8二、实验内容1、CMＯS反相器设计（电路设计、仿真、版图设计、验证）2、CMOS传输门设计（电路设计、仿真、版图设计、验证)三、实验结果1、CMOＳ反相器（１）Ｓｃｈematｉｃ当输入端in输入高电平时,ＭOＳ管M１截止，M２导通，输出端o ｕｔ输出低电平。
模拟集成电路反向设计流程简介
如何进行集成电路反向设计？
• 与之相比较的超大规模集成电路（数字电 路）设镜或者专门的看图软件（如上海 圣景微电子公司的ChipsmithLite）
知识产权是一个笼统的称呼，具体到芯片中，其包含的 知识产权主要是布图(Layout)的著作权和专利独享权。在美 国司法实践中，通常认为布图的相同部分超过70%则视为侵 权。
芯片反向工程和软件反向工程的比较
一个经常被混淆的概念是：软件反向工程是违法的，类似的芯片反向工 程也是违法的。
的确，在大多数情况下，软件反向工程是违法的，这是因为大多数软件 的包装盒上都印有版权信息，其中通常都包括了不允许用各种形式对该软件 进行反向工程的条款，购买该软件则意味着接受所有条款。一旦购买软件就 形成了一种契约关系，受合同法保护。因此，对软件进行反向工程就违反了 购买软件时承诺的合同义务。
即使是从网络上下载的共享软件或者免费软件在安装前也会显示一些信息作为安装软件所必须接受的协议条款其中同样包括不允许进行反向工程的内容只有同意所有条款通常是选择accept或agree按钮才能够继续安装
集成电路 反向设计流程简介
什么是反向设计？
反向设计（reverse design）也叫反 向工程（reverse engineering），就是通 过对终端产品的拆卸、破解而得出它 的设计方案或者它的原料配方，以便 于投入大批量生产，这通常被认为是 取得他人商业秘密的一种方法。
• 使用的工具软件：
专用的EDA软件，如Cadence公司DFII 软 件包中的电路仿真器。
• 使用的工具软件：
集成电路课程设计--cmos反相器的电路设计及版图设计
目录摘要 (3)绪论 (5)1软件介绍及电路原理 (6)1.1软件介绍 (6)1.2电路原理 (6)2原理图绘制 (8)3电路仿真 (10)3.1瞬态仿真 (10)3.2直流仿真 (11)4版图设计及验证 (12)4.1绘制反相器版图的前期设置 (12)4.2绘制反相器版图 (13)4.3 DRC验证 (15)结束语 (17)参考文献 (18)摘要CMOS技术自身的巨大发展潜力是IC高速持续发展的基础。
集成电路制造水平发展到深亚微米工艺阶段，CMOS的低功耗、高速度和高集成度得到了充分的体现。
本文将简单的介绍基于ORCAD和L-EDIT的CMOS反相器的电路仿真和版图设计，通过CMOS反相器的电路设计及版图设计过程，我们将了解并熟悉集成电路CAD的一种基本方法和操作过程。
关键词：CMOS反相器ORCAD L-EDIT版图设计AbstractThe huge development potential of CMOS technology itself is the foundation of sustainable development of IC high speed. The manufacturing level of development of the integrated circuit to the deep sub micron technology, CMOS low power consumption, high speed and high integration have been fully reflected. In this paper, the circuit simulation and layout design of ORCAD and L-EDIT CMOS inverter based on simple introduction, through the circuit design and layout design process of CMOS inverter, we will understand and a basic method and operation process, familiar with IC CAD.Keywords: CMOS inverter layout ORCAD L-EDIT绪论20世纪是IC迅速发展的时代。
CMOS反相器版图设计
XXXXXXX实验报告课程名称：集成电路设计实验名称：CMOS反相器版图设计学号姓名：指导教师评定：____________________________ 签名：_____________________________一、实验目的1、了解集成电路版图设计流程。
2、利用L-Edit 进行NMOSFET 版图设计。
3、利用L-Edit 进行CMOS反相器设计。
二、实验器材计算机一台，Tanner L-Edit软件三、实验原理CMOS 反相器由PMOS 和NMOS 晶体管组成，利用PMOS晶体管版图和NMOS 晶体管版图可以完成COMS反相器版图的设计。
四、实验步骤1、设计PMOS晶体管版图。
2、设计N MOS晶体管版图。
3、设计CMOS反相器版图：（1）启动版图编辑器L-Edit。
（2）新建文件。
新建一个Layout 文件，文件的设置信息可以从前面创建的文件中复制。
(3) 对文件进行重命名。
将L-Edit 编辑器默认的文件名Layout 改为Inverter。
(4) 设置格点与坐标。
格点与坐标的设定方式与创建PMOS 晶体管时设定的方法一致。
(5) 调用PMOS 和NMOS 晶体管作为例化单元。
使用Cell---Instance 命令来调用PMOS 单元。
在出现的Select Cell to Instance 对话框中，通过点击Browse按钮浏览到“MOS”文件，可以看到该文件下面有PMOS 和NMOS 两个单元，点击PMOS，然后点击“OK”，可以看到Inverter 文件cell0 单元的版图已经添加了PMOS 单元。
利用同样的方法，可以将NMOS 单元也添加进来。
(6) 连接PMOS 和NMOS 晶体管的栅极。
从CMOS 反相器电路可知，PMOS晶体管和NMOS 晶体管的栅极要连在一起作为反相器的输入端，所以在放置这两个晶体管的时候可以将两者的栅极对准，以便连接。
具体操作是，选择Layer的多晶硅(Poly)层和方框绘图工具后，在版图区域中画一个宽度与晶体管栅极相等的多晶硅矩形，如图1 所示。
cmos反向器电路设计实验报告
cmos反向器电路设计实验报告CMOS反向器电路设计实验报告摘要：本实验通过设计和实现CMOS反向器电路，验证其基本功能和性能。
通过实验测试，我们评估了反向器的输入电压和输出电压之间的关系，以及其延迟时间和功耗等性能指标。
实验结果表明，所设计的CMOS反向器电路具有较高的性能和可靠性。
引言：CMOS（互补金属氧化物半导体）技术是集成电路设计中最常用的工艺之一，其具有功耗低、噪声抑制能力强等优点，在现代电子设备中得到广泛应用。
反向器是CMOS电路中最基本的逻辑门，其功能是将输入信号反转输出。
本实验旨在通过设计和实现CMOS反向器电路，验证其基本功能和性能。
材料与方法：1. 实验所需材料：- 电路设计软件（如LTspice）- CMOS反向器电路元件（晶体管、电阻、电容等）- 直流电源- 示波器2. 实验步骤：1) 在电路设计软件中绘制CMOS反向器电路原理图。
2) 根据设计要求，选择合适的晶体管、电阻和电容等元件。
3) 连接电路并进行仿真测试，调整电阻和电容等参数，以满足设计要求。
4) 使用直流电源为电路供电，并使用示波器测量输入和输出信号的波形。
5) 记录和分析实验数据，并评估反向器的性能。
结果与讨论：通过实验测试，我们得到了CMOS反向器电路的输入和输出电压之间的关系。
我们观察到，当输入电压为高电平时，输出电压为低电平；而当输入电压为低电平时，输出电压为高电平。
这验证了反向器的基本功能。
我们还测试了反向器的延迟时间和功耗。
延迟时间是指输入信号从发生变化到输出信号发生变化之间的时间。
实验结果显示，CMOS 反向器的延迟时间较短，具有较高的响应速度。
功耗是指电路在工作过程中消耗的能量。
实验结果显示，CMOS反向器的功耗较低，符合低功耗设计的要求。
结论：通过本次实验，我们成功设计和实现了CMOS反向器电路，并验证了其基本功能和性能。
实验结果表明，所设计的反向器具有较高的性能和可靠性。
CMOS技术的广泛应用将进一步推动集成电路的发展，为现代电子设备的制造和应用提供了有力支持。
模拟cmos集成电路设计
模拟CMOS集成电路设计1. 引言模拟CMOS集成电路设计是现代集成电路设计的重要领域之一。
随着电子技术的不断发展和进步，集成电路在各个领域都有着广泛的应用，尤其是模拟领域。
模拟CMOS集成电路设计是一门综合性学科，需要掌握深厚的电路理论知识和数理基础。
本文将介绍模拟CMOS集成电路设计的基本原理、常用工具和设计流程。
2. 模拟CMOS集成电路基本原理模拟CMOS集成电路是由大量的MOS晶体管和电阻电容等元件组成的电路。
它能够处理连续变化的电压信号，具有很高的放大和处理能力。
模拟CMOS集成电路设计的基本原理包括以下几个方面：2.1 MOSFET的基本原理模拟CMOS集成电路主要采用NMOS和PMOS两种类型的MOSFET。
NMOS晶体管工作在负电压下，电子流的导通；PMOS晶体管工作在正电压下，空穴流的导通。
MOSFET的基本原理和参数是设计模拟CMOS电路的基础。
2.2 CMOS反相放大器CMOS反相放大器是模拟CMOS电路的基本模块。
它能够将输入电压放大并反向输出。
通过设计合适的电路结构和参数，可以实现不同的放大倍数和频率响应。
2.3 模拟CMOS电路的环路增益模拟CMOS电路的环路增益是指电路反馈回路的增益。
环路增益对电路的稳定性和性能有重要影响。
通过选择合适的电路结构和控制参数，可以提高电路的稳定性和性能。
3. 模拟CMOS集成电路设计工具3.1 SPICE仿真工具SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）是一种广泛使用的电路仿真工具。
它能够模拟和分析模拟CMOS电路的性能，帮助设计师进行电路参数优化和性能评估。
3.2 Cadence工具套件Cadence是一套综合性的集成电路设计工具套件。
它包括了原理图设计、布局设计、电路仿真和物理验证等模块，可以实现从概念到最终产品的全流程设计。
3.3 ADS高频仿真工具ADS（Advanced Design System）是一种专业的高频电路仿真工具。
cmos模拟集成电路设计流程
cmos模拟集成电路设计流程CMOS模拟集成电路设计流程CMOS模拟集成电路（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Analog Integrated Circuit）是一种常见的电路设计技术，它在现代电子领域中具有重要的应用价值。
CMOS模拟集成电路设计流程是指设计师根据特定的需求和要求，通过一系列的步骤来完成电路设计的过程。
下面将介绍CMOS模拟集成电路设计的主要流程。
第一步是需求分析。
在这一步骤中，设计师需要与客户或系统需求方进行沟通，了解电路的功能、性能和特殊要求。
设计师需要明确电路的输入输出关系、电源要求、精度要求等，以便后续的设计过程能够满足这些需求。
第二步是电路拓扑设计。
在这一步骤中，设计师需要选择合适的电路拓扑结构。
根据需求分析的结果，设计师可以选择不同的电路结构，如放大器、滤波器、振荡器等。
设计师需要考虑电路的稳定性、带宽、功耗等因素，并进行合理的权衡和选择。
第三步是电路参数设计。
在这一步骤中，设计师需要确定电路的具体参数，如电流源大小、电阻值、电容值等。
设计师可以通过手工计算、仿真软件等方法来确定这些参数，以满足电路的性能要求。
同时，设计师还需要考虑电路的可靠性和稳定性，避免出现不稳定的工作状态或性能退化的问题。
第四步是电路布局设计。
在这一步骤中，设计师需要将电路的各个元件进行布局，确定它们的相对位置和连接方式。
设计师需要考虑电路元件之间的电磁干扰、电源耦合等问题，并进行合理的布局设计，以提高电路的性能和可靠性。
同时，还需要考虑电路的面积、功耗等因素，以满足集成电路的制造要求。
第五步是电路模拟和验证。
在这一步骤中，设计师需要使用专业的电路仿真软件对设计的电路进行模拟和验证。
通过输入合适的输入信号，设计师可以观察电路的输出响应，并进行相应的参数调整和优化，以满足电路的性能要求。
同时，设计师还需要考虑温度、工作范围等因素对电路性能的影响，以保证电路的可靠性和稳定性。
集成电路逆向设计的各道工序
集成电路逆向设计的各道工序照相、制版、提图、画图、仿真，;编工艺、设计工装、做芯片；测试、老化，芯片上市。
这就是集成电路逆向开发的各道工序、完整流程。
照相在显微图像自动采集平台上逐层对芯片样品进行显微图像采集。
与测量三维实体或曲面的逆向设计不同，测量集成电路芯片纯属表面文章：放好芯片位置、对对焦、选好放大倍数，使芯片表面在镜头中和显示器上清晰可见后，按下拍照按钮便可完成一幅显微图像的采集。
取决于电路的规模和放大倍数，一层电路可能需要在拍摄多幅图像后进行拼凑，多层电路需要在拼凑后对准，有显微图像自动拼凑软件用于进行拼凑和对准操作。
随便估算一下：该显微图像自动采集平台的放大倍数为1000倍，可将0.1um线条的放大至0.1mm的宽度。
这意味着它已足以对付目前采用最先进工艺制作的0.09um集成电路芯片。
提图将在显微图像自动采集平台上获得的电路图打印在相纸上后人工提图。
据了解，电路原理图分析系统已经具有多层显微图像浏览、电路单元符号设计、电路原理图自动和交互式分析提取以及电路原理图编辑等强大功能，版图分析系统则可完成多层版图轮廓自动提取、全功能版图编辑、嵌入软件代码自动识别、提取、校验以及设计规则的统计和提取。
如同翻译软件一样，最完美的英汉互译还是得靠人来完成；提图也是一样，人会从总体上把握、会更加细心；当然，还有重要的一点，就是可以节约成本，这对于目前国内的情况来说，应该是现实的选择……画图将纸上的电路原理图和版图输入电脑。
制作版图它的成品就是一块晶体版。
上面有许多的孔和布线。
版图的制作是根据多晶单晶和阱种类的不同，在电脑上用不同的符号、颜色进行标记画图。
仿真对输入的电路原理图进行浏览、查询、编辑、调试与仿真。
分析电路原理，调节电路参数，并在一定的激励输入下观测输出波形，以验证设计的逻辑正确性。
仿真主要分为四步：1）、预选仿真信号；2）、启动交互仿真；3）、中断仿真；4）、点击菜单命令分析仿真结果。
数字集成电路第5章 CMOS反相器的设计
输入高电平时的噪声容限为
VTH VOH VON VDD VON
输入低电平时的噪声容限为
VNL VOFF VOL VOFF
第一章 概
论
5.2CMOS反相器的直流噪声容限
1.由极限输出电平定义的噪声容限
第一章 概
论
5.2CMOS反相器的直流噪声容限
2.由单位增益点定义的噪声容限 在增益为0和增益很大的输入电平的区域之间必然存在单位增益点，即
第一章 概
论
5.1 CMOS反相器的直流特性
在直流情况下，反相器没有输出电流，总满足
I DN I DP
（1）
V V
in
TN
0
（如ab段）
在此范围内，NMOS管截止，PMOS管工作在线性区
I DN I DP 0
KP
V in V TP V DD V in V TP V out 0
KN KP
，则可以得到
3 1 VC1 VDD VT 8 4
VC 2
5 1 VDD VT 8 4
这种情况下，CMOS反相器的输入高电平和输入低电平的噪声容限相等，
VTH VNL
3 1 VDD VT 8 4
第一章 概
论
5.2CMOS反相器的直流噪声容限
2.由单位增益点定义的噪声容限
特点：
Vin作为PMOS和NMOS的共栅极； Vout作为共漏极； VDD作为PMOS的源极和体端； GND作为NMOS的源极和体端
第一章 概
论
5.1 CMOS反相器的直流特性
第一章 概
论
5.1 CMOS反相器的直流特性
集成电路反向设计
电子科技大学成都学院实验报告册课程名称：姓名：学号： 1院系：专业：教师：2012 年12 月日实验一：模拟器件提取（电阻）一、实验目的：1. 学习ChipAnalyzer软件使用，学会创建工作区2.识别工程项目各个层次3.学会划分模拟工作区与数字工作区4. 能够识别电阻，掌握电阻提取的方法与步骤5.掌握电阻串联和并联提取二、实验原理和内容：实验原理：1.根据学到的电路知识，从照片图像识别出物理结构，再从物理结构得出电学特性从而识别出器件类型。
2.从染色层（离子注入层）可以判断各区域的掺杂类型（对CMOS工艺一般染色后，“亮”色为N型杂质，“暗”色为P型杂质）；在多晶层可以看到接触孔的位置、多晶硅图像；从金属层可以判断出各器件的连接关系。
3．CMOS工艺中常见电阻类型：阱电阻（RNWELL、RPWELL)、注入电阻（RNPLUS 、RPPLUS）、多晶电阻（RPOL Y）、金属电阻（RMETAL)。
实验内容：1.创建工作区2.重命名工作区并更改工作区大小3.在工作区中提取电阻三、实验步骤：1.启动ChipAnalyzer软件；2.打开工程项目；3.创建工作区；4.提取电阻四、实验数据和结果：电阻的提取：单条电阻:RR0(20104,14414) w=3.19u,l=38.1u串联电阻:RR4(19302,14354) w=6.31u l=39.6u s=2并联电阻:RR5(19510,14875) W=4.29u L=30.5u m=3五、实验总结：在这个试验中学会了ChipAnalyzer软件的使用，创建工作区，学会了认识各种电阻，掌握了单个电阻，串联电阻和并联电阻的提取。
实验二模拟器件提取（电容、二极管）一、实验目的：1.进一步学习ChipAnalyzer软件使用2.能够识别电容和二级管，掌握电容和二极管的提取方法与步骤二、实验原理和内容：1.实验原理：1）电容：CMOS工艺常见电容有MOS电容，双多晶电容，金属多晶电容双层或多层金属电容，在集成电路中电容有上下两个导电的极板好和两层之间的绝缘介质构成，在基于ChipAnalyzer软件的构成中可以看到向上下两个极板看不到中间的绝缘介质。
集成电路版图设计-反相器-传输门
集成电路版图设计实验报告学院：电气与控制工程学院班级：XXXXXXXXXX 学号：XXXXXXXX 姓名：XXXX完成日期：2015年1月22日一、实验要求1、掌握Linux常用命令（cd、ls、pwd等）。
（1）cd命令。
用于切换子目录。
输入cd并在后面跟一个路径名，就可以直接进入到另一个子目录中；cd..返回根目录；cd返回主目录。
（2）ls命令。
用于列出当前子目录下所有内容清单。
（3）pwd命令。
用于显示当前所在位置。
2、掌握集成电路设计流程。
模拟集成电路设计的一般过程：（1）电路设计。
依据电路功能完成电路的设计。
（2）前仿真。
电路功能的仿真，包括功耗，电流，电压，温度，压摆幅，输入输出特性等参数的仿真。
（3）版图设计（Layout）。
依据所设计的电路画版图。
一般使用Cadence 软件。
（4）后仿真。
对所画的版图进行仿真，并与前仿真比较，若达不到要求需修改或重新设计版图。
（5）后续处理。
将版图文件生成GDSII文件交予Foundry流片。
3、掌握Cadence软件的使用（1）使用Cadence Schematic Editor绘制原理图。
（2）由Schematic产生symbol。
（3）在测试电路中使用Analog Environment工具进行功能测试。
（4）使用Cadence Layout Editor根据原理图绘制相应版图，以0.6umCMOS设计规则为准。
（5）对所设计的版图进行DRC验证，查错并修改。
以PMOS为例，部分设计规则如下：（um）N-Well包含P+Active的宽度：1.8MOS管沟道最小宽度：0.75 最小长度：0.6Active区伸出栅极Ploy的最小延伸长度：0.5Contact最小尺寸：0.6*0.6Contact与Contact之间的最小间距：0.7Active包最小尺寸Contact的最小宽度：0.4 非最小尺寸Contact的最小宽度：0.6Active上的Contact距栅极Poly1的最小距离：0.6Metal1包最小尺寸的Contact：0.3Metal1与Metal1之间的最小间距：0.8二、实验内容1、CMOS反相器设计（电路设计、仿真、版图设计、验证）2、CMOS传输门设计（电路设计、仿真、版图设计、验证）三、实验结果1、CMOS反相器（1）Schematic当输入端in输入高电平时，MOS管M1截止，M2导通，输出端out 输出低电平。
集成电路反向设计试验
集成电路反向设计实验实验目的：掌握集成电路解剖的原理和方法；掌握集成电路反向分析的方法；了解集成电路反向设计的基本步骤。
实验原理：反向设计是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理，实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉，可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题，也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。
1．反向设计流程反向设计的流程如下：(1)提取横向尺寸①打开封装，进行照相(把电路产品放大数百倍分块照相，提取集成电路的复合版图)；⏹打开外壳：用浓硫酸等方法打开塑料封装，露出管芯；⏹芯片拍照：用光学显微镜进行排照，得到管芯外观图；⏹去掉钝化层，拍照，得到金属连线图；⏹去掉金属层和绝缘介质层，拍照，得到下层金属或多晶硅版图；⏹若为多层布线，重复上一步骤，得到各层版图；⏹去掉所有外部各层，露出硅表面，染色区分p和n区，拍照。
②拼图(把照片拼成整个产品的复合版图)；③由产品的复合版图提取电路图、器件尺寸和设计规则；④进行电路模拟，验证所提取的电路是否正确；⑤如果模拟正确，可以着手画版图。
(2)提取纵向尺寸用扫描电镜，扩展电阻仪等提取氧化层厚度、金属膜厚度、多晶硅厚度、结深、基区宽度等纵向尺寸和纵向杂质分布。
(3)测试产品的电学参数电学参数包括阈值电压，又称开启电压（V T）、薄膜电阻，又称方块电阻（R□）、电流放大倍数（β）、特征频率（f T）等。
然后，在(2)和(3)的基础上确定工艺参数，制订工艺条件和工艺流程。
已出现与计算机联网的显微镜，无需照相可直接进行版图分析。
从版图中提取出电路图，进行仿真及功能分析、结构修改后，又转入正向设计。
详见下表。
网表提取标准流程利用网表提取器ChipLogic Analyzer能够提取得到芯片的网表数据，并以标准格式（Verilog、SPICE和EDIF）输出。
软件提供的线网自动提取算法和单元自动搜索算法可以很大程度地减少手工操作的工作量。
CMOS模拟电路设计流程以及检查验收规章
CMOS反向工程仿真电路设计流程及检查验收规章为了确保CMOS仿真电路设计项目研发工作,能在规定的时间内按质按量地完成,并对完成质量进行评估和验收,特制定本管理办法. CMOS仿真电路设计项目的检查及验收按照此办法执行.图1:CMOS仿真电路逆向设计流程根据图1所示为CMOS仿真电路逆向设计的基本流程,可以看出,项目从开始到结束,大致分为3个阶段,1:立项,启动;2:开展,进行;3:完成,验收.在以上各阶段及各具体环节中,应按以下规范工作,并提交达到要求的相应成果.专案立项1、项目评估根据设计需求,设计中心将评估该项目的工作条件是否基本具备,难度如何,时间及人员安排是否可行,提出初步意见后下达给相关研发人员作组队准备.2、项目研究小组组队项目研究小组建队采取设计中心指定与个人自愿参加相结合的原则.每个研究小组的人员素质和人数应根据项目的难度,时间要求等因素综合考虑.并配备不同层次,不同特长的人员参加.3、项目分析与计划制定项目组长会同小组全体成员,对项目的基本情况进行分析,材料是否齐全,重大技术难点何在,风险如何等,在此基础上提交设计中心“项目开始启动检查表(Project Kick-off Check List)”备案,并提交项目进度及人员安排计划建议书,其内容包括以下三个方面:1)、专案概况:包括项目名称,简要介绍,项目起止期限,人员,负责人,设计要求,其它情况.2)、进度安排:包括分几个阶段,每阶段完成的主要任务,人员安排等:3)、其它安排:考虑所存在的技术难点及可能遇到的问题,提出机动时间及与其它课题的协作方案以及软件使用,工作站使用及与其它课题的协作或合作等.设计中心根据所提交的计划建议书,提出书面修改意见,双方充分沟通后,以项目实际要求为准则,制定切实可行的“项目设计方案计划书”,落实研发工作期限,设计人员及其分工,工作内容及进度安排等重要内容,上报设计中心批准,备案.项目立项工作的全部内容应在十日内完成.专案启动项目立项工作全部完成后即进入项目启动阶段,设计中心下达“项目设计任务书”给研发小组,设计任务书经项目组长确认签字后交设计中心审签存盘.任务书下达的时间为项目正式启动的时间,项目阶段进展及完成日期均以此时间为基准.项目启动后,研发小组不得随意更改计划书内容及要求,由于实际情况的变化,可提出计划变更申请,经公司审核同意后才能实施,同时提交设计中心一份新的计划任务书备案.设计中心不得随意抽调,更改小组研发人员的配置项目在整个设计过程中的任何阶段,受到不可抗拒的客观因素(包括技术因素)的影响,导致项目进度的拖延,项目组长都必须及时向设计中心主管呈交书面报告,以便及时处理解决.专案开展项目实施由组长负责,并应严格按计划执行,并按阶段检查落实.项目开展过程中的各个具体技术环节,需按规范要求实施.版图提取和整理(Reverse from Layout)从照片提取电路,对照芯片数据进行电路分析及模块划分,并进一步探讨计划的可行性,进一步细化工作安排及设计计划.A:设计人员根据样品照片进行线路图提取.B:项目组长负责照片上各PAD名称标示,模块划分命名和任务分配.C:线路图应包括单元级,功能块级和Top Level级.提图步骤:(1)将照片上各PAD处依Spec.之PIN Name及PIN Assignment标示名称在照片上.(2)将照片上所有的Power Line(VDD,VSS等)依由外至内,由左至右,由上至下之顺序标示名称在照片上.(3)将照片上所有的讯号联机依由外至内,由左至右,由上至下之顺序标示.其讯号线名称统一以流水号码L1,L2,…,Lxxx,标示在照片上(4)将照片上所有的电阻架构分析并厘清,并依SPICE MODEL内电阻的DeviceName(Device Name为HSPICE仿真时,Net list相对应于SPICE MODEL之工艺制程参数),依由外至内,由左至右,由上至下之顺序标示在照片上,而其相对应之Cell Name也依上述顺序并以流水号码R1,R2,…, Rxx,标示在照片上.注意:各电阻之隔离岛电位的接法(5)将照片上所有的电容架构分析并厘清,并依SPICE MODEL内电容的DeviceName(Device Name为HSPICE仿真时,Net list相对应于SPICE MODEL之工艺制程参数),依由外至内,由左至右,由上至下之顺序标示在照片上,而其相对应之Cell Name也依上述顺序并以流水号码C1,C2,…, Cxx,标示在照片上.注意:各电容之隔离岛电位的接法(6)将照片上所有的MOS架构分析并厘清,并依SPICE MODEL内MOS的DeviceName(Device Name为HSPICE仿真时,Net list相对应于SPICE MODEL之工艺制程参数),依由外至内,由左至右,由上至下之顺序标示在照片上,而其相对应之Cell Name也依上述顺序并以流水号码M1,M2,…, Mxx,标示在照片上.并在电路图上标明原器件W/L.并以4端的Symbol表示,注意:各MOS之Buck端及隔离岛电位的接法(7)将照片上所有的BJT架构分析并厘清,统计并区分照片上各种BJT型态及射集面积大小(大约值),统一命名其Device Name,命名法则:若为NPN:单射集数,最小射集面积,暂时命名为NPN1,并依射集面积大小比率,依序命名NPN2,NPN3…,NPNx.若为NPN:多射集数,最小射集面积,暂时命名为NPN2E(2E代表2个射集),依此类推.若为Lateral PNP:单射集数,最小射集面积,暂时命名为LPNP1,并依射集面积大小比率,依序命名LPNP2,LPNP3…,LPNPx.若为Vertical PNP:单射集数,最小射集面积,暂时命名为VPNP1,并依射集面积大小比率,依序命名VPNP2,VPNP3,…,VPNPx.若为PNP:多射集数,最小射集面积,暂时命名为PNP2E(2E代表2个射集),依此类推.就照片上所有的BJT依不同的型态及射集面积大小,将其Device Name依由外至内,由左至右,由上至下之顺序标示在照片上.且将相对应之Cell Name依上述顺序并以流水号码M1,M2,…, Mxx,标示在照片上.(8)若版图太复杂,则将照片区分若干BLOCK,BLOCK暂时命名为Blocka,blockc,..,blockx.线路提取依由外至内,由左至右,由上至下之顺序提取,并将提取的线路划在纸上.电路图输入(Schematic Entry)要求根据电路整理分析后的层次化模块关系,进行线路图输入,作为模拟的基础. A:电路图输入应分层次:单元级,Block级和Top Level级.B: Block级尽量做到按功能块划分.C:电路图尽量做到规范,清晰,易读.D:设计人员完成电路图输入必须填写“电路图完成清单”注意:(1):如果电路的层次较多,可以在Library上建立View的多级Category,然后把同一大模块的很多子模块Include进去.最好在完成Category下的子模块之后再建立Category.(2)各埠及名称的表示应遵循规则,有意义.(3)对多输入单元,应遵循整理出的电路连接关系,严格各埠的连接.本阶段任务完成后应提交：电路图(Schematic).线路输入步骤(1)将誊写在纸上的线路,在Artis环境下用Composer进行线路输入,其单元级之Symbol套用Artis提供之标准单元库,并将标准单元库之Device Name更改与纸上的线路Device Name一致,且Cell Name必须与纸上的线路Cell Name一致.(2)使用Composer之Save and Check指令进行Device间联机的检验,察看是否有Input floating/Output floating/Multi. Input.若有此情况产生,则察看照片是否提图错误,直到问题厘清,但Output floating现象是可容许.(3)根据功能块,进行电路整理分析后的层次化模块关系,重新进行线路图输入,将相关的Device放在同一的功能块中(BLOCK),功能块的名称必须有意义化.(待电路原理分析清楚后再重新命名).(4)功能块的输入/输出讯号线数量,应以最少化为准则.(5)每一个功能块的输入/输出讯号线名称必须有意义化(待电路原理分析清楚后再重新命名)(6)从照片上量得之各电阻的长/宽以square方式输入线路图(各电阻值未知).(7)从照片上量得之各电容的长/宽以square方式输入线路图(各电容值未知).(8)每个功能块线路图的输入讯号端在左边,输出讯号端在右边.电路原理分析及演算(Function Analyze and Adjust)按照划分的电路层次化结构及其功能块进行电路原理分析及演算,主要目的在于让设计人员熟悉线路架构及原理,减少仿真时间及错误:此电路原理分析及演算与线路输入可同步进行本阶段任务完成后应提交：各模块直至Whole Chip的Design Note电路原理分析及演算步骤(1)将线路图打印一份,在打印出的线路图上作电路原理分析及演算(2)将各功能块的重要线路如OP/Comparator/Current Mirror/V oltage Reference整理出,作原理分析.检查其线路连接是否有误.(3)再将输入端控制线路整理出,作原理分析.检查其线路连接是否有误.(4)次将输出端控制线路整理出,作原理分析.检查其线路连接是否有误.(5)以上步骤皆能通过原理分析,则代表功能块线路的完整性,若有一步骤无法分析,则须从照片上仔细看相关Device与连线.若无误,则代表有一些相关的Device被切割至其它功能块中,(6)重新线路输入,将相关的Device切割至相对应之功能块中.(7)以上步骤皆无误时,再作演算(8)先推算出各功能块的重要线路如OP/Comparator/Current Mirror/V oltageReference之BJT的gm值.(9)再推算出各功能块的重要线路如OP/Comparator/Current Mirror/V oltageReference之电阻/电容值.(10)将输入端控制线路中各Device之gm/电阻值/电容值推算出.(11)将输出端控制线路中各Device之gm/电阻值/电容值推算出.电路性仿真(Circuits HSPICE and PowrMill Simulation)HSPICE/PowrMill模拟验证阶段计划及各阶段的检查要求(包括各阶段的总体任务,每阶段主要时间段的目标及人员安排,提出各阶段的检查标准或应提交的报告等).A.电路中的关键单元必须进行并完成电路性能仿真.B.电特性仿真调用的模型和参数需经安茂主管指定的人员确认.C.电特性仿真结果需由项目组长最后确认,由该完成此任务的设计人员在检查例会上作介绍.D.电特性仿真完成后必须填写“电特性仿真完成清单”.本阶段工作完成后应提交：(1)各模块直至Whole Chip的网表及模拟激励文件；(2)HSPICE/PowrMill模拟报告。
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电路原理分析及演算(Function Analyze and Adjust)
1. 2.
3.
将电路图打印一份,在打印出的电路图上作电路 原理分析及演算 将各功能块的重要电路如OP/Comparator/ Current Mirror/Voltage Reference整理出, 作原理分析. 整理出输入端和输出端控制电路, 作原理分析. 检查电路连接是否有误.
的完整性,若有一步骤无法分析,则须从照片上仔 细看相关Device与连线.
以上步骤皆能通过原理分析,则代表功能块电路
2007-7-5
8
电路原理分析及演算(Function Analyze and Adjust)
4.
重新电路输入,将相关的Device放置到相对应的 功能块中.
以上步骤皆无误时,再作下面的演算
18
2007-7-5
5.
6.
7.
8.
2007-7-5
先推算出各功能块的重要电路如 OP/Comparator/Current Mirror/Voltage Reference之MOS管的gm值. 再推算出各功能块的重要电路的电阻/电容值. 将输入端电路中各Device之gm/电阻值/电容值 推算出. 将输出端电路中各Device之gm/电阻值/电容值 推算出.
2007-7-5 3
提图步骤
Байду номын сангаас
2007-7-5
将各PAD标示在照片上 将所有的电源线(VDD,VSS等)依由外至内,由左 至右,由上至下之顺序标示在照片上. 将所有的信号线依次以流水号码L1,L2,…,Lxxx, 标示在照片上 分析电阻, 依次以R1,R2,…, Rxx标示在照片上 分析电容, 标示在照片上. 分析MOS管，在电路图上标明原器件W/L.并以 4端的Symbol表示 分析BJT管,标示在照片上
本阶段完成后应提交： (1)系统测试文件及结果. (2)Whole Chip模拟报告. (3)Design Note.
2007-7-5 14
芯片系统仿真步骤
将Whole Chip电路图转换成Netlist file,供HSPICE功能仿真使用. 改变工艺参数/电压参数/温度参数作功能特性容差仿真. 检查仿真结果是否合乎SPEC，若功能超出,则检视其发生于那一些功 能块，就发生问题之功能块进行优化 若上述步骤无法使功能合乎SPEC,则须针对各功能块再度进行容差分 析及优化 若无法有效使功能合乎规格书,则易因工艺参数/电压参数/温度参数之 变动 产生功能指标漂移的功能块须作电路架构更改,如Voltage Reference/OSC/Current Mirror等因有电阻或须作电流放大之电路 架构.
2007-7-5
13
芯片系统仿真(Whole Chip Simulation)
A.进行所要求仿真模块的HSPICE simulation； B.最后进行HSPICE的Whole chip simulation C.在系统整合过程中,模块应按功能与命令一块一块或分 层次/分部分地累加,直到构成系统级,完成Whole Chip Simulation.
模拟集成电路反向设计流程
华中科技大学电子系
2007-7-5
1
立项前的准备工作
工作计划表
立项
模拟 电路 反向 设计 流程
Schematic
版图提取
Design note
电路原理分析整理
Hspice Sim. Report
电路功能仿真
PowerMILL Sim. Report
电路性能仿真
Whole Chip Sim. Report
10
2007-7-5
电特性仿真步骤
详读Electrical Design Rule与SPICE Model,了解 各电阻/电容型态之工艺参数,如TC1,TC2,单位面积 之最大,典型,最小的电阻/电容值 仿真出SPICE Model中各种管子的gm值 将电路中各Device Name以实际Spice Model中名 字取代. 将重整后之电路转换成netlist,供HSPICE仿真使用 (Con.)
提交人 Project Leader Project Leader Project Leader Project Leader 研发小组成员 研发小组成员 研发小组成员 研发小组 Project Leader Project Leader Project Leader
16
项目设计方案计划书 项目计划调整书 项目月度总结报告 项目周进度汇报表 项目设计技术报告 HSPICE模拟报告 PowrMill模拟报告* Design Notes 项目总结报告 Pre-Delivery C/L of Completed Design Project Completion Report
2007-7-5 6
电路输入步骤
2007-7-5
将誊写在纸上的线路进行电路输入 Save and Check 电路整理 重新进行电路图输入,将相关的Device放在同一 (BLOCK), 功能块的名称须有意义化 每一个功能块的I/O信号线名称必须有意义 从照片上量得各电阻、电容的W/L以square方 式输入电路图(各电阻值未知). 每个功能块电路图的Input在左边,Output在右 边.
9
电路仿真(Circuits HSPICE）
HSPICE仿真阶段计划及各阶段的要求
A.电路中的关键单元必须进行电路性能仿真. B.电特性仿真调用的模型和参数需经确认. C.电特性仿真结果需由项目组长最后确认,由完成此任务的 设计人员在检查例会上作介绍. D.电特性仿真完成后必须填写“电特性仿真完成清单”. 本阶段工作完成后应提交： 各模块直至Whole Chip的网表及仿真激励文件； HSPICE仿真报告。
2007-7-5 11
电特性仿真步骤(Con.)
将Netlist中电阻/电容值以推算值取代 针对工艺参数/电压参数/温度参数作容差分析. 针对仿真结果进行优化,反复修改并联数及电阻/ 电容绝对值 再针对电阻/电容的工艺参数/电压参数/温度参数 作容差分析. 针对仿真结果进行优化,反复修改电阻/电容值及 电阻/电容型态,求得电阻/电容值的范围 若以上步骤皆无法达到最优,则其电路结构须 作更改,再重复以上步骤.
附2：我们的工作
Reverse schematic from photo Re-entry schematic with Viewlogic Partition block flow spec Whole chip schematic entry with Viewlogic Sub-block function simulation with HSPICE Whole chip function simulation with HSPICE
4
若版图太复杂,则将照片区分若干 BLOCK,BLOCK暂时命名为Blocka, blockb…… blockx.电路提取依由外至内, 由左至右,由上至下之顺序提取,并将提取 的电路画在纸上.
2007-7-5
5
电路图输入(Schematic Entry)要求
要求根据电路整理分析后的层次化模块 关系,进行线路图输入,作为仿真的基础！ A:电路图输入应分层次:单元级,Block级和 Top Level级. B: Block级尽量做到按功能块划分. C:电路图尽量做到规范,清晰,易读. D:设计人员完成电路图输入须填写“电路图 完成清单”
17
2007-7-5
附3：交付材料
Whole chip schematic with Viewlogic Sub-block Simulation report with PC format Sub-block Design note with PC format Whole Chip Simulation Report with PC format. Whole Chip Design Note with PC format Whole Chip simulation files that include HSPICE simulation files
系统仿真
GDSII, DRC/LVS File Whole Chip PostLayout Sim.Report
2007-7-5
Layout
系统后仿真
设计修改、优 化、更改
2
检查、验收
版图提取和整理(Reverse from Layout)
从照片提取电路,对照芯片datasheet 进行电路分析及模块划分, 进一步细化工作 安排及计划. A:项目组长负责照片上各PAD名称标示,模块 划分命名和任务分配. B:设计人员根据样品照片进行电路图提取. 注：Hierarchy！
12
2007-7-5
功耗特性仿真步骤 *
将Whole Chip电路图转出一版Netlist file,以便PowrMill 功耗特性仿真使用. 更动工艺参数/电压参数/温度参数作功耗特性仿真. 检视仿真结果是否合乎SPEC之指标 若功耗指针超出SPEC,则检视各功能块功耗百分比 就功耗百分比最大之功能块进行优质化,降低其功耗. 若上述步骤无法降低Whole Chip功耗,则须针对各功能块 再度进行优质化. 若无法有效降低Whole Chip功耗,则功耗百分比最大之功 能块须作电路架构更改,如Voltage Reference/OSC/Current Mirror等耗电流大之电路架构.
2007-7-5
15
附1：各阶段应提交的报告