硅缺陷发光的研究概况

硅缺陷发光的研究概况

杨 宇

SiGe/Si量子阱中弱温时与量子阱有

究还有导带与价

LED的有效发光。他们采用标准的程将在Si片内部产

在30keV能量下，

步研究表明发光来）填隙的点缺陷，但这些缺陷区域位置分布与硅离子注入位置（同能量和剂

通过同多孔硅类似

用》、《材料光电性能》、

士生和1名博士生（同上海交通大学联合培养）。先后主持完成云南省各类基础研究

项目及国家自然科学基金项

技术制备出GeSi/Si量子阱发光材料，首次在非晶材料上制备出Ge晶体，在国内较早

研制出高热电系数的Si红外

年来，在国内外学术刊物上发表论文120余篇，SCI、EI收录40余篇。获得国家发明专

利4项，研制出森林火源红外报警仪。1997年获上海市材料科学与工程博士后论文报

告优秀奖；1998年获首届云

2002年获云南省自然科学进

术带头人。