元器件降额准则汇总表
元器件降额准则一览表
元器件降额准则一览表
一、电容
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言，推荐的供电电源是不能进行降额的，因为这样可能会达不到其额定功率。
要参考正确的器件规格或制造商的资料。
对于工作
温度，要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内，这样才能保证得到正确的额定频率值。
最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。
最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。
对于恒温晶振，只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度，最低工作温度高10度。
三、电阻
四、二极管
五、晶极管
六、磁性器件：变压器和电感的降额要求：
七、微电路
*商业等级微电路的主要降额因素是温度。
八、保险丝：UL/IEC保险丝降额要求
九、连接器
十、开关
十一、电源。
元器件降额准则一览表
元器件降额准则一览表
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言，推荐的供电电源是不能进行降额的，因为这样可能会达不到其额定功率。
要参考正确的器件规格或制造商的资料。
对于工作温度，要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内，这样才能保证得到正确的额定频率值。
最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。
最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。
对于恒温晶振，只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度，最低工作温度高10度。
*商业等级微电路的主要降额因素是温度。
WI-TE-006 元器件降额准则
元器件降额准则编号：WI-TE-006版次：V01编制：审核：批准：目录1.0目的--------------------------------------------------------------------------------42.0适用范围--------------------------------------------------------------------------43.0引用文件--------------------------------------------------------------------------44.0一般要求--------------------------------------------------------------------------45.0详细要求--------------------------------------------------------------------------56.0应用指南-------------------------------------------------------------------------131.0目的为了满足客户对产品可靠性和使用寿命的要求，本标准规定了电子、电气元器件（以下简称元器件）在不同应用情况下应降额的参数及其量值，同时提供了若干与降额使用有关的应用指南。
2.0适用范围本准则适用于我司研发的所有电源产品3.0引用文件GJB/Z 35-1993元器件降额准则4.0一般要求4.1降额等级的划分我司降额等级分别从两方面来划分，一个主要从产品性能方面来考虑，另一个主要从产品经济效益方面来考虑。
首先，为适合我司对产品工作应力从稳态与瞬态两方面来进行要求和评估，从而制定两个降额等级：S—稳态应力降额，T—瞬态应力降额。
稳态应力是指在产品规格书中所规定的全电压输入范围、各种输出条件及环境条件下，产品稳定工作时，器件在某种组合条件下所承受的最大应力。
元器件降额标准(参考)
晶体管
方向
电压
一般晶体管
功率MOSFET的栅源电压
电流
功率
功率管安全工作区
集电极－发射极电压
集电极最大允许电流
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波晶体管
最高结温
同晶体管
二极管（基准管除外）
电压（不适用于稳压管）
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
数字电路
双极型 电路
频率
输出电流
最高结温（℃）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
薄模集成电路（W/cm2）
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
TAM-20
TAM-20
TAM-20
微调电容器
直流工作电压
~
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电感元件
热点温度THS（℃）(简写T)
T-40~25
T-25~10
T-15~0
工作电流
~
~
~
瞬间电压/电流
介质耐压
~
~
~
扼流圈工作电压
继电器
元器件降额表
裕度（B 级）
发光侧
正向电流 IF
50%以下
光 受 光晶体管
根据光晶体管的各项指标
耦 光 光晶闸管
根据光晶闸管的各项指标
侧 光双向可控硅 根据光双向可控硅的各项指标
印加电压
与额定电压相符合
通电电流
磁芯不可以饱和
90%以下
单元仕样周围温度
允许温度上升
线圈 变压器
A 种绝缘
B 种，E 种绝缘
450C
45deg
线性 IC
集电极损失
PC
结温
Tj
安全动作区域（ASO）
漏极，源极间电压 VDSS
门极，源极间电压 VDSS
漏极电流
ID
漏极尖峰电流
ID（puls）
通道损耗
PCH
通道温度
Tj
周期反向电压
VRRM
非周期反向电压
VRSM
平均正向电流
IF（AV）
浪涌电流
IFSM
正向电流
允许损耗
PD
结温
Tj
正向电流
IF
输入电压
(I2t 的 50%以下)
AC
额定频率的 95～105%(50HZ/60HZ)
继电器工作电压 制线圈触点部
DC 控
印加电压
通电电流
额定电压的±10%以内 使用与电源电压相苻的继电器(250VAC,125VAC)
额定通电电流的 50%以下
浪涌电流
浪涌耐量值的 70%以下
开关
印加电压 通电电流
使用与电源电压相苻的继电器(250VAC,125VAC) 额定通电电流的 80%以下
70%以下 80%以下
90%以下 80%以下 50%以下 90%以下 70%以下 80%以下 90%以下 90%以下 70%以下 90%以下 60%以下 60%以下 80%以下 50%以下 80%以下 70%以下 80%以下 80%以下 80%以下
元器件降额准则GJBZ 35-1993
元器件降额准则编号：WI-TE-006版次：V01编制：审核：批准：目录1.0目的--------------------------------------------------------------------------------42.0适用范围--------------------------------------------------------------------------43.0引用文件--------------------------------------------------------------------------44.0一般要求--------------------------------------------------------------------------45.0详细要求--------------------------------------------------------------------------56.0应用指南-------------------------------------------------------------------------131.0目的为了满足客户对产品可靠性和使用寿命的要求，本标准规定了电子、电气元器件（以下简称元器件）在不同应用情况下应降额的参数及其量值，同时提供了若干与降额使用有关的应用指南。
2.0适用范围本准则适用于我司研发的所有电源产品3.0引用文件GJB/Z 35-1993元器件降额准则4.0一般要求4.1降额等级的划分我司降额等级分别从两方面来划分，一个主要从产品性能方面来考虑，另一个主要从产品经济效益方面来考虑。
首先，为适合我司对产品工作应力从稳态与瞬态两方面来进行要求和评估，从而制定两个降额等级：S—稳态应力降额，T—瞬态应力降额。
稳态应力是指在产品规格书中所规定的全电压输入范围、各种输出条件及环境条件下，产品稳定工作时，器件在某种组合条件下所承受的最大应力。
元器件降额标准(参考)
（适用于ILD）
电流
（适用于ILD）
结温
设法降低
光纤探测器
PIN反向压降
结温
设法降低
光纤 与光 缆
温度
上限额定值—20;下限额定值+20
张力
光纤
耐拉试验的
光缆
拉伸额定值的
弯曲半径
最小允许值的
核辐射
按产品详细规范降额或加固
导线 与电 缆
最大应用电压
最大绝缘电压规定值的
最大应用电流（A）
线规Avg
线绕 电位 器
电压
功率
普通型
非密封功率型
—
—
微调线绕型
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
热敏电阻器
功率
最高环境温度(C)
Tam-15
Tam-15
Tam-15
电容
器
固定玻璃釉型
直流工作电压
最高额定环境温度Tam(C)
Tam-10
Tam-10
Tam-10
直流工作电压
固定云母型
最高额定环境温度Tam(C)
Tam-10
输出电流
功率
最高结温（C）
80
95
105
数字电路
双极型电 路
频率
输出电流
最高结温（C）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温（C）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
薄模集成电路（W/cm2）
最高结温（C）
85
100
115
大规模集成电路
元件降额参考
一、集成电路因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。
我们通常规定：1，最大工作电压，不超过额定电压80%2，最大输出电流，不超过额定电流75%3，结温，最大85摄氏度，或不超过额定最高结温的80%二、二极管二极管种类繁多，特性不一。
故而，有通用要求，也有特别要求：通用要求：长期反向电压<70%～90%×V RRM（最大可重复反向电压）最大峰值反向电压<90%×V RRM正向平均电流<70%～90%×额定值正向峰值电流<75%～85%×I FRM正向可重复峰值电流对于工作结温，不同的二极管要求略有区别：信号二极管< 85～150℃玻璃钝化二极管< 85～150℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（<1000V）<85～125℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）<85～115℃肖特基二极管< 85～115℃稳压二极管（<0.5W）<85～125℃稳压二极管（≥0.5W）<85～100℃T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。
这是一个可供参考的经验值。
这里很多指标给的是个范围，因为不同的可靠性要求和成本之间有矛盾。
所以给出一个相对比较注重可靠性的和一个比较注重成本的两个值供参考。
下面同理三、功率MOSV GS<85%×V GSmax(最大栅极驱动电压)I D_peak<80%×I D_M(最大漏极脉冲电流)V DS<80～90%×额定电压dV/dt<50%～90%×额定值结温<85℃~80%×T jmax(最大工作结温)T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。
元器件降额标准(参考)
0.90
0.90
功率
0.80
0.80
0.90
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
7.5
薄模集成电路（W/cm2）
6.5
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
分离半导体器件
晶体管
方向
电压
一般晶体管
0.60
0.70
0.80
功率MOSFET的栅源电压
电压
0.60
0.70
0.80
电流
0.50
0.65
0.80
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
固定电阻器
合成型电阻器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
薄膜型电阻器
电压
0.75
0.75
0.90
电感负载
电感额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.35
0.40
0.75
电机负载
电机额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.15
0.20
0.35
灯丝负载
灯泡额定电流的
0.50
元器件降额规范
表1集成电路降额表.......................................................................3
表2分立半导体降额表......................................................................4
温度
Max-20℃
Max-20℃
Max-20℃
线绕电阻
电压
0.85
0.85
0.95
功率
精密型
0.8
0.8
0.9
功率型
0.8
0.8
0.9
温度
Max-20℃
Max-20℃
Max-20℃
保险丝
电压
0.85
0.85
0.95
电流
0.55
0.55
0.55
热敏电阻
电压
0.85
0.85
0.95
电流
0.85
0.85
0.95
电压
0.85
0.95
0.95
电流
0.85
0.95
0.95
最高结温，Tj
0.8
0.8
0.9
光电器件
电压
0.85
0.95
0.95
电流
光耦
0.85
0.95
0.95
发光二极管
0.65
0.85
0.85
最高结温Tj
0.8
0.9
0.9
注：Tj为器件最高允许结温
5.3固定电阻器、保险丝、热敏电阻
表3固定电阻降额表
元器件种类
100%(Ref.)
元器件降额标准(参考)
灯泡额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.07~0.08
0.10
0.15
触点电压
0.40
0.50
0.70
触点功率
0.40
0.50
0.70
连接器
工作电压
0.50
0.70
0.80
工作电流
0.50
0.70
0.80
最高接触对额定温度TM（℃）
TM-40
TM-20
TM-15
电机
最高工作温度（℃）
－
－
TAM-20
钽电解
直流工作电压
0.50
0.60
0.70
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-20
TAM-20
TAM-20
微调电容器
直流工作电压
0.30~0.40
0.50
0.50
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电感元件
热点温度THS（℃）(简写T)
T-40~25
T-25~10
T-15~0
工作电流
0.60~0.70
0.60~0.70
0.60~0.70
瞬间电压/电流
0.9
0.9
0.9
介质耐压
0.5~0.6
0.5~0.6
0.5~0.6
扼流圈工作电压
0.7
0.7
0.7
继电器
连续触点电流
小功率负荷（＜100mW）
不降额
电阻负载
0.50
0.75
0.90
电容负载（最大浪涌电流）
元器件降额准则
元器件降额准则元器件降额准则概述元器件降额是指在保证电路性能稳定的前提下，将电子元器件的额定数值减小一定比例，用更小的元器件来实现同样的功能。
元器件降额的工程应用主要是针对电源电路和信号处理电路，通过降低元器件的容值、电阻值、电感值等参数，使得相应的电路成本减少，同时对整个系统的运行稳定性没有影响。
在电子设计中，通常采用元器件降额的方法来缩小电路的体积、降低成本和提高效率。
而与此相应的，元器件降额准则就成了电子工程师需了解的重要知识之一。
元器件降额准则1. 电容器降额准则电容器降额准则是指将标称容量为C1的电容器，根据电路实际工作要求，选用容量为C2的电容器代替，C2 < C1。
一般的，当C2<0.1C1时，不会对电路性能产生显著的影响。
当C2<0.01C1时，可能会影响电路的稳定性，因此需要进行适当的补偿和设计。
2. 电阻器降额准则电阻器降额准则是指选用电阻值小于标称值的电阻器，来代替标称值为R的电阻器。
一般来说，选用与标称值相比小于10%的电阻器不会影响电路性能。
但是需要注意的是，如果电阻值太小会降低电路负载能力，导致电路不稳定，因此选用时需要根据具体情况进行权衡。
3. 电感器降额准则电感器降额准则是指选用低于标称值的电感器，来代替标称值为L的电感器。
一般来说，选用电感值小于标称值10%的电感器不会对电路性能产生明显的影响。
但是，对于高频电路或对电感器性能有严格要求的场景，需要进行详细的电路仿真和测试，以确保电路的稳定性和性能。
4. 半导体器件降额准则半导体器件降额准则是指选用与标称值相比小于10%的电流、电压值的半导体器件替换标称值为I或V的器件。
但是，需要注意的是，在选用低于标称值的半导体器件时，也需要考虑其安装和工作温度等特殊因素，以保证电路的可靠性。
5. 变压器降额准则变压器降额准则是指将标称值为N1:N2的变压器，选用变比N3:N4的变压器代替，通常有N3/N1=n4/N2。
电子元件的降额（精）
电子元件的降额降额这种技术通常用于电力及电子设备中，它使这些设备在低于额定最大值的功耗下运行，它同时考虑到外壳/机体温度、环境温度，以及所采用的冷却机制类型。
在本文中，我们将简要阐述降额的理论背景，以及它的应用方法。
降额可增加零件设计极限与外加应力间的安全裕度，从而为零件提供额外的保护。
通过对电气或电子元件应用降额，可以降低它的退化速率。
结果可提高可靠性及寿命期望。
在直觉上，如果一个元件或系统在其设计极限下运行，则相比于运行应力等于或高于设计极限的情形，其将更为可靠。
从理论上讲，降额的益处可运用负载-强度干涉理论来阐述。
负载-强度干涉通常，失效发生于外加负载超过强度时。
负载与强度应通过一般方式来考虑。
对电子零件而言，“负载”可以指电压、功率，或是内部应力如结温。
“强度”可以指任何抵抗性的物理特性。
某一给定类型的电子元件并不相同。
它们具有强度可变性。
这种可变性源于原材料间及制造过程间的差异。
即使对于材料相同及制造过程相同的元件，仍然会因噪声因素而存在差异，这些因素有如微观材料缺陷，或是单一制造过程内的变动。
因此，元件的强度被视为随机变量。
施加于电子零件的负载如功率、温度或湿度，同样也是随机变量。
因此，人们通常运用统计分布来描述负载与强度。
可以运用两个因子，来分析负载与强度分布的干涉。
这两个因子为“安全裕度”（Safety Margin，SM）与“载荷粗糙度”（Loading Roughness，LR）。
[1]安全裕度的定义如下：其中L 与S 为负载与强度分布的平均值，σL 与σS 为负载与强度分布的标准差。
SM 是负载与强度平均值的相对间距。
载荷粗糙度可通过负载的标准差定义如下：图1-3 给出了三个示例，它们显示了安全裕度与载荷粗糙度间的不同关系。
图1 中的负载与强度分布是不重叠的，这显示的是高可靠性情境，其具有窄的分布、低的载荷粗糙度与高的安全裕度。
图1：具有大SM 与低LR 的不重叠负载与强度分布图2 显示了低的载荷粗糙度与低的安全裕度。
元器件降额准则
元器件降额判定标准 (1)
Forward Current 90% 90% 90% 90% 80%
备注
I2t 小于额定值的 80% 额定功率的 80%
温度应力： 类型
功率整流管 肖特基
快恢复二极管 整流桥 稳压管
3)电容： 电压应力：
类型 电解电容 钽电容 陶瓷电容 薄膜电容
A. 元器件降额判定标准
参见MET0001-2003 Component Derating Guidelines for High Reliability Power Assemblies
1)开关管： 电压应力：
类型
功率 MOS 管 功率双极型晶体管
IGBT Triac/SCR
V max. 带雪崩吸收
8)电源线和线材： 电流：低于额定值的 80% 电压：低于额定值的 70%
9)接插件： 电流：每 pin 低于额定值的 70% 对于并联的要分别测量每 pin 的电流
10)保险： 电流：I2t 应小于额定值的 50%(在最严酷的条件下)
6)磁性材料： 温度：Class F：不超过 130℃; Class B：不超过 110℃; Class A：不超过 90℃;
非晶态磁芯（Amorphous Choke）：不超过 100℃; 铁粉磁芯（Iron powder core）：不超过 90℃。
7)继电器和开关： 电流：低于额定电流的 80% 温度：低于额定工作温度 10℃
备注
备注 相应温度下的最大允许电流的 90%
备注
4)数字、线性 IC： Vcc 低于 85%的额定值 Tj 低于 80%的额定值
5)功率电阻： 类型
物理量 温度 功耗 电压
元器件降额标准(参考)
Ip (%)
IDM (%)
VGS (%)
Vpss (%)
Ip (%)
IDM (%)
VGS (%)
85
80
80
85
90
85
80
85
IC
Vpeak (%)
Pd (%)
Tcase (°C)
Vpeak (%)
Pd (%)
Tcase (°C)
80
80
90
85
80
90
PCB ( Solder Temp)
最高结温
同晶体管
二极管（基准管除外）
电压（不适用于稳压管）
0.60
0.70
0.80
电流
0.50
0.65
0.80
功率
0.50
0.65
0.80
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波二极管
最高结温
同二极管
基准二极管
可控硅/半导体光电器件
0.75
0.90
电感负载
电感额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.35
0.40
0.75
电机负载
电机额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.15
0.20
0.35
灯丝负载
灯泡额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
元器件降额准则一览表
元器件降额准则一览表
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言，推荐的供电电源是不能进行降额的，因为这样可能会达不到其额定功率。
要参考正确的器件规格或制造商的资料。
对于工作温度，要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内，这样才能保证得到正确的额定频率值。
最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。
最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。
对于恒温晶振，只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度，最低工作温度高10度。
*商业等级微电路的主要降额因素是温度。
元器件降额准则
140
160
175
125
145
≤150
Tjm-40
Tjm-20
4.3
器件类型
降额参数
降额要求
II
III
可控硅
电压
0.70
0.80
电流
0.65
0.80
最高结温Tjm
（℃）
200
140
160
175
125
145
≤150
Tjm-40
Tjm-20
4.
器件类型
降额参数
降额要求
II
III
光电器件
电压
0.70
降额要求
II
III
保险丝
电流额定值
＞0.5A
0.45～0.50
0.45～0.50
≤0.5A
0.20～0.40
0.20～0.40
T＞25℃时，每增1℃增加的降额因子
0.005
0.005
九、继电器
器件类型
降额参数
降额要求
II
III
继电器
连
接
00mW）
不降额
不降额
电阻负载
0.75
0.90
0.90
最小线圈电压
1.10
1.10
线圈释放电压
最大允许值
1.10
1.10
最小允许值
0.90
0.90
最高额定环境温度（TAM）℃
TAM-20
TAM-20
振动限值
0.60
0.60
十、开关
器件类型
降额参数
降额要求
II
III
开关
连
GBZ35-93电子元器件降额的基本准则(doc 47页)
5.1.2应用指南
5.1.2.1所有为维持最低结温的措施都应考虑。可采取以下措施：
a.器件应在尽可能小的实用功率下工作；
b.为减少瞬态电流冲击应采用去耦电路；
c.当工作频率接近器件的额定频率时，功耗将会迅速增加，因此器件的实际工作频率应低于器件的额定频率；
应按设备可靠性要求、设计的成熟性、维修费用和难易程度、安全性要求，以及对设备重量和尺寸的限制因素，综合权衡确定其降额等级。在最佳降额范围内推荐采用三个降额等级。
a.Ⅰ级降额
Ⅰ级降额是最大的降额，对元器件使用可靠性的改善最大。超过它的更大降额，通常对元器件可靠性的提高有限，且可能使设备设计难以实现。
Ⅰ级降额适用于下述情况：设备的失效将导致人员伤亡或装备与保障设施的严重破坏；对设备有高可靠性要求，且采用新技术、新工艺的设计；由于费用和技术原因，设备失效后无法或不宜维修；系统对设备的尺寸、重量有苛刻的限制。
4.6元器件的质量水平
必须根据产品可靠性要求选用适合质量等级的元器件。不能用降额补偿的方法解决低质量元器件的使用问题。
5详细要求
5.1集成电路降额准则
5.1.1概述
集成电路分模拟电路和数字电路两类。根据其制造工艺的不同,可按双极型和MOS(CMOS)型，以及混合集成电路分类。
集成电路芯片的电路单元很小，在导体断面上的电流密度很大，因此在有源结点上可能有很高的温度。高结温是对集成电路破坏性最大的应力。集成电路降额的主要目的在于降低高温集中部分的温度，降低由于器件的缺陷而可能诱发失效的工作应力。延长器件的工作寿命。
Ⅰ
Ⅱ
战术导弹系统
Ⅰ
Ⅲ
飞机与舰船系统
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降额等级 Ⅱ级 Ⅲ级
0.65 0.7 0.8 0.7 140 125 Tjm-40 0.65 0.7 Tjm-40 Tjm-40 0.65 0.7 Tjm-40 0.7 0.65 140 125 Tjm-40 0.65 110 100 酌情降额 Tjm-40 0.65 0.7 0.7 140 125 Tjm-40 140 125 Tjm-40 酌情降额 0.5 0.7 0.7 0.6 ±200％实测值 Tjm-20 0.8 0.8 0.8 160 145 Tjm-20 160 145 Tjm-20 0.75 0.8 0.9 0.8 160 145 Tjm-20 0.75 0.8 Tjm-20 Tjm-20 0.75 0.8 Tjm-20 0.8 0.8 160 145 Tjm-20 0.8 130 130
0.8 0.8 0.5 /℃
0.9 0.7
0.8 0.7 0.8 95 ±5％ 0.9 0.9 100 0.8 0.8 0.9 100
0.8 0.7 0.8 105 见技术条件 0.95 0.9 115 0.8 0.9 0.9 110
0.7 0.7 0.7 0.7 80 7.5 6 85
0.8 0.8 0.8 0.75 95 7.5 6 100
电阻器
固定电阻器 热敏电阻器
合成/薄膜微调电位器
精密塑料电位器
电位器
线绕密封电位器 线绕非密封功率电位器 螺旋缠绕电位器 薄膜、玻璃、云母、陶瓷电 容器 铝电解电容器
电容器
固体钽电解电容器、液体钽 电解电容器 活塞式微调电容器 圆片式微调电容器
电感元件
线圈、变压器
扼流圈
触点电流
电容负载 电机负载
继电器
电压调整器
输入输出电压差 输出电流(最大绝对值) 最高结温 (℃) 厚膜功率密度(w/cm ) 薄膜功率密度(w/cm ) 最高结温 (℃)
2 2
混合电路
Ⅰ级
0.5 0.6 0.7 0.6 115 100 Tjm-65 0.5 0.6 Tjm-65 Tjm-65 0.5 0.6 Tjm-60 0.6 0.5 115 100 Tjm-60 0.5 90 90 Tjm-60 0.5 0.6 0.6 115 100 Tjm-60 115 100 Tjm-60
最高结温 (℃) 电源电压容限(标称值) 频率(最大值)
双极性数字电路(中小规模) 输出电流(最大值) 最高结温(℃) 电源电压(最大绝对值)
集成电路
MOS、CMOS数字电路(中 小规模)
频率(数字信号频率最大值) 输出电流 (缓存器触发器) 最高结温 (℃)
电源电压(最大绝对值) 输入电压(最大绝对值)
0.9 0.9 0.75 0.9 0.9 0.75 0.9 0.3 0.7
0.4 0.9 1.1 1.1 0.9
TM-20 0.6 0.5 0.80～1 0.5 0.5 0.5 0.35 0.5 0.15 0.5
.07～.08
0.75 0.75 0.75 0.4 0.75 0.2 0.75
0.1
0.9 0.9 0.9 0.5 0.9 0.35 0.9 0.15 0.7 0.9 0.8 0.85 TM-20 0.9 Ty-15
0.5
0.6ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
0.7
由负荷特性曲线确定 0.5 0.5 0.5 TAM-15 0.3 TAM-15 0.45 TAM-15 0.6
由负荷特性曲线确定 － 0.5 0.5 由负荷特性曲线确定 0.3 － － 0.5 TAM-10 － － 0.5 TAM-20 0.4 TAM--10 0.3 TAM--10 0.9 TR-40～20 0.45 － 0.5 0.6 TAM-10 － － 0.6 TAM-20 0.5 TAM--10 0.5 TAM--10 0.6～0.7 0.9 0.5～0.6 TR-25～10 0.7 0.8~1 0.5 0.5 0.35 0.5 0.5 0.15 0.5
可控硅
反峰电压 最高结温 Tjm(℃)
光电器件
合成薄膜、电阻网络、线绕
额定功率 环境温度TA(℃) 额定功率 环境温度TA(℃) 额定功率 环境温度TA(℃) 额定功率 环境温度TA(℃) 额定功率 环境温度TA(℃) 额定功率 环境温度TA(℃) 额定功率 环境温度TA(℃) 额定直流工作电压 环境温度TA(℃) 额定直流工作电压 环境温度TA(℃) 额定直流工作电压 环境温度TA(℃) 额定直流工作电压 环境温度TA(℃) 额定直流工作电压 环境温度TA(℃) 工作电流 瞬态电压/电流 介质耐压 额定热点温度 比TR低(℃) 工作电压 小功率继电器（<3A） 电阻负载 电感负载 额定感值 额定阻值 额定阻值 额定电机值 额定阻值 额定灯泡功率 额定阻值 额定功率 最小维持电压 额定短时启动 DC/AC有效值 最小线圈电压
表2：元器件降额准则汇总表 元器件种类 降额参数
功率耗散(最大值) 击穿电压 Vce 最大值 Ic 最大值 200 最高结温Tjm(℃) 功率耗散最大值 场效应晶体管(P或N沟道) 微波三极管 单结晶体管 击穿电压值 最高结温 最高结温Tjm(℃) 功率耗散最大值 最高工作电压值 最高工作结温(℃) 反向电压 平均正向电流IF 二极管(小信号/开关/整流) Tjm(℃) 200 175 ≤150 175 ≤150
开关
工作额定电流 电机负载 灯丝负载 接点电压 接点功率 最高工作电压
连接器
额定最大工作电流 最高插针温度
旋转电器 灯泡
旋转电器 白炽灯 氖/氩灯 路断电器 额定电流≤0.5A 一般
电保险丝
微波管
一般
声表面波器件
f≥100MHz f<100MHz 线性电路双极性或MOS(中 小规模)
输入电压(最大绝对值) 输出电流(最大功能值)
触点功率（水银湿式） 线圈吸合工作电压 线圈释放电压
灯丝负载 灯丝负载
最大允许值 最小允许值
最高额定温度 振动限值 循环工作次数 小功率开关(<3A)
TM(℃) 最大额定值 额定值 工作额定电流 纯阻性负载 容性负载 感性负载 感性 阻性 电机 阻性负载 灯负载 阻性 额定值 额定值 (DC或AC) TM(℃) 轴承载荷额定值 最高工作温度Tr(℃) 最低工作温度(℃) 工作电压额定值 工作电流额定值 电流 工作电流额定值 电流 T>25℃时电流增加降额率 输出功率 反射功率 占空系数 最高额定环境温度TAM℃ 输入功率 输入功率 电源电压 降低值 降低值
0.07～0.08
0.6 0.7 0.7 0.7 TAM-10 0.75 TAM-20 0.7 TAM-20 0.5 TAM--10 0.5 TAM--10 0.9 TR-15～0
由负荷特性曲线确定 由负荷特性曲线确定 由负荷特性曲线确定
0.75 0.75 0.4 0.75 0.75 0.2 0.75 0.1 0.5
0.4 0.4 0.5 0.5 TM-50 0.75 Tr-40 ～0 0.94 0.94 0.75～ 0.60～ 0.5 0.005 0.8 0.5 0.75 TAM-20 +10dBm +20dBm 0.7 0.6 0.7 80 ±3％ 0.8 0.8 85 0.7 0.8 0.8 85
0.5 0.5 0.7 0.7 TM-25 0.9 Tr-20
双极三极管(NP/N PN/P)
安全工作区
分立半导体器件
电压调整二极管 基准二极管 微波二极管(肖特基/PIN） 耿式/变容/隧道/阶跃恢复)
功率耗散(最大值) 最高结温(℃) 最高结温(℃) 耗散功率 最高结温(℃) 通态平均电流 正向阻断电压 (最大值) VDM (最大值) 200 175 ≤150 最高结温 Tjm(℃) 发光/光敏 200 175 ≤150 电流电压 输入电压 输入电流 光电耦合器 输出耐压 输出饱和压降 输出漏电流
0.8 0.8 0.8 0.8 105 7.5 6 110