中南大学电子技术习题答案
(完整版)电子技术复习题及参考答案
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中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题:1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体,掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时,发射结向偏置,集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号,应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点,应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻,应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻,应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中,运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中,运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中,调整管为,采样电路由组成,基准电压电路由组成,比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下,半波与桥式两种整流电路中,输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压,应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时,电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1,而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为,相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器;23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位,则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114(1K*4位)RAM扩展成为8K*4位的存储器,需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
中南大学数电考题全四套(含答案)
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中南大学信息院《数字电子技术基础》期终考试试题(110分钟)(第一套)一、填空题:(每空1分,共15分)1.逻辑函数Y=AB+C的两种标准形式分别为()、()。
2.将2004个“1”异或起来得到的结果是()。
3.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是()、()、()。
4.8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。
若只有最低位为高电平,则输出电压为()v;当输入为10001000,则输出电压为()v。
5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。
6.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。
7.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。
二、根据要求作题:(共15分)1.1.将逻辑函数P=AB+AC写成与或非型表达式,并用集电极开路门来实现。
2.2.图1、2中电路均由CMOS门电路构成,写出P、Q的表达式,并画出对应A、B、C的P、Q波形。
三、分析图3所示电路,写出F1、F2的逻辑表达式,说明电路的逻辑功能。
图中所用器件是8选1数据选择器74LS151。
(10分)四、设计一位十进制数的四舍五入电路(采用8421BCD码)。
要求只设定一个输出,并画出用最简与非门实现的逻辑电路图。
(15分)五、已知电路及CP、A的波形如图5(a)(b)所示,设触发器的初态均为“0”,试画出输出端B和C的波形。
(8分)BC六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图6(a)所示,在示波器上观察到波形如图6(b)所示。
试问该电路是如何连接的?请在原图上画出正确的连接图,并标明T的取值。
(6分)七、电路如图7所示,其中RA=RB=10kΩ,C=0.1μf,试问:1.在Uk为高电平期间,由555定时器构成的是什么电路,其输出U0的频率f0=? 2.分析由JK触发器FF1、FF2、FF3构成的计数器电路,要求:写出驱动方程和状态方程,列出状态转换表,画出完整的状态转换图;3.设Q3、Q2、Q1的初态为000,Uk所加正脉冲的宽度为T w=6/f0,脉冲过后Q3、Q2、Q1将保持在哪个状态?(共15分)八、图8所示是16*4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路。
中南大学模拟电子线路考试题3(附答案
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中 南 大 学模拟电子技术试卷(第3套)一. 填空题 (每空1分,共20分) (注:同一题中可能只给出部分“空”的选项) 1. U GS = 0时,能够工作在恒流区的场效应管有: 。
A. JFET ;B.增强型MOSFET ;C.耗尽型MOSFET ;2. 测得放大电路中某BJT 各极直流电位V 1=12V , V 2 =11.3V , V 3 =0V ,则该BJT 的基极电位等于 ,由 材料制成,管型为 。
3. 现测得两个共射放大电路空载时的u A均为 –100,将它们连成两级放大电路后,其电压放大倍数应 10000,且与级间耦合方式 。
A.大于;B. 等于;C.小于; E. 有关; F. 无关;4. 差分放大电路的等效差模输入信号u d 等于两个输入信号u 1和u 2的 , 等效共模输入信号u c 是两个输入u 1和u 2的 。
A.差; B.和; C.平均值;5. 互补输出级通常采用 接法,是为了提高 。
“互补”是指两个 类型三极管交替工作。
A. 负载能力;B.最大不失真输出电压;6. 通用型集成运放通常采用 耦合方式;适合于放大 频率信号;输入级一般为 放大器,其目的是为了 。
7. 恒流源在集成运放中有两个作用: 一是为各级提供 , 二是作为有源负载用来提高 。
8. 信号处理电路中,为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器, 应该选用 滤波器;欲从输入信号中取出低于20kHz 的信号,应该选用 滤波器。
9. 由FET 构成的放大电路也有三种接法,与BJT 的三种接法相比,共源放大器相当于 放大器。
二. 放大电路及晶体管的输出特性如图所示。
设U BEQ =U CES = 0.7V 。
(10分) 1.用图解法确定静态工作点I CQ ,U CEQ ;2.确定放大电路最大不失真输出电压的有效值U om 。
三. 电路如图所示,已知:BJT 的β= 80, r be =1k Ω,R L =3 k Ω。
电子技术基础复习题及参考答案
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中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术基础(专科)一、单项选择题:1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于 [ ]A.掺入杂质的浓度B.材料C.温度2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于 [ ]A.放大状态B.饱和状态C.截止状态3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由 50变为100,则电路的放大倍数 [ ]A.约为原来的1/2倍B.约为原来的2倍C.基本不变4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是 [ ]A.输入信号过大B.晶体管输入特性的非线性C.电路中有电容5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了 [ ]A.提高差模电压增益B.提高共模输入电压范围C.提高共模抑制比6.若 A+B=A+C,则 [ ]A.B=CB.B=CC.在A=0的条件下,B=C7.同步计数器中的同步是指 [ ]A.各触发器同时输入信号B.各触发器状态同时改变C.各触发器受同一时钟脉冲的控制8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是 [ ]A.饱和失真B.截止失真C.频率失真9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是 [ ]A.多数载流子B.少数载流子C.既有多数载流子又有少数载流子10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 [ ]A.增加B.减少C.不变11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的 [ ]A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大12.对于桥式整流电路,正确的接法是 [ ]13.将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为 [ ]A.(01000011)2B.(01010011)2C.(10000011)2D.(000100110001)214.N个变量的逻辑函数应该有最小项 [ ]A.2n个B.n2个C.2n个D.(2n-1)个15.函数F=AB +AB转换成或非-或非式为 [ ]A.B A B A +++B.B A B A +++C.B A B A +D.B A B A +++16.图示触发器电路的特征方程Qn+1 = [ ]A.n nQ T Q T + B.Q T +TQnC.n QD.T17.多谐振荡器是 [ ] A.两个稳定状态 B.一个稳定状态,一个暂稳态 C.两个暂稳态 D.记忆二进制数的功能18.本征半导体电子浓度( )空穴浓度,N 型半导体的电子浓度( )空穴浓度,P 型半导体的电子浓度( )空穴浓度 [ ] A.等于、大于、小于 B.小于、等于、大于 C.等于、小于、大于19.稳压管构成的稳压电路,其接法是 [ ] A.稳压二极管与负载电阻串联 B.稳压二极管与负载电阻并联。
中南大学模拟电子技术习题解
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U πV CC CES 69 . 8 % 4 V CC
2 0 . 2 V CC P 0 . 2 P 6 . 4 W 2) Tmax oM 2 R L
V U CC CES 3) U U 9 . 9 V i om 2
4-2 在图所示电路中,已知VCC=15V,T1和T2管的饱和管压降
I I I 100 A C R R 1
5-4
晶体管的β 均为50,=100Ω ,UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时 T1管和T2管的发射极静态电流IEQ,以及动态参数Ad和Ri。
解:RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下:
R W U I 2 I R V BEQ EQ EQ e EE 2
解: (1)S闭合。 (2)R的范围为
R ( V U ) I 233 m i n D Dm ax
R ( V U ) I 700 m ax D Dm i n
1-8 已知放大电路中一只FET的三个电极①②③的电位分别为
4V、8V、12V,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种 管子(结型管、MOS管、增强型、耗尽型), 并说明①②③与G、S、D之间的对应关系。 ③ ③
①
② ① ③ ② ③
①
② ① ②
2-1
放大电路改错 +Vcc
+
2-2
改错,并保证共源接法
2-3
画出两级放大电路的直流通路和交流通路
T2 T1
直流通路
交流通路
2-4
放大电路及三极管输出特性如图所示: 1)在输出特性上画直流负载线。 当 ICQ = 2 mA 时, 确定Q点和 RB值; 2)若RB = 150K且iB的交流分量, i sin t ( A ) b 20 画出iC和uCE的波形,这时出现什么失真? 3)利用图解法分别求RL=∞和RL= 3K时的最大不失真输出 电压有效值Uom
模拟电子技术(中南大学)智慧树知到答案章节测试2023年
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第一章测试1.BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。
A:错B:对答案:A2.稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。
A:错B:对答案:A3.要实现BJT的放大作用,对发射结与集电结的要求是()。
A:发射结正偏,集电结反偏B:发射结反偏,集电结正偏C:发射结正偏,集电结正偏D:发射结反偏,集电结反偏答案:A4.工作在放大区的某晶体三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为()。
A:90B:100C:83D:50答案:B5.在放大电路中,测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V,则这三个管脚分别是()。
A:C、B、EB:E、C、BC:E、B、CD:C、E、B答案:C6.A:8.7B:4.3C:5.7D:73答案:C7.设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V时,该管处于()区。
A:击穿B:截止C:放大D:可变电阻答案:B8.A:cB:aC:bD:d答案:AB9.A:cB:dC:bD:a答案:AD10.A:bB:cC:dD:a答案:AC第二章测试1.阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立,所以可以各级独自计算各自的Q点。
A:错B:对答案:B2.耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。
()A:对B:错答案:B3.A:12B:0.5C:6D:0.7答案:A4.设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V时,该管处于()状态。
A:截止B:饱和C:击穿D:放大答案:A5.A:5.7B:4.24C:6D:4.03答案:D6.A:= -1200B:>1200C:=1200D:<1200答案:D7.A:10B:100C:40答案:B8.现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是()。
A:共集电路B:共源电路C:共基电路D:共漏电路E:共射电路答案:ABDE9.A:B:C:D:答案:BCD10.在多级放大电路下列三种三种耦合方式中,()耦合不能放大直流信号。
中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)讲课教案
![中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)讲课教案](https://img.taocdn.com/s3/m/cbfbd8b90975f46527d3e1c1.png)
中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)中南大学信息院《数字电子技术基础》期终考试试题(110分钟)(第一套)一、填空题:(每空1分,共15分)=+的两种标准形式分别为()、1.逻辑函数Y AB C()。
2.将2004个“1”异或起来得到的结果是()。
3.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是()、()、()。
4.8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。
若只有最低位为高电平,则输出电压为()v;当输入为10001000,则输出电压为()v。
5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。
6.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。
7.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。
二、根据要求作题:(共15分)1.将逻辑函数 P=AB+AC写成“与或非”表达式,并用“集电极开路与非门”来实现。
2.图1、2中电路均由CMOS门电路构成,写出P、Q 的表达式,并画出对应A、B、C的P、Q波形。
三、分析图3所示电路:(10分)1)试写出8选1数据选择器的输出函数式;2)画出A2、A1、A0从000~111连续变化时,Y的波形图;3)说明电路的逻辑功能。
四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路(采用8421BCD码)。
要求只设定一个输出,并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。
(15分)五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示,设触发器的初态均为“0”,试画出输出端B和C的波形。
(8分)BC六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示,在示波器上观察到波形如图5(b)所示。
试问该电路是如何连接的?请在原图上画出正确的连接图,并标明T的取值。
(6分)七、图6所示是16*4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路。
电工电子技术复习题及参考答案
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中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电工电子技术(专科)一、填空题:1.正弦交流电的相量表示具体有和两种形式。
2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。
3.变压器有三大作用,分别是、和。
4.PN结具有单向导电性,可描述为、。
5.以比较的风格分类,电压比较器有、和。
6.基本的逻辑关系是、和。
7.“触发”是指。
8.电路的主要作用是和。
9.负载功率因数过低的后果是和。
10.三相同步发电机的基本构成是和。
11.电容和电感储能的数学表达式是和。
12.低压供电系统的接线方式主要有和。
13.实际变压器存在两种损耗,分别是和。
14.已知三相异步电动机的工频为50H Z,五对磁极,则同步转速为 r/min。
15.变压器的主要构成部件是和。
16.已知三相异步电动机的工频为50H Z,四对磁极,则同步转速为 r/min。
17.晶体三极管的两个PN结分别是和。
18.要使晶体三极管处于截止状态,其偏置方法是使发射结集电结。
19.反相比例运算关系是,同相比例运算关系是。
20.多发射极管的作用是、。
21.翻转是指。
22.我国规定的电力网特高压额定值有、和。
23.理想变压器的变压公式是。
24.已知三相异步电动机的工频为50H Z,三对磁极,则同步转速为 r/min。
25.晶体三极管有三种工作状态,分别为、和。
26.放大电路的耦合方式有、和。
27.负反馈对放大电路性能的影响有、、和。
28.与时序电路相比,组合电路的特点是。
29.理想变压器的变流公式是。
30.已知三相异步电动机的工频为50H Z,二对磁极,则同步转速为 r/min31.根据导电机制不同,场效应管分为、和。
32.差动放大电路的主要作用是,衡量其性能优劣的主要指标是。
33.集成运放最基本的信号输入方式有、和。
34.OC门的作用是,三态门的作用是。
35.“置1”是指。
36.以设备的额定值为参照,负载的三种实际工作状态是、和。
37.正弦交流电的三要素是、和。
38.三相交流电源的相序可分为和。
模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
![模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年](https://img.taocdn.com/s3/m/04edd824b6360b4c2e3f5727a5e9856a56122602.png)
模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是()。
答案:晶体管参数受温度影响2.实现输入电阻高、输出电压稳定,应该引入()负反馈。
答案:电压串联3.现有阻容耦合基本放大电路如下,输出电压与输入电压同相的电路是()。
答案:共集电路_共漏电路4.MOS管只有多子参与导电。
()答案:正确5.晶体管能够实现放大的外部条件是()。
答案:发射结正偏,集电结反偏6.二极管具有()导电特性。
答案:单向7.下图电路中,T1和T2管的饱和管压降│UCES│=2V,VCC=15V, RL=8Ω,电路的最大输出功率Pomax =()W。
【图片】答案:≈10.56W8.差动放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()。
答案:对共模信号的抑制能力越强9.甲类放大电路不适合作功率放大电路的原因是甲类放大容易()。
答案:导致效率低、静态损耗大10.用恒流源取代电阻长尾差动放大电路中的RE,将会提高电路的()。
答案:共摸抑制比11.在下图中,所有二极管均为理想二极管,则Vo=()V【图片】答案:-212.在下图电路中,设静态时ICQ=2mA,晶体管饱和管压降UCES=0.6V。
当负载电阻RL=3kΩ时电路的最大不失真输出电压有效值为()V。
【图片】答案:2.1213.现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大,但没有电压放大作用的电路是()。
答案:共集电路_共漏电路14.关于多级放大电路,下列说法正确的是()。
答案:多级放大电路的输入电阻就是第1级的输入电阻_多级放大电路的输出电阻就是最后1级的输出电阻_多级放大电路的放大倍数就是各级放大倍数之积15.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应小于10000。
()答案:正确16.直接耦合多级放大电路不能放大交流信号。
()答案:错误17.MOS管一旦预夹断,管子立即进入截止区。
中南大学数字电子技术cha
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第一章 习题答案B
Y
C
第一章 习题答案(4)
(1)Y C D AB (2)Y AB AC (3)Y AB AC BC (4)Y AD B C D
第一章 习题答案(5)
(1)Y B AD AC(B D AC) (2)Y A BD (3)Y AC CD BD
第一章 习题答案(1)
1、 (1)Y=A+B (2)Y=1 (3)Y=0 (4)Y=A+CD (5)Y BC AD AD
第一章 习题答案(2)
Y ABC BC ABC BC Y1 AB C(A B) AB AC BC Y 2 A B C ABC ABC ABC ABC
2、学生自学过程:注意提示学生先粗略阅读有关CMOS门电路的内容, 再结合思考题仔细阅读相关内容,做到边阅读边思考。
3、学生回答教师提出的自学思考题。
4、讨论阶段:鼓励学生针对回答的问题展开讨论,也可以提出新问 题并进行探讨。
5、总结阶段:教师总结本堂课的教学内容,解答提出的自学思考题。
自学思考题
Ii 1
+ Vi _ 输入短路电流:IIL=0mA 输入漏电流:IIH=0mA
2.5 CMOS集成门电路(3)
2)电流转输特性 +VDD
2.5 CMOS集成门电路(4) ID=f(Vi)
T2
Y
VI
T1
3)输入负载特性
Vi=f(Ri)
1
Vi(V)
+ 3R)i 输入负Vi 载特性
Vi=f(Ri)
2.5 CMOS集_ 成门电路(5)
➢ 数字集成电路可分为SSI、MSI、LSI、VLSI。 ➢ SSI从功能可分为门电路、触发器 ➢ 门电路从集成工艺可分为双极型、MOS型 ➢ 双极型工艺可分为TTL、HTL、ECL、I2L ➢ MOS型工艺可分为NMOS、PMOS、CMOS
中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)
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期终考试试题(110分钟)(第三套)
一、填空(每题1分,共10分)
1.TTL门电路输出高电平为V,阈值电压为V;
2.触发器按动作特点可分为基本型、、和边沿型;
3.组合逻辑电路产生竞争冒险的内因是;
4.三位二进制减法计数器的初始状态为101,四个CP脉冲后它的状态为;
5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。
6.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。
7.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。
中南大学信息学院《数字电子计数基础》
试题(第二套)参考答案
二、填空(每空1分,共16分)
1.真值表、逻辑图、逻辑表达式、卡诺图;
2.0;
3.TTL、CMOS;
4.两、0;
5.10、4;
6.20、50μS;
7.通用阵列逻辑、输出逻辑宏单元、E2CMOS;
二、根据要求作题:(共16分)
1.
2.
三、
四、(1)表达式
3.写出X(X3X2X1X0),Y(Y3Y2Y1Y0),A与Z(Z3Z2Z1Z0),W之间的算法公式,并指出其功能.
四、试画出图3在CP脉冲作用下Q1,Q2,Y对应的电压波形。
(设触发器的初态为0,画6个完整的CP脉冲的波形)(15分)
五、由可擦可编程只读存储器EPROM2716构成的应用电路如图所示。
二、写出图1中,各逻辑电路的输出逻辑表达式,并化为最简与或式;
(G1、G2为OC门,TG1、TG2为CMOS传输门)(10分)
中南大学电子技术习题答案
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方法三: 用I CS判断
IB ICS 放大, IB ICS 饱和
假设为线性 〔2〕 IB 50 0.13MA 6.5MA 放大
〔3〕 IB 50 0.23MA 11.5MA 饱和
1
Y
D0D7
A0
Y1
A1
74LS151
A2
E D0 D1 D2D3 D4 D5 D6 D7
D
C
B
A
5V
D0
D7
D9
A0 A1 A2
E
Y2
74LS151
D0 D1 D2D3 D4 D5 D6 D7
1
D8
D15
〔3-13〕
逻辑状态表
A
B
C
D
Y
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
1
0
0
0
Y
0
3、试分析图示电路, 画出Y1和Y2的波形, 并与时钟脉冲C比较, 说明电路功能。 设初始状态Q=0。
Y1 C Q
Y2 C Q
4、CT74LS293型计数器的逻辑图、外引线排列图及功能表如图9-32所示。 它有两个时钟脉冲输入端C0和C1。
试问①从C0输入, Q0输出时, 是几进制计数器?②从C1输入, Q3, Q2, Q1输出时, 是几进制计数器?
+ +
+
8.5V
5.5V
6V
9V
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Ya AB AB Yb
4、旅客列车分特快、直快和普快, 并依此为优先通行次序。
某站在同一时间只能有一趟列车从车站开出, 即只能给出一个开车信号。 、 设A、B、C分别代表特快、直快、普快,其相应的开车信号分别为 YA Y B ①试列出反映该逻辑关系的真值表; ②用74LS138和与非门实现该逻辑关系,并画出逻辑电路图。 解:
+
+
+ 5.5V
+
+ 8.5V
+
8.5V
6V 5.5V -
9V 8.5V 5.5V
14V -
6. 测得放大电路中四只晶体管的直流电位如下图所示。试在圆圈中画出管子, 并分别说明它们是硅管还是锗管。
E E E
E 硅管PNP 硅管NPN 锗管PNP 锗管PNP
7.现测得放大电路中两只晶体管其中两个电极的电流如下图所示。 ①分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子; ②试求两只晶体管的电流放大系数分别为多少?
放大, I B ICS 饱和
放大 饱和
假设为线性
I B 50 0.13MA 6.5MA
50 0.23MA 11.5MA
(3) I B
第5章 基本电子器件 习题解答
1、分别改正下图所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电 路原来的共射接法和耦合方式。
v (2) U CE VCC I B RC 10 50 0.13mA 1k 3.5 1 v放大
v v (3) U CE VCC I B RC 10 50 0.23mA 1k -1.5 1 饱和。
方法三:
用I CS判断
(2)
I B ICS
① 解:
Y
真值表
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Y 1 0 0 1
③
74LS139
&
Y AB A B m 3 m 0
同或门
Y0
Y1
Y2
G
Y3
A1 A0
74LS139
B
A
②
也可以直接 实现
Y AB A B AB A B
AB A B AB (A B ) AB A AB B AB A AB B
D C B A
1
A0 A1 A2
Y
74LS151
E
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
5 V
Y A B C D A B C D A BC D A BCD A B C D
A(B C D ) A(B C D ) A(BC D ) A(BCD ) A(B C D ) A(B C D ) (B C D ) A(BC D ) A(BCD )
2. 用代数法化简下列各式。 1、 A+ABC+ABC+CB+CB
A(1 BC BC ) C(B B ) A C
2、 ABC+ABC+ABC+ABC
A
3.将下列各函数化为最小项之和的形式。
1)
Y=ABC+BC+AB
ABC ABC ABC AB C
1
Y
D0D7
D9
A0 A1 A2
Y1
74LS151
E
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
A0 A1
Y2
74LS151
E
A2
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
D C B A
5 V
1
D0
D7
D8
D15
(3-13)
逻辑状态表
A 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 B 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 C 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 D 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 Y 1 1 1 1 0 0 0 0 0 1 * * * * * *
(A B )(A B ) A B AB A B
AB
AB A AB A
Y1 AB 1 AB
真值表
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Y1 0 1 1 0 Y2 0 0 0 1
AB B
Y1 异或门
Y2 与门
逻辑功能是半加器
2.已知逻辑式 Y AB A B ①列出逻辑真值表,说明其逻辑功能; ②画出用“与非”门实现其逻辑功能的逻辑图; ③画出用双2/4线译码器74LS139实现其逻辑功能的逻辑图; ④画出用4选1数据选择器74LS153实现其逻辑功能的逻辑图
5.试对应输入波形画出下图中 Y1 ~ Y4 的波形。
6如果“与”门的两个输入端中,A为信号输入端,B为控制端。设输入A的信号波形
如图所示,当控制端B=1和B=0两种状态时, 试画出输出波形。 如果是“与非”门、 “或”门、“或非”门则又如何,分别画出输出波形。最后总结上述四种门电路的控 制作用。
I CS
U CC I 10mA , I BS CS O .2mA RC
Vi U BE 2 0.7 0.13mA I BS , 放大。 RB 10k V U BE 3 0.7 I B i 0.23mA I BS 饱和。 (3) RB 10k
方法二: 用U CE 判断 只适合小功率管
74LS139
A B C "1"
YA m 4 m 5 m 6 m 7
YB m 2 m 3
YB m1
5、设计一个逻辑电路,其四个输入端A、B、C、D代表一个8421BCD码,要求此码表 示的数x满足如下条件:当x<4或x>8时,则该逻辑电路的输出端Y为1, 否则为0。 ①列出反映该逻辑关系的真值表; ②用74LS151和门电路实现该逻辑关系,并画出逻辑图。 Y 逻辑状态表 解:
与
或
与非
或非
控制作用: 与和与非----当B=1时,A信号输出,否则封锁 或和或非----当B=0时,A信号输出,否则封锁
第2章 组合逻辑电路
习题解答
1.分析图示电路的逻辑功能。要求写出逻辑式,列出真值表,然后说明逻辑功能。
解: 逻辑式
AB A
Y1 AB A AB A AB A AB B
④ Y AB A B m 3 m 0
Y
Y
&
AB
AB A
74LS153
S
& Y
A1
A
B
"0"
A B
&
&
&
D 3 D 2 D1 D 0 A0
"1"
AB B
3、证明图(a)和(b)所示的两个逻辑电路具有相同的逻辑功能。
证明:
Ya AB AB
Yb (A B )( A B )
A 0 0 0 0 1 1 1 1
YC
逻辑状态表
B 0 0 1 1 0 0 1 1 C 0 1 0 1 0 1 0 1 FA 0 0 0 0 1 1 1 1 FB 0 0 1 1 0 0 0 0 FC 0 1 0 0 0 0 0 0
YC
&Βιβλιοθήκη YB&YA
&
Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
A2 A1 A0 S1 S 2 S 3
8在图示电路中, 已知: RB=10kΩ,VCC=10V,三极管β=50, UBE=0.7, Rc=1kΩ 试分析在下列情况时,三极管工作在何种工作状态?(1)Vi=0V; (2)Vi=2V; (3)Vi=3V。 (1)Vi=0V :三极管截止; (2)Vi=2V和(3)Vi=3V三极管导通,下面判断是放大还是饱和 方法一: 用I BS判断 (2) I B
第4章 基本电子器件 习题解答
1.在图示各电路中, ui=12sinωtV,US=6V, 二极管的正向压降可忽略不计, 试分别画出输出电压uO的波形。
ui 6 二极管 导通
图a : 二极管截止
uO=ui
二极管导通
二极管 截止
uO=US
图a 图b: 二极管截止 二极管导通 图b uO=ui uO=US
Y A B C D A B C D A BC D A BCD A B C D
A B C A BC A B C D
Y
C B A
A0 A1 A2
Y
74LS151
E
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
5 V
D
用两片74LS151构成
Y A B C D A B C D A BC D A BCD A B C D
Y1 C Q
Y2 C Q
4、CT74LS293型计数器的逻辑图、外引线排列图及功能表如图9-32所示。 它有两个时钟脉冲输入端C0和C1。 试问①从C0输入, Q0输出时, 是几进制计数器?②从C1输入, Q3, Q2, Q1输出时, 是几进制计数器? ③将Q0端接到C1端, 从C0输入, Q3, Q2, Q1, Q0输出时, 是几进制计数器? 图中R0(1)和R0(2)是清零输入端, 当该两端全为“1”时, 将四个触发器清零。
u0 3.7 1
4.在图示电路中,E=5V,e=sinωtV,R为限流电阻。 试用波形图表示二极管端电压uD的 波形。
uab
E
e
a
b uD