kms9311b移动电源五合一单芯片
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概述
本方案是专为移动电源设计的单芯片解决方案,KMS9311B内部集成了充电管理模块、放电管理模块、电量检测、LED指示模块以及温度补偿、过温保护、过充与过放保护、输出过压保护、输出重载保护以及输出短路保护等安全保护,可以完全取代传统的“充电IC+升压IC+MCU”方案。
本方案充电规格为5V/1.0A,放电规格为5V/1.5A,带电量指示、放电状态指示以及手电筒,具有低成本、高性能的竞争优势。
方案特性
◎内置充电、放电功率MOS,无需外加
◎输入电压:4.3V~6V
◎充电电流:1A
◎放电输出电流:1.5A
◎输出电压:5V
◎放电时当电池电压低于 3.2V,LED1以1HZ频率闪烁提示,电压低于 3.0V后关闭IC,待机电流<8UA ◎负载自动检测,负载接入时自动唤醒,当负载电流减小到50MA以下或负载移除后16S,进入待机模式,待机电流<10UA
◎指示灯为4档指示,其他灯数另外订做
◎预设 4.2V充电电压
◎充电时当芯片内部温度大于120℃时,充电电流开始减小,当温度升高到140℃时,充电电流减小到零◎当电池电压低于 2.9V时,以涓流模式充电,涓流充电电流为正常充电电流的1/10,当电池电压充到 4.2V时,进入恒压充电模式,充电电流逐渐减小,当减小到正常充电电流的1/10时,充电过程结束
◎最高达90%的放电效率
◎ESOP16L封装,散热性能良好
应用电路
L1
管脚描述
PCB设计参考
1、IC下面敷铜散热,散热面积尽量大且散热的地方留一些通孔增强散热;
2、AGND和PGND直接打到IC下面的散热敷铜上;
3、BAT电容靠近IC,BAT+和BAT-需先经过BAT电容再到IC,各GND走线要尽量粗,空余的地方全部走GND;
4、电容C4到电感L1再到SW的路径走线要尽量短且线要粗;
5、电感L1,SS34与电容形成的环路走线要短,环面积要小;
6、大电流通路,如BAT、L1到SW,BAT、L1、D1、Q1到输出USB的通路尽量不要过过孔;
原件清单
1、输出D+/D-若不加分压电阻则需要短接,否则对某些品牌手机不能充电(比如苹果);如果加分压电阻,则需保证
OUT与地的总电阻至少为负载检测电阻R7的3倍以上,否则插入负载时有可能自动检测不到负载而需按键开机;
若不需要自动检测负载功能,只需将PMOS管Q1两端电阻R7去掉,而在OUT引脚与GND之间加一20K 的电
阻即可;因为有些品牌手机对D+/D-电压有要求且要求不一样,所以不能全部兼容所有设备。
2、输出电容C2选择质量较好的低ESR的贴片电容,建议使用3个22uF贴片电容,若ESR较大或实际容值较低,须加
大C2;
3、Q1选择导通电阻小的PMOS,输出电流全部由Q1流出,若Q1导通电阻较大会影响效率,而且可能会发热严重而烧毁;
4、电感L1的饱和电流需大于5A,否则因电感饱和可能会导致芯片工作不正常,建议使用屏蔽电感;
5、肖特基二极管D1尽量选择大电流低电压的二极管,建议使用2颗SS34并联,否则会发热严重且影响效率;
6、KMS9311B集成了过充保护、过放保护、充电温度补偿、过温保护、输出过压保护、输出重载保护、输出短路保护等多重保护机制,另外可以在Vin与地之间加一个稳压管ZD以避免Vin输入电源纹波太高;
7、充电时,LED1~LED4根据电量逐级闪烁,充满后全亮,充电时短按按键无效;放电时,LED1~LED4显示电量;待机时短按按键显示电量16S后关闭;长按按键2S,可以打开或关闭手电筒;
8、如果需要增大输出电压,可以加入R8,如应用电路所示;R8每增加10K,输出电压增加0.1V。
9、输出短路瞬间,电流急剧升高,一般方案因采用简单检测方式,短路后需经过一定延迟时间之后再保护,就像打ESD一样,测试时虽然可能不会有问题,但是常常使芯片及电感、二极管受到潜在的损伤而留下隐患,KMS9311B 采用实时的短路保护方式,即在短路瞬间立即响应而没有延时,这样外围元件及芯片得到及时保护而不会面临潜在损伤的风险;另外在测试时如果使用电子负载,因有些电子负载等效电容很大,在接通瞬间所需电流很大,这样KMS9311B会认为发生了短路,从而关闭芯片,若遇到这种情况,请给电子负载串联一个1~2欧姆的功率电阻
限流,或者换用电阻负载进行测试,也可以使用我们提供的电子负载测试转接板进行测试。
工作波形
1、正常工作时OUT(CH1),SW(CH2),电感电流(CH3)波形
2、轻载时OUT(CH1),SW(CH2),电感电流(CH3)波形
3、负载移除后16S内OUT(CH1),SW(CH2),电感电流(CH3)波形
4、负载接入时OUT(CH1),SW(CH2),电感电流(CH3)波形
5、短路瞬间OUT(CH1),SW(CH2),电感电流(CH3)波形封装外形尺寸
ESOP16L