可控硅模块MTC1200A

结温 Tj（℃） 最小
125 125 125 600
125 125 125
125
ITM=3600A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=3600A 门极 触发电 流幅值
IGM=1.5A，门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V，IA=1A
25
1.0
20
VDM=67%VDRM
125
参数值 典型 1600
1.70
100 1.2
单位 最大
1200 A 1884 A 1800 V
30 mA
24.0 2800 0.80 0.29 1.90 800
KA 103A2S
V mΩ
V V/μs
100 A/μs
200 mA
3.0
V
150 mA
0.2
V
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Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
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可控硅（晶闸管）模块
Thyristor Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻
typical application
■交流开关 ■交直流电机控制 ■加热控制器 ■各种整流电源
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Rth(j-c)
热阻抗（结至壳）
180°正弦半波，单面散热
Rth(c-h) 热阻抗（结至散）
Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 储存温度 质量（约）
180°正弦半波，单面散热 50HZ ， R.M.S ， t=1min Iiso:1mA(max) 与散热器固定
MTC1200A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器，需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时，应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热，在设备未断电及模块未完全冷却降温之前，严禁用手触摸模块
的任何部位。
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circuit Diagram：
M 1 0 76
散热形式：水冷型模块外型图 M1076S
M 1076S
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
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MTC12来自百度文库0A
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可控硅（晶闸管）模块 Thyristor Module
Install Size Diagram: 散热形式：风冷型模块外型图 M1076
M1076、M1076S
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0.06 ℃/W
5 0.02
℃/W 4
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125 ℃
3800
g
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di/dt 通态电流临界上升率
IGT
门极触发电流
VGT
门极触发电压
IH
维持电流
VGD
门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波，50HZ 单面散 热，Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽，正弦半波 VR=0.6 VRRM
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
1200A 600~1800V 24 KA 2800 103A2S
符号
参数
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率