晶体三极管的高频模型--混合π模型
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
双极型三极管物理模型 rce ：受控电流源内阻，很大一般可忽略。
10/68 如果忽略 rce和rb’c
双极型三极管物理模型
三极管混合模型
说明： Cb′c一般为几皮法，可查手册； Cb′e可通过查手册计算。
制作单位：北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
9/68 5.2 晶体三极管的高频模型
1. 晶体三极管高频物理模型-混合模型
rbb’ ：基区的体电阻，b′是假想的基区内 的一个等效集中点。对高频影响很大，数 值十几~几十欧姆。
rb′e和Cb′e：发射结等效交流电阻和结电容。
rb′c和Cb′c :集电结等效交流电阻和结电容。
gmUb′e ：受控电流源，Ub′e对输出百度文库流的控 制作用。gm是跨导，gm=Ic/Ub′e。
10/68 如果忽略 rce和rb’c
双极型三极管物理模型
三极管混合模型
说明： Cb′c一般为几皮法，可查手册； Cb′e可通过查手册计算。
制作单位：北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
9/68 5.2 晶体三极管的高频模型
1. 晶体三极管高频物理模型-混合模型
rbb’ ：基区的体电阻，b′是假想的基区内 的一个等效集中点。对高频影响很大，数 值十几~几十欧姆。
rb′e和Cb′e：发射结等效交流电阻和结电容。
rb′c和Cb′c :集电结等效交流电阻和结电容。
gmUb′e ：受控电流源，Ub′e对输出百度文库流的控 制作用。gm是跨导，gm=Ic/Ub′e。