用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限

用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限
一般地,EEPROM存储器(如93C46/56/66系列)的擦写次数为10万次,超过这一极限时,该单元就无法再使用了。

但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。

这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。

我们有一个单字节的数据要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法
来做：
1、将93C56的00H单元定义为地址指针存放单元。

2、将要寻址的单元地址(假设为01H)放入93C56的00H地址中。

3、每次要对E2PROM中的数据进行读写时，先读取00H中的数据，并以读出的值为地址，访问其指向的单元。

4、在每次写完数据后，立即将数据再读出，并与写入的地址做比较。

A、如果相等，则代表本次写入数据成功。

B、如果不相等，则代表本次写入数据失败。

这时，将00H中的值+1，让其指向后一个新的地址单元，再将数据写入新的地址单元。

93C56共有128个字节单元，按照以上方法，可将数据的擦写次数提升120多倍!达到1200多万次!
对于24C16/32/64系列的芯片，也可采用这种方法。

补充二点
1.EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊.EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中.但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸,所以说EEPROM保持信息是有一定年限的(比如100年).写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子,电子能量比较高,可能改变周围的。