电子设备静电防护设计要求.
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器件成分 器件类型
混合集成电路 厚膜电阻器 薄膜电阻器 单片集成电路 密封薄膜电阻器
混合集成电路 单片集成电路 多指状覆盖式晶体管 使用非导电石英或陶瓷封罩的 LSI和存储器Ics，尤其紫外线 的EPROMs 晶体振荡器 声表面波器件
失效机理
介质击穿，随电压 增加产生的新电流 通路与焦耳热能有 关的破坏性的微小 电流通路
2018/8/7 17
几个实例
静电放电的危害
几个实例 2、人体静电造成的危害
1980年12月26日，某厂靶场临时装药工房，工 人在装100mm榴弹炮，3个人正往筒内装发射药 ，另一个身穿羊皮大衣的装卸工人从外面走来 ，看到不稳定，想用双手扶住药筒，他的手刚 摸到药筒的瞬间，发生了爆炸事故，死1人， 重伤3人。分析其事故原因是：在干燥的冬季 ，身穿羊皮大衣，人体活动中可能带上几万伏 的静电。人体对药筒放电引起爆炸。
RH（65~90） % 15 0.25 0.1 0.6 1.2
5
人体静电 电位
工作服和裤子激烈磨擦后脱下时人体静电电位
静 纯棉布 毛料 裤料 电位（kV） 工作服 纯棉布 维尼龙/棉 （55/45） 聚酯 / 人造丝 （65 / 35） 聚酯 /2018/8/7 棉 1.2 0.6 4.2 14.1 0.9 4.5 8.4 15.3
静电放电的危 害四
电磁辐射效应 火花放电和刷形放电都是静电能量比较大 的ESD过程，其峰值电流可达几百安培， 可以形成电磁脉冲串，对微电子系统造 成强电磁干扰和浪涌效应。
电磁干扰引起电路错误翻转或致命失效。
25
2018/8/7
静电放电对电子设备的危害方 式和机理
ESD放电时缝隙的影响
电路
2018/8/7 20
静电放电的危害 效应
力学效应 热效应 强电场效应 电磁辐射效应
2018/8/7
21
静电放电的危 害一
力学效应
半导体器件生产：静电尘埃吸附在芯片上，使 IC的成品率下降。 纺织业：静电力造成乱纱、挂条、粘合纠结等， 影响产品质量与生产效率。 印刷业和塑料薄膜包装生产：静电力影响正常 的纸张分离、叠放、塑料膜不能正常包装和印 花，影响生产的自动化。
丙烯
聚酯
尼龙 维尼龙
11.7 14.7 1.5 12.3 12.3 4.8 19.2 17.1 4.8 12.3 7.5 14.
1.8 0.3 1.2 13.8
6
静电电 位
工作服和裤子激烈磨擦后脱下时工作服的静电电位 静 裤料 电位（kV） 工作服 纯棉 布 毛料 丙烯 聚酯 尼龙 维尼龙
纯棉布
维尼龙/棉 （55/45） 聚酯 / 人造丝 （65 / 35）
2018/8/7 32
ESD敏感器件分类和敏感电 压范围三
器件分类 及敏感度
•
元器件类型
MOS场效应管（MOSFET） • 结型场效应管（JFET） • 运算放大器（OP AMP） • 集成电路（IC） • 小信号二极管（P〈1W，I〈1A） • 一般硅整流二极管 • 可控硅整流器（I〉0.175A） • 小功率双极性晶体管 • 片状电阻器 • 光电器件（光电二极管、光电晶体管、光电耦合 器） • 压电晶体 • 由第三级器件组成的混合电路
刷形放电
刷形放电是一种发生在导体与带电绝缘体之间，放电通道 呈分散的树叉形形状的放电过程。
火花放电
10
火花放电是一个瞬变的过程，放电时两放电体之间的空气 2018/8/7 被击穿，形成“快如闪电”的火花通道，静电能量瞬时集
静电放电的类型
种类 电晕放电 发生条件 特点及引燃引爆性 当电极相距较远，在物体 有时有声光，气体介质在物体尖端 表面的尖端或突出部位电 附近局部电离，形成放电通道。感 场较强处较易发生 应电晕单次脉冲放电能量小于20uJ， 有源电晕单次脉冲放电能量则较此 大若干倍，引燃能力很小 在带电电位较高的非导体 有声光，放电通道在静电非导体表 与导体之间较易发生 面附近形成许多分叉，在单位空间 内释放的能量较小，一般每次放电 能量不超过4mJ，引燃引爆能力中 等
MOS结 构
二极管（PN、PIN肖特基） 双极性晶体管 结型场效应晶体管 半导体结 可控硅整流器 双极性集成电路 分立的MOS场效应晶体管 2018/8/7
由于能量过大或过热 形成丝状短 引起微导离子区二次 路，大的泄 击穿造成的微扩散； 漏电流 硅和铝扩散（电迁移） 使电流增大
34
ESD敏感器件的失效 机理
2018/8/7 22
静电放电的危 害二
热效应
静电火花放电或刷形放电瞬间的大电流可以使空 气电离、击穿、发光、发热，形成局部的高温 热源。
军工业及化工业：引起爆炸事故。 微电子技术领域：ESD的静电能量可以使硅片 微区熔化，电流集中处使铝互连局部区域发生 球化，甚至烧毁PN结和金属互连线，形成破坏 2018/8/7 性的热电击穿，导致电路损坏失效。
ESD电流
2018/8/7
26
静电放电对电子设备的危害方 式和机理
ESD放电时缝隙的影响
电路
ESD电流
2018/8/7
27
静电放电对电子设备的危害方 式和机理
ESD放电时不良接地的影响
电路
2018/8/7
28
一些器件的静电敏感 电压值
器件类 耐ESD电压 型 （ V） VMOS 30 ~ 180 器件类 型 运算放大器 耐ESD电压 （V） 190 ~ 2500
EMC交流内容 电子设备静电防护设计
国际认证介绍和产品安全性设计要求 电子通讯设备雷击浪涌保护设计指南
2018/8/7
1
电子设备静电防护设计 要求
质企中心可靠性部
2002年6月
2018/8/7 2
静 电
2018/8/7
3
人体静电 电位
静 袜
电位（kV）
赤脚
尼龙袜 薄毛袜 导电袜
鞋 橡胶底运动鞋 新皮鞋
与焦耳热能有关的 金属喷镀烧毁 由于ESD在表面上 积存的离子引起的 表面转化或栅极门 限电压漂移
ຫໍສະໝຸດ Baidu
失效特征
电阻值漂移
薄膜电阻器
金属积带
开路
场效应结构 和非导电罩
工作性能下 降
压电晶体间 距很近的电 极
2018/8/7
当所加电压过大时， 工作性能下 防 由于机械力使晶体 破碎；电弧放电软 化和熔化电极金属
刷形放电
火花放电
主要发生在相距较近的带 有声光，放电通道一般不形成分叉， 电金属导体间或静电导体 电极有明显放电集中点，释放能量 间 比较集中，引燃引爆能力较强 2018/8/7 11
静电放电模型一
R
人体模型（HBM）
C
R = 1.5 kΩ C = 100 pF
2018/8/7
12
静电放电模型二
13
静电放电模型三
R L R = 15 Ω C = 150 pF L = 0.2~0.4 mH
家具模型
C
2018/8/7
14
静电放电模型四
R L
带电器件模型（CDMR ） 、C、L的值根据器件
的具体情况确定。一般较 小。
C
2018/8/7
15
静电放电模 型五
场感应模型不是具体地模拟某一种静电 场感应模型 电源，而是总体描述由于静电场的作用 导致静电放电而引起器件、仪器等失效 的一种机制。
2018/8/7
16
静电放电的危害
1、固体静电造成的危害
某密闭货车装运聚苯乙烯制品，行驶600km后 ，停车时发生爆炸，车顶被炸碎，飞离出事点 30-60m。事故原因是在行车过程中产生和积累 了静电，而聚苯乙烯制品分解出少量易燃气体 没能能时排出，在车内形成爆炸性混合物，过 到一定浓度后遇静电火花引起爆炸。
23
静电放电的危害 三
强电场效应 静电荷在物体上积累往往使物体对地具有很高的电 位，在附近产生很强的电场。
很强的静电场会导致MOS场效应器件的栅氧化层 被击穿，使器件失效。 很强的静电场可以使多层布线电路间介质击穿或 金属化导线间介质击穿，造成电路失效。 很强的静电场可以造成电子器件的潜在性损伤， 2018/8/7 24
35
关于 ESD 的 标准
静电放电抗扰性试验
IEC61000-4-2 / EN61000-4-2 / GB/T17626 .2
2018/8/7
MOSFE 100 ~ T 200
GaAsF ET PROM CMOS 2018/8/7 100 ~ 300 100 250 ~
JEFT
SCL STTL DTL
140 ~ 1000
680 ~ 1000 300 ~ 2500 380 ~
29
一级 对静电敏感度的分级 0 ～ 2KV 二级 2KV ～ 4KV
R
RB CB
LB
RH CH
LH
放电端
场增强模型(人体--金属模型）
C
R = 150 Ω C = 150 pF IEC801-2 (1984)
2018/8/7
CB=150 pF,RB=330Ω,LB=0.04~0.2μH CH=3~10 pF, RH=20~200Ω, LH=0.05~0.2μH IEC801-2 (1991) IEC61000-4-2
2018/8/7 19
静电放电的危害
4、人体静电对器件的危害
几个实例
某厂在使用高频三极管3DG142时发现了一个奇怪的现 象。当工作人员在上班开始工作时，拿起第一只管子 测试，常常发现是坏的，其失效模式为发射结击穿， 以后就基本上是好的了。这种现象每天重复出现。经 研究认为，这种失效是由人体静电引起的。于是厂里 规定，凡是第一次测试时，要先摸一摸地线，释放静 电后，再去拿管子。自此，该现象消失。
三级 4 ~ 16kV
2018/8/7
33
ESD敏感器件的失效 机理
器件成 分 器件类型
分立的MOS场效应管 MOS集成电路金属喷镀跨交的半 导体 数字集成电路（双极性和MOS） MOS电容器 线性集成电路
失效机理
由于过电压和随后的 大电流引起介质击穿 或Na+迁移埋下潜 在性危害
失效特征
短路（大电 流泄漏）， 电路可靠性 降低
三级
4KV ～ 16KV
2018/8/7
30
ESD敏感器件分类和敏感电 压范围一
器件分 类 及敏感 度
•
元器件类型
微波器件（肖特基二极管、点接触二极管及频率大于1GHz的检波 二极管） • MOS场效应管（MOSFET） • 结型场效应管（JFET） 一级 • 声表面波滤波器（SAW） 0 ~ • 电荷耦合器件（CCD） 2kV • 运算放大器（OP AMP） • 集成电路（IC） • 薄膜电阻器 • 可控硅整流器（Pt < 100mW，It < 100mA） 2018/8/7 31 • 由第一级器件组成的混合电路
防静电鞋
2018/8/7
20.0
19.0
21.0
20.0
5.0
2.0
8.5
4.0
7.0
3.0
6.0
3.5
4
人体静电 电位
人体静电电位（kV）
静电产生原因
在合成纤维地毯上走动 在乙烯树脂地板上行走 在工作台上操作 包工作说明书的乙烯树脂封 皮 从工作台上拿起普通聚乙烯 袋
2018/8/7
RH（10~20） % 35 12 6 7 20
2018/8/7 18
静电放电的危害
几个实例
3、液体静电造成的危害 某油船自261t油罐装航空煤油，开始十分钟后 ，油船爆炸，伤亡4人。其原因是航空煤油流 过橡胶软管时，产生约30kV的静电电压，煤油 蒸气浓度已达到爆炸浓度极限，由输油管上的 凸出部位与油船之间的静电放电火花点燃了易 燃易爆混合气体引起爆炸。
2.2
0.9 9.2
2.7
9.4 29.7
21.4
18.0 39.9
22.3
17.5 23.7
2.7
8.5
3.3
0.5
13.3 2.3
聚酯 / 棉 （65 / 35）
2018/8/7
23.1
20.6
19.5
11.9
29.3 23.4
7
静电放电的 定义
静电放电（ESD-Electrostatic Discharge）
带电体周围的场强超过周围介质的绝缘击穿场强时， 因介质产生电离而使带电体上的静电荷部分或全部消 失的现象。
2018/8/7
8
静电放电的 特点
静电放电是高电位、强电场、瞬 时大电流的过程。 静电放电会产生强烈的电磁辐射 形成电磁脉冲（EMP）。
2018/8/7
9
电晕放电
静电放电的类型
电晕放电一种高电位、小电流、空气被局部电 离的放电过程。
ESD敏感器件分类和敏感电 压范围二
器件分类 及敏感度
•
元器件类型
MOS场效应管（MOSFET） • 结型场效应管（JFET） • 运算放大器（OP AMP） 二级 • 集成电路（IC） 2 ~ 4kV • 精密电阻网络 • 特高速效应晶体管 • 低功率双极性晶体管（Pt < 100mW，It < 100mA） • 由第二级器件组成的混合电路
混合集成电路 厚膜电阻器 薄膜电阻器 单片集成电路 密封薄膜电阻器
混合集成电路 单片集成电路 多指状覆盖式晶体管 使用非导电石英或陶瓷封罩的 LSI和存储器Ics，尤其紫外线 的EPROMs 晶体振荡器 声表面波器件
失效机理
介质击穿，随电压 增加产生的新电流 通路与焦耳热能有 关的破坏性的微小 电流通路
2018/8/7 17
几个实例
静电放电的危害
几个实例 2、人体静电造成的危害
1980年12月26日，某厂靶场临时装药工房，工 人在装100mm榴弹炮，3个人正往筒内装发射药 ，另一个身穿羊皮大衣的装卸工人从外面走来 ，看到不稳定，想用双手扶住药筒，他的手刚 摸到药筒的瞬间，发生了爆炸事故，死1人， 重伤3人。分析其事故原因是：在干燥的冬季 ，身穿羊皮大衣，人体活动中可能带上几万伏 的静电。人体对药筒放电引起爆炸。
RH（65~90） % 15 0.25 0.1 0.6 1.2
5
人体静电 电位
工作服和裤子激烈磨擦后脱下时人体静电电位
静 纯棉布 毛料 裤料 电位（kV） 工作服 纯棉布 维尼龙/棉 （55/45） 聚酯 / 人造丝 （65 / 35） 聚酯 /2018/8/7 棉 1.2 0.6 4.2 14.1 0.9 4.5 8.4 15.3
静电放电的危 害四
电磁辐射效应 火花放电和刷形放电都是静电能量比较大 的ESD过程，其峰值电流可达几百安培， 可以形成电磁脉冲串，对微电子系统造 成强电磁干扰和浪涌效应。
电磁干扰引起电路错误翻转或致命失效。
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2018/8/7
静电放电对电子设备的危害方 式和机理
ESD放电时缝隙的影响
电路
2018/8/7 20
静电放电的危害 效应
力学效应 热效应 强电场效应 电磁辐射效应
2018/8/7
21
静电放电的危 害一
力学效应
半导体器件生产：静电尘埃吸附在芯片上，使 IC的成品率下降。 纺织业：静电力造成乱纱、挂条、粘合纠结等， 影响产品质量与生产效率。 印刷业和塑料薄膜包装生产：静电力影响正常 的纸张分离、叠放、塑料膜不能正常包装和印 花，影响生产的自动化。
丙烯
聚酯
尼龙 维尼龙
11.7 14.7 1.5 12.3 12.3 4.8 19.2 17.1 4.8 12.3 7.5 14.
1.8 0.3 1.2 13.8
6
静电电 位
工作服和裤子激烈磨擦后脱下时工作服的静电电位 静 裤料 电位（kV） 工作服 纯棉 布 毛料 丙烯 聚酯 尼龙 维尼龙
纯棉布
维尼龙/棉 （55/45） 聚酯 / 人造丝 （65 / 35）
2018/8/7 32
ESD敏感器件分类和敏感电 压范围三
器件分类 及敏感度
•
元器件类型
MOS场效应管（MOSFET） • 结型场效应管（JFET） • 运算放大器（OP AMP） • 集成电路（IC） • 小信号二极管（P〈1W，I〈1A） • 一般硅整流二极管 • 可控硅整流器（I〉0.175A） • 小功率双极性晶体管 • 片状电阻器 • 光电器件（光电二极管、光电晶体管、光电耦合 器） • 压电晶体 • 由第三级器件组成的混合电路
刷形放电
刷形放电是一种发生在导体与带电绝缘体之间，放电通道 呈分散的树叉形形状的放电过程。
火花放电
10
火花放电是一个瞬变的过程，放电时两放电体之间的空气 2018/8/7 被击穿，形成“快如闪电”的火花通道，静电能量瞬时集
静电放电的类型
种类 电晕放电 发生条件 特点及引燃引爆性 当电极相距较远，在物体 有时有声光，气体介质在物体尖端 表面的尖端或突出部位电 附近局部电离，形成放电通道。感 场较强处较易发生 应电晕单次脉冲放电能量小于20uJ， 有源电晕单次脉冲放电能量则较此 大若干倍，引燃能力很小 在带电电位较高的非导体 有声光，放电通道在静电非导体表 与导体之间较易发生 面附近形成许多分叉，在单位空间 内释放的能量较小，一般每次放电 能量不超过4mJ，引燃引爆能力中 等
MOS结 构
二极管（PN、PIN肖特基） 双极性晶体管 结型场效应晶体管 半导体结 可控硅整流器 双极性集成电路 分立的MOS场效应晶体管 2018/8/7
由于能量过大或过热 形成丝状短 引起微导离子区二次 路，大的泄 击穿造成的微扩散； 漏电流 硅和铝扩散（电迁移） 使电流增大
34
ESD敏感器件的失效 机理
2018/8/7 22
静电放电的危 害二
热效应
静电火花放电或刷形放电瞬间的大电流可以使空 气电离、击穿、发光、发热，形成局部的高温 热源。
军工业及化工业：引起爆炸事故。 微电子技术领域：ESD的静电能量可以使硅片 微区熔化，电流集中处使铝互连局部区域发生 球化，甚至烧毁PN结和金属互连线，形成破坏 2018/8/7 性的热电击穿，导致电路损坏失效。
ESD电流
2018/8/7
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静电放电对电子设备的危害方 式和机理
ESD放电时缝隙的影响
电路
ESD电流
2018/8/7
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静电放电对电子设备的危害方 式和机理
ESD放电时不良接地的影响
电路
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一些器件的静电敏感 电压值
器件类 耐ESD电压 型 （ V） VMOS 30 ~ 180 器件类 型 运算放大器 耐ESD电压 （V） 190 ~ 2500
EMC交流内容 电子设备静电防护设计
国际认证介绍和产品安全性设计要求 电子通讯设备雷击浪涌保护设计指南
2018/8/7
1
电子设备静电防护设计 要求
质企中心可靠性部
2002年6月
2018/8/7 2
静 电
2018/8/7
3
人体静电 电位
静 袜
电位（kV）
赤脚
尼龙袜 薄毛袜 导电袜
鞋 橡胶底运动鞋 新皮鞋
与焦耳热能有关的 金属喷镀烧毁 由于ESD在表面上 积存的离子引起的 表面转化或栅极门 限电压漂移
ຫໍສະໝຸດ Baidu
失效特征
电阻值漂移
薄膜电阻器
金属积带
开路
场效应结构 和非导电罩
工作性能下 降
压电晶体间 距很近的电 极
2018/8/7
当所加电压过大时， 工作性能下 防 由于机械力使晶体 破碎；电弧放电软 化和熔化电极金属
刷形放电
火花放电
主要发生在相距较近的带 有声光，放电通道一般不形成分叉， 电金属导体间或静电导体 电极有明显放电集中点，释放能量 间 比较集中，引燃引爆能力较强 2018/8/7 11
静电放电模型一
R
人体模型（HBM）
C
R = 1.5 kΩ C = 100 pF
2018/8/7
12
静电放电模型二
13
静电放电模型三
R L R = 15 Ω C = 150 pF L = 0.2~0.4 mH
家具模型
C
2018/8/7
14
静电放电模型四
R L
带电器件模型（CDMR ） 、C、L的值根据器件
的具体情况确定。一般较 小。
C
2018/8/7
15
静电放电模 型五
场感应模型不是具体地模拟某一种静电 场感应模型 电源，而是总体描述由于静电场的作用 导致静电放电而引起器件、仪器等失效 的一种机制。
2018/8/7
16
静电放电的危害
1、固体静电造成的危害
某密闭货车装运聚苯乙烯制品，行驶600km后 ，停车时发生爆炸，车顶被炸碎，飞离出事点 30-60m。事故原因是在行车过程中产生和积累 了静电，而聚苯乙烯制品分解出少量易燃气体 没能能时排出，在车内形成爆炸性混合物，过 到一定浓度后遇静电火花引起爆炸。
23
静电放电的危害 三
强电场效应 静电荷在物体上积累往往使物体对地具有很高的电 位，在附近产生很强的电场。
很强的静电场会导致MOS场效应器件的栅氧化层 被击穿，使器件失效。 很强的静电场可以使多层布线电路间介质击穿或 金属化导线间介质击穿，造成电路失效。 很强的静电场可以造成电子器件的潜在性损伤， 2018/8/7 24
35
关于 ESD 的 标准
静电放电抗扰性试验
IEC61000-4-2 / EN61000-4-2 / GB/T17626 .2
2018/8/7
MOSFE 100 ~ T 200
GaAsF ET PROM CMOS 2018/8/7 100 ~ 300 100 250 ~
JEFT
SCL STTL DTL
140 ~ 1000
680 ~ 1000 300 ~ 2500 380 ~
29
一级 对静电敏感度的分级 0 ～ 2KV 二级 2KV ～ 4KV
R
RB CB
LB
RH CH
LH
放电端
场增强模型(人体--金属模型）
C
R = 150 Ω C = 150 pF IEC801-2 (1984)
2018/8/7
CB=150 pF,RB=330Ω,LB=0.04~0.2μH CH=3~10 pF, RH=20~200Ω, LH=0.05~0.2μH IEC801-2 (1991) IEC61000-4-2
2018/8/7 19
静电放电的危害
4、人体静电对器件的危害
几个实例
某厂在使用高频三极管3DG142时发现了一个奇怪的现 象。当工作人员在上班开始工作时，拿起第一只管子 测试，常常发现是坏的，其失效模式为发射结击穿， 以后就基本上是好的了。这种现象每天重复出现。经 研究认为，这种失效是由人体静电引起的。于是厂里 规定，凡是第一次测试时，要先摸一摸地线，释放静 电后，再去拿管子。自此，该现象消失。
三级 4 ~ 16kV
2018/8/7
33
ESD敏感器件的失效 机理
器件成 分 器件类型
分立的MOS场效应管 MOS集成电路金属喷镀跨交的半 导体 数字集成电路（双极性和MOS） MOS电容器 线性集成电路
失效机理
由于过电压和随后的 大电流引起介质击穿 或Na+迁移埋下潜 在性危害
失效特征
短路（大电 流泄漏）， 电路可靠性 降低
三级
4KV ～ 16KV
2018/8/7
30
ESD敏感器件分类和敏感电 压范围一
器件分 类 及敏感 度
•
元器件类型
微波器件（肖特基二极管、点接触二极管及频率大于1GHz的检波 二极管） • MOS场效应管（MOSFET） • 结型场效应管（JFET） 一级 • 声表面波滤波器（SAW） 0 ~ • 电荷耦合器件（CCD） 2kV • 运算放大器（OP AMP） • 集成电路（IC） • 薄膜电阻器 • 可控硅整流器（Pt < 100mW，It < 100mA） 2018/8/7 31 • 由第一级器件组成的混合电路
防静电鞋
2018/8/7
20.0
19.0
21.0
20.0
5.0
2.0
8.5
4.0
7.0
3.0
6.0
3.5
4
人体静电 电位
人体静电电位（kV）
静电产生原因
在合成纤维地毯上走动 在乙烯树脂地板上行走 在工作台上操作 包工作说明书的乙烯树脂封 皮 从工作台上拿起普通聚乙烯 袋
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RH（10~20） % 35 12 6 7 20
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静电放电的危害
几个实例
3、液体静电造成的危害 某油船自261t油罐装航空煤油，开始十分钟后 ，油船爆炸，伤亡4人。其原因是航空煤油流 过橡胶软管时，产生约30kV的静电电压，煤油 蒸气浓度已达到爆炸浓度极限，由输油管上的 凸出部位与油船之间的静电放电火花点燃了易 燃易爆混合气体引起爆炸。
2.2
0.9 9.2
2.7
9.4 29.7
21.4
18.0 39.9
22.3
17.5 23.7
2.7
8.5
3.3
0.5
13.3 2.3
聚酯 / 棉 （65 / 35）
2018/8/7
23.1
20.6
19.5
11.9
29.3 23.4
7
静电放电的 定义
静电放电（ESD-Electrostatic Discharge）
带电体周围的场强超过周围介质的绝缘击穿场强时， 因介质产生电离而使带电体上的静电荷部分或全部消 失的现象。
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8
静电放电的 特点
静电放电是高电位、强电场、瞬 时大电流的过程。 静电放电会产生强烈的电磁辐射 形成电磁脉冲（EMP）。
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9
电晕放电
静电放电的类型
电晕放电一种高电位、小电流、空气被局部电 离的放电过程。
ESD敏感器件分类和敏感电 压范围二
器件分类 及敏感度
•
元器件类型
MOS场效应管（MOSFET） • 结型场效应管（JFET） • 运算放大器（OP AMP） 二级 • 集成电路（IC） 2 ~ 4kV • 精密电阻网络 • 特高速效应晶体管 • 低功率双极性晶体管（Pt < 100mW，It < 100mA） • 由第二级器件组成的混合电路