BU941 BU941Z NPN型功率达林顿晶体管芯片
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图2
丹东华奥电子有限公司
Automobile Semiconductor
wk.baidu.com
200301 共 1 页 第 1页
VCE=5V, IC=5A
档位 A B
最小值 350 350
典型值
350
400
500
1200
最大值
50 20 1.6 1.6 2.0 2.3 500
图1
成品
1.8 1.8 2.2 2.5
单位 V V µA mA V V V V V
300~
焊点尺寸（图 2）
B 极： 705×1175μm
E 极: 710×990μm
电参数：
缩写 BVCEO BVCBO
ICEO IEBO VCE (SAT) 1 VCE (SAT) 2 VBE (SAT) 1 VBE (SAT) 2 VCL
HFE1
测试条件 IC=100mA, IB=0 IC=100µA, IE=0 VCE=300V, IB=0 VEB=5V, IC=0 IC=8A, IB=110mA IC=10A, IB=250mA IC=8A, IB=110mA IC=10A, IB=250mA IC=100mA
201307-A
BU941Z
NPN 功率达林顿晶体管芯片
BU941Z 芯片的技术参数：
1、园片直径：100mm 2、园片厚度：245±5μm 3、背面金属：Ti 1000 埃 + Ni 4000 埃 + Ag 5000 埃 4、正面金属：纯 Al 4.5μm 5、芯片表面钝化：氮化硅 6000 埃 6、划片线宽：60μm 7、芯片面积：4.7×4.7（mm） 8、晶体管内部等效电路（图 1）