电工学(下册)电子技术基础 第4章 习题解答
电工电子技术(2)习题册参考答案
第二部分
模拟电子电路的分析与计算 （教材第15章）
1、解：（1）作直流通路
IB U CC U BE U CC 12 0.05 mA 50 A ， RB RB 240
I C I B 40 50 2000 A 2 mA U CE U CC I C RC 12 2 3 6 V
CB结正偏。 （3）解：
U BB 3 V
I B 0 IC 0
所以此时晶体管处于截止状态。 BE结电压： U BE U BB 3 V ，反偏 CB结电压： U CB U CE U BE 15 (3) 18 V ，正偏 5、电路如图所示, 试分析晶体三极管的工作状态。
4、如图所示电路，在给出的三组条件下，分别求出晶体管两个P-N结的电压 U BE 、 U CB 之值，并说明晶体管工作在何种状态。 （1） U CC 15 V, U BB 5 V, R B 10 k, RC 5 k, U BE 0.7 V, 60 ； （2） U CC 15 V, U BB 5 V, R B 300 k, RC 3 k, U BE 0.7 V, 60 ； （3） U CC 15 V, U BB 3 V, RB 300 k, RC 5 k, 60 。 解：（1） IB + RB UBB IC R
（2）作微变等效电路
ib
RS
ic
b ¦ iÂ
+ ui RB _ rbe
RC RL
+ es _
+ uo _
（3）根据微变等效电路，且有
第4页
共 15页
电工学（第7版）下册-电子技术习题册参考解答—西华大学电气信息学院电工电子教学部版权所有
电工学(下册)电子技术基础第4章习题解答
电工学（下册）电子技术基础第4章习题解答第4章场效应管放大电路与功率放大电路4.1图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。
说明它的开启电压Uth（或夹断电压Up）约是多少。
iD/mA-iD/mA321-10iD/mA1-32uGS/V-3-2-10uGS/V(a)-4-20uGS/V(b)(c)图4.1习题4.1图解：(a)N沟道耗尽型FETUP=－3V；(b)P沟道增强型FETUT=－4V；(c)P沟道耗尽型FETUP=2V。
4.2某MOSFET的IDSS=10mA且UP=－8V。
(1)此元件是P沟道还是N沟道？(2)计算UGS=－3V是的ID；(3)计算UGS=3V时的ID。
解：(1)N沟道；UGS3)10(1)3.9(mA)UP8U3(3)IDIDSS(1GS)10(1)18.9(mA)UP8(2)IDIDSS(14.3画出下列FET的转移特性曲线。
(1)UP=－6V，IDSS=1mA的MOSFET；(2)UT=8V，K=0.2mA/V2的MOSFET。
解：iD/mA1iD/mA3.2－6(1)ouGS/V(2)o812uGS/V4.4试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。
解：iD耗尽型N沟道增强型N沟道UPoUTUTUPuGS4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
解：(a)能放大增强型耗尽型P沟道P沟道(b)不能放大，增强型不能用自给偏压(c)能放大1，可增加Rd，并改为共源放大，（d）不能放大，增强型不能用自给偏压。
共漏Au将管子改为耗尽型，改电源极性。
图4.2习题4.5电路图4.6电路如图4.3所示，MOSFET的Uth=2V，Kn=50mA/V2，确定电路Q 点的IDQ和UDSQ值。
解：UGSQRg2Rg1Rg2VDD15243.13(V)10015IDQKn(UGSQUth)250(3.132)263.9(mA)UDSQVDDIDQRd2463.90.211.2(V) +VDD12V+VDD24V+VDD-9VRd1.0kΩVTRd560ΩVTRg1100kΩRd200ΩVTRgRg215kΩ10MΩ10MΩRg(a)(b)图4.3习题4.6电路图图4.4习题4.7电路图4.7试求图4.4所示每个电路的UDS，已知|IDSS|=8mA。
《电工学-电子技术-下册》习题册习题解答
《电工与电子技术》习题与解答电工电子教研室第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路一、单项选择题*1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大，反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。
A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V**3．半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。
A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个5．晶体管的主要特性是具有（ D ）。
A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 *6．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。
A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性8．对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ） A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r 0D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r o *9．射极输出器电路如题9图所示，C 1、C 2足够大，对输入的交流信号u 可视作短路。
则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。
A 、两者反相，输出电压大于输入电压B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°，且大小相等D 、两者同相，输出电压大于输入电压 *11．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变，符号改变 13．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是( A )。
题2图题9图A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。
(完整版)电工技术基础与技能(周绍敏)第4章电容课后习题及答案.docx
电工技术基础与技能第四章 电容 练习题一、是非题 (2X20)1、平行板电容器的电容量与外加电压的大小是无关的。
（ ） 2、电容器必须在电路中使用才会带有电荷， 故此时才会有电容量。
（ ） 3、若干只不同容量的电容器并联， 各电容器所带电荷量均相等。
（）4、电容量不相等的电容器串联后接在电源上，每只电容器两端的电压与它本身的电容量成反比。
（ ）5、电容器串联后， 其耐压总是大于其中任一电容器的耐压。
（ ） 6、电容器串联后， 其等效电容总是小于任一电容器的电容量。
（ ） 7、若干只电容器串联， 电容量越小的电容器所带的电荷量也越少。
（ ） 8、两个 10μ F 的电容器， 耐压分别为 10V 和 20V ，则串联后总的耐压值为 30V 。
（ ） 9、电容器充电时电流与电压方向一致， 电容器放电时电流和电压的方向相反。
（ ） 10、电容量大的电容器储存的电场能量一定多。
（）二、选择题（ 2X20）1、平行板电容器在极板面积和介质一定时，如果缩小两极板之间的距离，则电容量将( )。
A. 增大B.减小C.不变D. 不能确定2、某电容器两端的电压为40V 时，它所带的电荷量是 0.2C ，若它两端的电压降到10V 时，则()。
A. 电荷量保持不变B. 电容量保持不变C. 电荷量减少一半D.电荷量减小3、一空气介质平行板电容器，充电后仍与电源保持相连，并在极板 中间放入ε r=2 的电介质，则电容器所带电荷量将( )。
A. 增加一倍B.减少一半C.保持不变D.不能确定4、电容器 C 1 和一个电容为 8μ F 的电容器 C 2 并联，总电容为电容器 C 1的 3 倍，那么电容器 C 1 的电容量是 ( )μF 。
A. 2B. 4C. 6D.85、两个电容器并联，若C 1=2C ，则 C 1、 C 2 所带电荷量 Q 1、 Q 2 的关系是 ( )。
A. Q 1= 2Q 2B. 2Q1= Q 2C. Q 1= Q 2D.不能确定 6、若将上题两电容串联，则( )。
电工学第四版习题解答
第1章 习题解答(部分)1.5.3 有一直流电源，其额定功率P N =200 W ，额定电压U N ＝50 V ，内阻只ＲN ＝0.5Ω，负载电阻Ｒ0可以调节，其电路如图所示。
试求： (1)额定工作状态下的电流及负载电阻， (2)开路状态下的电源端电压，分析 电源的额定值有额定功率P N 。
额定电压U N 和额定电流I N 。
三者间的关系为 P N =U N I N 。
额定电压U N 是指输出额定电流I N 时的端电压，所以额定功率P N 也就是电源额定工作状态下负载所吸收的功率。
解 （1）额定电流 A U P I N N N 450200===负载电阻 5.12450===NN I U R Ω（2）开路状态下端电压U 0 等于电源电动势E 。
U 0＝E ＝U N ＋I N Ｒ0＝50＋4×0.5＝52 V1.5.6 一只100V ，8W 的指示灯，现在要接在380V 的电源上，问要串多大阻值的电阻?该电阻应选用多大瓦数的?分析 此题是灯泡和电阻器额定值的应用。
白炽灯电阻值随工作时电压和电流大小而变，但可计算出额定电压下的电阻值。
电阻器的额定值包括电阻值和允许消耗功率。
解 据题给的指示灯额定值可求得额定状态下指示灯电流I N 及电阻只R NΩ≈==≈==1510073.0110A073.01108 NN N N N N UU R U P I串入电阻R 降低指示灯电压，使其在380V 电源上仍保持额定电压U N ＝110V 工作，故有Ω≈-=-=3710073.01103800NNI UU R该电阻工作电流为I N =0.073 A,故额定功率为W R I P N R 6.193710073.022≈⨯=⋅=可选额定值为3.7k Ω,20 W 的电阻。
1.5.7在图1.03的两个电路中，要在12V 的直流电源上使6V ，50 mA 的电珠正常发光，应该采用哪 一个联接电路？解 要使电珠正常发光，必须保证电珠获得6V ，50mA 电压与电流。
电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础
4.1 双极结型三极管BJT
(Bipolar Junction Transistor)
又称半导体三极管、晶 体管，或简称为三极管。
分类： 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN型、PNP型 按频率分：高频管、低频管 按功率分：小功率、大功率
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
c
e V VCE
VCC
V
VBE
也是一组特性曲线
实验电路
1.共射极电路的特性曲线
输入特性 :iB=f(vBE)|vCE=const
(1)VCE=0V时，发射结和集电结均正偏，输入特性相当于两个PN结并联
(2)VCE=1V时，发射结正偏，集电结反偏，收集电子能力增强，发射极发
射到基区的电子大部分被集电极收集，从而使得同样的VBE时iB减小。
ICEO (1 )ICBO 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。
３．极限参数
(1) 集电极最大允许电流 ICM
过流区
当IC过大时，三极管的值要 iC
减小。在IC=ICM时，值下降 ICM
到额定值的三分之二。
PCM = iCvCE
(2) 集电极最大允许耗散功率 PCM
将 iC 与 vCE 乘 积 等 于 规 定 的 PCM 值各点连接起来，可得 一条双曲线。
利用IE的变化去控制IC，而表征三极管电流控制作用的参 数就是电流放大系数 。
共射极组态连接方式
IE UBE
+ Uo
-
49 IC 0.98(mA)
IB
20( A)
共射极接法应用我们得到的结论：
１、从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来，这两 种电路的基本区别是共射极电路以基极电流作为输入控制 电流。 ２、共基极电路是以发射极电流作为输入控制电流。
电工学习题册答案
电工学习题册答案【篇一：电工基础经典习题册及部分章节答案】第一章电路基础知识1—1 电流和电压一、填空题1．流通的路径称为电路，通常电路是由、、和组成。
2．习惯上规定电荷移动的方向为电流的方向，因此，电流的方向实际上与电子移动的方向相反。
3．金属导体中自由电子的定向移动方向与电流方向。
4．电流分直流和交流两大类，凡电流的大小和方向都随时间的变化而变化的电流称为交流电流，简称交流；凡大小和方向恒定不变的电流称为直流电流，简称直流。
5．若3 min通过导体横截面的电荷量是1.8 c，则导体中的电流是a。
6．测量电流时，应将电流表接在电路中，使被测电流从电流表的正接线柱流进，从负（-）接线柱流出；每个电流表都有一定的测量范围，称为电流表的量程。
7．电压是衡量做功能力的物理量；电动势表示电源经电源内部移到正极的能力。
8．电路中某点与的电压即为该点的电位，若电路中a、b两点的电位分别为ua、ub，则a、b两点间的电压uab=ua-ub；u ba= ub- ua。
9．参考点的电位为，高于参考点的电位取值，低于参考点的电位取值。
10．电动势的方向规定为在电源内部由极指向极。
11．测量电压时，应将电压表和被测电路联，使电压表接线柱的正负和被测两点的电位一致。
12．所示，电压表的a应接电阻的端，b应接电阻的端。
电流表的a应接电阻的c端。
c+i-二、判断题2．电源电动势的大小由电源本身性质所决定，与外电路无关。
(√)4．我们规定自负极通过电源内部指向正极的方向为电动势的方向。
(√)三、问答题1．电路主要由哪些部分组成?它们的主要功能是什么?答：电路主要由电源、负载、导线和开关组成。
电源是提供电能的装置；负载是实现电路功能的装置。
导线是在电路中起连接作用。
开关是控制装置。
2．简述电压、电位、电动势的区别。
电源内部电荷移动和电源外部电荷移动的原因是否一样?答：电压反映的是电场力在两点之间做功的多少，与参考点的位置无关。
电工学下册(秦曾煌)电子技术课后答案
第14章本书包括电路的基本概念与基本定律、电路的分析方法、电路的暂态分析、正弦交流电路、三相电路、磁路与铁心线圈电路、交流电动机、直流电动机、控制电机、继电接触器控制系统、可编程控制器及其应用等内容。
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：C B I I β≈(1)E B C B I I I I β=+=+C C BB I I I I ββ∆==∆3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。
（2）晶体管的输出特性曲线：晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。
在不同的B I 下，输出特性曲线是一组曲线。
B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。
此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。
此时，B I =0，C I =CEO I 。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。
此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。
即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。
14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。
电工学第三、四章习题答案(1)-最新范文
电工学第三、四章习题答案(1)篇一：第4章习题解答 (电工技术基础)第4章习题解答4.2.1 图4.01所示的是时间t=0时电压和电流的相量图,并已知U=220V,I1=10A,I2=52A,试分别用三角函数式及复数式表示各正弦量。
解：(1) 复数式??220/0?UV,?I?1?10/90?j10A,??52/?45??5?j5I2A(2) 三角函数式u=2202sin(?t)V, i1?102sin(?t?90)A, i2 =10?sin（?t?45）A??4.2.2 已知正弦量U?220ej30??=-4-j3A,试分别用三角函数式、正弦波形V和I及相量图表示它们。
如I?= 4-j3A,则又如何？解: (1) 三角函数式u=2202sin(?t?30?)V?= -4-j3 A时, i =52sin(?t?143.1?)A 当I当I??= 4-j3 A时, i??52sin(?t?36.9?) A (2) 正弦波形及相量图（图T4.2.2）4.4.8 图4.05是一移相电路。
如果C=0.01?F,输入电压u1??2sin6280tV,今欲使输出电压u2在相位上前移60,问应配多大的电阻R？此时输出电压的有效值U2等于多少？解：(方法一) 相量图法画出相量图T4.4.8,由相量图知：U2?U1cos60??12VVUC?U1sin60??32又XC?1?16280?0.01?10 ?6?C??15.9K?I?UCXC3/215.9?54.5mAR?∴?9.2K?U2I?1/254.5(方法二) 相量法 (复数计算) ??1?V由题意可知,U1XC?1?16280?0.01?10?6?C?15.9K??电路的阻抗为： Z?R?jXC?R?j I???U1Z?1?1?C?R?j15900R?j15900?R?15900?15900)212arctan( ?15900 )?R?R12?159001 2arctan() 2?15900 2(R15900R ??I?R?U2 R2?15900?2(15900)欲使输出电压u2在相位上前移60(即：使输出电压u2在相位上超前输入电压u160?),则arctan(即15900R15900R?)?0?60。
电工学 唐介 第4章 思考题及习题 解答 答案
[答] 开关接到相线端安全, 因为当开关断开时,可以使照 明灯与相线断开, 保证灯体不带电。(如下图)
S
√(a)
S (b)
S
(c)
返回
上一题
下一题
4.6 (1) 安全电压供电的系统就绝对安全吗？
[答] 由于人体的阻抗值与工作环境和身体状况等因素有 关,所以，安全电压并不是绝对安全的。
4.6 (2) IT、TN 系统防止间接接触触电的基本思想是什 么?
[答] IT 系统(保护接地)的基本思想是在用电设备出现 漏电或一相碰壳时,使外壳的对地电压降低至接近零,以消除
触电危险。 TN 系统(保护接零)的基本思想是在用电设备出现漏电
或一相碰壳时,因该相电流很大,使得接于该相上的短路保 护装置或过流保护装置动作,迅速切断电源,消除触电危险。
下一题
4.2(1) 三相负载对称是指下列三种情况中的哪一种？
× × √ (a) |Z1| = |Z2| = |Z3 | (b) 1 = 2 = 3 (c) Z1 = Z2 = Z3
4.2 (2) 在对称三相电路中,下列两式是否正确?
Up
× (a) Il = Z
Ul
×(b) Il = Z
√ 正确的为: (c) IP = Up Z
[答]
IpΔ U pΔ / Z UlΔ / Z
220 / Z
1
IpY U pY / Z UlY / 3 Z 380 / 3 Z
IlΔ 3IpΔ 3
I lY
I pY
PΔ PY
3UlΔ IlΔ 3UlY IlY
3220 IlΔ 220 3 1 3220 IlY 380
电工电子第四版答案(最新)
第1章思考题与习题解答1-3 I 1的实际方向向下，I 2的实际方向向左，I 3的实际方向向上；U 1的实际方向下正上负，U 2的实际方向向右正左负，U 3的实际方向下正上负；W 360111-==I U P 释放功率 W 210222=-=I U P 吸收功率 W 150333==I U P 吸收功率1-4 （a ）W 162A V 8=⨯=P（b ）W 123A V 4-=⨯-=P （c ）W 51A V 5=⨯=P （d ）W 183A V 6-=⨯-=P 1-6 V 600==RI U W 1802==RI P 1-7 []900kWh kWh 30)(3100)10100(3=⨯⨯⨯⨯==-Pt W1-8 （a ）A 1A 268=-=I V 2V )12(bc -=⨯-=U （b ）8V V )152512(S =⨯++-⨯+U 4V S =U 1-9 （a ）V 1V 2V 3ab =-=U（b ）1)V 2(V 5⨯+-=R Ω=7R1-10 （a ）A 2)A 221(=+=I电压源功率：W 42)W 2(US -=⨯-=P 电流源功率：W 21)W 2(IS =⨯=P电阻功率：W 2W 222R =⎥⎦⎤⎢⎣⎡=P（b ）1V V )211(=⨯+-=U电压源功率：W 22)W 1(US -=⨯-=P电流源功率：[]W 2W 2)1(2)W (IS -=⨯--=⨯-=U P 电阻功率：[]W 4W 122R =⨯=P 1-11 0521=-+I I I0645=--I I I 0236=-+I I I0134=--I I I0S11144S455=-++-U I R I R U I R 0S44433S366=+--+U I R I R U I R05566S222=--+-I R I R U I R 其他回路电压方程略1-12 5V 2)V 756366(-=⨯-+⨯+=U 1-13 0321=-+I I I0S13311=-+U I R I R0S23322=-+U I R I R将已知数据代入方程，得：A 121=I ，A 42-=I ，A 83=I 以b 点位参考点， 0b =V0V 1233a ==I R V 0V 18S1c ==U V 0V 8S2d ==U V 0V 10d c cd =-=V V U以d 点位参考点， 0d =V0V 422a =-=I R V 0V 8S2b -=-=U V 0V 10S2S1c =-=U U V 0V 10d c cd =-=V V U第2章思考题与习题解答2-1 （a ）图中四个电阻并联，Ω=2R（b ）图中两个2Ω电阻并联后与3Ω电阻串联，然后与4Ω电阻并联，再与6Ω电阻串联，最后与 8Ω电阻并联，Ω=4R 2-2 开关打开A 91.2A 2624)2(6)2(410=++++⨯+=I开关闭合A 94.2A 2222646410=+⨯++⨯=I2-3 （a ）（b ）6V（c2-4 将电路进行等效变换，可求出电流。
电子电路基础习题册参考答案-第四章
第四章集成运算放大器的应用§4-1 集成运放的主要参数和工作点1、理想集成运放的开环差模电压放大倍数为Aud=∞，共模抑制比为K CMR= ∞，开环差模输入电阻为ri= ∞，差模输出电阻为r0=0 ，频带宽度为Fbw=∞。
2、集成运放根据用途不同，可分为通用型、高输入阻抗型、高精度型和低功耗型等。
3、集成运放的应用主要分为线性区和非线性区在分析电路工作原理时，都可以当作理想运放对待。
4、集成运放在线性应用时工作在负反馈状态，这时输出电压与差模输入电压满足关系；在非线性应用时工作在开环或正反馈状态，这时输出电压只有两种情况；+U0m 或-U0m 。
5、理想集成运放工作在线性区的两个特点：（1）up=uN ，净输入电压为零这一特性成为虚短，（2）ip=iN，净输入电流为零这一特性称为虚断。
6、在图4-1-1理想运放中，设Ui=25v,R=1.5KΩ，U0=-0.67V,则流过二极管的电流为10 mA ，二极管正向压降为0.67 v。
7、在图4-1-2所示电路中，集成运放是理想的，稳压管的稳压值为7.5V，Rf=2R1则U0=-15 V。
二、判断题1、反相输入比例运算放大器是电压串联负反馈。
（×）2、同相输入比例运算放大器是电压并联正反馈。
（×）3、同相输入比例运算放大器的闭环电压放大倍数一定大于或等于1。
（√）4、电压比较器“虚断”的概念不再成立，“虚短”的概念依然成立。
（√）5、理想集成运放线性应用时，其输入端存在着“虚断”和“虚短”的特点。
（√）6、反相输入比例运算器中，当Rf=R1，它就成了跟随器。
（×）7、同相输入比例运算器中，当Rf=∞，R1=0，它就成了跟随器。
（×）三、选择题1、反比例运算电路的反馈类型是（B ）。
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈2、通向比例运算电路的反馈类型是（A ）。
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电压串联正反馈3、在图4-1-3所示电路中，设集成运放是理想的，则电路存在如下关系（B ）。
电工电子技术习题答案第四章
U0
U UR
2 1
2
100 2V
4－10 电路如图， R=XL＝5Ω，XC＝10 Ω，V1读 数为10V，求各表读数。
V5 V6 V1
V2
R
L C
V4
V3
I =V1/R= 2A V2＝IXL＝10V V3＝IXC＝20V V4＝V3－V2＝10V
2
2
220 2V
作相量图：
U L＝ 220135
U L
IC
U
U C＝ 220 20
I
45°
IR
UC
4 17 已知i 10 2 sin tA － ，求 I1 、2 、U、P。 I
R
设İ= 10∠0° i1 2Ω i2 按分流公式：
5Ω
u
i 8Ω
I2 I
u i
37 ° fuU fi =2ω/2π = 50Hz) = 20 0(V
ωu = ωi = 314 rad/s
4－2 已知 u1 = 100sin(ωt+π / 6)V, u2 = 60sin (ωt+φ) V, 试求u=u1+u2 在U为 最大和最小时， φ =？Um=？ 解：
当φ = π / 6时，Um最大，
○ ○
i1 、i2 反相 I0＝I1－I2＝5－3＝2A
A0
○
○
10V V 1 R V0
V2 10V C
U0
U U2
2 1
2
10 2V
10A A1 A0 10Ω V1 R 5Ω V0
电工学少学时1-4章课后习题答案
电工学少学时1-4章课后习题答案第一章电路的基本概念与基本定律11 电路和电路模型1、（1）实际电路是由各种电气器件按照一定的方式连接而成的，用于实现电能的传输、分配和转换，以及信号的传递、处理和控制等功能。
（2）电路模型是对实际电路的理想化和简化，它由理想电路元件组成，如电阻、电感、电容、电源等，用特定的符号表示，以便于对电路进行分析和计算。
2、常见的理想电路元件包括电阻元件、电感元件、电容元件、电压源和电流源。
电阻元件表示消耗电能并将电能转化为热能的元件；电感元件表示储存磁场能量的元件；电容元件表示储存电场能量的元件；电压源提供恒定的电压；电流源提供恒定的电流。
12 电流和电压的参考方向1、电流的参考方向是人为假定的电流流动的方向，若实际电流方向与参考方向相同，电流为正值；若实际电流方向与参考方向相反，电流为负值。
2、电压的参考方向也是人为假定的，通常从高电位指向低电位。
当实际电压方向与参考方向相同时，电压为正值；反之，电压为负值。
13 电功率和电能1、电功率是电路中单位时间内消耗或产生的电能，P ＝ UI。
当 P＞ 0 时，元件吸收功率；当 P ＜ 0 时，元件发出功率。
2、电能是电功率在一段时间内的积累，W ＝ Pt。
电能的单位通常是焦耳（J）。
14 电路元件1、电阻元件的伏安特性是一条通过原点的直线，其电阻值是常数。
2、电感元件的电压与电流的关系为：＄u ＝ L\frac{di}｛dt}＄。
3、电容元件的电流与电压的关系为：＄i ＝ C\frac{du}｛dt}＄。
15 电源元件1、理想电压源的端电压恒定不变，与通过它的电流无关。
2、理想电流源的输出电流恒定不变，其两端电压由外电路决定。
16 基尔霍夫定律1、基尔霍夫电流定律（KCL）：在任一时刻，流入一个节点的电流之和等于流出该节点的电流之和。
2、基尔霍夫电压定律（KVL）：在任一时刻，沿任一闭合回路，各段电压的代数和恒等于零。
第二章电路的分析方法21 电阻串并联连接的等效变换1、电阻串联时，等效电阻等于各个电阻之和，即＄R_{eq} ＝ R_1 ＋ R_2 ＋＼cdots ＋ R_n$。
电工学(下册)电子技术基础 第4章 习题解答讲课教案
第4章 场效应管放大电路与功率放大电路4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。
说明它的开启电压th U （或夹断电压p U ）约是多少。
GSGS (a)(b)(c)图4.1 习题4.1图解：(a) N 沟道 耗尽型FET U P =－3V ； (b) P 沟道 增强型FET U T =－4V ； (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。
4.2 某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = －8V 。
(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道？(2) 计算U GS = －3V 是的I D ；(3) 计算U GS = 3V 时的I D 。
解：(1) N 沟道； (2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D =+⨯=-=U U I I 4.3 画出下列FET 的转移特性曲线。
(1) U P = －6V ，I DSS = 1mA 的MOSFET ；(2) U T = 8V ，K = 0.2mA/V 2的MOSFET 。
解：(1)/V(2)i D /V4.4 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。
解：i Du GSo耗尽型N沟道增强型N沟道U P U TU PU T耗尽型P沟道增强型P沟道4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
解：(a) 能放大(b) 不能放大，增强型不能用自给偏压(c) 能放大（d）不能放大，增强型不能用自给偏压。
共漏1<uA&，可增加R d，并改为共源放大，将管子改为耗尽型，改电源极性。
图4.2 习题4.5电路图4.6 电路如图4.3所示，MOSFET的U th = 2V，K n = 50mA/V2，确定电路Q点的I DQ和U DSQ值。
(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1。
1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：(1）周期；(2)频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0。
01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms＊100%=10％1。
2数制21.2。
2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=(10000000）B-1=(1111111）B=（177）O=（7F）H（4)（2。
718）D=(10。
1011)B=（2。
54)O=(2.B)H1。
4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解:（43）D=(01000011）BCD1。
4。
3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28（1）+ （2）＠（3）you （4）43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
(1）“+"的ASCⅡ码为0101011,则（00101011）B=(2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,（01000000)B=（40)H（3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F，75(4）43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34，331。
6逻辑函数及其表示方法1。
6.1在图题1。
6。
1中，已知输入信号A,B`的波形，画出各门电路输出L的波形.解: (a）为与非, （b）为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 （3）A B AB AB ⊕=+(A ⊕B ）=AB+AB A B A B ⊕AB AB A B ⊕ AB +AB 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
【电子信息类】课后习题答案大全
【电子信息类】课后习题答案大全第9类【一共15类】【电子信息类课后习题答案大全】▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆第9类【一共15类】【电子信息类课后习题答案大全】▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆▆《模拟电子技术基础》详细习题答案（童诗白，华成英版，高教版）/viewthread.php?tid=42&fromuid=1000《电工学》课后习题答案（第六版，上册，秦曾煌主编）/viewthread.php?tid=232&fromuid=1000《数字电子技术基础》习题答案（阎石，第五版）/viewthread.php?tid=90&fromuid=1000《电路》习题答案上（邱关源，第五版）/viewthread.php?tid=137&fromuid=1000《电工学》习题答案（第六版，秦曾煌）/viewthread.php?tid=112&fromuid=1000《模拟电子技术基础》课后习题答案（共10章）/viewthread.php?tid=21&fromuid=1000《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案（杨素行第三版）/viewthread.php?tid=41&fromuid=1000《信号与线性系统分析》习题答案及辅导参考（吴大正版）/viewthread.php?tid=74&fromuid=1000《通信原理》课后习题答案及每章总结（樊昌信，国·防工业出版社，第五版）/viewthread.php?tid=203&fromuid=1000《电力电子技术》习题答案（第四版，王兆安，王俊主编）/viewthread.php?tid=164&fromuid=1000《自动控制原理》课后题答案（胡寿松，第四版）/viewthread.php?tid=52&fromuid=1000《信号与系统》习题答案（第四版，吴大正）/viewthread.php?tid=268&fromuid=1000《电工学——电子技术》习题答案（下册）/viewthread.php?tid=237&fromuid=1000《微机原理及应用》习题答案/viewthread.php?tid=261&fromuid=1000《信息论与编码》辅导PPT及部分习题答案（曹雪虹，张宗橙，北京邮·电大学出版社）/viewthread.php?tid=136&fromuid=1000《数字电子技术基础》课后习题答案（完整答案版）/viewthread.php?tid=197&fromuid=1000《单片机原理及应用》课后习题答案（张毅刚主编，高教版）/viewthread.php?tid=36&fromuid=1000《高频电子线路》习题参考答案（第四版）/viewthread.php?tid=142&fromuid=1000《信号与系统》习题详解（奥本海姆版）/viewthread.php?tid=79&fromuid=1000《电路分析》课后答案及学习指导（第二版，胡翔骏，高教版）/viewthread.php?tid=177&fromuid=1000《数字电路与逻辑设计》课后习题答案，讲解详细/viewthread.php?tid=233&fromuid=1000《电路》第五版课后答案/viewthread.php?tid=1678&fromuid=1000自动控制原理习题集（自学辅导推荐）/viewthread.php?tid=53&fromuid=1000《现代通信原理》习题答案（曹志刚版）/viewthread.php?tid=44&fromuid=1000《数字信号处理》课后答案及详细辅导（丁美玉，第二版）/viewthread.php?tid=58&fromuid=1000《控制工程基础》课后习题解答（清华版）/viewthread.php?tid=127&fromuid=1000《信息论与编码》学习辅导及习题详解（傅祖芸版）/viewthread.php?tid=238&fromuid=1000《自动控制原理》习题答案/viewthread.php?tid=117&fromuid=1000《微机原理》作业答案（李继灿版）/viewthread.php?tid=218&fromuid=1000《电力电子技术》习题答案（第4版，西安交通·大学）/viewthread.php?tid=130&fromuid=1000《通信原理》习题答案/viewthread.php?tid=190&fromuid=1000《控制工程基础》习题答案（第二版，燕山·大学）/viewthread.php?tid=126&fromuid=1000《自动控制原理》课后习题答案———胡寿松，第五版/viewthread.php?tid=1740&fromuid=1000《数字电子技术基础》详细习题答案（阎石第四版）/viewthread.php?tid=167&fromuid=1000《数字信号处理——基于计算机的方法》习题答案（第二版）/viewthread.php?tid=174&fromuid=1000《电力拖动自动控制系统》习题答案/viewthread.php?tid=115&fromuid=1000《自动控制原理》课后题答案（卢京潮主编，西北工业·大学出版社）/viewthread.php?tid=128&fromuid=1000《电路分析》习题答案（第2版，高等教育出版社，胡翔俊）/viewthread.php?tid=250&fromuid=1000《信号与系统》习题解析（燕庆明，第3版）非常详细/viewthread.php?tid=71&fromuid=1000《信号与系统》课后习题答案/viewthread.php?tid=198&fromuid=1000《电磁场与电磁波》习题答案（第4版，谢处方编，高教版）/viewthread.php?tid=2514&fromuid=1000《信号与系统》习题答案详解（郑君莉，清·华大学，牛逼完整版）/viewthread.php?tid=257&fromuid=1000《高频电子线路》课后答案（第四版，张肃文）/viewthread.php?tid=3392&fromuid=1000《通信电路》课后习题答案（沈伟慈，西安电子科技·大学出版社）/viewthread.php?tid=259&fromuid=1000《数字信号处理》完整习题答案（程佩青，英文版）/viewthread.php?tid=223&fromuid=1000《数字信号处理教程》习题解答（第二版）/viewthread.php?tid=65&fromuid=1000《电子线路-非线性部分》课后答案（谢嘉奎高等教育出版社）/viewthread.php?tid=192&fromuid=1000《数字信号处理》习题答案/viewthread.php?tid=111&fromuid=1000《数字逻辑》（第二版）习题答案（欧阳明星主编）/viewthread.php?tid=26&fromuid=1000《数字逻辑电路与系统设计》习题答案/viewthread.php?tid=234&fromuid=1000数字信号处理程佩青第三版清·华大学出版社/viewthread.php?tid=2264&fromuid=1000《信息论与编码》曹雪虹-张宗橙清·华大学出版社可配北邮版本/viewthread.php?tid=1956&fromuid=1000《数字通信》习题答案（第四版，Proakis）/viewthread.php?tid=275&fromuid=1000电子技术数字和模拟部分答案（第四版，康华光）/viewthread.php?tid=100&fromuid=1000《单片机及接***术》课后答案（梅丽凤，王艳秋，清·华大学出版社）/viewthread.php?tid=159&fromuid=1000《信号与线性系统》习题详解（管致中，第四版）/viewthread.php?tid=858&fromuid=1000《信号与系统》习题及精解/viewthread.php?tid=108&fromuid=1000《电路与电子学》习题解答与实验指导（电子工业出版社出版，第3版）/viewthread.php?tid=2788&fromuid=1000《信号与系统》课后习题答案（西安电子科·技大学）/viewthread.php?tid=106&fromuid=1000《测控电路》习题答案（机械出版社）/viewthread.php?tid=166&fromuid=1000《数字逻辑》第四版习题答案/viewthread.php?tid=11&fromuid=1000《高频电子线路》习题集参考答案（曾兴雯版，高等教育出版社）/viewthread.php?tid=1502&fromuid=1000电工学（第6版）上册（电工技术）秦曾煌主编高教出版社/viewthread.php?tid=2655&fromuid=1000《数字电子技术》课后习题答案详解（阎石，第四版）/viewthread.php?tid=97&fromuid=1000模拟电子技术课后习题答案/viewthread.php?tid=1145&fromuid=1000《电工学》习题答案（高教版，第六版）/viewthread.php?tid=1621&fromuid=1000《信号与系统》课后习题答案（于慧敏著）/viewthread.php?tid=107&fromuid=1000《电子电路分析与设计》课后题答案（英文版）/viewthread.php?tid=135&fromuid=1000《电工学》课后习题答案（第六版，上册，秦曾煌主编）/viewthread.php?tid=2076&fromuid=1000《基础电子技术》习题解答（哈工大，蔡惟铮）/viewthread.php?tid=266&fromuid=1000《现代控制系统》答案（英文版）730页/viewthread.php?tid=98&fromuid=1000奥本海姆《信号与系统》第二版习题详解/viewthread.php?tid=1343&fromuid=1000《数字电路》习题答案（龚之春，电子科·技大学出版社）/viewthread.php?tid=2342&fromuid=1000《热工测量与自动控制》习题及答案/viewthread.php?tid=248&fromuid=1000简明电路分析基础李瀚荪高教版/viewthread.php?tid=6218&fromuid=1000传感器与检测技术+课后习题答案/viewthread.php?tid=2175&fromuid=1000《信息论基础教程》习题答案（李亦农，李梅版）/viewthread.php?tid=2159&fromuid=1000传感器期末考试复习资料大全/viewthread.php?tid=5262&fromuid=1000《IBM-PC汇编语言》课后习题答案/viewthread.php?tid=67&fromuid=1000《信号与系统》课后习题答案（郑君里，第二版）/viewthread.php?tid=2682&fromuid=1000化工原理第三版答案（清晰版）（缺三七章）陈敏恒等化学工业出版社/viewthread.php?tid=3523&fromuid=1000电磁场与电磁波（第二版）课后题答案/viewthread.php?tid=1705&fromuid=1000自动控制原理习题答案/viewthread.php?tid=1944&fromuid=1000电力电子技术+第四版+王兆安/viewthread.php?tid=6306&fromuid=1000数字逻辑与数字系统设计课后答案王永军/viewthread.php?tid=2050&fromuid=1000信号与系统（第三版）陈生潭西安电子科·技大学出版社/viewthread.php?tid=1525&fromuid=1000《信息论与编码》习题答案(高等教育出版社)仇佩亮编/viewthread.php?tid=99&fromuid=1000《电磁场与电磁波》课后习题答案（冯恩信）/viewthread.php?tid=3863&fromuid=1000模拟电子技术期末复习/viewthread.php?tid=7366&fromuid=1000工厂供电习题答案/viewthread.php?tid=1929&fromuid=1000《电路与模拟电子技术》习题答案/viewthread.php?tid=2861&fromuid=1000（新）图像处理2008（A卷）及答案！/viewthread.php?tid=5533&fromuid=1000面向21世纪课程教材电子电路基础/viewthread.php?tid=3261&fromuid=1000《16/32位微机原理、汇编语言及接***术》答案1~10章钱晓婕版机械工业出版社/viewthread.php?tid=3655&fromuid=1000《高频电路原理与分析》西电出版社第三版习题答案/viewthread.php?tid=2649&fromuid=1000《自动控制理论》第2版_夏德钤翁贻方机械工业出版社习题答案/viewthread.php?tid=2716&fromuid=1000电工电子技术-王鼎等主编/viewthread.php?tid=7946&fromuid=1000模拟电子技术基础(第3版华成英主编)习题答案/viewthread.php?tid=2125&fromuid=1000哈工大（威海）电工学期末试题/viewthread.php?tid=3408&fromuid=1000《C语言程序设计》习题参考答案（罗朝盛版）/viewthread.php?tid=4561&fromuid=1000高教版计算方法（施吉林，刘淑珍，陈桂芝编）课后习题答案/viewthread.php?tid=7088&fromuid=1000《电路与电子技术基础》习题参考解答/viewthread.php?tid=856&fromuid=1000固体物理习题答案/viewthread.php?tid=7715&fromuid=1000通信原理课件第五版/viewthread.php?tid=7716&fromuid=1000《数字电路》习题解答（余孟尝，第3版）/viewthread.php?tid=444&fromuid=1000《微电子器件与IC设计》习题答案（科学出版社）/viewthread.php?tid=116&fromuid=1000高频电子线路答案/viewthread.php?tid=1501&fromuid=1000《数字逻辑》PPT课件/viewthread.php?tid=673&fromuid=1000高频电路/viewthread.php?tid=1683&fromuid=1000数电实验报告/viewthread.php?tid=5501&fromuid=1000信息论与编码学习辅导及习题详解/viewthread.php?tid=4557&fromuid=1000《固体物理》习题答案（黄昆版）/viewthread.php?tid=1319&fromuid=1000电工电子学第二版课后答案/viewthread.php?tid=7322&fromuid=1000电气控制与可编程序控制器习题解答/viewthread.php?tid=6907&fromuid=1000微积分II复习/viewthread.php?tid=5875&fromuid=1000《Visual foxpro 程序设计》课后答案（重`庆大学出版社）/viewthread.php?tid=610&fromuid=1000传感器与传感器技术第二版何道清习题解答/viewthread.php?tid=6815&fromuid=1000微观经济学/viewthread.php?tid=5876&fromuid=1000《传感器与检测技术》陈杰高教版高等教育出版社课后答案/viewthread.php?tid=3173&fromuid=1000信息安全数学基础（陈恭亮）课后习题答案/viewthread.php?tid=5948&fromuid=1000量子力学/viewthread.php?tid=4488&fromuid=1000数据处理模拟练习题参考答案(14张word)/viewthread.php?tid=820&fromuid=1000C++语言学习质料/viewthread.php?tid=7889&fromuid=1000模拟电子技术基础部分答案/viewthread.php?tid=8499&fromuid=1000计算机操作系统期末复习题/viewthread.php?tid=5996&fromuid=1000电力电子技术练习及参考解/viewthread.php?tid=7123&fromuid=1000《传感器与检测技术》课后答案，陈杰编著，高等教育出版社。
电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案
电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案前言作为一名电子技术专业的学习者，掌握电工学知识是基础中的基础。
而掌握电工学知识的最好方法，就是不断练习。
本文提供了电工学第七版下册的课后练习题及其答案。
希望能够对大家在学习电工学的过程中提供一定的帮助。
第一章电子技术基础1. 有一只20kΩ，±5%的电阻，求它允许误差的范围？答案允许误差的范围为: 20kΩ × 5% = 1kΩ所以这只电阻的阻值范围为: 20kΩ±1kΩ2. 什么是三极管？答案三极管是一种半导体器件，也叫做双极型晶体管。
它由三个掺杂浓度不同的半导体材料构成（一般为PNP或NPN），分别称为发射极、基极和集电极。
三极管是一种电流控制器件，通过控制基极电流来控制集电极电流。
三极管在电子技术中广泛应用，尤其是在放大器、开关电路和振荡电路中使用较为广泛。
第二章半导体二极管1. 硅板在常温下引入施主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入施主原子（如磷原子），会使其变成N型半导体。
引入施主原子的过程叫做掺杂。
在N型半导体中，掺有大量的自由电子，这些自由电子会带负电荷。
由于施主原子掺入的电子不会和晶体中的晶格原子结合，因此其自由电子是比导带中的电子能量更低的电子，即位于导带下方。
2. 硅板在常温下引入受主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入受主原子（如硼原子），会使其变成P型半导体。
引入受主原子的过程叫做掺杂。
在P型半导体中，掺有大量的空穴，空穴带正电荷。
由于受主原子掺入的空穴缺少了一个电子，因此其空穴的能量比空穴带中的能量更高，即位于空穴带上方。
第三章晶体管及其基本电路1. 晶体管的三个引脚分别代表什么？答案晶体管的三个引脚分别代表：1.发射极（E）：用来连接基极和集电极之间的导体，主要负责发射电子。
2.基极（B）：设置在发射极与集电极之间的控制电极，主要控制电流。
3.集电极（C）：负责接受发射极电子，主要负责放大电流。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第4章 场效应管放大电路与功率放大电路4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。
说明它的开启电压th U （或夹断电压p U ）约是多少。
GSGS (a)(b)(c)图4.1 习题4.1图解：(a) N 沟道 耗尽型FET U P =－3V ； (b) P 沟道 增强型FET U T =－4V ； (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。
4.2 某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = －8V 。
(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道？(2) 计算U GS = －3V 是的I D ；(3) 计算U GS = 3V 时的I D 。
解：(1) N 沟道； (2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D =+⨯=-=U U I I 4.3 画出下列FET 的转移特性曲线。
(1) U P = －6V ，I DSS = 1mA 的MOSFET ；(2) U T = 8V ，K = 0.2mA/V 2的MOSFET 。
解：(1)/V(2)i D /V4.4 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET 的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。
解：4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
解： (a) 能放大(b) 不能放大，增强型不能用自给偏压 (c) 能放大（d ）不能放大，增强型不能用自给偏压。
共漏1<uA &，可增加R d ，并改为共源放大，将管子改为耗尽型，改电源极性。
图4.2 习题4.5电路图4.6 电路如图4.3所示，MOSFET 的U th = 2V ，K n = 50mA/V 2，确定电路Q 点的I DQ 和U DSQ 值。
解：)V (13.3241510015DD g2g1g2GSQ =⨯+=⨯+=V R R R U22DQ n GSQ th ()50(3.132)63.9(mA)I K U U =-=⨯-=)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯-=-=R I V UR g1VT+V DD 24VR g2100k 15k ΩR d 200ΩVT+V DD 12VR g10M ΩR d1.0k ΩVT+V DD -9VR g10M ΩR d560Ω(a)(b)图4.3 习题4.6电路图 图4.4 习题4.7电路图4.7 试求图4.4所示每个电路的U DS ，已知|I DSS | = 8mA 。
解：(a) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =8(mA) U DSQ =V DD －I DQ R d = 12－8×1=4(V) (b) U GSQ =0(V) I DQ =I DSS =－8(mA)U DSQ =V DD －I DQ R d = －9+8×0.56=－4.52(V)4.8 电路如图4.5所示，已知VT 在U GS = 5V 时的I D = 2.25mA ，在U GS = 3V 时的I D = 0.25mA 。
现要求该电路中FET 的V DQ = 2.4V 、I DQ = 0.64mA ，试求：(1) 管子的K n 和U th 的值； (2) R d 和R S 的值应各取多大？ 解：（1）I D =K n (U GS -U th )22.25= K n (5-U Th )2 0.25= K n (3-U th )2 → U th1=3.5(V) (不合理，舍去)，U th2=2(V) 求得：K n =0.25mA/V 2，U th =2V（2）V DQ =V DD -I DQ ·R d 2.4=12－0.64R d →R d =15k Ω2GSQ )2(25.064.0-=U →U GSQ1=0.4(V)(不合理，舍去) U GSQ2=3.6(V)U GSQ =10－0.64·R s ∴R s =10k Ω4.9 电路如图4.6所示，已知FET 的U th = 3V 、K n = 0.1mA/V 2。
现要求该电路中FET 的I DQ = 1.6mA ，试求R d 的值应为多大？V DDSSV DD R g 1.2M图4.5 习题4.8图 图4.6 习题4.9图解：1.6=0.1(U GSQ －3)2 ∴U GSQ1=7(V) U GSQ2=－1(V)(不合理，舍去)U DSQ =U GSQ =7(V) U DSQ =15－1.6×R d ∴R d =5k Ω4.10 电路如图4.7所示，已知场效应管VT 的U th = 2V ，U (BR)DS = 16V 、U (BR)GS = 30V ，当U GS = 4V 、U DS = 5V 时的I D = 9mA 。
请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态(截止、恒流、可变电阻、击穿)？VTR g R S1.2M Ω2k ΩR d 5k Ω15VVTR g 1.2M ΩR d 5k Ω20V1VVTR g 1.2M ΩR d 5k Ω12V3V VTR g 1.2M ΩR d 3k Ω12V3V(a)(b)(c)(d)图4.7 习题4.10图解：(a) 截止(b) U DSQ =20V>U (BR)DS ，击穿(c) I D =K n (U GS -U th )2 9= K n (4－2)2 ∴K n =2.25mA/V 2 U GSQ =3V I DQ =2.25(3－2)2 ∴I DQ =2.25mA → U DSQ =12－2.25×5=0.75(V)<U GSQ －U th =1V ∴处于可变电阻区(d) U DSQ =12－2.25×3=5.25(V)>U GSQ －U th =1V∴处于恒流区4.11 图4.8所示场效应管工作于放大状态，ds r 忽略不计，电容对交流视为短路。
跨导为m 1ms g =。
（1）画出电路的交流小信号等效电路；（2）求电压放大倍数u A •和源电压放大倍数us A •；（3）求输入电阻i R 和输出电阻o R 。
图4.8 习题4.11电路图解：ooU&+－(2) R i =R g3+R g2//R g1=2+0.3//0.1=2.075(M Ω) R o =R d =10k Ω(3) 3.321110111m d -=⨯+⨯-=+-==R g R g U U A m io u &&&3.33.3001.0075.2075.2-≈⨯+-=+=us i i us A R R R A && 4.12 电路如图4.9所示，已知FET 在Q 点处的跨导g m = 2mS ，λ=0，试求该电路的uA &、R i 、R o 的值。
u o图4.9 习题4.12电路图解：R i =R g2//R g1=2//0.5=0.4(M Ω)R o =R s //m g 1=3//21=429(Ω) 822.010//32110//32//1//L s L s =⨯+⨯=+=R R g R R g A m m u&R g2 R g1R sR i RoiU&gsU&gsmUg&+－+－oU&+－R L4.13 由于功率放大电路中的晶体管常处于接近极限工作的状态，因此，在选择晶体管时必须特别注意哪3个参数？解：最大集电极电流I CM、最大集电结耗散功率P CM和反向击穿电压U(BR)CEO4.14 一双电源互补对称功率放大电路如图4.10所示，设CC12VV=，L16R=Ω，iu为正弦波。
求：（1）在晶体管的饱和压降U CES可以忽略的情况下，负载上可以得到的最大输出功率omP；（2）每个晶体管的耐压|U(BR)CEO|应大于多少；（3）这种电路会产生何种失真，为改善上述失真，应在电路中采取什么措施。
解：(1) )W(5.4162122)(2L2CESCCom=⨯=-=RUVP，(2) )V(242||CC(BR)CEO=≥VU(3) 会产生交越失真，工作于甲乙类工作状态可以消除这种失真。
图4.10 习题4.14电路图图4.11 习题4.15电路图4.15 一个单电源互补对称功放电路如图4.11所示，设CC12VV=，L8R=Ω，C的电容量很大，iu为正弦波，在忽略晶体管饱和压降U CES的情况下，试求该电路的最大输出功率omP。
解：)W(25.28262)2/(2L2CESCCom=⨯=-=RUVP4.16 在图4.12所示的电路中，已知CC16VV=，L4R=Ω，iu为正弦波，输入电压足够大，在忽略晶体管饱和压降U CES的情况下，试求：（1）最大输出功率omP；（2）晶体管的最大管耗CMP；（3）若晶体管饱和压降CES1VU=，最大输出功率omP和η。
解：(1) )W(3242162)(2L2CESCCom=⨯=-=RUVP(2) )W(4.62.0omCM=≥PP(3) )W(1.2842152)(2L2CESCCom=⨯=-=RUVP，%6.731611644CCom=-⋅=⋅=ππηVU4.17 在图4.13所示单电源互补对称电路中，已知CC24VV=，L8R=Ω，流过负载电阻的电流为o0.5cos(A)i tω=。
求：（1）负载上所能得到的功率oP；（2）电源供给的功率VP。
图4.12 习题4.16电路图图4.13 习题4.17电路图解：)W(1825.02o=⨯⎪⎭⎫⎝⎛=P)W(82.35.0241122cmCCLomCCV=⨯⨯=⨯⋅=⨯⋅=πππIVRUVP4.18 在图4.14中哪些接法可以构成复合管？哪些等效为NPN管？哪些等效为PNP管？图4.14 习题4.18电路图解：(a) 不能(b) 不能(c) 能NPN (d) 能PNP4.19 图4.15所示电路中，三极管β1 = β2 = 50，U BE1 = U BE2 = 0.6V 。
(1) 求静态时，复合管的I C 、I B 、U CE ；(2) 说明复合管属于何种类型的三极管； (3) 求复合管的β。
(a)(b)图4.15 习题4.19电路图解：(a) )μA (2.95.16.06.015BQ =--=I)mA (92.23)1(BQ 21BQ 1CQ2CQ1CQ=++=+=I I I I I βββ)V (824.73.092.231515c CQ CEQ =⨯-=⋅-=R I U 250021=⋅≈βββ 相当于NPN (b) )μA (18.2]1[6.015c211b BQ =+++-=R R I βββ)mA (56.5)1(BQ 12EQ2CQ=+==I I I ββ)V (88.32)00218.056.5(1515c EQ CEQ =⨯+-=⋅-=R I U 250021=⋅≈βββ 相当于PNP（此文档部分内容来源于网络，如有侵权请告知删除，文档可自行编辑修改内容，供参考，感谢您的配合和支持）。