eeprom芯片的命名规则

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芯片命名规则(参考模板)

IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。

一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分：◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量）◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它内容：◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本◆.该产品的状态举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品详细的型号解说请到相应公司网站查阅。

IC命名和封装常识IC产品的命名规则：大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。

但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。

内存芯片命名规则解读

1. H yn ix SDRAM :HY57V281620ETP-HHY XX X XX XX X X HYNIX MEMORYPRODUCT FAMIL¥57 :SDRAMPROCESS & POWERSUPPLYV : VDD=3.3V & VDIX1=3.3VY : VDD^3.0V & VDDQ=3,0VU : VDD=2.5V & VDDQ=2.5VW : VDD-2.5V &甘DDQ二3 : Vt)D= L.BV B L VDDQ= l.SVDCNSITZ16 : 16M32 : 32M64 : &4M28 : UflM2A : 128M withTZSF56 : 256M5A : 256M with TCSR12 :512MORGANIZATION斗：X4g : x816 ；X1632 : X32#of BANK1 i 2Bdnk&2 :斗Banks XX X X X-XX XTEMPERATUREBlank : Com mere ia 1(01? -70T) E :Extended ('25r-S5D 1:Industrial (*40r-S6'C)SPEED5 : ZOOMHZ55 : 183MHzS : 166MHz7 : 143MHzK : PC13X CL2H : PC®,CL38 : 125MHzr ; FC100f CL2s : PC 100, CL310 : 100MHzPACKAGE MATERIALBLANK : NormalP: Lead freeH : Halogen freeR : Lead & Haloge n freePACKAGE TYPET : TSOPS : Stack Package [Hynix)K ；stack Package (M & T)J : Stack Package f Others)W : KGDPOWER CONSUMPTIONBLANK ; Normal PowerL : Low PowerS : Super Low PowerINTERFACE0 : LVTTL1 : SSTL_3DIE GENERATION Ichor Cheong-juBlank:1st Ger,H:1st Gen. A:2nd Gen.HA:2nd Gen. 0:3rd Gen,HB:3rd Gen. C:4th Gen.HC:抽Gen, D:Sth Gen.HG::Sth Gen. E:6th Gen.2. H yn ix DDRAM : H Y5DU56822BT-HHYXXXXXXXXXXXXXXXXIIYNIX MEMORYPRODUCE FAMILY5D : DD^ SDRAMs5P : DD^-DPROCESS & POWER SUPPLYV : VDD = 3 3V &HDOQ=2,5VU : VDD-2.5V & VDDQ-2.5VW 1 VDD-2.SV & VDDQ-L.aVS ；VDD^I.&V & VDDQ-1.8VDFNSITYXi RFFRFSHS464M, 4K Ref.6664亂2K. Ref.2812SM, 4K RflL56256M「SK Ref”12512M f 3K Ref.1G1G SK 树.ORGANIZATIONPACKAGEI JSOPQ : LQFPF :FBGAS : Stack PkG^Fynix)K : Stack PKG+(M&T)J : Stack PKG^omers)All DDR 5 DRAM 5 fol low above Fart Num be line System s wee nt HY5DV65152 27C-senes POWER CONSUMPTIONINTERFACE1 : SSTL_32 : SSTL_23 ：SSTL_lflBlank : NormalL : LOW PowerDIE GENERATIONBlank : LstGen,A : 2nd Gen.& : 3rd Gen.C : 4th Gen.1 E:industnal leyipeiTitUR:Extended leTiperatureSPEED 2t5 :375MH204DDR400 3-4-42& : 350MHz043IDDR400 3-3-3 3044nDR401 4-4-4 33 ；W0MH7D54DPIR533 4-4-4 36 : 275MHz055DDR533 5-5-5 4:J50MHI J DOR333斗3 : 233Mdz M DDR266 2-2-2晒：222MHs r IDDR266A5:2DOM-IZ H DDR266B65 : 183M-II:166M-I21DDR200PACKAGF MATFRTAIBlank : NormalP : Pbfr&eH : HdlogEn freeR : Pb & halogen free4 : x48 : xe16 : xie32 : x32# Of Bank1 ; 25anks2 : Banks3 ; DDankiT^iniwAturt13.SAMSUNG SDRAM: K4S561632H-UC75Sync DRAM Code lnformation(1/2)Last Updated : August 2006K 4 XXXXXXXX - XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 1810. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5in Generation E : 6th Generation F 7th Generation G : 8th Generation H 9th Generation 1:10th Generation K . 12lh Genera lion :11.12. Package 2 N : STSOP2 :T : TSOP2Li : TSOP2 (Lead-"ree) i V : STSOP2 (Lead-Free} 13. Temp, PowerC : Commercial, Normal ( 0^370 *C )；L : Commercial, Low ( Ot ； - 70 X ；)I: Industrial, Normal (-40 *85 D ! P : Industrial, Low ( -40 U - 85 9) E : Extended, Normal (-25 匸 * 85 匸) i N : Extended, Low ( 25Z - 85 X ：)-14^16. Speed (Wafer/Chip Biz / BGD : 00 } $ 50 : 5ns55 : 5.5ns j 60 : 6ns | 70 : 7 ns i 75:7 5ns, PC I33 80 : 8ns1. Memory (K)2. DRAM : 43. Small Classification S:SDRAM4-5. Density, Refresh 16 :16M t 2K/32ms 28 128M, 4K 64ms 51 :512M ?8K/64ms 50.256M, 8K 64H1S 64 J34M ?4K/64ms 1G: 1G. aKG4ms6-7 .Organization 04 ：x4 06 :x4 Stack 07 :x8 Stack 08 :x8 16 ：x16 32 :x32S. Bank 2 : 2 Banlk 3 ; 4 BurU9. IrUrfmc 创 VDD, VDDQ 2 : LVTTL. 3.3V r 3.3V L : ILVCMOS, 2 5V, 2.5V4.SAMSUNG DDRAM: K4H561638F-UCB3DDR SDRAM Code lnformation(1/2)Last Updated : August 2006K4XXXXXXXX 二XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 181. Memory (K]2. DRAM: 43. Small Cla«*ificaticnH : DDR SDRAM46” Density, Refresh 28: 123Mb, 4K'64ms51 : 512 Mb, SK 64ms 56: 256Mb P 8K r64ms1G:1Gb, 8K/64ms2G ：2Gb, 8如msG^7. OrganizationOJ :x408:x816:X1632 : x3S06 : M Stack07 : x8 Stack8. Bank3 : ^BankInterface, VDD, VDDQ 8: SSTL 2, 2,5V, 2.5V 10. GenerationM : 1st GeneraticnA : 2nd GenerationB : 3rd GonorationC : 4th GenerationD : 5th GenerationE : 6th GonerationF : 7th Gererat onG : 8th GenerationH : 9th Generation 12. Package T： TSOP2U : TSOP2 I Lead Free )N : sTSOP2V : sTSOP2 ( Lead Free )G : FBGAZ : FEGA t Le^id Free13. Temp. PowerC : Commercial. Normal ・ 0匕FOPL : Commerciol, LowI: Industria, NormalP : Industnal, Low(Ot )(-40C 05C)(^01 - BE Y))14-16. Speed (Wafer Chip Biz/BCD: 00)CC : DDR4Q0 ( 200MHz © CL=3f 1RCD=3, tRP=3 ) B3 : DDR333 ( 166MHz @ CL=2 5 tRCD=3, tRP=3 ) M : DDR266 (133MHz @ CL=2, tRCDW tRP=2 ) A2 EDR266 ( 133MHz @CL=2. IRCD=3, tRP=3 ) E0 :DDR266 ( 133MHz @ CL=2.5 tRCD=3, tRP=3 )5.SPANSION: S29GL032M90TAIR30S20G 、阳 MW T A I HI 0L Packing Typ* 0 - T»y吉二 7'inch Tap? And 矗也 9-13-inch Tap* and R%---------- M «d«| N umbaiFil - ^'>16. V C , ^3O-J6V, h 巾诫試日曲却&5 鹽Mor 换恪出机1砧御 WP W 'AGG S V ILR2= M AA 怙 V cr =3.(i^ 3,6 V, U nrftxm wrtor fi^> ICQ IchM&ttaddws wstnr 卩心却胡伸的WP*：ACC=V|LR3= xSiiie,先」亍3 0-3.6 X Top bwt j«dor 如top two 问dr ・i* 詢加「* prabKt#d wh«riWP#>0C=V|LFM M 肉Jk*氐 %尹Q ・33、Bottwn bwtiidor 曲ic 已 b^n<v 1*0 add 冲即p 闻beebed 麻n WP ^ACCiV| L理能 KlE t Vcc-2.7 - 3甫 v €6-bdl FBGA, tep boot “Mor cMw * W4= K 16T V (JQ =2.7 *3.6 * S&bkll FBGA, bottom boot MCtcxW arrJ W4 日權 htcympHUt 畑曲*鬱M hi valkJ 谕 han-,fe<?1i wly------------------ T smp»r atur» Ran^aI - IrKiKtiial t-<rv ID +4■尹5-------------------------- P ackage Maierial SetA =曲Mid F = PI>F TB ®--------------------------------- P ackage TypeT = Thin Simsdl CXrlliria Packaf]^ (TSOP) Slsndand PinoulB - Fin^pilch B P II Grid Aney Hackege F m F“「t 初d BfllL-Grid M 紗 R JI *科*------------------------------------------ S peed OptionSee Prwd'ucr口r 总wde on 闫gm Q and V B I M I CombiiEdontE belcw--------- Devie* NijmlwrjDvteviprioH32 U ■淨 bit Ppfl&T Mod? Fl* eh Mnciry Mflrxjf9^tui?d icir*g NX 1 nm Mirror Bit™ Pioc&ii TeUinology, 3.0 Vi-lt- :-nk R?ftd,Program* Er*和T&b-le I. S29GL032M Ordering Option*S29GL032N90 T A I 01X PACK ING TYPE0 = Tea/2 = 7-inch Tape «nd Reel3 = 13-inch Tape and Reel --------- M ODEL NUMBER01 s M 8/X 16. V QQS V IQS 2.7-3 6 V. Unrtocm sector. WP 仰AGC = V tL protects highest addrewed sector 2 = x&/x 怡.s V QS 2.7 V. IWfocm sector. WP"A8 = pvot^cts lox 叙 acHr^s^d wclor 03 = x8/x 16, Vcc =27 - 3 6 V. Top boot sector. WP^'ACC = prolocts top Uo dddr^Md wctocs 04 = x8/x 16, V QQ = 2.7-3.6 V, Bottom bootsector, WR*/ACC = V|Lprotects ixrttcxn two addressed &ecfexs V1 = x&x 16, V^c = 2.7 - 3.6 V Vjo = 1 65 - 3.6 Uribcnn eector. WP*ACC = Vn pfotecls hi ghedsector V2 = x&/x 16. V QC = 2.7 -3.6 V Vio= 1.65 - 3.6 V, Uniform sector, WP^ACC = Y|L protectsaddressed sector---------------- T EMPERATURE RANGEI = lrdustrial(^0e Cto^ft5°C) ---------------------- PACK AGE MATERIA L SET A = Suif>tard(htote4)F = Pb ・Fw---------------------------- P ACKAGE TYPET ■ Thin Sn \All Outtn^ Package (TSOP) StAhdftrd PinoutB ■ Fint -pitch Bell-GrrtArray Pewka 旷 F ■ F^rtrfi«l B A II -Grid Army P M I CAO & ------------------------------------ S PEED OPTIONSee Product Sdecior Gude and Vfilid C^tnbnaitore (90«®0 ne, 11 «110 n®----------- DEYICE NUMBER/DESGRIPTIONS29GL032N32 Mejabit P»g?-IAxle* Flash Memory Manufeetiured using 110 rm MhrcxBiP ProoeessTechr»bgy. 9.0 Volt-coly R 心.Program, ard E IQMMoips1. Type 0is standard gdfgZw TSOPgG0 Z(电d inTypes 0 and3; BGAs can bepadredm 知w 0, 2, or 3.2. TSOPpAckpge o 祕6 pa&M 〃网naftv fro/n ar 如yparf number.3. BGA package making emits leading S29 and pecRMip fype teemoftiering pan numbet.4. Contact bca/ safes for o/aiiabiUfy Ibr Leaded •知 mo parts.Valid Combin&tiomV A M ConbinAtions list configurations ptann^d to be supported in glume tor this device. Consdt your local &ako office lo confirm availability ci specific valid axibinatfons and lo cheGk ca newly released Gcmbmaticfis.02 2PACKING TYPE 0 = Tray2 = 7-inch Tap 老 ad 3=13-inch Tape and R«lMODEL NUMBER01 = x&«x1 & Vg= V JQ = 2.7 — 3.G V, Uniform sector, WPdACC = % protects highest a<Hre^sed sector =xA^xIG. Vcc= Vi© =2.7-3.6 V, Uniform sector, WP*AGC = % protects lo ・wsiaUr^sscd wctor =x&*x1^ V Q ^= 5.7 —3.6 V, T>p boot sector, WP ・MCC =\7|^ protects top two addressed sectors =xflrtdG. V QC =2.7 -3.6 V, Bottom boot sector, WPWAGC =Y|L protects two acWre<s8iKl sectors =xl€y V QQ = 27 -3.6 V, Uniform sector, WP ・=V|L protects hi^ecst addressed sector =K 1& Vc*= 27 -3.6 V. Unifoimsector, WP ・=V|Lprotecte lowestacMfeesed $@cto«=K 8/X (§ V QQ =2.7-3.6V, V JQ = 1.65 - 3.6 V f Unitorm aectoc, WP*/ACC = Vg_ pfotecls highest addressed sector =V QQ = 27- 3.6 V, V|O = 1.6S ・ 3.6 V. UnW&nn ftwtor. WP-4/ACC = V L wtwb I CAM 削 Ml&z 輛 sector =Vcc s 2.7 -3.6 X ><10 = 1.66 - 3.6 V, Uniform sector. WP* =Y|L pr^ecto highest addfewe^l $ectx =xlG Vcc *2.7 ・ 3.G M V|(> = i 65 - 3.6 V. Umltorm<«tor. WP* =V|L pn>t4cte hwKt AddrM$«l swtorTEMPERATURE RANGE I = Incb&tr tai (-40°G to -f65e C)PACKAGE MATERIAL SET A = Standard i.Note 4) F = Pb-Free PACKAGE TYPET = Thin Small Outline Package (TSOP) Standard Pirout B = AriG-pitch EaM rd Array Pack age F = ForifiR Ball ・G 『id Array PackageSPEED OPTION&&& Predict SolectorGukte A M Malid Ccmbirwtions. (00 = 00 M . 11 = 110 ns)DEVICE NUMBERJDESCR1PTION S29GL064N, 64 Page-Mod* Fl»h MstnocyMftiuifAetu r «i using 1Wnm MirraBif 1 Procws Tichnol 咖 3.0 Wt-only Rxd, Prgwn, end ErwTable 7.1 S29GL064N Valid Combinations INote 4)S29GL064N Valid Combination*Package Detcripti^nDevice NumberOptwn Package ・ Material & Temperature Rm goModd Number Packing TypeS29GL064N9003,04,06,07TS048 (Mote 2) TSOP11 TFIV6.V7 9001,02 Q 2.3 (Ncxel)TS056(H^2) TSOP11 VI. V290 BFI 03,04 VBKCda (No(s3)Fin^-prtch BGA 90F 冋01. 02. 03, 04.LAA0&4»N C K€*3) Fortified BGA11VI. V2fk>a1. Type (fiss findard. Specify others as rdpuired; TSOPs can be peeked in Types 0 and 3: BGAs can he g 鈕d in 号阳0.2・<y 3. TSOFpQCkagQ rnanong omits poddng type dMignator from crd&ring pArtrvnt^r.BGA package tnarid^g omns i^adng S29 and pacing type afeaynaror from orcferirp pact number. Conner iocai ssCes fcx a/adatw 吟 for /ead-fram e parts.ce8 2 X07WV2V6V7Valid CombihationsValid Combinatois ist ocnfigurations planned to b4 supported 次 vdum© tor ihlg Consult your locel aekM olfce to confirm of specific valid con )tmafc>n$ wd b check on wmbinalk-ns.2 3. 4. S29GL0G4N 90 TSST39 VF 6402 ・70 XX XX 4CXXEXTKXTExx-nEnvironmental AttributeE1 = non・PbPackage ModifierK = 48 balls or leadsPackage TypeE = TSOP (typel f die up, 12mm x 20mm) B3 =TFBGA (6mm x 8mm, 0.8mm pitch) B1 =TFBGA (8mm x 10mm, 0.8mm pitch)Temperature RangeC = Commercial = 0°C to +70°CI = Industrial = -40°C to +85°CMinimum Endurance4 = 10,000 cyclesRead Access Speed70 = 70 ns90 = 90 nsHardware Block Protection1 = Bottom Boot-Block2 = lop Boot-BlockDevice Density160 = 16 Mbit320 = 32 Mbit640 = 64 MbitVoltageV = 2.7-3.6VProduct Series39 = Multi-Purpose Flash1. Envlronmental suffix “E" denotes non-Pb solder.SST non-Pb solder devices are “RoHS Complian仁。

国外IC芯片命名规则（二）

国外IC芯片命名规则（二）MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 5 61. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标季/振荡器HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ，-04 4MHZ，-10 10MHZ，-16 16MHZ-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装：C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM 锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白5V +10%Vcc，X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns， 100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ，25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线V 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K 02 2K，04 4K，08 8K16 16K，32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装：B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度：1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列：62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白ROM T OTP （PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V，-1.8 1.8V至5.5V7．端到末端电阻：Z 1KΩ，Y 2KΩ，W 10KΩ，U 50KΩ，T 100KΩ8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃，S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。

闪存颗粒命名规则

闪存颗粒命名规则
闪存颗粒的命名规则一般遵循以下原则：
1. 芯片功能和类型：第1位通常代表芯片功能，k代表的是内存芯片；第2位代表芯片类型，4代表的是DRAM。

2. 容量和刷新速率：第4、5位表示容量和刷新速率，例如64、62、63、65、66、67、6a代表64Mbit的容量；28、27、2a代表128Mbit的容量；
56、55、57、5a代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

3. 数据线引脚个数：第6、7位表示数据线引脚个数，例如08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

4. 厂商和内存类型：厂商通常会使用特定的字母或缩写来标识，例如Micron的厂商名称是MT。

第48位数字代表内存的类型，例如48代表SDRAM；46 代表DDR。

5. 供电电压和封装方式：LC代表3V供电电压；C 代表5V供电电压；V 代表供电电压。

封装方式通常会用特定的字母或缩写来表示，例如TG即TSOP封装。

6. 工作速率和内核版本号：-75代表内存工作速率是133MHz，-65则表示工作速率是150MHz。

内核版本号也会被记录下来，例如A2代表内存内核版本号。

请注意，以上规则可能因厂商和具体产品而有所不同，因此在实际应用中，建议查阅具体产品的技术规格书或联系厂商获取准确信息。

IC芯片命名规则大全

IC芯片命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）I =-20℃至+85℃（工业级）E =-40℃至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）： I、J、K、L、M 0℃至70℃ A、B、C-25℃或-40℃至85℃ S、T、U -55℃至125℃5．封装形式： D 陶瓷或金属密封双列直插　R　微型“SQ”封装 E 陶瓷无引线芯片载体 RS 缩小的微型封装 F 陶瓷扁平封装 S　塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装 H 密封金属管帽 T　TO-92型封装 J J形引线陶瓷封装 U 薄型微型封装 M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插 N 料有引线芯片载体 Y 单列直插 Q 陶瓷熔封双列直插 Z 陶瓷有引线芯片载体 P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC　A/D转换器 OP　运算放大器 AMP　设备放大器 PKD 峰值监测器 BUF　缓冲器 PM　PMI二次电源产品 CMP　比较器 REF 电压比较器 DAC　D/A转换器 RPT　PCM线重复器　 JAN　Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器 LIU　串行数据列接口单元 SW　模拟开关　 MAT　配对晶体管 SSM　声频产品 MUX　多路调制器 TMP　温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H　6腿TO-78 S　微型封装 J　8腿TO-99 T　28腿陶瓷双列直插　 K　10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体 P　环氧树脂B双列直插 V　20腿陶瓷双列直插　 PC　塑料有引线芯片载体 X 18腿陶瓷双列直插 Q　16腿陶瓷双列直插 Y　14腿陶瓷双列直插 R　20腿陶瓷双列直插 Z　8腿陶瓷双列直插 RC　20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件 EPC 组成的EPROM器件 EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列 EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列 EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式： D　陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 P　塑料双列直插 R　功率四面引线扁平封装 S　塑料微型封装 T　薄型J形引线芯片载体 J　陶瓷J形引线芯片载体 W　陶瓷四面引线扁平封装 L　塑料J形引线芯片载体 B　球阵列4．温度范围： C　℃至70℃，I　-40℃至85℃，M　-55℃至125℃　5．腿数6．速度ATMEL　产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式： A TQFP封装 P 塑料双列直插 B 陶瓷钎焊双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 C 陶瓷熔封 R 微型封装集成电路 D 陶瓷双列直插 S 微型封装集成电路 F 扁平封装 T 薄型微型封装集成电路 G 陶瓷双列直插，一次可编程 U 针阵列 J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装 K 陶瓷J形引线芯片载体 W 芯片 L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封 M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块 N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围： C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准 /883 Mil-Std-883, 完全符合B级 B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀：　ADC A/D转换器 MPY 乘法器　ADS 有采样/保持的A/D转换器 OPA 运算放大器　DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器　DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器　INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路　ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块　MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器　MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明： A 改进参数性能 L 锁定 Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围： H、J、K、L 0℃至70℃ A、B、C -25℃至85 ℃ R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式： L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插 M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插 N 塑料芯片载体 U 微型封装 P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码： CBI 互补二进制输入 COB 互补余码补偿二进制输入 CSB 互补直接二进制输入 CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128　CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO 7C9101　微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列 U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装 D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装 X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插 R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用（0℃至70℃） I 工业用　（-40℃至85℃） M 军谩　（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀： HA 模拟电路 HB 存储器模块 HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED） HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤） HN 存储器（NVM） PF RF功率放大器 HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式： P 塑料双列 PG 针阵列 C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插 CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体 FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插 SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FET ICL 线性电路 ICM 钟表电路 IH 混合/模拟门 IM 存储器 AD 模拟器件 DG 模拟开关 DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路 MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃，　M -55℃至125℃5．封装形式： A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体 B 微型塑料扁平封装 P 塑料双列直插 C TO-220型 S TO-52型 D 陶瓷双列直插 T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型 E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型 F 陶瓷扁平封装 V TO-39型 H TO- 66型 Z TO-92型 I 16脚密封双列直插 /W 大圆片 J 陶瓷双列直插 /D 芯片 K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24， H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18， P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7， V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳） Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式： A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型 B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体 C 塑封双列 V 立式的双列直插封装 D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体 G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体 H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 5 61. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）： C CMOS电路 CR CMOS ROM LC 小功率CMOS电路 LCS 小功率保护 AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM LV 低电压 F 快闪可编程存储器 HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：　-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns,　-12 120ns-15 150ns -17 170ns,　-20 200ns,　-25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体， RC 电阻电容，XT 标季 /振荡器 HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ， -25 25MHZ， -33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃， I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：　L PLCC封装 JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口　P 塑料双列直插 PQ 塑料四面引线扁平封装　W 大圆片 SL 14腿微型封装-150mil　JN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207mil　SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口　SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装　TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列： 74AC/ACT 先进CMOS HCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插 M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列： ET21 静态RAM ETL21 静态RAM ETC27 EPROM MK41 快静态RAM MK45 双极端口FIFO MK48 静态RAM TS27 EPROM S28 EEPROM TS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装： C 陶瓷双列 J 陶瓷双列 N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准 B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：　27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS， C…CMOS，V…小功率 3．容量：64…64K位（X8） 256…256K位（X8） 512…512K位（X8） 1001…1M位（X8） 101…1M位（X8）低电压 1024…1M位（X8） 2001…2M位（X8） 201…2M位（X8）低电压 4001…4M位（X8） 401…4M位（X8）低电压 4002…4M位（X16） 801…4M位（X8） 161…16M位（X8/16）可选择 160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，　60 60ns，　70 70ns，　80 80ns90 90ns， 100/10 100 n120/12 120 ns， 150/15 150 ns200/20 200 ns， 250/25 250 ns7．封装： F 陶瓷双列直插（窗口） L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准） M 塑料微型封装 N 薄型微型封装 K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M，　2 2M， 3 3M，　8 8M，　16 16M4．擦除： 0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构： 0 ×8/×16可选择，　1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度： 60 60ns， 70 70ns， 80 80ns， 90 90ns 100 100ns， 120 120ns， 150 150ns， 200 200ns9．封装： M 塑料微型封装 N 薄型微型封装，双列直插 C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源 V 3.3单电源3．容量：　100T （128K×8.64K×16）顶部块， 100B （128K×8.64K×16）底部块 200T （256K×8.64K×16）顶部块， 200B （256K×8.64K×16）底部块 400T （512K×8.64K×16）顶部块， 400B （512K×8.64K×16）底部块 040 （12K×8）扇区， 080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度： 60 60ns， 70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装： M 塑料微型封装 N 薄型微型封装 K 塑料有引线芯片载体 P 塑料双列直插7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ， 25 12C（低电压）， 93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺： C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线 W 写保护士 CS 写保护（微导线） P SPI总线 V低电压（EEPROM）3．容量： 01 1K 02 2K， 04 4K， 08 8K16 16K， 32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装： B 8腿塑料双列直插 M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列 63 专用视频ST6系列 72 ST7系列 90 普通ST9系列 92 专用ST9系列 10 ST10位系列 20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM） R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装： B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插 F 熔封双列直插 M 塑料微型封装 S 陶瓷微型封装 CJ 塑料有引线芯片载体 K 无引线芯片载体 L 陶瓷有引线芯片载体 QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列 R 陶瓷什阵列 T 薄型四面引线扁平封装6．温度范围： 1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业) 61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 P 塑料双列直插 E 无引线芯片载体 R 陶瓷微型封装 F 扁平封装 S 微型封装 J 塑料有引线芯片载体 T 薄型微型封装 K 针振列 V 薄型缩小型微型封装 L薄型四面引线扁平封装 X 模块 M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883）， E -20℃至85℃ I -40℃至85℃， M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）： 20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns 55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V， -3 3V至5.5V -2.7 2.7V至5.5V， -1.8 1.8V至5.5V7．端到末端电阻： Z 1KΩ， Y 2KΩ， W 10KΩ， U 50KΩ， T 100KΩ 8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V， -5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHz H 8.0MHz，　L 低功耗的，直接用数字标示 4．封装形式： A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 H 缩小型微型封装 I PCB芯片载体 K 陶瓷双列直插，带窗口 L 陶瓷无引线芯片载体 P 塑料双列直插 Q 陶瓷四列 S 微型封装 V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃， S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。

EEPROM选型表

AT24C AT24C系列 24
AT45DB系列25 EEPROM选型 EEPROM选型
M25P系列 25P
M45P系列 45P
芯片选型对比表
缺点
1，容量小，一般小于100K 2，速度中等100KHZ或400KHZ 3，停产
生产商
使用情况
ATMEL
块擦除2块或者整个芯片擦除时间慢大于500ms4soic封装占用空间小5速度快75mhz6芯片容量大价格较贵7有商业级和工业级芯片8引脚兼容fm25系列m45p系列1支持spi总线传输引脚少1厂商2008建厂投产供货有待注意2支持硬件保护机制2价格较高3支持字节页读和写
EEPROM芯片选型对比表 EEPROM芯片选型对比表
1，厂商停止供货 2，价格较高 ATMEL
1,价格高 RAMTRON
1，不支持页擦除，写入字节和页数据需要擦除整块 2，块或者整个芯片擦除时间慢大于500ms ST
1，厂商2008建厂投产，供货有待注意 2，价格较高 3，擦和写速度稍慢，小于10ms ST
备注
型号
优点
1，支持I2C总线传输，引脚少 2，支持硬件保护机制 3，支持字节读和写。寿命长 4，SOIC封装，占用空间小 5，价格低 6，有商业级和工业级芯片 1，支持SPI总线传输，引脚少 2，支持硬件保护机制 3，支持字节/页读和写。寿命长 4，SO-W封装，占用空间小 5，速度较快20MHZ 6，芯片容量较大，一般几百K以上。 7，有商业级和工业级芯片 1，支持SPI总线传输，引脚少 2，支持硬、软件保护机制 3，支持字节读和写。寿命长 4，SOIC封装，占用空间小 5，速度快40MHZ，立即写入，无缓冲，类似于RAM 6，芯片容量种类多，选择方案多。供货稳定 7，工业级芯片 1，支持SPI总线传输，引脚少 2，支持硬、软件保护机制 3，只支持字节/页读。块擦除 4，SOIC封装，占用空间小 5，速度快75MHZ 6，芯片容量大，价格较贵 7，有商业级和工业级芯片 8，引脚兼容FM25系列 1，支持SPI总线传输，引脚少 2，支持硬件保护机制 3，支持字节/页读和写。寿命长 4，SO-W封装，占用空间小 5，速度较快75MHZ 6，芯片容量较大，一般几百K以上。 7，有商业级和工业级芯片 8，引脚兼容AT45DB系列

芯片解密基础知识IC命名规则

三字母后缀：
例如：MAX232CPE
C=等级（温度系数范围） P=封装类型（直插） E=管脚数（16脚）
四字母后缀：
例如：MAX1480BCPI
B=指标等级或附带功能 C=温度范围 P=封装类型（直插） E=管脚数（28脚）
温度范围：
C= 0℃至60℃（商业级） I=-20℃至85℃（工业级） E=-40℃至85℃（扩展工业级） A=-40℃至82℃（航空级） M=-55℃至125℃（军品级）
管脚数：
A—8；B—10；C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20；Q—2，100；R—3，84；S—4，80；T—6，160；U—60；V—8（圆形）；W—10（圆形）；X—36；Y—8（圆形）；Z—10（圆形）。
3：表示封装：
P=PDIP J=PLCC S=SOP Z=SSOP E/F=TSSOP M/P/W=FPGA
4：温度范围
C=0℃TO+60℃ I=-40℃TO+85℃ E=-55TO℃+85℃
MAXIM
MAXIM产品命名信息(专有命名体系)
MAXIM推出的专有产品数量在以下相当可观的速度增长.这些器件都按以功能划分的产品类别进行归类。MAXIM目前是在其每种产品的唯一编号前加前缀“MAX”、“MX”“MXD”等。在MAX公司里带C的为商业级，带I的为工业级。现在的DALLAS被MAXIM收购，表以原型号形式出现，这里不做介绍。
紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级

nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术

nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术nandflash命名规则大全（三星，海力士，美光等）今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. organization00 : NONE08 : x816 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)【举例说明】K 9 G A G 0 8 U 0 M - P C B 01 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 5 16 17 18K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。

EEPROM原理与应用

2023-2026
ONE
KEEP VIEW
XX
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EEPROM原理与应用
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汇报人：XX
REPORTING
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CATALOGUE
目录
• EEPROM基本概念与原理 • EEPROM类型及性能参数 • EEPROM在嵌入式系统中的应用 • EEPROM在通信协议中的应用 • EEPROM编程实践指导 • EEPROM市场前景及发展趋势
系统升级与维护
在嵌入式系统中，EEPROM可用于存储固件程序或升级文件。当系统需要升级或维护时，微控制器可以从EEPROM中读取相应的文件并执行相应的操作，从而实现对系统的更新和维护。
PART 05
EEPROM编程实践指导
开发环境搭建与工具准备
硬件准备
01
选择合适的EEPROM芯片，并准备好相应的开发板和连接线。
注意EEPROM的工作电压、工作温度和封装等参数，确保与实际应用环境相匹配。
PART 03
EEPROM在嵌入式系统中的应用
数据存储与读取功能实现
01
02
03
非易失性存储
EEPROM可在断电后保留数据，适用于需要长期保存的数据。
读写操作
EEPROM支持按字节或按页进行读写操作，方便灵活。
数据保持时间指的是在规定的温度范围内，EEPROM中的数据可以保持不丢失的最长时间。
选型注意事项
根据应用需求选择合适的 EEPROM类型，例如串行或并
行EEPROM。
根据存储容量需求选择合适的 EEPROM芯片，确保足够的存
储空间。
考虑EEPROM的擦写次数和写入速度等性能参数，以满足应用要求。

国外IC芯片命名规则

MAXIM专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀：MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围；P=封装类型；E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能；C=温度范围；P=封装类型；I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）I =-20℃至+85℃（工业级）E =-40℃至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55℃至+125℃（军品级）5．封装形式： A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil）J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚）K TO-3 塑料接脚栅格阵列Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插/ PR 增强型塑封P 塑封双列直插/ W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件， HA 混合集成A/D， HD 混合集成D/A2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP比较器REF电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元 SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插 V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体 X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围： C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能L 锁定Z + 12V电源工作HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码： CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME 总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D 陶瓷双列直插W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装X 芯片G 针阵列Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体PF 塑料扁平单列直插P 塑料PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列E自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围： C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军用（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM）HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关ICH 混合电路MM 高压开关NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围： A -55℃至125℃，B -20℃至85℃， C 0℃至70℃I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32，K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3，S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳） W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳） Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 561. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns， -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示： LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标准晶体/振荡器HS 高速晶体频率标示： -20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ，-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白 0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片 SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOS HCF4XXXM7 4HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROMS28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装： C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV 窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白 0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白5V +10%Vcc，X 5V +10%Vcc6．速度： 55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns， 100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口） L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除： 0 大容量 1 顶部启动逻辑块 2 底部启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装： M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列： 24 12C ， 25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C 总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线LV 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K，02 2K，04 4K，08 8K16 16K， 32 32K，64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装： B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用)2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业)E -55℃~125℃XICOR产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOTX XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公制微型封装Y 新型卡式4．温度范围：空白标准，B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准，B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至 5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至 5.5V，-1.8 1.8V至5.5V7．端到末端电阻：Z 1KΩ，Y 2KΩ，W 10KΩ，U 50KΩ，T 100KΩ8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-54.5V至5.5VZILOG产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz，B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体5．温度范围： E -40℃至100℃， M -55℃至125℃， S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准（注：专业文档是经验性极强的领域，无法思考和涵盖全面，素材和资料部分来自网络，供参考。

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH-ROM芯片的区别

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH-ROM芯片的区别ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH-ROM芯片的区别ROM（Read Only Memory，只读存储器）芯片：在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM芯片中。

ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。

如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。

ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。

PROM（Programmable ROM，可编程ROM）芯片：由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。

最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。

PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。

EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片：可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。

EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。

EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12—24V，随不同的芯片型号而定）。

EPROM 的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。

EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。

eeprom芯片的命名规则 -回复

eeprom芯片的命名规则-回复EEPROM芯片的命名规则电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EEPROM），作为一种存储数据的芯片，在电子设备的各种应用领域起着重要作用。

EEPROM芯片的命名规则是根据其性能和特征来命名的，下面将一步一步对其进行详细解析。

一、EEPROM的基本概念EEPROM，全称为Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，中文翻译为电可擦写可编程只读存储器。

与传统只读存储器相比，EEPROM具有可擦写特性，可以重复存储和擦除数据。

EEPROM通常被用于存储微控制器和其他电子设备中的重要数据，如参数配置、校准数据、用户设置等。

二、EEPROM芯片的命名规则在电子器件领域，芯片的命名规则一般采用一系列的规范和标准。

EEPROM芯片的命名规则主要按照以下几个方面进行命名：1. 容量（Capacity）EEPROM芯片的容量是决定其数据存储能力的重要指标，容量越大则存储的数据量越大。

常见的容量大小通常以位数（bit）或字节数（byte）表示，如1Kbit、4Kbit，或者以Mbit、Gbit为单位表示，如32Mbit、64Gbit 等。

2. 供电电压（Voltage）EEPROM芯片需要稳定的电压供应才能正常工作，供电电压是芯片需要的电压范围。

一般而言，常见的供电电压有3.3V、5V等，这也是设备设计中需要特别注意的一个参数。

3. 接口类型（Interface Type）EEPROM芯片的接口类型决定了它与其他设备之间的通信方式。

常见的接口类型有串行接口（如I2C、SPI）和并行接口（如8位或16位数据总线）。

不同的接口类型适用于不同场景的应用，可以根据具体需求进行选择。

4. 数据传输速率（Transfer Rate）数据传输速率是指EEPROM芯片进行读写操作时的速度，通常以MHz（兆赫）或MB/s（兆字节每秒）为单位。

芯片命名规则

电子元器件命名- -电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上.封装形式:封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好.封装大致经过了如下发展进程:结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装.英文简称英文全称中文解释图片DIPDouble In-line Package双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等.PLCCPlastic Leaded Chip CarrierPLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点.PQFPPlastic Quad Flat PackagePQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.SOPSmall Outline Package1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装(SOP).以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装),TSOP(薄小外形封装),VSOP(甚小外形封装),SSOP(缩小型SOP),TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管),SOIC(小外形集成电路)等.模拟滤波器光纤通信高速信号处理和转换无线/射频光线通讯,模拟显示支持电路高频模拟和混合信号ASIC数字转换器,接口,电源管理,电池监控DC/DC电源电压基准MAXIM前缀是"MAX".DALLAS则是以"DS"开头.MAX×××或MAX××××说明:1后缀CSA,CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W 表示宽体表贴.2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级.3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA后缀均为普通双列直插.举例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃) 说明E 指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器2字头滤波器3字头多路开关4字头放大器5字头数模转换器6字头电压基准7字头电压转换8字头复位器9字头比较器DALLAS命名规则例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND N=工业级S=表贴宽体MCG=DIP封Z=表贴宽体MNG=DIP工业级IND=工业级QCG=PLCC封Q=QFP 下面是MAXIM的命名规则:三字母后缀:例如:MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围:C = 0℃至70℃(商业级)I = -20℃至+85℃(工业级)E = -40℃至+85℃(扩展工业级)A = -40℃至+85℃(航空级)M = -55℃至+125℃(军品级)封装类型:A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装(300mil)X SC-70(3脚,5脚,6脚)Y 窄体铜顶封装Z TO-92,MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆DSP信号处理器放大器工业用器件通信电源管理移动通信视频/图像处理器等模拟A/D D/A 转换器传感器模拟器件AD产品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等开头的.后缀的说明:1,后缀中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,后缀中带R表示表示表贴。

RAMAXEL内存命名规范

Ramax
32M/64M/128M
4Mx16/8Mx16
9
RPB16418L61
Ramax
64M/128M
8Mx8/16Mx8
10
RPB112828I61
Ramax
64M/128M/256M
8Mx8/16Mx8
11
RPB164216I61
Ramax
32M/64M/128M
4Mx16/8Mx16
12
B4661A
RPB012828R41
Ramax
64M/128M/256M
8Mx8/16Mx8
PC133
17
RPB064216R41
Ramax
32M/64M/128M
4Mx16/8Mx16
PC133
18
RPB064216R61
Ramax
32M/64M/128M
4Mx16/8Mx16
PC133
19
B6261A
台湾BP
8M/16M
1Mx16
20
RPD1182080R61
Ramax
64M/128M/256M
8Mx8/16Mx8
Registered
21
RPB06426R42
Ramax
32M/64M
4Mx8
4Mx16
Halfchip-低8位
22
RPA06418R41
Ramax
64M/128M
8Mx8/16Mx8
So-dimm
容量范围
适用IC规格
备注
25
RPA064216R61
Ramax
32M/64M/128M
4Mx16/8Mx16