元器件降额表

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(整理)元器件降额使用参考

元器件降额使用参考一、集成电路因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。

我们通常规定：1，最大工作电压，不超过额定电压80%2，最大输出电流，不超过额定电流75%3，结温，最大85摄氏度，或不超过额定最高结温的80%二、二极管二极管种类繁多，特性不一。

故而，有通用要求，也有特别要求：通用要求：长期反向电压<70%～90%×V RRM（最大可重复反向电压）最大峰值反向电压<90%×V RRM正向平均电流<70%～90%×额定值正向峰值电流<75%～85%×I FRM正向可重复峰值电流对于工作结温，不同的二极管要求略有区别：信号二极管< 85～150℃玻璃钝化二极管< 85～150℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（<1000V）<85～125℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）<85～115℃肖特基二极管< 85～115℃稳压二极管（<0.5W）<85～125℃稳压二极管（≥0.5W）<85～100℃T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。

这是一个可供参考的经验值三、功率MOSV GS<85%×V GSmax(最大栅极驱动电压)I D_peak<80%×I D_M(最大漏极脉冲电流)V DS<80～90%×额定电压dV/dt<50%～90%×额定值结温<85℃~80%×T jmax(最大工作结温)T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。

元器件降额准则一览表

元器件降额准则一览表
一、电容
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言，推荐的供电电源是不能进行降额的，因为这样可能会达不到其额定功率。

要参考正确的器件规格或制造商的资料。

对于工作
温度，要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内，这样才能保证得到正确的额定频率值。

最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。

最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。

对于恒温晶振，只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度，最低工作温度高10度。

三、电阻
四、二极管
五、晶极管
六、磁性器件：变压器和电感的降额要求：
七、微电路
*商业等级微电路的主要降额因素是温度。

八、保险丝：UL/IEC保险丝降额要求
九、连接器
十、开关
十一、电源。

元器件降额准则一览表

元器件降额准则一览表
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言，推荐的供电电源是不能进行降额的，因为这样可能会达不到其额定功率。

要参考正确的器件规格或制造商的资料。

对于工作温度，要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内，这样才能保证得到正确的额定频率值。

最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。

最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。

对于恒温晶振，只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度，最低工作温度高10度。

*商业等级微电路的主要降额因素是温度。

电路设计元器件降额标准

电路设计元器件降额标准1、晶体管/MOSFET：反向电压：0.7 0.8MOSFET栅源电压：0.6 0.7三极管集电极、发射机电压：0.7 0.8三极管集电极电流：0.7 0.8正反向电流：0.7 0.8温湿度0.7 0.82、二极管正向电压：10%稳定电压（稳压二极管）：反向漏电流+200%恢复开关时间+20%反向电压0.7 0.8电流0.7 0.8功率0.65浪涌电压、电流0.7 0.8温湿度0.7 0.83、断路器熔断电流：0.75 0.9 阻/容性负载0.4 0.5 感性负载0.2 0.35 电机温度：Tmax-204、保险丝电流>0.5A 0.45～0.5电流<0.5A 0.2~0.4环境温度超过25度时，按0.005/oC增加降额5、可控硅，闸流管控制极正向压降10%漏电流+200%开关时间+20%其它指标同二极管6、光电器件指标同二极管7、电阻/电阻网络电压0.75功率0.6 0.7封装2512 2010 1206 0805 0603 0402 0201 功率 1 1/2 1/4,1/8 1/10 1/16 1/16 1/32最大电压200 200 200 100 50 50类型片式金属氧化膜水泥电阻功率1/4 1W/2W/5W 5W及以上8、绕线电阻电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型9、热敏电阻电压：电源电压80%功率：0.5 0.5温度：TMax-1510、压敏电阻电压：0.75功率：0.6 0.7不靠近发热可燃器件，离开其它器件3mm11、非绕线电位器电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型12、电容器固定纸、塑料薄膜电容/玻璃铀/固定云母/固定陶瓷/ 电流、电压0.6 0.7温度Tmax-10铝电解电压、电流0.6 0.7钽电解电压、电流0.5 0.7温度Tmax-20钽固体电解电压电流0.8 0.9 20V以下0.7 0.8 25V以上温度Tmax-20可变电容器电流、电压0.5浪涌电流电压0.6 0.7温度Tmax-1013、电感热点温度Tmax-10~25 Tmax-15~0工作电流0.6～0.7瞬态电压电流0.9介质耐压0.5～0.6电压0.714、磁珠工作电流0.6～0.7瞬态电压0.915、继电器<100mW不降额电阻负载：0.75～0.90电容负载（最大浪涌电流）：0.75～0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝0.5 0.7 水印继电器（VA）线圈释放电压0.9最小～1.1最大温度额定-20振动额定60%16、开关<100mW不降额电阻负载：0.75～0.90电容负载（最大浪涌电流）：0.75～0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝触点额定电压0.5 0.7功率0.5 0.717、电连接器电压0.7 0.8电流0.7 0.85温度Tmax-25 Tmax-2018、晶体温度：最低+10，最高-1019、光学器件光纤光源：峰值输出功率0.5峰值电流0.5结温设法降低光纤：温度：低温+20，高温-20张力：光纤20%拉力，光缆50%拉升值弯曲半径：最小允许值200%光纤连接器：温度：Tmax-25 Tmax-20。

元器件降额标准(参考)

分离半导体器件
晶体管
方向
电压
一般晶体管
功率MOSFET的栅源电压
电流
功率
功率管安全工作区
集电极－发射极电压
集电极最大允许电流
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波晶体管
最高结温
同晶体管
二极管（基准管除外）
电压（不适用于稳压管）
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
数字电路
双极型电路
频率
输出电流
最高结温（℃）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
薄模集成电路（W/cm2）
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
TAM-20
TAM-20
TAM-20
微调电容器
直流工作电压
~
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电感元件
热点温度THS（℃）(简写T)
T-40~25
T-25~10
T-15~0
工作电流
~
~
~
瞬间电压/电流
介质耐压
~
~
~
扼流圈工作电压
继电器

元器件降额准则汇总表

降额等级 Ⅱ级 Ⅲ级
0.65 0.7 0.8 0.7 140 125 Tjm-40 0.65 0.7 Tjm-40 Tjm-40 0.65 0.7 Tjm-40 0.7 0.65 140 125 Tjm-40 0.65 110 100 酌情降额 Tjm-40 0.65 0.7 0.7 140 125 Tjm-40 140 125 Tjm-40 酌情降额 0.5 0.7 0.7 0.6 ±200％实测值 Tjm-20 0.8 0.8 0.8 160 145 Tjm-20 160 145 Tjm-20 0.75 0.8 0.9 0.8 160 145 Tjm-20 0.75 0.8 Tjm-20 Tjm-20 0.75 0.8 Tjm-20 0.8 0.8 160 145 Tjm-20 0.8 130 130
0.8 0.8 0.5 /℃
0.9 0.7
0.8 0.7 0.8 95 ±5％ 0.9 0.9 100 0.8 0.8 0.9 100
0.8 0.7 0.8 105 见技术条件 0.95 0.9 115 0.8 0.9 0.9 110
0.7 0.7 0.7 0.7 80 7.5 6 85
0.8 0.8 0.8 0.75 95 7.5 6 100
电阻器
固定电阻器热敏电阻器
合成/薄膜微调电位器
精密塑料电位器
电位器
线绕密封电位器线绕非密封功率电位器螺旋缠绕电位器薄膜、玻璃、云母、陶瓷电容器铝电解电容器
电容器
固体钽电解电容器、液体钽电解电容器活塞式微调电容器圆片式微调电容器
电感元件
线圈、变压器
扼流圈
触点电流
电容负载电机负载
继电器
电压调整器
输入输出电压差输出电流(最大绝对值) 最高结温 (℃) 厚膜功率密度(w/cm ) 薄膜功率密度(w/cm ) 最高结温 (℃)

元器件降额标准(参考)

峰值光输出功率
（适用于ILD）
电流
（适用于ILD）
结温
设法降低
光纤探测器
PIN反向压降
结温
设法降低
光纤与光缆
温度
上限额定值—20;下限额定值+20
张力
光纤
耐拉试验的
光缆
拉伸额定值的
弯曲半径
最小允许值的
核辐射
按产品详细规范降额或加固
导线与电缆
最大应用电压
最大绝缘电压规定值的
最大应用电流（A）
线规Avg
线绕电位器
电压
功率
普通型
非密封功率型
—
—
微调线绕型
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
热敏电阻器
功率
最高环境温度(C)
Tam-15
Tam-15
Tam-15
电容
器
固定玻璃釉型
直流工作电压
最高额定环境温度Tam(C)
Tam-10
Tam-10
Tam-10
直流工作电压
固定云母型
最高额定环境温度Tam(C)
Tam-10
输出电流
功率
最高结温（C）
80
95
105
数字电路
双极型电路
频率
输出电流
最高结温（C）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温（C）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
薄模集成电路（W/cm2）
最高结温（C）
85
100
115
大规模集成电路

元器件降额标准(参考)

0.80
0.90
0.90
功率
0.80
0.80
0.90
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
7.5
薄模集成电路（W/cm2）
6.5
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
分离半导体器件
晶体管
方向
电压
一般晶体管
0.60
0.70
0.80
功率MOSFET的栅源电压
电压
0.60
0.70
0.80
电流
0.50
0.65
0.80
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
固定电阻器
合成型电阻器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
薄膜型电阻器
电压
0.75
0.75
0.90
电感负载
电感额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.35
0.40
0.75
电机负载
电机额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.15
0.20
0.35
灯丝负载
灯泡额定电流的
0.50

元器件降额标准(参考)

灯丝负载
灯泡额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.07~0.08
0.10
0.15
触点电压
0.40
0.50
0.70
触点功率
0.40
0.50
0.70
连接器
工作电压
0.50
0.70
0.80
工作电流
0.50
0.70
0.80
最高接触对额定温度TM（℃）
TM-40
TM-20
TM-15
电机
最高工作温度（℃）
－
－
TAM-20
钽电解
直流工作电压
0.50
0.60
0.70
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-20
TAM-20
TAM-20
微调电容器
直流工作电压
0.30~0.40
0.50
0.50
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电感元件
热点温度THS（℃）(简写T)
T-40~25
T-25~10
T-15~0
工作电流
0.60~0.70
0.60~0.70
0.60~0.70
瞬间电压/电流
0.9
0.9
0.9
介质耐压
0.5~0.6
0.5~0.6
0.5~0.6
扼流圈工作电压
0.7
0.7
0.7
继电器
连续触点电流
小功率负荷（＜100mW）
不降额
电阻负载
0.50
0.75
0.90
电容负载（最大浪涌电流）

电子元件的降额（精）

电子元件的降额降额这种技术通常用于电力及电子设备中，它使这些设备在低于额定最大值的功耗下运行，它同时考虑到外壳/机体温度、环境温度，以及所采用的冷却机制类型。

在本文中，我们将简要阐述降额的理论背景，以及它的应用方法。

降额可增加零件设计极限与外加应力间的安全裕度，从而为零件提供额外的保护。

通过对电气或电子元件应用降额，可以降低它的退化速率。

结果可提高可靠性及寿命期望。

在直觉上，如果一个元件或系统在其设计极限下运行，则相比于运行应力等于或高于设计极限的情形，其将更为可靠。

从理论上讲，降额的益处可运用负载-强度干涉理论来阐述。

负载-强度干涉通常，失效发生于外加负载超过强度时。

负载与强度应通过一般方式来考虑。

对电子零件而言，“负载”可以指电压、功率，或是内部应力如结温。

“强度”可以指任何抵抗性的物理特性。

某一给定类型的电子元件并不相同。

它们具有强度可变性。

这种可变性源于原材料间及制造过程间的差异。

即使对于材料相同及制造过程相同的元件，仍然会因噪声因素而存在差异，这些因素有如微观材料缺陷，或是单一制造过程内的变动。

因此，元件的强度被视为随机变量。

施加于电子零件的负载如功率、温度或湿度，同样也是随机变量。

因此，人们通常运用统计分布来描述负载与强度。

可以运用两个因子，来分析负载与强度分布的干涉。

这两个因子为“安全裕度”（Safety Margin，SM）与“载荷粗糙度”（Loading Roughness，LR）。

[1]安全裕度的定义如下：其中L 与S 为负载与强度分布的平均值，σL 与σS 为负载与强度分布的标准差。

SM 是负载与强度平均值的相对间距。

载荷粗糙度可通过负载的标准差定义如下：图1-3 给出了三个示例，它们显示了安全裕度与载荷粗糙度间的不同关系。

图1 中的负载与强度分布是不重叠的，这显示的是高可靠性情境，其具有窄的分布、低的载荷粗糙度与高的安全裕度。

图1：具有大SM 与低LR 的不重叠负载与强度分布图2 显示了低的载荷粗糙度与低的安全裕度。

元器件降额指南

降额参数
集电极-发射极电压集电极-发射极电压
Ⅰ 0.70 0.60
降额等级 Ⅱ
0.80 0.70
Ⅲ 0.90 0.80
C6.2.4 微波晶体管的降额准则由于分布参数的影响，微波晶体管不能按独立变量来考虑降额，应按表 C6-6 的规定进
行结温降额。
附 65
C6.2.5 降额准则的应用表 C6-5、表 C6-6 给出了晶体管的降额因子及允许的最高结温。以参数的最大允许值乘
线性集成电路及数字集成电路的降额计算示例见附录 C_B 中 C_B1 条。
C6.2 晶体管降额准则
晶体管按结构可分为双极型晶体管、场效应晶体管、单结晶体管等类型；按工作频率可分低频晶体管、高频晶体管和微波晶体管；按耗散功率可为小功率晶体管和大功率晶体管（简称功率晶体管）。所有晶体管的降额参数是基本相同的，它们是电压、电流和功率。但对 MOS 型场效应晶体管、功率晶体管和微波晶体管的降额又有特殊的要求。
C6.1.2.1 双极型数字电路的降额准则
双极型数字电路降额准则见表 C6-2。其中： a. 频率从额定值降额； b. 输出电流从额定值降额； c. 结温降额给出了最高允许结温。
表 C6-2 双极型数字电路降额准则
降额等级Leabharlann 降额参数ⅠⅡ
Ⅲ
频率输出电流 1)
0.80 0.80
0.90 0.90
0.90 0.90
中、小规模集成电路降温的主要参数是电压、电流或功率，以及结温。大规模集成电路主要是降低结温。
所有为维持最低结温的措施都应考虑，可采取以下措施： a. 器件应在尽可能小的实用功率下工作； b. 为减少瞬态电流冲击应采用去耦电路； c. 当工作频率接近器件的额定频率时，功耗将会迅速增加，因此器件的实际工作频率应低于器件的额定频率； d. 应实施最有效的热传递，保证与封装底座间的低热阻，避免选用高热阻底座的器件。 C6.1.1 模拟电路的降额准则模拟电路降额准则见表 C6-1。其中： a. 电源电压从额定值降额； b. 输入电压从额定值降额； c. 输出电流从额定值降额； d. 功率从最大允许值降额； e. 结温降额给出于最高允许结温。

GB 35-93元器件可靠性降额准则国家标准.

根据 4.1 条的规定，对不同应用推荐的降额等级见表 1。表 1 不同应用的降额等级
应用范围
降额等级最高最低
航天器与运载火箭
Ⅰ
Ⅰ
战略导弹
Ⅰ
Ⅱ
战术导弹系统
Ⅰ
Ⅲ
飞机与舰船系统
Ⅰ
Ⅲ
通信电子系统
Ⅰ
Ⅲ
武器与车辆系统
Ⅰ
Ⅲ
地面保障设备
Ⅱ
Ⅲ
4.3 降额的限度降额可有效地提高元器件的使用可靠性，但降额是有限度的。通常，超过最
为：电流放大系数：±15％（适用于已经筛选的晶体管） ±30％（适用于未经筛选的晶体管）漏电流：＋200％开关时间：＋20％饱和压降：＋15％
5.2.3 降额准则（1）晶体管的反向电压、电流、功率从额定值降额；（2）最高结温、安全工作区的降额见附录；（3）由于分布参数的影响，微波晶体管不能按独立变量来考虑降额，但应
中、小规模集成电路降额的主要参数是电压、电流或功率，以及结温。大规模模集成电路主要是降低结温。 5.1.2 应用指南 5.1.2.1 所有为维持最低结温的措施都应考虑。可采取以下措施：
（1）器件应在尽可能小的实用功率下工作；（2）为减少瞬态电流冲击应采用去耦电路；（3）当工作频率接近器件的额定频率时，功耗将会迅速增加，因此器件的实际工作频率应低于器件的额定频率；（4）应实施最有效的热传递，保证与封装底座间的的热阻，避免选用高热阻底座的器件。 5.1.2.2 双极型数字电路电源电压须稳定，其容差范围如下：（1） Ⅰ级降额：±3％；（2） Ⅱ级降额：±5％；（3） Ⅲ级降额：按相关详细规范要求。 5.1.2.3 主要参数的设计容差为保证设备长期可靠的工作，设计应允许集成电路参数容差为：模拟电路：

元器件的降额使用

电应力比的计算晶体管单个晶体管/一个管壳中 POP—使用功率, PM—TS (最大额定功率时允许的最高环境温度)时的额定功率, C—硅器件的电应力调整系数
硅管 : S 锗管 : S
P OP P M P OP P M
C
两个晶体管/一个管壳中 P1，P2—单管使用功率, PS—单管工作时定功率, PT—双管工作时，在TS (最大额定功率时允许的最高环境温度)时的额定功率,
C—硅器件的电应力调整系数
P1 2P 2 P T S P2 P 2 T P S P
C
关于温度的S 一般不用应力比：最高结温、最高环境温度、或按元器件的负荷特性曲线降额 6.2.2 降额设计的基本原则因件而异，适度为宜；关键元器件应保证按规定降额，一般元器件可作调整；各执各法
6.3 降额设计的工作过程
6.3.1 降额准则 GJB/Z35
元器件可靠性降额准则—美国罗姆航空发展中心
电子元器件降额要求和应用准则
6.3.2 降额等级
6.3.3 降额参数
例：电子开关的降额—II级降额电压：60V0.50=30V 电流：2A0.75=1.5A 功率：1.5A 1.5A 0.2=0.45W 应为0.4W 调整：电流：2A0.70=1.4A 功率：1.4A 1.4A 0.2=0.4W
6.3.4 降额因子 I级：不宜变动，注意核对能否满足设备尺寸和质量的要求 III级：可按需作适当变动 6.3.5 降额计算及分析确定降额等级明确降额参数和降额量值利用电/热应力分析计算或测试获得温度和电应力值从元器件手册获得额定值计算降额后的允许值比较降额后的允许值与实际工作值，判断是否达到降额要求

元器件降额标准(参考)

Vpss (%)
Ip (%)
IDM (%)
VGS (%)
Vpss (%)
Ip (%)
IDM (%)
VGS (%)
85
80
80
85
90
85
80
85
IC
Vpeak (%)
Pd (%)
Tcase (°C)
Vpeak (%)
Pd (%)
Tcase (°C)
80
80
90
85
80
90
PCB ( Solder Temp)
最高结温
同晶体管
二极管（基准管除外）
电压（不适用于稳压管）
0.60
0.70
0.80
电流
0.50
0.65
0.80
功率
0.50
0.65
0.80
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波二极管
最高结温
同二极管
基准二极管
可控硅/半导体光电器件
0.75
0.90
电感负载
电感额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.35
0.40
0.75
电机负载
电机额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.15
0.20
0.35
灯丝负载
灯泡额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的

元器件降额准则一览表

元器件降额准则一览表
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言，推荐的供电电源是不能进行降额的，因为这样可能会达不到其额定功率。

要参考正确的器件规格或制造商的资料。

对于工作温度，要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内，这样才能保证得到正确的额定频率值。

最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。

最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。

对于恒温晶振，只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度，最低工作温度高10度。

*商业等级微电路的主要降额因素是温度。

元器件降额标准

修订记录目录修订记录 (1)1、目的 (3)2、范围 (3)3、组织与权责 (3)3.1、设计工程 (3)3.2、验证工程 (3)3.3、零件工程 (3)4、名词解释 (3)4.1、降额 (3)4.2、最大额定值 (3)4.3、应力 (3)4.4、应力比率 (3)5、降额标准 (4)5.1、电阻器降额使用规范 (4)5.2、保险丝使用规范 (4)5.3、整流管降额使用规范 (5)5.3.1、信号/开关, 普通型二极体 (5)5.3.2、桥整 (5)5.3.3、肖特基二极体 (5)5.3.4、稳压二极管 (5)5.4 晶体管降额使用规范 (6)5.4.1、晶体管(双极,普通) (6)5.4.2、晶体管(功率) (6)5.4.3、MOSFET(Small Signal) (6)5.4.4、MOSFET(Power) (6)5.4.5、晶闸管, 可控硅 (7)5.5、电容降额使用规范 (7)5.6、光电耦合器 (8)5.7、微电路IC降额使用规范 (8)5.7、变压器和电感降额使用规范 (8)6、SAGEMCOM Component derating: (8)7、参考文件 (9)8、附录 (9)1、目的通过执行降额标准等效补偿零件关键特性参数降低来自于零件和生产变异造成的品质冲击而导致的不良率，改善产品设计可靠性提高产品运行余量从而达成稳定的设计目标要求。

2、范围冠德科技有限公司SPS研发部。

3、组织与权责3.1、设计工程设计开发之前，设计工程人员需要了解熟悉零件应用和零件降额使用标准。

开发设计调试过程中设计工程人员有责任量测零件实际工作中的承受应力，如果检测结果达不到相应的零件降额要求，设计人员有责任研究分析根本原因并妥善解决。

如果没有成本效率（包括品质改善）可以实现，设计人员有责任提供与条款存在异议部分并提供报告做相应解释。

3.2、验证工程验证工程人员有责任参与降额标准的应用说明并与相关人员作答，并担当该文件的维护工作。

GBZ35-93电子元器件降额的基本准则(doc 47页)

中、小规模集成电路降温的主要参数是电压、电流或功率，以及结温。大规模集成电路主要是降低结温。
5.1.2应用指南
5.1.2.1所有为维持最低结温的措施都应考虑。可采取以下措施：
a.器件应在尽可能小的实用功率下工作；
b.为减少瞬态电流冲击应采用去耦电路；
c.当工作频率接近器件的额定频率时，功耗将会迅速增加，因此器件的实际工作频率应低于器件的额定频率；
应按设备可靠性要求、设计的成熟性、维修费用和难易程度、安全性要求，以及对设备重量和尺寸的限制因素，综合权衡确定其降额等级。在最佳降额范围内推荐采用三个降额等级。
a.Ⅰ级降额
Ⅰ级降额是最大的降额，对元器件使用可靠性的改善最大。超过它的更大降额，通常对元器件可靠性的提高有限，且可能使设备设计难以实现。
Ⅰ级降额适用于下述情况：设备的失效将导致人员伤亡或装备与保障设施的严重破坏；对设备有高可靠性要求，且采用新技术、新工艺的设计；由于费用和技术原因，设备失效后无法或不宜维修；系统对设备的尺寸、重量有苛刻的限制。
4.6元器件的质量水平
必须根据产品可靠性要求选用适合质量等级的元器件。不能用降额补偿的方法解决低质量元器件的使用问题。
5详细要求
5.1集成电路降额准则
5.1.1概述
集成电路分模拟电路和数字电路两类。根据其制造工艺的不同,可按双极型和MOS(CMOS)型，以及混合集成电路分类。
集成电路芯片的电路单元很小，在导体断面上的电流密度很大，因此在有源结点上可能有很高的温度。高结温是对集成电路破坏性最大的应力。集成电路降额的主要目的在于降低高温集中部分的温度，降低由于器件的缺陷而可能诱发失效的工作应力。延长器件的工作寿命。
Ⅰ
Ⅱ
战术导弹系统
Ⅰ
Ⅲ
飞机与舰船系统