中子散射技术简介

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中子散射技术在材料表征中的应用

中子散射技术在材料表征中的应用

中子散射技术在材料表征中的应用材料科学是一个十分广泛的领域,涉及到各种不同的材料特性和性能。

了解这些特性和性能对于开发更好的材料是至关重要的。

中子散射技术是材料表征中常用的方法之一。

它不仅可以用于研究晶体结构,而且还可以用于研究材料中的动态过程。

本文将介绍中子散射技术及其在材料表征中的应用。

中子散射技术简介中子散射技术是一种用于研究物质结构和动态过程的非破坏性方法。

它可以用来研究各种材料,从固体到液体再到气体。

中子是一种自然存在的带有质量和正电荷的粒子,其大小和质量与质子近似相等,因此它可以与材料中的原子相互作用,并在材料中发生散射。

通过测量中子的散射模式,研究者可以得出材料的结构和动态过程信息。

中子散射技术可以分为弹性散射和非弹性散射。

弹性散射是指中子在与材料中的原子相互作用后,仍然保持自身能量和动量的散射。

非弹性散射是指中子在与材料中的原子相互作用后,会发生能量和动量的转移,因此散射光子的能量会发生变化。

非弹性散射常被用于研究材料中的动态过程,如声子、自旋波等。

中子散射技术在材料表征中的应用非常广泛。

以下列举几个典型的应用。

1. 研究晶体结构中子散射技术可以用于研究晶体的结构。

晶体中的原子排列方式会影响中子的散射模式,因此研究者可以通过测量散射的模式来确定晶体的结构。

中子散射是唯一可以区分氢原子和其他原子的方法,因此中子散射技术在研究氢原子在晶体中的位置和运动方面具有独特的优势。

2. 研究材料中的动态过程中子散射技术可以用于研究材料中的动态过程,如声子、自旋波等。

这些动态过程会影响中子的能量和动量,因此可以通过测量中子散射的能量变化来确定动态过程的信息。

研究材料中的动态过程对于理解材料的特性和性能至关重要。

3. 研究材料中的缺陷和杂质中子散射技术可以用于研究材料中的缺陷和杂质。

缺陷和杂质会对中子的散射模式产生影响,因此可以通过测量散射模式来确定其位置和类型。

这对于理解材料的特性和性能、改进材料的缺陷至关重要。

中子散射原理

中子散射原理

中子散射原理中子散射是一种重要的物理现象,它在材料科学、物理学和核工程等领域都有着重要的应用。

中子散射原理是指中子在与物质相互作用时发生散射现象的基本规律和机理。

通过研究中子散射原理,可以深入了解物质的结构、性质和动力学行为,为材料设计、新能源开发和生命科学研究提供重要的实验手段和理论依据。

中子散射原理的基本过程是中子与原子核或电子发生相互作用,从而改变其运动状态并产生散射。

中子在物质中的散射过程可以分为弹性散射和非弹性散射两种情况。

弹性散射是指中子与物质发生碰撞后,保持能量和动量守恒的散射过程,不改变中子的能量。

非弹性散射则是指中子在与物质相互作用时,发生能量损失或转移的散射过程,导致中子能量的改变。

中子散射原理的研究可以通过测量散射中子的能量和角度分布,来获取物质的结构信息。

通过分析散射中子的散射角度和能量变化,可以得到物质中原子的位置、间距、热振动等信息。

这对于研究材料的晶体结构、磁性结构、液体结构等具有重要意义。

同时,中子散射还可以用于研究材料的动力学行为,比如材料的扩散、固溶、相变等过程。

除了对材料的研究,中子散射原理还在生命科学和医学领域有着重要的应用。

中子散射可以用来研究生物大分子的结构和动力学行为,比如蛋白质、核酸等生物大分子的结构和功能。

通过中子散射技术,可以揭示生物大分子在溶液中的构象和结构变化,为药物设计和疾病治疗提供重要的信息。

此外,中子散射原理还在能源和环境领域有着广泛的应用。

中子散射可以用来研究材料的热导率、热膨胀系数、核燃料的性能等,为新能源材料的设计和优化提供重要的实验手段。

同时,中子散射还可以用来研究环境污染物的分布和转化,比如土壤中的重金属离子、水体中的有机物等。

总之,中子散射原理是一种重要的物理现象,它在材料科学、物理学、生命科学、医学和能源领域都有着广泛的应用。

通过研究中子散射原理,可以深入了解物质的结构和性质,为材料设计、新能源开发和生命科学研究提供重要的实验手段和理论依据。

中子散射技术简介

中子散射技术简介

中子与电子的相互作用
磁矩:-1.913 µN ; 自旋: ½ • 与固体中未成对的电子自旋相互作用
• 散射长度与原子核散射长度接近
• 可极化,从而确切判断信号是否来源于磁
TbAgGe
4K 50 K
1000
Counts (arb. unit)
100
0
10
20
30
40
50
60

中子散射是探测自旋结构和自旋动力学的独特手段
探测器 1994年诺贝尔奖
三轴谱仪
IN8 @ ILL
三轴谱仪
IN22 @ ILL
三轴谱仪
播放三轴谱仪视频
三轴谱仪
一个点一个点的测量 IN22 @ ILL
三轴谱仪
Flatcone@ILL
三轴谱仪
analyser table with 11 single analysers
analyser shielding entrance
detector unit with 11 single detectors
探测器
中子源
样品
重混凝土
屏蔽:中 子和γ
配方:混 凝土、钢、 硼化物等
重量:几 吨至几十 吨
含硼聚乙烯、碳化硼
生物屏蔽墙
其他屏蔽
• 含硼橡胶 易剪切
• 镉板 易剪切
• Gd2O3稀释液 涂抹用
晶体单色器——布拉格散射
Flux
Flux
E
布拉格定律
E
nλ = 2dsinθ
材料: • 热解石墨 (信号强,容易调整,有高阶中子) • 铜 (适合高能 ) • 锗 或 硅 (无高阶中子,信号弱) • heusler合金 (极化中子)

(完整版)中子散射简介

(完整版)中子散射简介

15 – Spin Echo
14B - Hybrid Spectrometer – DOE Funded (SING) – Commission 2011
13 - Fundamental Phy Commission TBD
12 - Single Crystal Diffractometer – DOE Funded (SING) – Commission 2009
10
中子散射的重要性及国际现状
11
中子散射的重要性及国际现状
2 - Backscattering Spectrometer – SNS Funded – Commission 2006
3 - High Pressure Diffractometer – DOE Funded (SING) – Commission 2007
11A - Powder Diffractometer – SNS Funded – Commission 2007
12
什么是中子散射?
一束中子被样品散射后,通过测量其能 量和动量的变化来研究在原子、分子尺 度上各种物质的结构和微观运动规律。
在 欧 、 美 等 国 每 年 还 举 办 夏 日 学 校 (summer school)、工作短训班(training course)和研讨会 (workshop), 日本和印尼每年联合举办亚太地区研 究堆利用研讨会,中子散射是其中一项主要内容。 其目的都在于交换信息和培训人才。中子散射有自 己的专业杂志,中子散射的研究成果遍及物理、化 学、生物及材料等各种专业杂志。
3
中子散射的重要性及国际现状
中子散射技术自20世纪50年代奠基以来,一直受到极大 的重视并得到迅速发展。目前,它已广泛用于生物、医 药、物理、化学、高分子、冶金、材料和地矿等各种学 科及工业应用中。如在生命科学中,中子小角散射用来 研究分子尺寸大小、生物膜的结构、核糖体的形状、甚 至流行性感冒病毒的内在结构。化学家用中子散射检验 聚合物链重叠的程度、液晶的结构和行为、分子在自由 表面和液体与固体界面的位置和取向等。物理学家和冶 金学家用中子散射研究凝聚态物理和新型材料等活跃的 基础和应用学科。

中子散射法

中子散射法

中子散射法
中子散射法是一种研究物质微观结构和动态的理想工具。

中子散射既可以指自然发生的物理过程,也可以指使用自然过程来研究材料的人为实验技术。

在实验技术方面,中子散射法广泛应用于结晶学、物理学、物理化学、生物物理学和材料研究中。

中子散射技术用于研究物质静态结构和微观动力学性质。

它通过中子散射源提供不同强度的中子辐射,与凝聚态物质中的原子核相互作用,产生散射。

通过分析散射后的中子动量和散射截面,可以获得原子核的位置和动态信息,进而研究物质的微观结构和动态性质。

中子散射技术具有较高的探测灵敏度和分辨率,可以用于研究材料的相变、结构转变、原子振动、磁性和超导等性质。

此外,中子散射技术还可以用于研究生物大分子的结构和动力学性质,如蛋白质和DNA的结构与功能关系。

在实验方面,中子散射实验需要使用中子源和专门的实验设备,如中子散射谱仪和探测器。

同时,为了获得可靠的实验数据,需要进行精确的实验控制和数据处理。

总之,中子散射法是一种重要的研究物质微观结构和动态性质的实验方法,具有广泛的应用前景。

中子散射技术在材料表征中的应用研究

中子散射技术在材料表征中的应用研究

中子散射技术在材料表征中的应用研究中子散射是一种非常重要的分析技术,广泛应用于材料科学、生命科学、化学、物理、地球物理、工程和环境等多个领域。

其中,在材料科学领域,中子散射技术可以帮助研究材料的内部结构和性质,为新材料的设计和开发提供重要的支持。

本文将简要介绍中子散射技术在材料表征中的应用研究。

中子散射技术概述中子散射是通过中子与物质相互作用的过程,通过对散射中的中子的能量和方向进行测量,揭示物质的内部结构和性质的一种实验手段。

一般来说,中子散射技术包括弹性中子散射、非弹性中子散射和低能中子散射等多种不同的实验方法。

在这些实验方法中,弹性散射方法是最常用的一种方法。

在弹性散射方法中,采用中子束轰击材料,使散射中的中子改变能量和方向,通过测量散射中的中子能量和方向变化来揭示物质的内部结构和性质。

中子散射在材料表征中的应用中子散射技术有其特殊的应用范围和研究目标,特别是对于那些重要的结构信息、动力学信息和小分子与材料相互作用等方面的研究,中子散射技术能够提供非常有效的解决方法。

以下是一些具体的例子:1. 结构信息的研究中子散射技术可以用于研究材料的内部结构和分子排列,提供各种原子之间的信息。

例如,通过发射和散射到样品中的中子,可以了解样品的晶体结构。

此外,中子散射技术还可以用于研究不同材料的分子振动和转动。

通过测量样品的非弹性散射,可以获得与材料性质相关的热和动力学信息。

2. 动力学信息的研究中子散射技术可以用于研究材料中分子、原子、离子等之间的位置和运动的变化。

例如,通过散射中的中子测定分子的动力学行为,可以了解分子的运动速度和轨迹。

这为研究材料的变形、摩擦、结晶生长、纳米流体力学等提供了方法。

3. 小分子与材料相互作用的研究中子散射技术还可以用于研究小分子与材料之间的相互作用,以及它们如何通过中介物质达到相互作用。

例如,中子散射可以测量材料阻止小分子运动的过程,也可以测量材料和小分子之间的作用力,为解释复杂的生物和化学反应提供信息。

中子散射技术在材料科学中的应用

中子散射技术在材料科学中的应用

中子散射技术在材料科学中的应用材料科学一直是科学技术领域的重要分支之一,而中子散射技术则是材料科学中不可或缺的研究手段之一。

中子是介于光子和质子之间的粒子,具有较强的穿透能力和灵敏的成分分析能力。

在材料科学中,中子散射技术可以用于探测材料的晶体结构、原子结构及动力学特性等,为材料科学的研究提供了有力支持。

一、中子散射技术的原理中子散射技术是指利用中子与物质相互作用的特点,研究材料中原子与原子之间距离、相互排列顺序、运动方式及衍射成像等。

中子在物质中的传播会因为散射而产生一些有规律的变化,这些变化可以被记录下来并得出物质的结构信息。

中子散射技术的原理比较复杂,需要先了解一些基础概念,如晶体结构、衍射和散射等。

二、1. 晶体分析中子散射技术可以用来研究材料中晶体结构的细节信息,这对于材料科学的研究非常重要。

晶体结构的分析需要通过衍射实验获得晶体的结构信息,然后结合模拟技术和理论计算进行深入分析。

中子散射技术可以从非常小的角度探测晶体结构,可以对材料中的晶体结构进行非破坏性分析,这对于材料性能的研究具有重要意义。

2. 动力学研究材料的动力学研究可以帮助研究材料的变形、腐蚀、疲劳等问题。

中子散射技术可以通过研究物质中原子的位移、振动等信息,获得材料的动力学特性,为相关研究提供有力支持。

3. 氢同位素分析材料中氢的存在对其性质有很大影响,比如材料的电学性能、光学性能、化学性能等。

中子散射技术可以通过测量物质中氢同位素的分布和运动轨迹等信息,来研究材料中氢的运动、储存、传输等过程,从而深入了解材料性质的相关问题。

4. 磁性材料研究中子被磁场时会发生自旋散射效应,这种效应可以用来研究磁性材料中不同原子的磁性行为。

中子散射技术可以通过测量磁性材料中中子的散射强度、散射角度等信息,进一步了解材料中磁旋转、磁畴耦合等问题,有助于研发新型磁性材料。

5. 工业应用中子散射技术不仅是材料科学领域的重要研究工具,还可以应用于工业生产和质量控制中。

中子散射技术

中子散射技术

中子散射技术中子散射技术是一种重要的实验方法,广泛应用于材料科学、物理学、化学等领域。

本文将介绍中子散射技术的基本原理、应用和未来发展。

一、基本原理中子散射是一种有力的实验方法,其基本原理是通过用中子轰击样品,利用中子和样品原子之间的相互作用,获取样品结构和性质的信息。

中子是由原子核组成的,具有质量和电荷中性。

由于中子不带电荷,与样品原子的相互作用不受库仑力的干扰,可以直接探测样品内部的结构和性质。

中子散射技术主要包括弹性散射和非弹性散射两种。

弹性散射是指发射中子和散射后的中子具有相同的能量,只改变了方向和动量。

通过分析散射后中子的方向和能量变化,可以得到样品的晶格结构、原子间距离等信息。

非弹性散射是指发射中子和散射后的中子具有不同的能量,中子与样品发生了能量交换。

通过分析散射后中子的能量变化,可以得到样品的元激发、声子谱等信息。

二、应用领域中子散射技术在材料科学、物理学和化学等领域有广泛的应用。

在材料科学中,中子散射技术可以用来研究材料的结构、动力学行为和磁性等性质。

例如,可以通过中子散射技术了解材料的晶格结构、晶格动力学、位错行为等,从而为新材料的设计和合成提供重要的依据。

在物理学中,中子散射技术可以用来研究凝聚态物理的基本问题。

例如,可以通过中子散射技术研究液体的结构、相变机制、超导性和磁性等现象,从而揭示物质的微观性质和相互作用。

在化学领域,中子散射技术可以用来研究化学反应的动力学和机制。

例如,可以通过中子散射技术研究催化剂的活性中心、反应物的吸附和解离过程等,从而提高化学反应的效率和选择性。

此外,中子散射技术还可以应用于生物学、环境科学和地质学等领域。

例如,可以通过中子散射技术研究生物大分子的结构和功能关系,从而为药物设计和疾病治疗提供重要的依据。

三、未来发展中子散射技术在科学研究和工业应用中具有广阔的前景和巨大的潜力。

首先,随着中子源技术的进步,中子束流的强度和亮度将进一步提高。

这将使得中子散射实验的灵敏度和分辨率大幅度提升,从而可以研究更复杂、更细微的材料和系统。

中子散射技术

中子散射技术

中子散射技术中子散射技术是一种在物理、材料科学、生命科学等领域中广泛应用的非常重要的实验方法,它是通过向样品中投射中子,测量散射中子的特征参数,从而了解样品中的微观结构和性质。

下面将通过介绍中子散射技术的原理、分类、应用等方面,对中子散射技术做一个详细的介绍。

一、中子散射技术的原理中子散射技术是一种基于中子与物质相互作用的实验方法,它的原理基于以下两个方面:1.中子与物质相互作用:中子是一种不带电荷的粒子,与物质的相互作用主要包括散射、吸收和衰变等过程。

与样品中的原子核、电子等相互作用时,中子的能量和动量将发生变化,这就是中子散射的基本原理。

2.中子与样品相互作用的参数:中子散射实验中,通过测量中子的能量和散射角度等参数,可以确定样品中的原子、分子等物质结构的信息,例如样品中晶格的结构、分子间的相互作用力等。

二、中子散射技术的分类中子散射技术根据实验条件的不同,可以分为以下几种:1.时间分辨中子散射技术:该技术主要应用于研究样品中动态变化的过程。

通过对中子的到达时间进行测量,可以掌握样品中原子、分子等的运动情况。

2.能量分辨中子散射技术:该技术主要用于测量样品中原子核和电子的状态信息。

通过测量中子与样品相互作用后,中子的能量变化,可以得到样品中原子、分子等的内在能级结构信息。

3.角度分辨中子散射技术:该技术主要用于测量中子在样品中的散射角度。

通过角度分辨技术,可以掌握样品中原子、分子等的分布情况和结构信息。

三、中子散射技术的应用中子散射技术在物理、材料科学、生命科学等领域中应用非常广泛,例如:1.材料科学领域中,通过中子散射技术可以研究材料中晶格、晶界和晶面结构等信息;2.生命科学领域中,通过中子散射技术可以研究生物分子的构象、水合作用和相互作用等信息;3.物理学领域中,通过中子散射技术可以研究物质的相变、磁性和超导性等基本性质;4.环境科学领域中,通过中子散射技术可以研究地下水、雾霾和大气污染等问题。

中子散射 催化

中子散射 催化

中子散射催化
中子散射在催化研究中有重要应用,主要涉及以下几个方面:1.物质静态结构和微观动力学性质的研究:中子散射方法具有不带
电、穿透力强、可鉴别同位素、较之X射线对轻元素灵敏、具有磁矩等特点,可以从原子和分子尺度上研究物质结构和动态特性,了解催化剂的结构动力学/演变和相关的表面化学,有助于建立结构-催化关系。

2.中子振动光谱的应用:中子振动光谱是多相催化研究中最常用的
中子散射方法,能够提供关于表面/本体物质和反应化学的化学信息。

3.中子衍射和准弹性中子散射:这些方法可以提供关于催化剂结构
和表面物种动力学的重要信息。

4.小角度中子散射和中子成像:这些技术可以用于研究催化剂的微
观结构和动态行为,对于理解催化反应机理和提高催化剂性能具有重要意义。

总之,中子散射在催化研究中具有广泛的应用,对于深入理解催化反应的微观机制和优化催化剂性能具有重要的科学意义。

如需更多信息,建议咨询相关专家或查阅相关文献资料。

液态金属结构的测试方法

液态金属结构的测试方法

液态金属结构的测试方法引言:液态金属是一种特殊的材料,具有独特的物性和结构特征。

为了研究液态金属的性质和行为,科学家们发展了多种测试方法。

本文将介绍液态金属结构的测试方法,包括X射线衍射、中子散射、原子力显微镜等,以帮助读者更好地了解液态金属的研究技术。

一、X射线衍射X射线衍射是一种常用的测试液态金属结构的方法。

通过照射X射线束到液态金属样品上,利用样品中的原子散射X射线的特性来研究其结构。

X射线衍射可以提供关于原子间距、原子排列方式和晶体缺陷等信息。

该方法需要使用X射线源和探测器,通过测量衍射角度和强度来分析液态金属的结构。

二、中子散射中子散射是另一种常用的测试液态金属结构的方法。

中子是一种无电荷的粒子,与原子核发生散射时可以提供关于原子核和电子位置的信息。

通过照射中子束到液态金属样品上,利用样品中的原子核和电子散射中子的特性来研究其结构。

中子散射可以提供更详细的原子间距和原子位置信息,对于研究液态金属的微观结构非常有价值。

三、原子力显微镜原子力显微镜(AFM)是一种高分辨率的表面形貌测试方法,可以应用于测试液态金属的结构。

AFM利用探针与样品表面的相互作用力来获取表面形貌信息。

对于液态金属来说,AFM可以用来观察表面的结晶、晶界、缺陷等特征。

通过扫描液态金属表面,AFM可以提供高分辨率的原子尺度结构信息,有助于了解液态金属的微观结构和性质。

四、电子显微镜电子显微镜(EM)是一种常用的测试材料结构的方法,也可以应用于测试液态金属的结构。

电子显微镜利用电子束与样品相互作用来获取样品的形貌和结构信息。

对于液态金属来说,电子显微镜可以用来观察表面的形貌和内部的结构特征。

通过调节电子束的能量和角度,可以获得不同深度的结构信息,对于研究液态金属的结构具有重要意义。

五、同步辐射技术同步辐射技术是一种先进的材料结构测试方法,也可以应用于测试液态金属的结构。

同步辐射是指通过加速器加速带电粒子而产生的高能辐射。

中子散射技术的研究和应用

中子散射技术的研究和应用

中子散射技术的研究和应用近年来,中子散射技术的研究和应用取得了突破性进展。

中子是一种无电荷的中性粒子,与物质的相互作用具有一定的特性,能够提供许多重要的信息。

中子散射技术利用了这些特性,可以在微观和宏观层面探究物质的结构和性质,被广泛应用于材料科学、生命科学、物理、化学等领域。

1. 中子散射技术的原理中子散射技术是通过将中子束照射在样品表面或其内侧,观察中子与样品分子的散射现象,来推断样品的某些性质。

散射现象发生的主要原因是中子与样品分子之间的作用力:中子与样品分子靠近时,它们之间发生引力作用,使中子的运动轨迹发生偏转,从而散射出去。

由于不同物质结构之间的相互作用力不同,中子会在不同的空间、时间和动量下散射出不同的能量,这种谱线在适当的条件下可以提供样品结构和性质的信息。

2. 中子散射在材料科学中的应用中子散射技术在材料科学中有着广泛的应用。

例如,研究材料表面和界面的结构和组成,分析材料的分子结构和晶体结构,以及研究不同物质之间的相互作用力。

这种技术在材料科学中的应用包括:2.1 研究材料表面和界面利用中子散射技术可以研究材料表面和界面的结构和组成。

传统的表面分析方法通常只能分析表面的化学组成,而无法提供有关结构的信息。

中子散射技术可以提供不同深度处的信息,它可以揭示材料界面和表面的结构和动力学行为。

2.2 分析材料的分子结构和晶体结构利用中子散射技术可以分析材料的分子结构和晶体结构。

通过中子谱线的测量和解析可以得到材料中原子的位置和它们之间的相互作用力。

这种技术可以研究晶体的晶格常数、晶格弹性常数、晶格缺陷等,并提供有关材料的热力学性质和相变信息。

2.3 研究不同物质之间的相互作用中子散射技术可以研究不同物质之间的相互作用力。

例如,可以研究蛋白质与药物之间的相互作用;还可以研究材料的磁性、催化剂活性和润滑性,并提供有关材料在极端条件下(如高温、高压)的性质。

3. 中子散射在生命科学中的应用中子散射技术在生命科学中也有着广泛的应用。

中子散射简介

中子散射简介
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中子散射的重要性及国际现状
世界上用于中子散射的反应堆约有50座: 欧 洲有23座,美洲8座,亚太地区16座,俄罗 斯3座。散裂中子源5个。
欧洲一直处于中子散射研究的领先地位,日 本也后起直追发展很快。由丹麦、法国、德 国、瑞士、英国等国联合建造的新的欧洲散 裂源(ESS) 预计到2010年可投入运行。
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中子与中子源
稳态源: 目前多为反中子阱型反应堆。 通常装有冷中子源 (Cold Neutron Source) 最好还装有烫中子源 (Hot Neutron Source)
脉冲源: 一种是脉冲反应堆,如俄罗斯Dubna的 26
中子与中子源
Fission
• Chain reaction • Continuous flow • 1 neutron/fission
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中子散射的重要性及国际现状
11
中子散射的重要性及国际现状
2 - Backscattering Spectrometer – SNS Funded – Commission 2006
3 - High Pressure Diffractometer – DOE Funded (SING) – Commission 2007
中子散射简介
2005.5.17
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内容
中子散射的重要性及国际现状 中子散射的特点 中子与中子源 中子散射的基本概念 中子散射技术的应用及典型设备 我国中子散射的现状与未来
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中子散射的重要性及国际现状
当今人类的生活质量极大的依赖于我们对材料性能的了 解和控制, 而材料的性能最终取决于其微观结构。
1B - Disordered Mat’ls Diffractometer – DOE Funded (SING) – Commission 2010

中子散射

中子散射

中子散射方法测定结构中子是在二十世纪初被发现的. 中子和质子一样是组成原子核的基本粒子. 中子的质量与质子相近, 中子不带电荷但具有磁矩, 其自旋为1/2. 早在二十世纪三十年代, 就发现中子可以被散射. 但直到二十世纪中期, 核反应堆的建立提供了稳定的强中子源, 使得中子散射研究成为可能. 二十世纪八十年代散裂脉冲中子源的出现使人们可以得到更强的中子流. 由于中子散射研究的迅速发展及其在科学上的重大贡献, 1994年诺贝尔物理奖授予了中子散射领域的两位代表人物 C.G. Shull 和B.N. Brockhouse, 以表彰他们分别在中子弹性散射和非弹性散射领域做出的卓越贡献.3.11.10.1 中子散射的特点热中子(下面一般简称为中子)的波长与一般晶胞的线度相近, 可用来测定晶体结构和磁结构. 与X射线相比, 中子具有如下特点:z X射线的散射体是核外电子, 其相干散射长度与各元素的原子序数成比例; 而中子的散射体是原子核, 其相干散射长度与各元素的原子序数无关, 且各同位素因核结构不同而具有不同的相干散射长度. 因此中子散射可以精确测定较轻原子特别是H的位置, 也可区分元素周期表上的近邻原子, 还可以识别同位素.z中子具有磁矩, 是直接探测磁结构的唯一手段.z中子具有极强的穿透力, 适于研究在各种环境条件, 如高温, 低温及高压等, 下的结构及其变化.3.11.10.2 中子结构分析的基本原理3.11.10.2.1 晶体结构分析中子晶体结构分析的原理与X射线基本相同, 区别仅在于散射体不同.晶体产生中子衍射的条件是布拉格方程2 d Sinθ = λ式中d 为晶面间距, λ 为中子波长, θ 为入射角(=反射角).在此条件下可测到晶面间距为d, 晶面指标为 (hkl ) 的晶面产生的衍射强度I hkl , 它与结构因子F hkl 的模的平方成正比I hkl = k | F hkl |2式中, k 为常数, 其中包括洛伦兹因子, 吸收因子, 消光因子等. 温度因子的影响暂不考虑.结构因子F hkl 是复数, 其相角为 αhklF hkl =| F hkl | exp(i αhkl )结构因子与晶胞内各原子的关系为:F hkl =∑=nj 1b j exp{2π i (hx j +ky j +lz j)} 式中对一个晶胞中的所有原子求和, x j ,y j ,z j 是第 j 个原子在晶胞中的分数坐标, b j 是第 j 个原子的中子相干散射长度. 与X 射线不同, 由于是核散射, 中子的相干散射长度b 是常数, 不随角度或晶面间距而变化.结构因子F hkl 是晶胞内散射长度分布, 即晶体结构, 的傅立叶变换. 此傅立叶变换的反变换为:b j =∑hkl Fhkl exp{-2π i (hx j +ky j +lz j )}此式给出了相干散射长度随晶胞内位置的变化, 即晶体结构.衍射实验给出的是衍射强度. 由此可直接得到结构因子F hkl 的模. 因此寻找F hkl 的相角就成了晶体结构分析的核心内容.对于那些完全未知的结构, 一般需要利用单晶的衍射数据. 因为单晶的衍射数据是完全独立的, 信息量大, 利用直接法(中子散射长度的差别不大, 最适用于直接法)可以通过位相关系得到部分衍射的相角. 以此为基础, 利用傅立叶变换就可以得到部分原子的位置. 利用这些原子位置又可以得到更多的相角. 反复多次就可以得到绝大多数原子的位置. 差傅立叶法可以给出其余的原子位置. 依此为模型进行最小二乘法修正就可得到精确的晶体结构. 散裂脉冲中子源上的高分辨粉末衍射仪的分辨率很高, 其数据也可用来解出较小的未知结构.对于那些基本结构已知部分结构待定的晶体结构, 中子衍射研究的对象大多属于这一范畴, 分析方法较为简单. 在一般情况下, 模型法(基于晶体结构的初步模型, 对其进行修正的方法)可以解出晶体结构.3.11.10.2.2 磁结构分析中子磁矩与原子磁矩间的相互作用导致核散射之外附加的磁散射.正是中子散射揭示了在固体的原子结构中存在磁结构的概念. 由于磁性原子的磁散射长度与原子的核散射长度可以相比, 中子衍射可以精确测定磁结构. 本文简要介绍利用非极化中子测定铁磁和反铁磁材料的磁结构的基本原理.非极化中子使得核散射与磁散射之间不相干. 因此总的散射强度等于核散射强度与磁散射强度之和.| F hkl | 2 = | F hkl cry | 2 + | F hkl mag | 2式中F hkl cry 为(晶体学)结构因子, F hkl mag 为磁结构因子.F hkl mag =∑=nj 1q j p j exp{2π i (hx j +ky j +lz j)} 式中p 为原子的磁散射长度, 其数值与该原子的磁量子数和磁形状因子在该散射角的数值成正比; q 为磁相互作用矢量, 其方向取决于原子磁矩在反射面上投影的方向, 其数值等于原子磁矩与反射面法线间的夹角的正弦.与晶体学中的结构因子不同, 磁结构因子F hkl mag 是一矢量.从实验中得到的衍射强度中减去核散射的贡献就得到了磁散射的强度. 将此磁散射强度的实验数据与根据各种磁结构模型计算出的磁散射强度相比较可以解出磁结构.铁磁体的磁晶胞与晶体学晶胞相同, 因此磁衍射峰的位置与核衍射峰的位置完全重合. 反铁磁体的磁晶胞会在某个方向上为晶体学晶胞的两倍, 因此会出现衍射指标为半整数(如1/2, 3/2, …)的磁衍射峰. 这是由于用较小的晶体学晶胞来描述较大的磁晶胞而引起的.3.11.10.2.3 小角散射小角散射是指在直射束附近的散射. 利用波长为2~30Å的长波(冷)中子可以探测不同尺度上的不均运性, 其中包括缺陷的分布, 磁畴的大小, 聚合物和生物大分子的结构等. 在下文中这些研究对象统称为颗粒.小角散射中包括衍射和折射两部分, 其比率取决于中子穿过颗粒引起的位相变化与中子穿过同样长度的真空引起的位相变化之间的差值Φ,Φ = (4π / λ) (1- n) R p式中λ为中子波长, n 为颗粒的中子折射率, R p 为颗粒的半径.当Φ>>1 时, 折射占主导地位, 散射峰的展宽只与颗粒数相关, 而与颗粒大小无关.当Φ<<1 时, 衍射占主导地位, 散射峰由两部分组成: 一部分是直接穿过的中子, 另一部分是衍射峰. 后者出现的展宽与颗粒的半径相关. 依此可以得到颗粒的大小和形状.衍射峰上每一点的强度I 与峰值强度I0的关系为I = I0 exp (-Q2 R2 / 3 )式中Q = 4π Sinθ / λR 被称为参与散射的颗粒的回旋半径.利用log I - Q2 图可以得到R2. 一个圆球的回旋半径为其半径的5/3倍.R2 定义为每个原子到通过颗粒的重心且与散射矢量平行的轴的距离的平方的散射长度加权平均值.R2 = ∑b i r i2 / ∑b i利用此公式可对颗粒大小及形状的各种模型计算出相应的R2 来与实验值进行比较, 以确定颗粒的结构.3.11.10.3 中子散射实验3.11.10.3.1 中子源(1) 反应堆中子源核反应堆能够提供稳定的热中子流来进行中子散射研究. 反应堆中可以安装冷源和烫源, 他们可以使那些通过他们的中子的波长分布发生变化. 冷源可以增加长波(冷)中子的通量, 烫源可以增加短波中子的通量.(2)散裂脉冲中子源加速器用来加速脉冲质子. 当质子达到一定的能量后, 被用来轰击重金属靶以产生脉冲中子. 经慢化器后, 脉冲中子可用来进行中子散射研究. 通过不同慢化器的脉冲中子的波长分布是不同的, 分别适用于不同的谱仪.3.11.10.3.2谱仪(1)反应堆中子源上的谱仪a.粉末衍射仪对反应堆上的粉末衍射仪而言, 在一次实验中波长λ保持不变. 因此探测器的扫描角度2θ对应于相应的晶面间距d. 当2θ远离衍射峰时, 探测到的是本底; 而2θ在衍射峰上时, 探测到的是衍射峰上一点的中子计数, 一个衍射峰上全部测点的计数之和对应于该峰的衍射强度.中子粉末衍射谱中包含了全部晶体学和磁结构的信息, 但 d 值相同或相近的衍射峰会出现不同程度的重叠, 降低了提取信息的能力. 中子粉末衍射谱能提供基本的晶体学信息, 如晶胞参数和对称性, 也能给出磁结构的基本模型, 为单晶结构分析打下基础. 在结构分析中, 一般用于基本结构已知, 部分参数待定或结构精修的研究.粉末衍射仪要求粉末样品尽可能做到各向同性, 以保证衍射峰强度比的真实性和结构的可靠性. 圆柱形样品管有利于做到这一点. 现在各结构分析程序都能对各相异性做出修正, 但只是某种程度上的近似. 对于那些特殊形状的样品, 如针状或片状, 无法做到各向同性, 只能依靠程序来修正. 样品量要求较大, 一般为几个立方厘米, 这取决于谱仪和样品种类.基本构件:z单色器用来选择所需波长的中子. 通常采用提高单晶嵌镶度的方法, 适当牺牲分辨率来提高中子通量. 近来聚焦单色器得到广泛应用.z准直器用来选择合格的中子, 提高谱仪的分辨率;z计数器用来接收中子. 为了提高计数效率, 多探头探测器(包括准直器) 得到广泛应用. 位置灵敏计数器的计数率较高, 但分辨率较低.b.单晶衍射仪单晶的优点在于可以单独测量每个衍射峰, 没有粉末衍射中的重叠现象. 单晶中子衍射中影响强度的主要因素是次级消光. 通常要求单晶的大小适中(取决于谱仪和样品种类), 线度一般为几个毫米, 且三个方向上差别不要太大. 要求单晶的嵌镶度较大. 这可以通过在液氮中急冷等方法来实现. 单晶衍射仪的特点是它的样品架可以绕几个轴旋转, 使得单晶的一些晶面分别转到特定的方位来观测其衍射峰. 例如四园衍射仪, 欧拉环可将单晶的所有晶面自动就位进行测量. 由于每个衍射峰都是单独测量的, 因此精度高, 信息量大. 可以精确测定晶体结构和磁结构. 特别适于测定未知的晶体结构.c.小角衍射仪基本构件:z冷源用于得到长波(冷)中子.z中子导管避开直射束, 截断热中子, 使冷中子无损失的传输.z机械速度选择器选出所需波长的中子.z探测器目前通用二维位置灵敏探测器.(2)散裂脉冲中子源上的谱仪飞行时间法经加速器加速到一定能量的脉冲质子轰击重金属靶可以产生脉冲中子. 每个脉冲都是由各种波长的中子组成的. 慢化器用来改变中子的波长分布, 以适应各种研究的需要. 不同波长的中子具有不同的速度, 因此不同波长的中子从慢化器出发经样品散射到计数管所用的时间不同. 这种利用测量从慢化器到计数器中子飞行的时间来得到波长的方法被称作飞行时间法. 飞行时间法的主要优点是分辨率高, 且一个脉冲中的中子基本上(除去两端的延伸部分, 特别是特短波长部分)都可以得到利用.a. 粉末衍射仪根据布拉格方程, 对于一个固定的θ角, 晶面间距d与波长λ成正比. 因此, 利用固定的探测器, 通过测量中子的飞行时间就可以得到对应于晶面间距d值的中子衍射谱. 粉末衍射仪一般装有三组固定的探测器, 每一组都由多个探测器组成以提高计数率. 背散射探测器可得到最高的分辨率, 90ο探测器适用于有环境条件的测量. 低角度探测器适于较大分子的测量. 散裂脉冲中子源上的粉末衍射仪的主要优点是高分辨率和高通量. 高分辨衍射仪需要较长的中子飞行距离, 谱仪需要安置在距中子靶站较远的地方. 目前最高的分辨率达到∆d/d=4x10-4, 且不随d 值而变化. 这样的高分辨率不但能提供更多的更高精度的结构参数, 而且能解决一些原先只有单晶才能解决的问题, 例如解出完全未知的晶体结构. 高通量衍射仪距靶站较近. 由于每一个脉冲的中子基本上都得到利用, 样品处得到较高的中子通量. 这种衍射仪可以测量较小的样品, 一些衍射仪的样品量可以小於1克. 对于较大的样品测量时间就很短, 这也使得某些实时测量成为可能.基本构件z探测器一般分为三组: 背散射, 90ο, 低角度.z斩波器用来清理本底, 整理每个脉冲和防止相邻脉冲间的重叠.z中子导管一般用于飞行距离较远的高分辨谱仪, 以减小中子的损失.b. 单晶衍射仪散裂脉冲中子源上的单晶衍射仪利用飞行时间劳埃技术, 在一次单独的测量中可以探测到三维倒易点阵的一个很大的部分. 在脉冲中子的波长范围之内, 任何方向的晶面(具有特定的d和θ值) 都会将波长λ符合布拉格方程的中子反射到特定的方向, 并被计数器记录下来. 这样就得到了与每个d值相应的衍射强度. 由于一个脉冲中的中子的波长是连续的, 被探测到的这部分三维倒易点阵中的衍射信息, 如峰的劈裂, 超点阵峰等, 将一览无遗. 这使得散裂脉冲中子源上的单晶衍射仪在涉及到纵观倒易点阵的研究, 例如相变和无公度结构等, 中起到特别重要的作用. 对于那些单晶样品的方向受到限制的结构分析测定, 这种单晶衍射仪是特别适用的.基本构件z样品台可使单晶样品转到任何方向来测量一组劳埃衍射数据.z探测器记录劳埃衍射数据.主要应用z结构测定(包括氢原子定位).z漫散射(高温导致的无序, 缺陷导致的无序, 短程有序的磁结构等. )z相变(包括对称性的变化, 超晶格反射等).z无公度结构.c.小角衍射仪与反应堆上的小角衍射仪相比, 其特点是只采用飞行时间法.3.11.10.4 数据分析结构分析一般需要专业研究人员来进行. 有关知识请见有关专著.参考文献Neutron Diffraction (Third Edition) G.E. Bacon Clarendon Press Oxford 1975。

中子散射技术在材料科学研究中的应用

中子散射技术在材料科学研究中的应用

中子散射技术在材料科学研究中的应用材料是现代科技的基础,包括建筑材料、电子材料、医用材料等,都是人类社会发展的必要条件。

如何在制备高质量材料的同时,提高其性能和应用范围,是材料科学家一直在不断探索的方向。

而中子散射技术作为一种快速、非破坏性、准确的测试手段,被广泛地运用于材料科学研究中。

一、中子散射技术的基本原理中子散射技术是利用中子束的一些性质,来研究物质结构和性质的一种方法。

中子是一种不带电的粒子,具有波粒二象性,波长约为0.1纳米。

在散射表面或内部时,会与原子核或电子发生相互作用,导致它的波长发生改变,这就是所谓的中子散射效应。

二、1.材料结构分析中子散射技术可以用来分析材料的结构,它可以提供材料中原子的位置、振动和自旋的信息。

在材料制备和加工过程中,中子散射技术可以用来检测材料中的缺陷或瑕疵,以确定材料的牢固性和性能。

例如,中子散射技术可以用来确定钢中的碳浓度和晶体结构,以及铝合金中的晶粒大小和分布。

2.材料性质研究中子散射技术可以用来研究材料的物理性质,如磁性、电性、超导性等。

例如,在超导体的研究中,中子散射技术可以用来确定超导体的结构和磁性,以及超导体中电子的运动情况。

在固体燃料电池的研究中,中子散射技术可以用来研究电离质输运的机制,以及材料与离子交互的方式。

3.材料性能测试中子散射技术可以用来测试材料的性能。

例如,在超导体的研究中,中子散射技术可以用来测试超导体的临界电流密度和临界温度,以确定超导体的性能。

在材料的弹性和塑性变形的研究中,中子散射技术可以用来测试材料中晶格的变化和畸变,以评估材料的力学性能。

三、中子散射技术在实际应用中的例子1.材料学中的固体润滑剂利用中子散射技术,材料学家可以研究固体润滑剂的结构和性能。

如韦普和卢杰克等人使用中子散射技术,研究了锂质固体润滑剂对金属表面的润滑效果。

他们发现,固体润滑剂可以形成一个均匀分布在金属表面上的薄膜,有效地减少了表面之间的摩擦和磨损。

中子散射技术

中子散射技术

中子散射技术中子散射技术是一种非常重要的物理分析方法,它可以用于研究物质的结构、物性、动力学等方面。

中子散射技术有很多应用,例如在材料科学、生物医学、化学等领域都有广泛的应用。

本文将介绍中子散射技术的原理、仪器、应用以及未来发展方向。

一、中子散射原理中子是原子核中的一种粒子,它的电荷为零,质量为1.0087u。

中子在物质中的散射过程是由于中子与物质中的原子核相互作用所引起的。

中子散射的过程中,中子会与物质中的原子核发生相互作用,从而改变中子的运动方向和能量。

中子被散射的方向和能量的变化可以反映出物质的结构和运动情况。

中子散射主要有弹性散射和非弹性散射两种。

弹性散射是指中子与物质中的原子核碰撞后,只改变了方向和能量,而没有改变内部结构。

非弹性散射是指中子与物质中的原子核碰撞后,改变了内部结构,从而改变了中子的能量和方向。

这种散射可以用来研究物质的结构和动力学等方面。

二、中子散射仪器中子散射实验需要用到专门的仪器,包括中子源、样品台、散射探测器等。

中子源可以是核反应堆或者加速器,一般使用反应堆中子源。

样品台是用来放置样品的平台,可以旋转或者倾斜,以便于调整散射角度。

散射探测器可以分为时间探测器和空间探测器两种,时间探测器用于测量中子的时间分布,空间探测器用于测量中子的散射角度和位置。

中子散射仪器的性能决定了中子散射实验的精度和分辨率。

目前,国内外已经开发了很多种中子散射仪器,例如旋转散射仪、四面体散射仪、时间飞行散射仪等。

这些仪器可以用于不同类型的中子散射实验,例如结构分析、动力学研究、磁性研究等。

三、中子散射应用中子散射技术在材料科学、生物医学、化学等领域都有广泛的应用。

以下是一些典型的应用案例。

1、材料科学中子散射技术可以用来研究材料的结构和性质。

例如,可以通过中子散射实验研究材料的晶体结构、分子结构、晶格动力学等方面。

中子散射还可以用来研究材料的磁性、超导性等特殊性质。

中子散射技术在材料科学中的应用非常广泛,可以用于研究各种材料的性质和应用。

中子散射技术及其应用

中子散射技术及其应用

中子散射技术及其应用
中子散射技术是一种利用中子与原子核或原子之间的相互作用进行研究的方法。

中子是有质量无电荷的粒子,与电子和光子等粒子相比,中子具有更好的穿透能力,可以深入物质内部进行探测。

中子散射技术主要包括弹性散射和非弹性散射两种形式。

弹性散射是指中子与样品中原子核或原子发生碰撞后,能量守恒、动量守恒,中子不改变能量也不改变方向的散射过程。

通过测量散射中子的散射角度和动量转移,可以得到关于样品内部结构、原子间距、磁性等信息。

非弹性散射是指中子与样品中原子核或原子发生碰撞后,能量不守恒,中子在散射过程中发生能量转移的散射过程。

通过测量散射中子的能谱和散射角度等参数,可以得到关于样品内部结构、振动模式、激发态等信息。

中子散射技术广泛应用于材料科学、物理学、生物学、化学等领域。

在材料科学中,可以利用中子散射技术研究晶体结构、非晶态材料的结构和动力学行为,以及磁性材料的磁性结构等。

在生物学中,中子散射技术可以用来研究生物大分子的结构、构象和动力学行为,例如蛋白质的折叠过程、膜蛋白的结构等。

在化学中,可以利用中子散射技术研究分子的结构和动力学行为,例如液体中分子的运动、扩散等。

此外,中子散射技术还可以应用于材料缺陷的研究、催化剂的研究、核材料的表征、氢的扩散和储存等方面。

由于中子具有
很好的穿透能力和与原子核的强相互作用,中子散射技术在这些领域具有独特的优势。

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15 cm 厚
中子过滤器—PG过滤器
热解石墨(Pyrolytic Graphite)过滤器
极化中子
中子带有1/2自旋⇒sz的本征值是±1/2ħ 极化中子:所有中子束中中子处于其中一个本征值
定义算符σ = 2s/ħ
对于束流中第j个中子,定义如下矢量
中子的极化
对于α方向的极化,定义 其中n+是+1/2本征态的中子数 因此 0 ≤ |P| ≤ 1
– ~10-15 m << 热中子波长=>“点”相互作用 – 仅存在s波分量,各项同性=>散射可以用一个
参量表示:散射长度b (~ 10-14 m)
散射截面为4πb2
中子 => 足球 门柱 => 原子
两个门柱之间距离将大 于 10,000 m
中子与原子核相互作用
• X射线散射截面随原 子序数增加而增加 • 中子散射截面无规律 • 研究较轻元素时(H、 O、C)更好的选择 • 同位素散射截面不同
guides for detector shielding
+11° +15°PSD detector
16°

Cd guides
-37°
position for the slit system
-90°
analyser crystals
--- schematic drawing of the rays
通量 n/(cm2·s) 1.2 × 1015
8 × l014
8 × l014
中国的中子源——中国散裂源
2017.2
中子的慢化
水或重水: ~300 K ⇒ Thermal neutrons
液氢:
~20 K ⇒ Cold neutrons
石墨: ~2400 K ⇒ Hot neutrons
中子源的能量分布
中子过滤器—快中子过滤
10cm厚 利用单声子和多声子过程吸收快中子
中子过滤器—共振过滤器
用于高阶中子过滤(仅用于高能)
中子过滤器—Bragg过滤器
nλ=2dsinθ ⇒ λcutoff = 2dmax 其中dmax是最大的d-spacing 超过λcutoff的将穿透 ⇒ 过滤低于λcutoff的中子
反射谱仪
反射谱仪
NG7 @ NIST
反射谱仪
尤其是磁性多层膜
残余应力谱仪
残余应力谱仪
铁轨中应力的变化
四、3.谱学谱仪
• 三轴谱仪 • 时间飞行谱仪 • 反向散射谱仪 • 自旋回波谱仪
三轴谱仪
Flux
Flux
Flux
Flux
E
中子源
E
单色器
单色器
分析器
E
样品
E
分析器
“三轴”
样品
B. N. Brockhouse
• 任意形状、 很大或很小面 积
• 效率高、速 度快
• 较难区分中 子和γ射线
三、中子束流的控制
• 中子谱仪的屏蔽 • 晶体单色器 • 斩波单色器 • 中子速度选择器 • 中子准直器 • 中子镜子和导管 • 中子过滤器 • 极化中子
中子谱仪的屏蔽
屏蔽的目的:人身安全;降低背景 屏蔽的种类:中子;γ射线
中子源—中子产生的方式
反应堆(连续源)
散裂源(脉冲源)
中子源
ILL—反应堆中子源
ISIS—散裂中子源
中国的中子源
绵阳堆 绵阳
中国先进研究堆 CARR, Beijing
中国散裂源 CSNS, Beijing
中国的中子源——中国先进研究堆
主要参数
ILL CARR FRM-II
功率
57 60 20
θc = mθcNi
中子镜子和导管
CARR 弯曲导管降低噪音
中子镜子和导管
中子导管的应用极大增加了冷中子谱仪数量
中子过滤器—噪音的来源
• 快中子 高能中子经多次反射后被探测
• 高阶中子
晶体单色器、分析器等
nλ=2dsinθ
n = 1:
θ⇒λ
n = 2:
θ⇒λ/2
n = 3:
θ⇒λ/3
……
需要在中子束流中放置过滤器
相干与非相干散射
b = A + Bσ⋅I b: 散射长度; I: 原子核自旋 σ: 中子的Pauli自旋算符; A、B: 依赖于同位素的常量
中子与原子核或自旋相互作用后不完全干涉
相干散射(Bragg散射、声子、自旋波):
σ coh = 4π b 2
非相干散射(漫散射、晶体场、超精细场劈裂导致的原
子核激发、Stoner激发):
探测器
中子源
样品
重混凝土
屏蔽:中 子和γ
配方:混 凝土、钢、 硼化物等
重量:几 吨至几十 吨
含硼聚乙烯、碳化硼
生物屏蔽墙
其他屏蔽
• 含硼橡胶 易剪切
• 镉板 易剪切
• Gd2O3稀释液 涂抹用
晶体单色器——布拉格散射
Flux
Flux
E
布拉格定律
E
nλ = 2dsinθ
材料: • 热解石墨 (信号强,容易调整,有高阶中子) • 铜 (适合高能 ) • 锗 或 硅 (无高阶中子,信号弱) • heusler合金 (极化中子)
中子
X射线
优点
缺点
能量低
径向发散源
体穿透
弱源
磁矩
弱相互作用
同位素替换 需要大样品
可以获得绝对量 屏蔽更困难
分辨率易计算
谱仪多样化
样品环境多样化
优点 源很强 仅需小束流
ki大
缺点 和电子作用 穿透浅 需要高分辨率 弱磁相互作用 谱仪少
祸兮福所倚,福兮祸所伏
中子散射的测量范围
中子散射的应用范围
二、中子的产生与探测
探测器 1994年诺贝尔奖
三轴谱仪
IN8 @ ILL
三轴谱仪
IN22 @ ILL
三轴谱仪
播放三轴谱仪视频
三轴谱仪
一个点一个点的测量 IN22 @ ILL
三轴谱仪
Flatcone@ILL
三轴谱仪
analyser table with 11 single analysers
analyser shielding entrance
“翻转”中子极化
ωL
B
S N
极化中子的实验方案
单轴极化中子实验方案
cryopad
观测任意方向的极化信息
ห้องสมุดไป่ตู้
四、1. 中子照相谱仪
中子照相谱仪-放大技术
中子照相谱仪-实例
X射线和中子对Hercules雕像照射的比较
中子照相谱仪-实例
中央木质茎中螺旋叶状结构 2.6亿年前陆地动物就可以听
中子照相谱仪-实例
中子: 发现(1932,Chadwick,1935 Nobel)
⇒晶体布拉格散射(1936, Mitchell & Powers) ⇒中子散射谱仪(1946-1962, Shull & Brockhouse, 1994 Nobel —— 工作时间到得奖最长的)
原因何在?——中子散射技术发展缓慢
中子散射与X射线散射比较
σ inc
=

b
2
− 4π
2
b
中子散射基本公式
动量守恒:
能量守恒:
弹性散射: 当Ei = Ef 或 ki = kf时
非弹性散射: 当Ei ≠ Ef 或 ki ≠ kf时
ħQ : 转移到晶体的动量 Q = ( H, K, L) 为晶格倒 空间波矢
中子散射基本公式
中子散射强度直接对应磁矩在空间和时间上的关联情况
中子与电子的相互作用
磁矩:-1.913 µN ; 自旋: ½ • 与固体中未成对的电子自旋相互作用
• 散射长度与原子核散射长度接近
• 可极化,从而确切判断信号是否来源于磁
TbAgGe
4K 50 K
1000
Counts (arb. unit)
100
0
10
20
30
40
50
60

中子散射是探测自旋结构和自旋动力学的独特手段
中子的基本特性
上夸克(u):电荷+2/3;自旋 +1/2 下夸克(d) : 电荷-1/3; 自旋 -1/2
质子 电荷 : e 自旋:½ 磁矩:2.793 µN
中子 电荷 : 0 自旋:½ 磁矩:-1.913 µN
James Chadwick, 1932 (1935 诺贝尔奖)
中子的波粒二相性
m = 1.675 × 10-24 g = 1.008 amu 粒子性:E = ½ mv2 波动性:E = h2k2/8π2m, k = h/λ ⇒ 当E = 25 meV 时,λ = 1.8088 Å 热中子 (Thermal neutrons): E ~ 10 - 100 meV 烫中子(Hot neutrons):100 meV < E < 500 meV 冷中子 (Cold neutrons): E < 10 meV
detector unit with 11 single detectors
中子散射基本公式 播放中子探测自旋波视频
X-射线和中子散射谱学的发展
X-射线: 发现(1895,Röntgen,1901 Nobel)
⇒晶体散射(1912,Laue,1914 Nobel) ⇒晶体布拉格散射(1913, Bragg父子, 1915 Nobel) ⇒X-射线谱学(Siegbahn,1924 Nobel)
中子散射技术简介
内容
一.中子散射应用概括与特点 二.中子的产生与探测 三.中子束流的控制 四.几种谱仪的介绍 五.中子散射实验的一些考虑 六.一些中子散射的例子 七.总结
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