内存主要参数
DDR 内存参数
一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。
CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL）RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间”二、DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级：DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4三、SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。
当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。
内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。
因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。
CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。
不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
内存指标参数
内存指标参数是评估计算机内存性能的一组参数。
它们包括：
1. 容量：内存的总大小，通常以GB（吉字节）或MB（兆字节）为单位。
2. 速度：内存访问数据的速度，以MHz（兆赫）为单位。
更高的速度意味着更快的数据访问。
3. 延迟：内存访问数据所需的时间，以纳秒（ns）为单位。
较低的延迟意味着更快的数据访问。
4. 刷新率：内存刷新其内容以防止数据丢失的频率，以Hz （赫兹）为单位。
5. 容量带宽：内存每单位时间可以传输的数据量，以GB/s （吉字节/秒）为单位。
6. 存储密度：内存中存储的数据量与物理尺寸的比例。
7. 功率消耗：内存运行所需的电力，以瓦特（W）为单位。
这些参数在评估和比较不同内存模块的性能和效率时很重要。
内存参数
内存内存的主流品牌目前市场上的主流品牌有金士顿（Kingston）、金邦（GEIL）、宇瞻（Apacer）、微刚（ADATA）、刚胜（Kingmax）、现代（Nynex）、三星（Samsung）、海盗船（Corsair）、芝奇（G.skill）、OCE、金泰克等。
这些内存采用的工艺略有不同，性能上也多少有些差异。
内存的分类现在市场上内存可以分为两种。
①SDRAM：SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC150等规格，目前的SDRAM都是以168Pin DIMM的内存模块出现。
②DDR SDRAM：DDR是指Double Data Rate，它的传输速率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。
DDR插槽与SDRAM插槽两侧的线数不同，DDR应用184pins（针脚）。
因此，DDR内存和SDRAM的内存不能换插。
DDR I的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；DDR333，工作频率从为166MHz；DDR400，工作频率为200MHz。
现在DDRII正在逐渐占领主流市场，其频率在533MHz以上。
从长远来说，DDRII最终会取代DDR 1，但就目前来说，DDRII的优势还不是特别明显，虽然在频率上有很大提高，但是在时间延迟上却长于DDR400，所以目前的DDR400和DDRII（533）性能差不多，除非选择高端的DDR II（800）。
预计DDRIII将在不久的将来正是面世，工作电压将下降，并且将会使用更新的信号技术，实现更高的宽带，初始频率预计将达到800MHz，甚至更高。
内存的主要性能参数①容量每个时期的内存条的容量都多种规格、例如，早期的30线内存条有256KB、1MB、4MB等容量，后来72线的EDD内存有4MB、8MB、16MB等容量，目前流行的168线SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GB等。
内存参数的详细介绍
内存参数的详细介绍1.工作频率内存的工作频率即该内存的标准规范。
例如PC100标准的内存频率是100MHz，PC133的频率是133MHz。
而DDR内存它是在SDRAM内存基础上发展起来的，由于它是在同频的SDRAM的基础上的数据双倍传送，那么它的带宽就比同频的SDRAM多一倍，例如DDR266内存它以133MHz运行时其实际工作频率就是266MHz，带宽就是2.1GB/S。
如果你要买一根DDR333的内存，商家却拿了一根DDR266的给你，比较简单可行的辨别办法是，可从DDR内存的存取时间上来了解，例如-7和-7.5纳秒的一般为DDR266的内存，-6纳秒的一般为DDR333的内存，-5纳秒一般为DDR400内存。
而DDR的后续标准DDRII同DDR相比更加先进，它在DDR数据双倍传送的基础上发展成为数据四倍传送，比DDR又快了一倍!如果同样运行在133MHz的外频下，其工作频率为532MHz/S，它的带宽就可达4.2GB/S。
2.CAS值大家知道，内存有个CASColumn Address Strobe，列地址选通脉冲延迟时间，内存在存储信息时就象一个大表格一样，通过行Column和列Row来为所有存储在内存里的信息定位，CL就是指要多少个时钟周期后才能找到相应的位置。
对于SDRAM而言一般有2和3两个值选择，而DDR内存可分为2和2.5两种。
CAS值越小越好，也就是说DDR内存值为2的产品性能要好于2.5的产品，如果你需要的是CAS 值为2的产品，那么大家在选择时要注意JS用2.5的产品做2的产品来卖给大家可实际使用或用内存测试软件进行测试。
3.内存的标示常识此外，了解一些DDR内存芯片的编号知识也能让大家更深的了解DDR内存。
下面我们就以最常见的HY的DDR内存为例为大家做一讲解：HY XX X XX XX XX X X X X X-XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111：代表HY的厂标2：为内存芯片类型—5D：DDR SDRAMS3：工艺与工作电压—V：CMOS，3.3V;U:CMOS，2.5V4：芯片容量和刷新速率—64:64MB，4kref;66:64MB，2kref;28:128MB，4kref;56:256MB，8kref;12 :512MB，8kref5: 芯片结构数据宽度—4：X4数据宽度4bit;8:x8;16:x16;32:x326：BANK数量—1:2BANKs;2:4BANKs7：I/O界面—1:SSTL_3;2:SSTL_28：芯片内核版本—空白:第一代;A:第二代;B:第三代;C:第四代9：能量等级—空白:普通;L:低能耗10：封装形式—T:TSOP;Q:TQFP;L:CSPLF-CSP;F:FBGA11：工作速度—33:300MHz;4:250MHz;43:233MHz;45:222MHz;5:200MHz;55:183MHz;K:DDR266A;H:DDR266B; L:DDR200感谢您的阅读，祝您生活愉快。
电脑硬件配置参数说明
电脑硬件配置参数说明1.主机（主板）配置参数：主机是电脑的核心部件，决定了电脑的性能和可扩展性。
主机的配置参数包括主板型号、芯片组、接口类型和数量等。
主要参数包括：-主板型号：主板型号是主板的唯一标识符号。
不同型号的主板拥有不同的性能和功能，也会影响到电脑的扩展能力。
- 芯片组：芯片组是主板上的一组芯片，负责控制电脑的各个子系统，如内存、显卡、硬盘接口等。
常见的芯片组有Intel的H系列、B系列和Z系列等。
-接口类型和数量：不同的主板具有不同的接口类型和数量，如USB接口、SATA接口、PCIe接口等。
这些接口会限制电脑外部设备的连接数量和速度。
2.内存配置参数：内存是电脑用来暂存数据和程序的主要存储器，直接决定了电脑的运行速度和多任务处理能力。
主要的内存配置参数包括：-内存容量：内存容量决定了电脑同时运行多个程序或处理大量数据时的性能。
常见的内存容量有4GB、8GB、16GB等。
-内存型号：内存型号决定了内存的规格和性能，如DDR3、DDR4等。
-内存频率：内存频率是内存模块完成一次数据传输的速度，单位是MHz。
内存频率越高，性能越好。
3.处理器配置参数：处理器是电脑主要的计算和控制中心，决定了电脑的整体性能。
处理器的配置参数包括：- 处理器型号和系列：处理器的型号决定了其性能和功能，如Intel的酷睿i5、i7等系列。
-核心数量：核心数量决定了处理器同时执行多个任务的能力，一般有双核、四核、六核、八核等。
-主频：主频是处理器完成一次计算的速度，单位是GHz。
主频越高，处理器性能越好。
4.图形卡（显卡）配置参数：图形卡是电脑负责图形处理和显示的重要硬件部件，对于图形渲染、游戏等有很大的影响。
图形卡的配置参数包括：- 图形芯片型号：图形芯片是图形卡的核心，不同型号的图形芯片性能差异较大，如NVIDIA的GTX系列、AMD的Radeon系列等。
-显存容量：显存是图形卡用来存储和处理图像数据的内存，影响图形处理性能。
内存参数计算
内存参数计算在计算机科学和IT领域，内存是非常重要的一部分。
通过掌握内存的相关参数，可以更好地配置、优化和管理系统的性能。
内存参数包括物理内存、虚拟内存、页框和页面等等，下面就详细地介绍并计算相关内存参数。
1. 物理内存物理内存指的是计算机上实际安装的内存条的大小，一般以GB为单位来表示。
在使用计算机时，可以通过查看系统属性或使用Task Manager来了解自己电脑的物理内存大小。
确定物理内存大小可以帮助我们了解系统的硬件限制，并且在使用各种应用程序和操作系统时帮助调整内存使用。
2. 虚拟内存虚拟内存是一种操作系统机制，它可以通过使用硬盘上的空间模拟额外的内存。
虚拟内存空间大小是由操作系统自动管理的，并且可以配置。
在Windows系统中，可以从“控制面板”->“系统和安全”->“系统”->“高级系统设置”->“性能设置”中找到虚拟内存的选项。
虚拟内存的作用是增加操作系统的可用内存，以便更好地管理和运行大型应用程序或多个程序。
3. 页框页框是操作系统中用于管理物理内存空间的单位，一般大小为4KB。
在64位计算机中，页框的大小为8KB或16KB。
操作系统会将内存空间分成一系列的页框，每个页框都有一个内存地址，以便程序可以访问其内容。
操作系统利用页框来管理内存，确保一次只有一页框被加载到物理内存中，以减少内存碎片化。
4. 页面页面是指程序执行时所需的内存空间。
操作系统会将程序的每个页面映射到物理内存空间中的一个页框，以便程序可以访问这个页面。
页面的大小是固定的，一般为4KB或8KB。
程序中使用的页面通过页表进行管理，页表包含了程序所需的所有页面的信息，以便操作系统可以正确地将页面映射到页框中。
为了计算内存参数，我们需要了解以下几个关键概念：1. 可用内存：指计算机中空闲的可供使用的内存空间。
2. 内存使用率：指当前计算机使用的内存和总内存的比率。
3. 虚拟内存空间大小：指操作系统配置的虚拟内存空间大小。
内存参数讲解
1.内存的单面与双面，单Bank与双Bank的区别？
单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。
先说说最有效提高你机器内存性能的几个参数：CL，TRP，TRCD
CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期” BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay，这个值一般是1.5~3之间，一般体质较好的能达到2（1.5好像没见过，嘿嘿），偶用的kingmax ddr333就能上到这个值，值越低表示内存传输数据所需时钟周期越短，当然性能也就越高啦。
一般想提高系统内存性让自己的爱机跑的更快一些吧：）其他参数可以点击下面的链接
Automatic Configuration“自动设置”
（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable）
在各大品牌主板中可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。
内存的主要参数(可打印修改)
内存1、目前市场上的主流品牌有：金士顿、金邦、宇瞻、微刚、胜创、现代、三星等。
2、内存的分类：现在市场上内存可以分为两种SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC15、等规格，目前的SDRAM都是以168PinDIMM的内存模块出现。
DDR SDRAM: DDR是指Double Data Rate ,它的传输率是SDRAM的两倍，DDR 标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。
DDRI的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；现在DDRII正在逐渐占领主流市场。
3、内存的容量✧每个时期内存条的容量都分为多种规格，目前流行的168线,SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、168MB、256MB、512MB、1GB等。
4、数据带宽：数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。
5、时钟周期时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。
这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率就高。
6存取周期内存的速度用存取周期来表示。
7、选购内存的注意事项：（1（选择内存的大小（2（PCB基板的选择（3（良好的电气性能（4（速度要匹配（5（控制CONS开关1 金士顿Kingston (1987年美国,全球内存领导厂商,内存十大品牌,评为美国最适宜工作的公司)2 威刚ADATA (2001年台湾,全球第二大内存市场占有率,威刚科技有限公司)3 海盗船Corsair (受尊敬的超频内存制造商,于1994年美国,全球最大的内存供应商之一)4 三星Samsung (世界500强企业,中国驰名商标,内存十大品牌,1938年韩国,三星集团)5 宇瞻Apacer (1997年台湾,最具影响力的数码存储品牌,知名品牌,宇瞻科技有限公司)6 芝奇G.skill (于1989年台湾,全球领先的内存模块专业制造商,台湾G.Skill公司)7 金邦GEIL (于1993年香港,总部台北,专业的内存模块制造商之一,金邦科技)8 现代Hynix (韩国著名专业的存储器制造商,世界领先内存生产商,海力士集团)9 OCZ 于2000年美国,世界顶尖的内存品牌,专业开发制造高品质(超频)记忆体高新集团)10 金泰克 (内存十大品牌,专业的内存模块制造商之一,知名品牌,钜鑫科技(香港)有限公司)。
内存芯片参数介绍
内存芯片参数介绍
一、内存芯片介绍
内存芯片是一种用于存储数据的集成电路，其主要功能是存储数据和程序，供计算机操作所需。
内存芯片一般由大量的静态存储单元和其中一种特殊结构组成，计算机系统通过总线从内存芯片中读写数据。
二、常用的内存芯片种类
1.静态RAM（SRAM）：SRAM由一组可用于读/写操作的静态门阵列组成，具有良好的高速性能，所以是高速缓存的主要组成部分。
2.动态RAM（DRAM）：DRAM是计算机系统中最常用的存储单元，它以比SRAM更小的封装尺寸实现更大的容量，即使失去了电源也可以保持数据完整性和准确性，因此也是主存系统的主要组成部分。
3.ROM（只读存储器）：ROM是一种只读存储器，它的特点是只支持一次写入操作，而不能够进行读写操作，因此，它适用于存储一些不常变动的数据和程序，具有可靠性强、可存储量大的优点。
4. Flash（闪存）：Flash是一种存储芯片，它拥有尺寸极小、写入能力强等特点，因此，它可以存储大量数据，因此，它正在被广泛应用于从小型存储卡到计算机移动存储设备等。
三、内存芯片参数及其特点
1.SRAM：SRAM的字长一般为4位/8位/16位/32位，它的主要特点是可以在很短的时间内完成读写操作，且可以在电源关闭后保存数据。
了解电脑内存的频率和时序参数
了解电脑内存的频率和时序参数在学习和了解电脑内存的时候，频率和时序参数是两个非常重要的概念。
了解这些参数可以帮助我们选择适合自己需求的内存产品，并且能够提升电脑的运行效率。
本文将介绍电脑内存频率和时序参数的基本知识，并解释它们对电脑性能的影响。
一、内存频率内存频率指的是内存模块每秒钟运行的数据传输速度，也被称为时钟速度。
一般而言，内存频率越高，数据传输速度越快，电脑的响应速度和运行效率也会更高。
内存频率的单位是赫兹（Hz），常见的内存频率有标准频率和超频频率两种。
标准频率是内存模块官方推荐的数据传输速度，超频频率是用户通过提高内存电压和频率进行的人为增加内存性能的操作。
需要注意的是，在超频的情况下，内存的稳定性和寿命可能会受到一定程度的影响，因此超频时需谨慎操作。
二、时序参数时序参数是指内存在不同操作之间所需的时间间隔，它们代表了内存模块的工作效率和响应能力。
常见的时序参数包括CAS延迟、传输延迟和命令延迟等。
1. CAS延迟CAS（Column Address Strobe）延迟是指内存模块在接收到读写指令之后，需要多少个时钟周期才能够提供所需的数据。
CAS延迟越低，内存的读写速度越快，电脑的响应速度也会相应提高。
2. 传输延迟传输延迟是指内存模块在传输数据之前所需的时间延迟，也被称为TRCD（RAS to CAS Delay）。
传输延迟越低，内存模块的数据传输速度越快，对于电脑运行速度的提升也会更显著。
3. 命令延迟命令延迟是指内存模块接收到读写指令后，开始执行读写操作所需的时间延迟，也被称为TRP（Row Precharge Delay）。
命令延迟越低，内存模块的响应速度越快，电脑的运行效率也会有所提升。
三、频率和时序的关系内存频率和时序参数是相互影响的，它们之间的关系决定了内存的整体性能表现。
一般而言，较高的内存频率可以提高内存模块的最大数据传输速度，而较低的时序参数可以减少内存模块的读写延迟。
内存条有哪些作用功能重要参数
内存条有哪些作用功能重要参数内存是电脑的核心部件之一，内存好坏直接影响电脑正常工作，可能很多用户不知道内存具体有什么作用以及重要参数，下面一起看看!希望能帮到您!内存条有什么用?由于CPU处理数据的速度是超级快的，而硬盘的读写速度又很慢，他们在进行数据交换的时候就产生了一个速度上的矛盾，就好比我(CPU)急需一件商品(数据)，在马云家下单后(发出需求指令)，需要等3-5天才能收到(传输太慢了)，这期间我也没事做，只能干等着。
这个时候读写速度超快的内存条就可以帮上大忙了。
当我们开机或打开软件的时候，硬盘就会把这些软件需要用到的数据传输到内存条里保存起来。
(这就是开机速度和打开软件或打开游戏的速度，传统的机械硬盘传输这个数据到内存条的速度很慢，所以开机和打开软件的速度很慢)当软件打开后，数据就是存在内存条中了，这个时候读写速度超快的内存条就可以与CPU以超高的速度进行数据传输了，这就是为什么你打开软件和游戏需要等很久，但是在软件使用和游戏中却并没有那么明显的卡顿的原因了。
当我们关闭软件或者清理后台进程时，内存条里的数据就会被删除掉。
这种模式类似于京东的配货模式，事先将货物存放在本地仓库(把要用的数据放入内存条中)，然后用户下单后(CPU发出指令)，直接从本地仓库快速调货配送(直接从速度较快的内存条中调取数据)。
内存条有哪些重要参数内存条的容量内存条的容量自然就是能存储的数据多少了，我们每打开一个软件，这些软件的数据都会被保存到内存条中，如果内存条被塞满，我们继续打开其他软件的时候，CPU就只能从速度超慢的硬盘调取数据了，电脑肯定会卡的不行了。
内存条的颗粒(重要)颗粒就是内存条的存储数据的东西啦，现在主流的颗粒生产商就是;三星、海力士、镁光这三家。
由于颗粒在生产时候会有质量参差不齐的情况，所以一些成色极品的颗粒会被挑选出来做成高端超频内存条，而一些成色普通但合格的颗粒会被拿去做成普通内存条。
至于怎么看颗粒的好坏，我们可以从内存条的频率和时序来做一个购买前的初步判断。
内存参数详解
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预充电参数越小则内存读写速度就越快。
4.tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”（可能的选项：1……5/6/7……15）
BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等。一般我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－11之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。具体的调整要遵循以下两个原则：
这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
全面教你认识内存参数
全面教你认识内存参数内存参数是指在计算机中用来调节内存分配和管理的一些特定参数。
正确地了解和配置这些内存参数对于优化计算机性能和解决内存相关的问题非常重要。
下面是一些常见的内存参数及其作用的详细介绍。
1.内存容量：这是计算机系统中最基本的内存参数，指的是计算机中安装的物理内存的总容量。
增加内存容量可以提高计算机的性能，特别是在运行大型应用程序或多任务处理时。
2.虚拟内存：虚拟内存是计算机硬盘上的一部分空间，被用作补充物理内存的延伸。
当物理内存不足时，操作系统会将不常用的内存页面移动到虚拟内存中，以释放物理内存供更紧急的任务使用。
虚拟内存的大小可以通过调整操作系统的虚拟内存参数来配置。
3.页面文件：页面文件是虚拟内存的一部分，用于存储被换出的内存页面。
页面文件的大小也可以通过操作系统的虚拟内存参数进行配置。
如果页面文件过小，可能会导致物理内存不足的问题；如果页面文件过大，可能会浪费硬盘空间。
4.页面大小：页面大小是物理内存和虚拟内存之间的最小数据块。
较小的页面大小可以提高内存利用率和处理速度，但也会增加页表的大小和内存碎片的发生。
页面大小一般在操作系统内核中设置，用户可以通过修改操作系统的内核参数来更改。
5.缓存大小：一些应用程序和操作系统会使用内存作为缓存来提高性能。
缓存大小参数用于配置和调整缓存的大小，以满足特定的应用需求。
增加缓存大小可以提高系统的响应速度，但也会占用更多的内存空间。
6. 运行时参数：运行时参数是指在应用程序运行时配置和调整的一些特定参数。
例如，在Java应用程序中，可以通过设置JVM的运行时参数来调整堆大小和垃圾回收策略等。
正确地配置运行时参数可以优化应用程序的性能和稳定性。
7.内存分配器参数：内存分配器是用于从操作系统中分配和管理内存的软件组件。
不同的内存分配器有不同的参数，如初始大小、最大大小和增长因子等，用于控制内存的分配和回收行为。
正确地配置内存分配器参数可以提高内存利用率和降低内存碎片。
内存技术参数及安装
内存参数内存又称为“主存储器”，用于暂时存放当前正在执行的程序和数据。
它是 CPU和外部存储器之间进行数据交换的中转站，其容量和性能是决定电脑整体性能的一个重要因素。
一块主板通常最多可以插入2 ~4条内存条，用户可以根据需要选择，目前常见的单条内存容量大小有4GB GB 和16GB 等。
2.3选购内存内存是电脑的主要硬件之一，主要用于存储和交换正在运行的程序和数据，其性能会直接影响电脑的运行速度。
2.3.1内存的分类目前市场上主流的内存有DDR3和DDR4两种类型，不同主板支持的内存类型不同，应该根据所选主板支持的类型来选购。
1.DDR3内存DDR3是一种计算机内存规格，是DDR家族中DDR2的后继者。
DDR3的数据预读取能力是DDR2内存的2倍，速度更快。
该内存是2016年以前的主流产品，目前仍然被广泛应用，其主要规格有DDR31333、DDR31600DDR31866和DDR2133等。
DDR2和DDR3都为240针，但是各自对应的内存控制器不兼容，所以两者也无法兼容。
2.DDR4内存随着DDR3占领市场多年，内存的发展也开始出现新的变化，性能更强的 DDR4从2014年底走入人们的视野。
相比DDR3内存，DDR4内存拥有更高的数据带宽。
在DDR3时代传输速度最高到2133MHz，而DDR4的传输速度从2133MHz起，最高可达4266MHz，内存容量则是DDR3的4倍，最高可达128GB。
随着DDR4内存价格的不断降低，如今几乎已经和DDR3处于同一价格水平，正逐渐取代DDR3内存成为市场主流。
由于DDR4内存条外观变化明显，内存条的金手指变成弯曲状，形状与接口都存在改变，因此DDR4内存不兼容DDR3。
2.3.2主流内存的容量在选购内存时，我们通常所说的4GB或8GB都是指内存的容量，内存的容量大小直接影响电脑的整体性能。
通常情况下，内存的容量大，电脑运行的速度就会相应地得到一定幅度的提高。
内存条分类及规格参数介绍
内存条分类及规格参数介绍内存可以根据储存能⼒与电源的关系可以分为以下两类：易失性存储器（Volatile memory）指的是当电源供应中断后，存储器所储存的资料便会消失的存储器。
主要有以下的类型：（Random access memory，随机访问存储器）（Dynamic random access memory，动态随机访问存储器）（Static random access memory，静态随机访问存储器）⾮易失性存储器（Non-volatile memory）是指即使电源供应中断，存储器所储存的资料并不会消失，重新供电后，就能够读取内存资料的存储器。
主要有以下的类型：（Read-only memory，只读存储器）（Programmable read-only memory，可编程只读存储器）（Erasable programmable read only memory，可擦可编程只读存储器）（Electrically erasable programmable read only memory，可电擦可编程只读存储器）（快闪存储器）按内存条的接⼝形式，常见内存条有两种：（SIMM）和（DIMM）按内存的⼯作⽅式：FPA EDO DRAM-------FPM（FAST PAGE MODE）RAMEDO（EXTENDED DATA OUT）RAMSDRAM（同步动态RAM）-----S（SYSNECRONOUS）DRAMDDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM内存条性能评价指标：存储容量：即⼀根内存条可以容纳的⼆进制信息量，如⽬前常⽤的168线内存条的存储容量⼀般多为32兆、64兆和128兆。
存取速度：即两次独⽴的存取操作之间所需的最短时间，⼜称为存储周期，半导体存储器的存取周期⼀般为60纳秒⾄100纳秒。
的可靠性：存储器的可靠性⽤平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
内存参数详解
内存参数详解如今很多玩家都想⽅设法的发掘电脑的性能，内存带宽对整个系统起到⾄关重要的作⽤，它关系到系统总线速度。
⼤家在设置过程中可能会遇到⼀些感到迷惑的现象，有时⼀个较低的总线速度配以⾼参数的内存，其性能也许⽐⼀味追求⾼总线速度还要好。
选购内存时，玩家也都知道，同频率下时序参数越⾼的内存其系统带宽也会随之增长，也就是要尽量选⽤CAS/tRCD/tRPD/tRAS参数值低的内存。
举个例⼦，如果系统总线速度为400MHz，你需要搭配使⽤PC3200规格的DDR内存，理想的CAS值是2。
如果要把系统总线超频到500MHz，同步的情况下则需要PC4000的内存。
当⼤家选购⾼频率的内存时，应该会发现其CAS延迟通常都⽐较⾼，2.5或者3是⽐较常见的。
然⽽CAS是最敏感的内存参数，CAS值从3降低到2，虽然只有1/3，但另⼀⽅⾯，如果这种情况发⽣在⼀个总线速度为500MHz的系统上，你的系统性能会提升25％之多！内存控制器： 内存控制器是电脑上最重要的组成部件之⼀。
它的功能是监督控制数据从内存载⼊/载出。
如果需要，还可以对数据的完整性进⾏检测。
芯⽚组决定了⽀持的处理器类型，通常包含⼏组控制器，分别控制着处理器和其他组件的数据交换。
内存控制器是芯⽚组很常见的⼀部分，它建⽴了从内存到微处理器的数据流。
如果是⽀持双通道模式的芯⽚组，就会包含两组内存控制器。
与众不同的是，近期问世的AMD Athlon64处理器内部集成了内存控制器。
内存参数规格： 内存的时序参数⼀般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。
2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。
⽬前市场上对这两个参数的认识有⼀些错误，因为部分内存⼚商直接⽤它们来代表内存性能。
CMD Rate祥解： Command Rate译为"⾸命令延迟",这个参数的含义是⽚选后多少时间可以发出具体的寻址的⾏激活命令，单位是时钟周期。
内存参数详解
mand Per Clock(CPC) 1T/2T:CPC 的设定特徵是允许你在单一资料存取的延迟选择，信号在记忆体控制器开始把命令送到记忆体的时间。
设定值愈低记忆控制单元能送到外部记忆体的命令就越快。
当CPC设定為1T时，记忆控制器读写一次资料花费一个时脉週期。
当CPC设定為2T时，记忆控制器读写一次资料发费两个时鐘週期的命令延迟。
2.CAS Latency Control(tCL)这是随机存起记忆体公司第一个会拿来做评比的时间参数，例如，你可能看见RAM 被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。
第一的设定值4，如被评為3 產生最好的性能，CAS 5通常能提供较好的稳定性。
CAS从开始到结束的时间被称為CAS latency。
既然CAS 是找出正确资料的最后依个阶段，所以它也是记忆体最重要的计时步骤。
(设定值小= 效能高)3.RAS# to CAS# Delay(tRCD)这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第二个时间参数。
例如，你可能看见RAM 被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。
在JEDEC 的规格裡，这是在3 或者5 个数列的第2 位数。
因為这次延迟发生每当排被更新或者一个新排被开动时，降低延迟改进性能。
因此，推荐你把延迟降低到4或者更好的记忆性能3。
请注意如果你使用对于你的记忆体模组来说太低的价值，这有可能引起系统的不稳定。
如果你的系统在降低RAS对CAS 的延迟之后变得不稳定，你应该增加延迟或者把它重新设定到被评价的延迟。
有趣的是，增加RAS对CAS 的延迟可以允许记忆体模组以更高的时脉运转。
因此，如果你遇到意外困难超频你SDRAM 模件，你可以试著增加RAS对CAS 的延迟。
(设定值小= 效能高)4.Row Precharge Timing(tRP)这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第3个时间参数。
他的BIOS具备有对相同的DDR 设备指定在连续的活动指令之间的最小时间。
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内存种类目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。
DDR1内存第一代DDR内存DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
DDR2内存第二代DDR内存DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。
它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。
DDR3内存第三代DDR内存DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。
DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。
即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。
内存SPD芯片内存SPD芯片SPD(Serial Presence Detect): SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器）, 容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。
SPD的内容一般由内存模组制造商写入。
支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。
启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。
上述情况实现的前提条件是在BIOS 设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。
当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。
从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。
如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。
因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。
更有甚者，一些不法厂商通过专门的读写设备去更改SPD信息，以骗过计算机的检测，得出与实际不一致的数据，从而欺骗消费者。
XMP技术支持XMP技术的内存产品BIOS里的XMP设置Intel Extreme Memory Profiles 简称XMP，它是一种提高内存性能的技术，与NVIDIA的SLI Memory 技术类似。
Intel制定了Intel Extreme Memory Profiles (Intel XMP Specification)，会对DDR3内存作出认证，芯片组会自动识别通过认证的指定品牌和指定型号的内存模组产品，通过提高数据吞吐量，增加带宽等手段使其性能增加。
英特尔公司表示，由于主要面向未来的高端平台，因此这项技术并不会出现在DDR2内存模组上，要想使用“Extreme Memory”技术的首要条件就是要使用DDR3内存。
内存控制器（Memory Controller）内存控制器是计算机系统内部控制内存并且通过内存控制器使内存与CPU之间交换数据的重要组成部分。
内存控制器决定了计算机系统所能使用的最大内存容量、内存BANK数、内存类型和速度、内存颗粒数据深度和数据宽度等等重要参数，也就是说决定了计算机系统的内存性能，从而也对计算机系统的整体性能产生较大影响。
早期内存控制器集成在主板北桥芯片传统的计算机系统其内存控制器位于主板芯片组的北桥芯片内部，CPU要和内存进行数据交换，需要经过“CPU--北桥--内存--北桥--CPU”五个步骤，在此模式下数据经由多级传输，数据延迟显然比较大从而影响计算机系统的整体性能；而AMD的K8系列CPU（包括Socket 754/939/940等接口的各种处理器）内部则整合了内存控制器，CPU与内存之间的数据交换过程就简化为“CPU--内存--CPU”三个步骤，省略了两个步骤，与传统的内存控制器方案相比显然具有更低的数据延迟，这有助于提高计算机系统的整体性能。
AMD率先在桌面平台将内存控制器集成在CPU英特尔新酷睿家族处理器也集成了内存控制器CPU内部整合内存控制器的优点，就是可以有效控制内存控制器工作在与CPU核心同样的频率上，而且由于内存与CPU之间的数据交换无需经过北桥，可以有效降低传输延迟。
打个比方，这就如同将货物仓库直接搬到了加工车间旁边，大大减少了原材料和制成品在货物仓库和加工车间之间往返运输所需要的时间，极大地提高了生产效率。
这样一来系统的整体性能也得到了提升。
内存规格参数内存性能规格标签内存频率和CPU一样，内存也有自己的工作频率，频率以MHz为单位内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。
内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。
目前最为主流的内存频率为DDR2-800和DDR3-1333，作为DDR2的替代者，DDR3内存的频率已经在向3000MHz进发。
内存容量内存的容量不但是影响内存价格的因素，同时也是影响到整机系统性能的因素。
过去Windows XP平台，512M的内存还是主流，1GB已经是大容量；到了现在，64位系统开始普及，Windows Vista、Windows 7越来越多人使用，没有2GB左右的内存都不一定能保证操作的流畅度。
目前，单根内存的容量主要有1GB、2GB两种，高端的还有很罕有的单根4GB超大容量内存工作电压内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。
DDR2内存的工作电压一般在1.8V左右，而DDR3内存则在1.6V左右。
有的高频内存需要工作在高于标准的电压值下，具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了。
只要在允许的范围内浮动，略微提高内存电压，有利于内存超频，但是同时发热量大大增加，因此有损坏硬件的风险。
内存时序参数BIOS内存时序设置tCL : CAS Latency Control(tCL)一般我们在查阅内存的时序参数时，如“8-8-8-24”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
这个第一个“8”就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency 是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。
CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。
因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。
一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。
期间从CAS 开始到CAS结束就是CAS延迟。
所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。
同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。
这个参数越小，则内存的速度越快。
必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据。
而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。
内存标签tRCD : RAS to CAS Delay该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第2个参数，即第2个“8”。
RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。
对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。
在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
tRP : Row Precharge Timing(tRP)该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第3个参数，即第3个“8”。
Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。
tRAS : Min RAS Active Timing该值就是该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的最后一个参数，即“24”。
Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在24~30之间。
这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。
降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。
如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。
该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。
DDR2—DDR3的换代交接已经基本完成对于大多数人来说，内存这个小硬件选好容量和频率，然后插上主板用上就行了，对它的很多小参数完全不在意。