单晶硅片成品检验规范

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4.2用螺旋测微仪测量总厚度偏差TTV。
4.3检测硅片的外观:
4.3.1目测硅片无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损,边缘缺损或缺口长≤0.5mm,深度≤0.3mm,每片崩边数量≤2个;
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Hale Waihona Puke 备注4.3.2目测硅片表面无异常斑点、玷污;
4.3.3目测表面无凹坑,使硅片表面局部凹凸不平≤20μm;
4.3.4目测表面无明显的切割线,切割刀痕深度≤20μm。
6、验收规则
抽样频率为500PCS为一个单位即20%,每25PCS为一篮,每一篮抽5PCS,记录在《线切割硅片返工卡》、《#机硅片检验记录表》中,电阻率、少子寿命及尺寸全检记录在表单编号:TNGWQ-OO1-01《圆棒检验记录》、表单编号:TNGWQ-OO2-01《方棒检验记录》中。
附表三 《退片检验反馈单》表单编号:TNGWQ-005-03
附表四《单晶硅片电阻率抽测记录》表单编号:TNGWQ-005-04
附表五 《厚度抽测简易图》表单编号:TNGWQ-005-05
7.5检验工序必须保证及时正确的检验校验的成品几半成品及原料,防止因产品积压影响上下工序的正常生产。
7.6对已经检验完成的成品、废品,要及时办理入库手续,不得随意阻滞交验的物品,必须及时反馈检验信息给相关人员检验结果。
8、相关记录
附表一《线切割返工卡》表单编号:TNGWQ-005-01
附表二 《#机检验记录表》表单编号:TNGWQ-005-02
3.4.1无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损,边缘缺损或缺口长≤0.5mm,深度≤0.3mm,每片崩边数量≤2个;
3.4.2表面无异常斑点、玷污;
3.4.3表面无划痕、凹坑,使硅片表面局部凹凸不平≤20 m;表面无明显的切割线,切割线痕深度≤15μm。
4、检验流程及方法
4.1用螺旋测微仪测量硅片的厚度。
1、目的:
检验单晶硅片的各项质量指标,包括厚度、垂直度、总厚度偏差TTV、翘曲度WARP、电阻率、刀痕以及裂纹、崩边、缺口等缺陷。
2、适用范围:
适用于硅片事业部之硅片成品检验。
3、技术标准
3.1硅片的厚度为200±20μm。
3.2总厚度偏差TTV≤30μm,
3.3翘曲度WARP≤75μm。
3.4硅片的外观要求如下:
7、注意事项
7.1检测时对硅片要轻拿轻放,禁止与工具以外硬物接触,避免造成硅片的损伤。
7.2认真阅读附录,正确使用量具,爱护量具,并做好对量具的保养及保管工作。
7.3工作认真负责,细心严谨,实事求是,如有异常情况及时向上级报告
7.4检验时要注意硅片的取放及检验硅片的握持方式,以免造成硅片破损。一手拿硅片,一手操作检测工具,动作要轻缓。
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