单晶硅片成品检验规范
B单晶硅片检验报告
太阳能单晶硅片出货检验报告单（a级）
规格尺寸：
检验地点： 检验人： 检验方式： 抽检标准 GM/T2828.1-2003GⅡ 不良品处置 检验项目 抽样数 125 □让步接受 AQL值% 1 □挑选 检验要求 表面洁净，无沾污、色斑； 线痕深度≤15μ m； 外 观 无可视裂纹； 不能有穿孔现象； 崩边、硅晶脱落：深度≤0.5mm,长度≤1mm,≤2处 缺角：深度≤0.5mm,长度≤0.5mm,≤2处 156mm³156mm／125³125硅片边宽尺寸允许误差为±0.5mm； 156mm³156mm／125³125单晶硅片对角线长度尺寸 200mm／165／150,允许误差为±0.5mm； 硅片厚度允许误差为±20μ m； 尺 寸 TTV≤30μ m； 倒角长度1.5±0.5mm； 倒角角度45°±10°； 相邻两边的垂直度为90°±0.25°； 硅片翘曲度：≤35μ m； 包装 导电类型 少子寿命 碳浓度 氧浓度 电阻率 备注: 标识正确，数量正确，无污渍，无损坏。 P型 ≥1.5μ s； ≤5³10 /cm
16 3
FAX:
客户名称： 检验日期： □全检 允收数/拒收数 3/4 □返工 □报废 检验结果 总数量： 检验数量 □抽检 缺陷数
≤1³1018/cm3 1.0～3.0Ω ²cm
检验结果 ■合格 宽到0.7mm但不能超过 崩边可适当放到
单晶硅片检验作业指导书
单晶硅片检验作业指导书
1.目的规范单晶硅片检验项目和判定准则，指导单晶硅片进料检验作业流程，控制产品
的品质，提供符合生产需求的原材料。
2.范围适用于各规格的单晶硅片的检验判定
3.定义详见品质检验标准
4.职责
生产部下发产品技术要求文件至相关部门
针对客户要求编制产品检验标准
严格按照检验标准的要求执行
5.内容
产品的基本检验要求
检验环境室温，有良好的光照
运输储存要求
产品应储存在清洁，干燥的环境，避免酸碱腐蚀性气氛，避免油污，灰尘颗粒气氛运输过程中轻拿轻放，严禁抛掷，大力放置，且须采取防震，防潮措施。
核对相关信息
收料凭证与供应商来料规格信息核对，外包装无破损。
报料信息需于实物料号一致，数量，规格准确无误。
单多晶硅片检验规范
检测项目 A级 1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污, 无清洗剂残余;2.硅片表面无明显手 感刀痕,凹坑现象. 无裂痕,裂纹,孔洞V B级 1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污, 无清洗剂残余3.硅片表面无明显手感 刀痕,凹坑现象. 无裂痕,裂纹,孔洞V 1.缺口长度＜1MM深度＜0.5MM崩边缺 口在整片中小于2个. 2.沿硅片径向长度小于1MM,宽度小于 1MM,不超过硅片厚度1/2的崩边,在整 片中不允许超过3个. ＜100＞+2。 ≦3000/CM2 15um~30um P型 0.5-3ohm*cm 3-6ohm*cm ＜15% ≧1.3us ＜1X1018atoms/cm3 ＜5X1016atoms/cm3 B 200+20um ＜单片厚度的15%~20% <30um ＜75um 125+0.5MM*62.5+1MM 0.5 游标卡尺 90+0.3
＜15% 电阻率不均均 （中心点与四个角上距离两边10MM的 性 四个点） 裸片少子寿命 氧含量 碳含量 掺杂剂 厚度 单片厚度变化 TTV 翘曲度 硅片边长尺寸 倒角差 直线段长 直角偏离 ≧1.3us ＜1X1018atoms/cm3 ＜5X1016atoms/cm3 B 200+20um ＜单片厚度的15% <30um ＜50um 125+0.5MM*62.5+0.5MM 0.5 83+1MM 90+0.3
。
SEMILAB RT-110 SEMILAB WT-2000 傅立叶红外光谱仪 傅立叶红外光谱仪
SEMILAB RT-110 SEMILAB RT-110 微分表ID-C 游标卡尺
角规
注:1.不同直径的硅片不可同时包装，必须分开单独包装。 2.待包装的货不可封盒，必须整箱6盒货全部准备后后才可封盒入箱包装。 3.需要并货时要确定好是否是同规格的硅片之后再进行并货。 编制: 审核: 批准:
线切割单晶硅片检验规范
线切割单晶硅片检验规范1、目的:为明确产品质量要求，加强产品质量管控，特制订本规范。
2、适用范围适用于线切割后单晶硅片(125×125)和(156×156)的品质检验。
3、主要内容精选模板A．检验项目及要求：检测环境要求（温度20~28℃，湿度不大于60%）B．判定：a. 成品检验结果的判定:①以每根晶棒所切片数为一单位，按表1抽检方案对其进行外观检测，根据检测结果对合格品进行分类包装;②针对尺寸﹑电阻率﹑导电型号检测时,如发现一片不合格，则针对不合格项目进行全检，除去不合格品后,按其等级进行包装。
b. 出厂检验结果的判定:抽检判别不合格的批不合格产品，可以针对不合格项目进行全检，除去不合格品后，合格品可以重新组批。
重新送检的产品，复检时可以只对上次检验不合格项目进行检验判别。
c. 如客户有特殊质量要求时按客户的质量标准为依据。
4.包装、储运A．将每一收缩袋装满100片，并用封口机将其封口，标签上注明产品规格、数量、晶体编号；B．每四包硅片装入一包装盒内，两包之间用两片珍珠棉隔开，两端用硬泡沫板、瓦棱板固定；C．用胶带将包装盒封牢,顶盖上粘贴标签，注明产品名称、规格、晶体编号、数量、包装日期，加盖检验章；D．将规格相同、性能相似的硅片每六盒装入一纸箱内，用胶带将纸箱封牢,外标签上注明产品名称、规格、数量、包装日期，加盖检验章；E．包装箱外侧须印刷有：“易碎”、“小心轻放”、“防潮”、等标识，并标明产品名称、规格、数量、生产商名称及地址、毛重、净重等字样；F．每批产品须附产品质保书；G．产品应储存在清洁、干燥的环境中；H．运输过程中应轻装轻卸，防震、防潮、防挤压。
5、相关记录《单晶硅片检验报告单》. .精选模板。
1单晶硅片 (企业标准)
太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
单晶硅片的技术标准
单晶硅片的技术标准1 范围本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法ASTM F26 半导体材料晶向测试方法F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义TV ：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mn处4点和中心点）；位错:晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；位错密度：单位体积内位错线的总长度（cm/cm3），通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125’ 1251 （mm）125’ 125 H （mm）156’ 156（mm。
5技术要求外观见附录表格中检验要求。
外形尺寸方片TV为200士20 um,测试点为中心点；方片TTV小于30um,测试点为边缘6mn处4点、中心1点；硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%相邻C段的垂直度：90°士；其他尺寸要求见表1。
表1单晶硅片尺寸要求图1硅单晶片尺寸示意图材料性质导电类型:硅片电阻率：见下表；硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mmf羊片钝化后的少子寿命）；晶向：表面晶向<100>+/°;位错密度w 3000pcs/cm2;氧碳含量：氧含量w 20ppma碳含量w。
硅单晶测试规范
1、引用文件：1.1硅单晶型号及电阻率测试作业规范（WI/SY-PB-002）1.2 少数载流子寿命测量作业规范（WI/SY-PB-003）2、新进硅材料检测2.1测试范围：进料检测2.2测试选择：抽检或全检(全检由选料车间操作)2.3抽检步骤：2.3.1 确定供货商公司名字，料的批号规格，及包装数量2.3.2 打开里面包装，确认包装袋内材料的种类是否与供货商所提供的一致2.3.3 打开包装抽样进行测试，以确认数据是否一致2.3.3.1抽样原则：按每包装箱(5~10块)，每类硅材料至少3块的原则进行抽样2.3.3.2测试：使用型态测试仪，对抽样之硅材料进行型态及电阻率的测试，测试必须测试5点(块状材料必须测量5个面以上的数据，片状多晶测试5点之数据) 2.3.3.3记录相应数据于《新购硅材料抽检报告》表单编号S Y/Q R-P B-0343、异常处理数据测试完成后，有数据与供货商所提供数据有出入的，提交部门经理处理4、晶棒的测试流程4.1 晶棒开段4.1.1 开段前，用游标卡尺对单晶直径进行测量，4.1.2 在晶棒头部转肩位置及尾部断线位置进行开段，开段头尾4.1.3 用卷尺测量切断后晶棒长度,并记录4.1.3.1 用卷尺以<100>晶向的四条棱位置测量长度，取最小长度为准4.2晶棒数据测量4.2.1分别对开段切下头尾测量电阻率及型号，具体参造《硅单晶型号及电阻率测试作业规范》4.2.2对少子寿命进行测量，具体参造《少数载流子寿命测量作业规范》4.2.3 测试数据填写《晶棒测试单》4.2.3 测试完成后，根据数据判定是否符合客户要求：合格品入库到仓库，不及格品，进行复刀继续测量。
4.3合格品的出货检验4.3.1 复测单晶直径与长度4.3.2 根据测量数据填写《单晶圆棒出货检验报告》《硅单晶检验合格证》5、记录表单记录一：硅单晶检验合格证 SY/QR-PB-031记录二：单晶圆棒出货检验报告 SY/QR-PB-031记录三：晶棒测试单 SY/QR-PB-035记录一：硅单晶检验合格证编号： PB-031 版本：A记录二：记录三：。
晶片验收标准最新规范
晶片验收标准最新规范晶片验收标准是确保晶片质量和性能符合设计要求的重要环节。
以下是晶片验收的最新规范：1. 晶片外观检查：- 晶片表面应无明显划痕、裂纹或其它物理损伤。
- 晶片边缘应平整，无崩边或缺口。
2. 尺寸规格：- 晶片的尺寸应符合设计规格，包括晶片直径、厚度等。
- 尺寸偏差应控制在规定的公差范围内。
3. 电气特性测试：- 晶片的电气特性，如电阻、电容、电压等，应满足设计要求。
- 进行必要的电气性能测试，确保晶片在规定的工作条件下稳定运行。
4. 功能测试：- 对晶片进行功能测试，验证其是否能够执行预定的操作。
- 测试应包括所有关键功能，如信号处理、数据存储等。
5. 可靠性测试：- 进行老化测试、温度循环测试等，以评估晶片的长期可靠性。
- 测试结果应符合预期的寿命和稳定性标准。
6. 环境适应性测试：- 晶片应能适应各种环境条件，如温度、湿度、振动等。
- 进行环境适应性测试，确保晶片在不同环境下的性能不受影响。
7. 兼容性测试：- 确保晶片与其他系统组件的兼容性，包括接口、信号协议等。
- 进行兼容性测试，避免在系统集成时出现兼容性问题。
8. 安全性测试：- 晶片应符合相关的安全标准，如电磁兼容性(EMC)、辐射抗扰度等。
- 进行安全性测试，确保晶片在使用过程中不会对用户或环境造成危害。
9. 质量控制记录：- 所有测试结果应有详细的记录，并进行归档。
- 记录应包括测试条件、测试结果、测试人员等信息。
10. 验收报告：- 完成所有测试后，应编制详细的验收报告。
- 报告中应包含测试结果、不合格项的分析和改进措施。
晶片验收标准的最新规范旨在确保晶片的高质量和高性能，满足客户的需求，并保障产品的可靠性和安全性。
通过严格的测试和质量控制，可以最大限度地减少产品缺陷，提高客户满意度。
晶硅组件成品检验规范
质量管理部晶硅组件成品检验规范编制：审核：批准：发布日期：实施日期：1 目的1.1 为了使晶硅组件成品满足相关质量要求，明确组件的外观标准，特制订本规范。
2 适用范围2.1 本规范适用于公司生产的所有晶硅组件。
2.2 本规范规定了公司生产的晶硅组件的外观级别及要求、检验及判定规则。
3 职责3.1 质量管理部：负责本规范的制订及维护，并按照相关标准对晶硅组件成品外观、包装方式进行检验。
3.2 生产部：负责接收、处理质量管理部发现的不符合项并做出相应处理措施。
4 工作内容4.1 定义4.1.1 A级品：从工业的角度看比较完美，无任何技术缺陷, 即符合IEC61215、IEC61730、UL1703标准要求，外观质量状况在一定的范围内不同于B 级和不合格品的外观质量状况，可提供正常质保承诺。
4.1.2 B级品：无任何技术缺陷，即符合IEC61215、IEC61703、UL1703 标准要求，但外观不是很完美，可提供正常质保承诺。
4.1.3 不合格品：外观质量状况较差（视角上有较强烈的缺陷）。
一般来说，所有可能发生的危险和对产品寿命有影响的缺陷将作为不合格品处理。
4.1.4 报废品：外观有严重不良或电性能异常，低效片或裂片较多，不值得返工或无法返工。
4.2 产品设计4.2.1 结构：组件的结构设计、选材应满足IEC61215和IEC61730的要求或UL1703 要求。
4.2.2 外形及安装尺寸：各种规格的组件外形及安装尺寸应符合设计（或客户）图纸要求。
4.2.3 单个组件内需使用同一种类电池片，不允许不同种类电池片混用。
4.3 检验方法4.3.1 组件的外观检验应在一般日光灯光源下，对每一个组件采用目测或其它辅助工具（直尺、点规等）进行仔细检查。
4.3.2 对于铝型边框和钢化玻璃划伤的检验：在一般日光灯光源下，距离1米，裸眼视力在1.2以上对材料进行观察，若不能看见则判定为A级组件，能看见则判定为B级组件。
硅片检验标准
好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01单晶硅片检验标准.版本号：A/1 页码：第1页共4页生效日期：2009-7-15一、目的为明确产品质量要求，加强产品质量管控，使公司单晶生产成品执行的检测工作有据可依，特制定本标准。
二、适用范围适用于线切割后太阳能级单晶硅片的品质检验。
三、主要内容1、检测环境要求：温度18～28℃，湿度不大于60%。
2、硅片分类原则：项目内容A符合《硅单晶切割片企业内控标准》的硅片B物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、边缘、色差、外圆未磨光、尺寸不良（边长、对角线）、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－B级品判定标准C物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、尺寸不良（边长、对角线）、应力、花片、污片、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－C级品判定标准不合格品物理性能不合格或缺角、缺口、亮点、穿孔；备注：电阻率按照0.5~1Ω.cm，1~3Ω.cm，3~6Ω.cm单独包装入库2、判定标准（见下表）：批准审核编制修改履历页码内容状态备注受控好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01 单晶硅片检验标准版本号：A/1页码：第2页 共4页生效日期：2009-7-15内容 项目检测标准A等外品不合格品备注BC厚度T 及 厚度偏差TV 总厚度变化TTV WARP ：① 180u m ±20 u m ； ② 200 u m ±20 u m ③ TTV ≤30um ； ④warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um其中厚度T 为硅片中心点厚度，TV 为一批硅片中心点厚度偏差，TTV 同一张硅片厚度最大值减去最小值，warp 为硅片的翘曲度。
单晶硅产品质量标准
单晶硅产品质量标准英文回答：Silicon Single Crystal Quality Standards.1. Surface Characteristics.The surface of the single crystal silicon shall be free from any visible defects, such as scratches, pits, and cracks.The surface roughness shall not exceed a specified value, typically in the range of 0.1 to 1.0 micrometers.2. Crystallographic Properties.The single crystal silicon shall have a well-defined crystal structure with a specified orientation.The crystal lattice shall be free from any defects,such as dislocations, stacking faults, and grain boundaries.3. Electrical Properties.The electrical resistivity of the single crystalsilicon shall be within a specified range, typically in the range of 0.1 to 100 ohm-centimeters.The carrier concentration shall be within a specified range, typically in the range of 10^14 to 10^18 atoms per cubic centimeter.4. Mechanical Properties.The single crystal silicon shall have a specified hardness, typically in the range of 7 to 8 on the Mohs scale.The fracture strength shall be within a specified range, typically in the range of 3 to 5 gigapascals.5. Thermal Properties.The thermal conductivity of the single crystal silicon shall be within a specified range, typically in the range of 100 to 200 watts per meter-Kelvin.The specific heat capacity shall be within a specified range, typically in the range of 0.6 to 0.8 joules per gram-Kelvin.6. Optical Properties.The single crystal silicon shall have a specified refractive index, typically in the range of 3.4 to 3.6.The absorption coefficient shall be within a specified range, typically in the range of 1 to 1000 inverse centimeters.7. Chemical Properties.The single crystal silicon shall be chemically pure, with a purity of at least 99.999%.The surface shall be free from any contaminants, such as metals, oxides, and hydrocarbons.中文回答：单晶硅产品质量标准。
硅片检验总结
硅片检验总结简介硅片是半导体行业中的重要组成部分，其质量直接影响着芯片制造的成本和可靠性。
硅片检验是确保硅片质量的关键环节，本文将总结硅片检验过程中的主要内容和注意事项。
检验内容外观检验外观检验是对硅片表面进行检查，确保硅片没有明显的损伤和污染。
主要包括以下几个方面：1.成品硅片外观：检查硅片表面是否平整，是否有划痕、裂纹或凹陷等缺陷。
2.硅片尺寸：通过测量硅片的长度、宽度和厚度，确保其尺寸符合要求。
3.表面污染：使用显微镜或其他仪器检查硅片表面是否有灰尘、油污等杂质。
光学检验光学检验是通过使用光学仪器对硅片进行检查，以确定其光学性能是否符合要求。
主要包括以下几个方面：1.反射率测量：使用反射光谱仪测量硅片在不同波长下的反射率，以确定其光学性能。
2.透明度测试：使用透射光谱仪测量硅片透射光谱，以确定其透明度。
3.表面平整度测量：使用表面平整度仪测量硅片表面的平整度，以确定其光学性能。
电性能检验电性能检验是通过对硅片进行电性能测试，以确定其电子行为是否符合要求。
主要包括以下几个方面：1.导电测试：使用导电测试仪测量硅片的电阻值，以评估其导电性能。
2.接触电阻测量：使用接触电阻测试仪测量硅片上金属电极与硅片之间的接触电阻。
3.PN结测试：使用PN结测试仪测量硅片上PN结的电流特性，以判断其质量。
检验注意事项1.检验设备的选择：根据不同的检验内容，选择合适的仪器设备进行检验，确保测试结果准确可靠。
2.检验环境的控制：硅片对污染特别敏感，因此在检验过程中要注意控制检验环境的洁净度，避免污染对检验结果的影响。
3.操作人员的技术要求：硅片检验需要操作人员具备一定的专业知识和技术水平，以确保检验过程的准确性和可靠性。
4.记录和存档：对每个硅片的检验结果进行详细记录，并建立完善的存档系统，以备后续追溯和查证。
总结硅片检验是确保硅片质量的关键环节，在半导体行业中具有重要的意义。
通过对硅片的外观检验、光学检验和电性能检验，可以有效评估硅片的质量，并采取相应的措施进行调整和改进。
soi硅片检验标准
soi硅片检验标准一、尺寸检查1.1 检查内容：硅片的尺寸应符合规定的尺寸要求，包括长度、宽度和厚度。
1.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
1.3 判定标准：若实际尺寸与规定尺寸的偏差在±0.05mm范围内，则判定为合格。
二、表面质量2.1 检查内容：硅片的表面应光滑、洁净，无划痕、裂纹、凹坑等缺陷。
2.2 检查方法：通过目视或使用5倍放大镜进行检查。
2.3 判定标准：若硅片表面存在上述缺陷，则判定为不合格。
三、厚度测量3.1 检查内容：硅片的厚度应符合规定的厚度要求。
3.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
3.3 判定标准：若实际厚度与规定厚度的偏差在±0.02mm范围内，则判定为合格。
四、翘曲度测量4.1 检查内容：硅片的翘曲度应符合规定的翘曲度要求。
4.2 检查方法：将硅片放置在水平面上，使用精度为0.01mm的直尺进行测量。
4.3 判定标准：若翘曲度超过规定范围，则判定为不合格。
五、电阻率测量5.1 检查内容：硅片的电阻率应符合规定的电阻率要求。
5.2 检查方法：使用电阻率测试仪进行测量。
5.3 判定标准：若电阻率超过规定范围，则判定为不合格。
六、吸光度测量6.1 检查内容：硅片的吸光度应符合规定的吸光度要求。
6.2 检查方法：使用吸光度计进行测量。
6.3 判定标准：若吸光度超过规定范围，则判定为不合格。
七、化学成分分析7.1 检查内容：硅片的化学成分应符合规定的化学成分要求。
7.2 检查方法：使用光谱分析仪进行测量。
7.3 判定标准：若化学成分不符合规定要求，则判定为不合格。
八、机械强度测试8.1 检查内容：硅片的机械强度应符合规定的机械强度要求。
8.2 检查方法：使用万能材料试验机进行测试。
晶硅硅片检验要求
本文件规定了光伏电池技术部生产所用单晶硅硅片的来料检验要求。
本文件适用于公司管理体系以规范来料检验。
2．规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而称为本标准的条款。
GB/T 15496企业标准体系要求
GB/T 19001质量管理体系要求
3．术语和定义
本标准采用GB/T 19001和GB/T 15496中的术语和定义。
180±20 um
大于10 us
P型
项目
锯痕
电阻率
TTV
弯曲度
标准
＜15um
0.5-3Ω.cm
30um
50um
注：a.少子寿命为硅片的体寿命。
b.来料硅片不作任何钝化处理，实测少子寿命﹥1μs。
4.3包装要求
4.3.1 300片或400片为一包装盒。
4.3.2包装盒上应注明产品名称，生产厂家，生产批号，生产日期，数量。
4.3.3每次供货，厂家必须附上该批货物的合格检验报告，应包含但不限于样品名和技术要求中涉及的项目。
4.4储存条件
密封保存于干燥通风阴凉处，注意防潮，避免阳光直射
4.5最短有效少子寿命
无
4.6除以上要求外，其他要求必须符合国标和部标要求。
4.7附表/图纸
无
4．检验要求物料编号：
分子量：28
化学式：Si
4.2技术要求
项目
氧含量
碳含量
掺杂
晶向
垂直度
标准
≤1.0*1018
≤3.0*1016
B
<100>
±0.5度
项目
对角直径
对边距离
厚度
少子寿命
导电类型
硅片检测材料
硅单晶方棒检验标准1目的：为了明确产品的质量要求，加强产品的质量控制，特制定本标准。
2范围：本标准适用于硅单晶切方后的晶棒检测。
3主要内荣：A 、检验项目、标准及抽检方案：（见下图及表格）B 、判定上端面 下端面1.对整根方棒进行检测后，若所有的项目满足检验要求，则判定整根晶棒合格。
2.若晶棒表面存在着明显的刀痕、锉痕等外观不良现象，或物理尺寸超出标准范围，则将该方棒进行返工或报废，返工后需从新检测。
3.检测时，若发现晶棒外观存在着裂纹、孪晶、孔洞等现象或部分段位到点型号呈N型或电阻率不在标准范围之内，或晶棒两截面崩边大于要求，则将该段位明确标识，判为返工，返工后重新进行检测4.检测时，若发现整根晶棒为N型，或整根晶棒电阻率不在标准范围内，则将整根晶棒作报废处理。
1.对进厂的多晶原料及时进行称重，分批次记录清楚并按来料品质进行分类，筛选，与库房统计员做好交接工作并妥善保管。
2.对进厂的圆棒按清单与送货人当面核对并及时检测，主要检测硅棒的长度、直径、表面质量、电阻率和勺子寿命，察看有无崩边或磕碰，有参数超标的硅棒单独放置，做好记录，及时向领导反映并与库房统计员交接清楚后妥善保管。
3. 对进厂的方棒按清单与送货人当面核对并及时检测，主要检测硅棒的长度、直径、边长、表面质量、电阻率和少子寿命，察看有无崩边、磕碰和未磨，有参数超标的硅棒单独放置，做好记录，及时向领导反映并与库房统计员交接清楚后妥善保管。
4.对开方厂家返还的边皮料要按清单和方棒一一对应，称过重量后做好记录工作与库房统计员交接清楚后妥善保管。
5.及时把检测合格的方棒按照线切车间要求的长度配刀并集中放置，放料时要与领料人员交接清楚，认真负责的填写硅棒随工单，不允许随意涂改。
6.整个仓库要按照材料的不同划分区域，不乱摆乱放，做到一目了然、井井有序。
7.平时在搬运硅棒过程中要轻拿轻放，安全堆放，避免人为的损毁和磕碰。
8.熟练掌握各种检测仪器的使用，正确开关机，不随意更改设备参数，平时注意对设备的维护和保养。
关于单晶硅片的清洗检验工艺分析与研究
关于单晶硅片的清洗检验工艺分析与研究单晶硅片是半导体材料中的重要组成部分，它广泛应用于光伏领域、集成电路制造等高科技领域。
在单晶硅片的生产过程中，清洗检验工艺是非常关键的环节。
单晶硅片的制备过程中需要严格的清洁条件和高质量的表面处理，以确保产品的质量和性能。
对单晶硅片的清洗检验工艺进行分析与研究，对提高单晶硅片的质量和产量具有重要意义。
一、单晶硅片清洗检验工艺的重要性单晶硅片的质量和性能受到表面污染、杂质和缺陷等因素的影响。
单晶硅片生产过程中的清洗检验工艺对于确保产品的质量非常重要。
清洗检验工艺主要包括清洗工艺和表面检验工艺两个方面。
清洗工艺主要是指对单晶硅片表面的污染物进行有效清除，以保证单晶硅片表面的纯净度；而表面检验工艺主要是通过相应的仪器和设备对单晶硅片的表面质量进行检测和评估，以确保单晶硅片的质量和性能符合要求。
1. 单晶硅片清洗工艺单晶硅片的生产过程中，需要对其表面进行多次清洗，以确保表面的纯净度和光洁度。
常见的单晶硅片清洗工艺包括：（1）酸洗工艺：使用稀盐酸或氢氟酸等化学试剂对单晶硅片表面进行酸洗处理，以去除表面的杂质和氧化物。
（3）超声清洗工艺：通过超声波的作用，将清洗溶液中的微小气泡从溶液中释放出来，并对被清洗的单晶硅片表面进行冲击和清洗，以去除表面的微小颗粒和细菌等有机物。
单晶硅片的表面质量直接影响其电学性能和光学性能，因此需要通过表面检验工艺对单晶硅片的表面质量进行评估和检测。
常见的单晶硅片表面检验工艺包括：（1）显微镜检验：使用显微镜对单晶硅片的表面进行检测，以观察表面的缺陷和杂质等情况。
（3）表面粗糙度检测：通过表面粗糙度仪等设备对单晶硅片的表面粗糙度进行检测和评估，以确保表面的光洁度和平整度符合要求。
近年来，随着半导体工艺的不断发展和单晶硅片制备技术的不断改进，单晶硅片清洗检验工艺也在不断进步和完善。
目前，国内外在单晶硅片清洗检验工艺方面取得了一些重要的研究进展：1. 清洗剂的研究：近年来，一些新型的清洗剂被应用到单晶硅片的清洗工艺中，如超纯水、等离子体清洗剂等，这些清洗剂能够更有效地去除单晶硅片表面的污染物，提高清洗效果。
单晶8寸硅片出厂标准、参数、不良品图面、测量建构图
单晶8寸硅片出厂标准Outgoing Quality Control For Monocrystalline 8 inches WaferRev.1技术部Department Of Technology版本修订<Revision history>版本Rev.No. 日期Date描述Description拟定Proposed审核ApprovedRev.1 2011.10.15初次发布Initial release1. 基本参数Basic Parameters项目 Items 规格 Spec. 检测标准Inspection Standard生长方法 Growth Method CZ型号Conductance Type P GB/T 1550-1997掺杂剂 Donor Type B晶向Crystal Orientation<100>±3° GB/T 1550-19972. 电化学性能Electrochemical Performance项目 Items 规格 Spec. 检测仪器 Inspection Device 电阻率 Resistivity 1~3 Ω·cm硅棒电阻率测试仪WPS-1 少子寿命 Life Time ≥2 μs少子寿命测试仪WT-1000B氧含量Oxygen concentration ≤1.031018atoms/cm 3 WQF-520型傅里叶变换红外光谱仪FT-IR碳含量Carbon concentration ≤5.031016 atoms/cm 3位错密度 Dislocation Density≤3000 pcs/cm 23.硅棒尺寸Silicon Rod Size4.硅片规格 Wafer Specification项目 Items 规格 Spec. 检测仪器 Inspection Device形状 Shape 准正方形 Quasi-Squared 目视 Visual Check厚度 Thickness 200±20μmATM 分选机 WIS AL3000 AS总厚度变化TTV ≤30μm 对边距 Dimensions 156.0±0.5mm 直径 Diameter 200.0±0.5mm 弧长投影Projective Arc Length15.42±1.00mm直角度 Right Angle 90±0.3° 弯曲度 Bow ≤50μm 翘曲度 Warpage ≤50μm 线痕 Saw Marks≤15μm崩边 Edge Chips 长≤0.5 mm 、深≤0.3 mm 、数量≤2个length ≤0.5mm,depth ≤0.3 mm,≤2ea/waferV 型缺口 V -Chips 无 None 脏污 Contamination 无 None裂纹和孔洞 Cracks and Pin holes无 None 擦伤 Scratches无 None目视Visual Check硅落 Silicone Sets 直径≤0.5 mm 、深度≤20μm 、数量≤2个Diameter ≤0.5 mm, depth ≤20μm,≤2ea/wafer 亮线 Bright Lines 数量≤2个 ≤2ea/wafer5.量测 Measurement项目Items 规格 Spec. 检测要点 Measured Point形状 Shape 准正方形 Quasi-Squared 目视 Visual Check厚度 Thickness200±20μm总厚度变化TTV≤30μm对边距 Dimensions156.0±0.5mm直径 Diameter 200.0±0.5mm弧长投影 Projective Arc Length 15.42±1.00mm直角度 Right Angle90±0.3°弦宽 Chord Length125.16±0.80mm3. 不良品样品 Sample Of Nonconforming项目 Items 规格 Spec. 检测仪器InspectionDevice 检测要点 Measured Point线痕 Saw Marks≤15μmATM 分选机 WIS AL3000 AS孔洞Pin holes 无 NoneATM 分选机 WIS AL3000 ASV 型缺口 V-Chips无 NoneATM 分选机 WIS AL3000 AS裂纹 Cracks无 NoneATM 分选机 WIS AL3000 AS赃物 Stains无 NoneATM 分选机 WIS AL3000 AS。
单多晶硅片检验标准(新版)
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单多晶硅片检验标准1．目的规范马鞍山中弘光伏有限公司的硅片检验流程，保证和持续产品质量。
2．范围用于马鞍山中弘光伏有限公司硅片的来料检验过程。
3．职责质量部负责按照本标准严格执行硅片的来料检验工作。
4．内容4.1．硅片中金属杂质和碳氧含量标准，见表1.表1 硅片中的金属杂质浓度和氧、碳含量4.2硅片检验方法：4.3 P型单晶硅片检验标准，见表2表2 P型单晶硅片检验标准4.4 P型多晶硅片检验标准，见表3表3 P型多晶硅片检验标准4.5 P型多晶硅片检验标准，见表4表4 P型多晶硅片检验标准备注：检验过程中若发现以下异常现场处理：1. 少片：在检验过程中单盒少片随时记录盒号、箱号、晶体编号、并拍取照片。
单箱少片不得超过50片，超出50片马上单独隔离该箱并马上告知采购部，有采购部通知供应商，待供应商回复后继续检验该箱。
2. 碎片：在检验过程中允许出现缺角、裂纹，来料缺角、裂纹在千分之三之内视为正常范围，超出千分之三IQC停止检验并告知采购部通知供货商，得到供货商认可后方可继续检验。
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4.3检测硅片的外观：
4.3.1目测硅片无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤0.5mm，深度≤0.3mm，每片崩边数量≤2个；
批准
审核
编制
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内容
状态
Hale Waihona Puke 备注4.3.2目测硅片表面无异常斑点、玷污；
4.3.3目测表面无凹坑，使硅片表面局部凹凸不平≤20μm；
4.3.4目测表面无明显的切割线，切割刀痕深度≤20μm。
6、验收规则
抽样频率为500PCS为一个单位即20%，每25PCS为一篮，每一篮抽5PCS,记录在《线切割硅片返工卡》、《#机硅片检验记录表》中，电阻率、少子寿命及尺寸全检记录在表单编号：TNGWQ-OO1-01《圆棒检验记录》、表单编号：TNGWQ-OO2-01《方棒检验记录》中。
附表三 《退片检验反馈单》表单编号：TNGWQ-005-03
附表四《单晶硅片电阻率抽测记录》表单编号：TNGWQ-005-04
附表五 《厚度抽测简易图》表单编号：TNGWQ-005-05
7.5检验工序必须保证及时正确的检验校验的成品几半成品及原料，防止因产品积压影响上下工序的正常生产。
7.6对已经检验完成的成品、废品，要及时办理入库手续，不得随意阻滞交验的物品，必须及时反馈检验信息给相关人员检验结果。
8、相关记录
附表一《线切割返工卡》表单编号：TNGWQ-005-01
附表二 《#机检验记录表》表单编号：TNGWQ-005-02
3.4.1无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤0.5mm，深度≤0.3mm，每片崩边数量≤2个；
3.4.2表面无异常斑点、玷污；
3.4.3表面无划痕、凹坑，使硅片表面局部凹凸不平≤20 m；表面无明显的切割线，切割线痕深度≤15μm。
4、检验流程及方法
4.1用螺旋测微仪测量硅片的厚度。
1、目的：
检验单晶硅片的各项质量指标，包括厚度、垂直度、总厚度偏差TTV、翘曲度WARP、电阻率、刀痕以及裂纹、崩边、缺口等缺陷。
2、适用范围：
适用于硅片事业部之硅片成品检验。
3、技术标准
3.1硅片的厚度为200±20μm。
3.2总厚度偏差TTV≤30μm，
3.3翘曲度WARP≤75μm。
3.4硅片的外观要求如下：
7、注意事项
7.1检测时对硅片要轻拿轻放，禁止与工具以外硬物接触，避免造成硅片的损伤。
7.2认真阅读附录，正确使用量具，爱护量具，并做好对量具的保养及保管工作。
7.3工作认真负责，细心严谨，实事求是，如有异常情况及时向上级报告
7.4检验时要注意硅片的取放及检验硅片的握持方式，以免造成硅片破损。一手拿硅片，一手操作检测工具，动作要轻缓。