电力电子技术试卷及答案-第四章

电力电子技术试题（第四章）

一、填空题

1、GTO的全称是，图形符号为；GTR 的全称是，图形符号为；P-MOSFET的全称是，图形符号为；IGBT的全称是，图形符号为。

33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘门极晶体管。

2、GTO的关断是靠门极加出现门极来实现的。

33、负信号、反向电流。

3、大功率晶体管简称，通常指耗散功率以上的晶体管。

34、GTR、1W。

4、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是和。

35、电流不够大、耐压不够高。

二、判断题对的用√表示、错的用×表示（每小题1分、共10分）

1、大功率晶体管的放大倍数β都比较低。（√）

2、工作温度升高，会导致GTR的寿命减短。（√）

3、使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。（√）

4、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。（×）

5、电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。（√）

6、实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。（√）

7、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。（×）

8、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。（×）

9、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（√）

三、单项选择题把正确答案的番号填在括号内（每小题1分，共10分）

1、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。

A、GTR

B、MOSFET

C、、IGBT

2、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最小的是（）。

A、GTR

B、MOSFET

C、IGBT

3、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（）。

A、GTR

B、MOSFET

C、、IGBT

4、能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是（）。

A、GTO

B、GTR

C、IGBT。

5、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）、最慢的是（）。

A、GTO

B、GTR

C、MOSFET

6、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是。（A ）

A、GTR

B、MOSFET

C、、IGBT。

7、下列电力电子器件中属于全控型器件的是（）。

A、KP50-7

B、3DD15C

C、ZP100-10

四、问答题（每小题6分，共计24分）

6、绝缘门极晶体管的特点有哪些？

答：绝缘门极晶体管具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、驱动电路简单、通态电压低、耐压高和承受电流大等特点。

五、识图、作图题（10分）

1、读出下列图形符号的名称并标出管脚符号。

2、画出下列半导体器件的图形符号并标明管脚代号。

①普通晶闸管；②单结晶体管；③逆导晶闸管；④可关断晶闸管；⑤功率晶体管；⑥功率场效应晶体管；⑦绝缘门极晶体管；⑧双向二极管；⑨双向晶闸管；⑩程控单结晶体管。