使用三极管时需要注意的几个问题

使用三极管时需要注意的几个问题

按照现代的制造工艺来说，根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并

形成两个PN结，由此就构成了一个晶体管。

晶体管最大的优点就是能够放大信号，它是放大电路的核心元件，能够控制能量的转换，

将输入的任何微小变化量不失真地进行放大输出。

以下是我们在电路设计中使用三极管时需要注意的几个问题，还是老样子——“看图说话”：（1）需注意旁路电容对电压增益的影响：

这个电路在国内各种模拟电路教材书上是司空见惯的了，也算比较经典的了。由于这个旁

路电容的存在，在不同频率环境中会有不同的情况发生：

a、当输入信号频率足够高时，XC将接近于零，即射极对地短路，此时共射的电压增益为：

b、当输入信号频率比较低时，XC将远大于零，即相当于开路，此时共射的电压增益为：

由此可以看出，在使用三极管设计电路时需要掂量旁路电容对电压增益带来的影响。（2）需注意三极管内部的结电容的影响：

由于半导体制造工艺的原因，三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在，当输入信号频率达到一定程度时，它们会使得三极管的放大作用“大打折扣”，更糟糕的是，它还会因此引起额外的相位差。

a、

由于Cbe的存在，输入信号源的内阻RS和XCbe形成了一个鲜为人知的分压器，也可以看成是一个LPF，当输入信号的频率过高时，三极管基极的电位就会有所下降，此时电压增益就随之减小。

b、

由于Cbc的存在，当输入信号的频率过高时，Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极，又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差，所以，这样也会降低基极的电位，电压增益也由此下降。

（3）需明确把握三极管的截止频率：

这个电路图是一个等效过后的图，其中CL是集电极到发射极、集电极到基极之间的结电容以及负载电容的等效电容。当输入信号的频率达到

时，三极管的增益开始迅速下降。为了很好地解决这个问题，就得花心思把CL尽量减小，由此，fH就可以更高一些。首先我们可以在设计电路时特意选择那种极间电容值较小的三极管，也就是通常所说的RF晶体管；我们也可以减小RL的取值，但是这样的话得付出代价：电压增益将下降。

（4）三极管作为开关时需注意它的可靠性：

如同二极管那样，三极管的发射结也会有0.7V左右的开启电压，在三极管用作开关时，输入信号可能在低电平时（0.7V

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在这里，由于在基极人为接入了一个负电源VEE，这样即使输入信号的低电平稍稍大于零，也能够使得三极管的基极为负电位，从而使得三极管可靠地截止，集电极就将输出为我们

所希望的高电平。

（5）需要接受一个事实：三极管的开关速度一般不尽人意。

由前所述得知，器件内部结电容的存在极大地限制了三极管的开关速度，但是我们还是可

以想出一些办法有效地改善一下它的不足的，下图就提供了一个切实可行的方法：

从图中可以看出，当输入信号的上升时间很小（信号频率很高）时，即dV/dt很大，则ZC 很小，结果Ib非常大，以致三极管可以迅速地饱和或者截止，这自然也就提高了三极管的开关速度。

（6）应该明白射极跟随器的原理：

射极跟随器的一个最大好处就是它的输入阻抗很高，因而带负载能力也就加强了。但是在运用过程中还是得明白它的原理才行，否则可能会造成意外的“问题源”。下面介绍一下它的原理，对于这个电路而言，有如下方程式：

由此可以看出，连接在发射极的负载阻抗在基极看起来就像一个非常大的阻抗值，负载也就容易被信号源所驱动了。

这篇博文中主要是以共射电路为例来说明问题，以上所说的几个问题只能当是“管中窥豹”了，因为三极管的使用注意事项实在太多，并非一篇博文能够涵盖得了的，况且要好好把

握三极管这个器件也并非易事，但是如果我们在实践中有意识地不断去体会、不断去总结的话，三极管也将会为我们所熟用的。

分析一下NMOS白光的自举部分

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这是我在手谈发布的关于NMOS白光的原始原理图

图中黄色背景部分就是自举部分。

当Q1导通时，R1、R2、D1、D2导通，同时对C1充电。

当Q1截至时，由于C1上还有电，而且对于D1、D2都是反偏，只要不高于击穿电压，D1、D2就不导通。同时C1上的电压通过R1、R2和VCC叠加，完成自举。

如果C1所存电压低于D1击穿压，输出就是VCC和C1的电压叠加。

当C1所存电压高于D1击穿压，C1将通过D1放电，这是R1充当了限流电阻。由于D1

阳极电位为VCC，于是输出电压就是VCC和D1击穿电压的叠加。

上一个传统的自举电路，可以对比分析一下。

C1充的电是下正上负，哪么在Q2截止时，C1通过RL的下端接地了，C1上端电压反反而要变负自举达到了不过是反作用，这个电路只适用N沟道的管子。