(2016-11)模拟电子技术期中考试试卷
《电子技术基础》期中考试试卷A
《电子技术基础》期中考试试卷A (闭卷考试)班级： 姓名： 学号：注意：答案一律写在答题纸上。
一、 填空题（本大题30分，每空1分）1. 半导体是依靠___________和___________两种载流子导电的物质，流过半导体内部的电流主要是由载流子在电场作用下的_______运动和浓度梯度作用下的_______运动所形成的。
2. PN 结的击穿根据形成机理的不同，可分为________击穿和________击穿两种。
3. 从对输出电流控制的形式来看，三极管属于_______控制元件，场效应管属于_______控制元件。
相应于三极管的基极、发射极、集电极，场效应管有_______极、_______极和_______极。
4. 在晶体管的共基、共集、共射三种基本放大电路中，输入电阻最小的是____________；输出电阻最小的是____________；无电压放大作用的是____________。
5. 按照滤波器的通频特性可将其分为____________、____________、__________和_________四种。
6. 当信号频率等于放大电路的下限截止频率L f 或上限截止频率H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的_________倍，即增益下降_________dB 。
7. 在本征半导体中加入_______价元素可形成N 型半导体，加入_______价元素可形成P 型半导体。
8. 镜像电流源电路具有直流电阻_______（小或大）而交流电阻_______（小或大）的特点，在模拟集成电路中广泛地把它作为有源负载。
9. 基本放大电路开环增益为A ，反馈系数为F ，输入信号与反馈信号相减作为净输入的放大电路中，其闭环增益表达式为：____________ ，其中当满足____________条件时，反馈属于负反馈；当满足____________条件时，叫做深度负反馈。
10.根据三极管工作状态的不同，在三极管的输出特性曲线中对应有三个区域，分别是：______区、_______区和_______区。
数字电子技术期中考试试卷
一、判断题（10分）1、若1AC =+C B ，则A+B ＝12、若A+B ＝A+C ，则B ＝C3、=⊕⊕C B A A ⊙B ⊙C4、n 个变量可组成2n 个最小项，对于变量的任意一组取值必有1=⋅j i m m （i ≠ j ）5、一个最简的逻辑式，实现的器件不一定是最少的6、一个输入端的与非门和一个输入端的或非门的功能是相同的7、一般TTL 门电路的输出端可以直接相连，实现线与8、欲将异或门作反相器使用，多余输入端直接接高电平9、并行加法器采用超前进位的目的是简化电路结构。
10、组合逻辑电路中的竞争冒险现象是由于输入信号经不同路径到达输出端的时延不同而引起的。
二、填空题（20分）1、十进制数5.625化为十六进制为 ，二进制数为 八进制数为2、二进制1011000化为8421BCD 码为 ，余3码为3、逻辑代数的三条重要规则是指＿＿＿＿ 、＿＿＿＿和＿＿＿＿4、AB+A C+BC=AB+A C 的对偶式为 。
5、逻辑函数F=A +B+C D 的反函数F =6、集电极开路门的英文缩写为 门，工作时必须外加 和 。
7、在TTL 三态门、OC 门、与非门和异或门电路中，能实现线与功能的门电路有＿＿＿＿、＿＿＿＿8、TTL 与非门的灌电流负载发生在输出 电平情况下，负载电流越大，则输出电平越9、消除竟争冒险的方法有 、 、 等三、化简（每小题5分）1、用代数化简（1）C B A C B A C B A Y ++= （2）ABC CD C A D AC Y +++=2、用卡诺图化简（1）D C B A C B A D C B A C B A AC Y ++++= （2）C B B A B A ABC Y ++++=四、设计一个数值比较器，该电路输入端接收两个二位二进制数A(A=A 2A 1)和B(B=B 2B 1) ,当A>B 时，输出Z 为1，否则Z 为0。
（10分）五、用门电路设计一个代码转换电路，将8421BCD 码转换为余3码，写出逻辑表达式，不必画出电路图。
模拟电子技术期中考试卷
模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。
A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。
A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。
《电子技术基础》期中考试试卷(数字部分)
《电子技术基础》期末考试试卷(数字部分)（时间：60分钟；满分：100分）姓名班号得分一、填空：（每空1分，共24分）1、整流电路有三种，分别有整流、整流和整流。
其作用是将电变成电。
2、二极管主要特性是，即二极管加正向电压，加反向电压。
二极管的正向压降大约为V。
3、三极管有三极二结, 三极分别是极、极、极。
二结分别是结和结。
4、三极管饱和和导通状态相当于开关的状态，截止状态相当于状态。
5、根据半导体基片材料不同，三极管可分为型和型两大类。
6、放大器无信号输入时的直流工作状态叫做____________。
7、在数字电路中最基本的逻辑门有，，。
“1”表示“0”表示是正逻辑；“1”表示低电平，“0”表示高电平是负逻辑。
二、判断下列公式或定律是否正确。
(每题1分，共5分)1、A+AB=A （）2、（）4、AB+AC+BC=AB+AC ( )三、写出下列逻辑代数基本公式的结果。
（每个1分，共8分）A+0= ; A+1= ;A·0= ; A·1= ;A+A= ; A·A= ;; 。
四、完成下面表格：(每空1分，共13分)门电路基本量逻辑符号逻辑函数式逻辑功能与门Y＝A·B或门Y＝A＋B非门有0出1；有1出0与非门或非门异或门五、逻辑图与逻辑函数式的互换。
1、画出逻辑函数的逻辑图。
(4分)2、写出下图所示电路的逻辑表达式。
(6分)六、计算题。
（16分，要求格式正确，要有计算过程）1、二——十进制计算。
（2×2=4分）=①[1111]2=②[10101]22、十——二进制计算。
（2分）[3625]10=3、八——十进制计算。
（2分）=[3625]84、十——八进制计算。
（2分）[3625]10=5、十六——十进制计算。
（2分）[3BC5F]16=6、十——十六进制计算。
（2分）[3625]10=7、二——十六进制计算。
(2分)[ 1111000100001011]2=七、根据下题图逻辑符号和输入波形，试分别画出相应的输出波形。
电气工程师-专业基础(供配电)-模拟电子技术-2.3线性集成运算放大器和运算电路
电气工程师-专业基础（供配电）-模拟电子技术-2.3线性集成运算放大器和运算电路[单选题]1.图2-3-1所示放大电路的输入电阻R i和比例系数A u分别是()。
[2018年真题]图2-3-1A.R i＝100kΩ，A u＝102B.R i＝150kΩ，A u＝－102C.R i＝50kΩ，A u＝－102D.R i＝250kΩ，A u＝102正确答案：C参考解析：由于“虚短”，则u－＝u＋＝0，iin＝（ui－u－）/R1＝ui/R1，因此输入电阻为：Ri＝ui/iin＝50kΩ。
由于“虚短”，则u<su p>－sup>＝u<sup>＋</sup>＝0，因此电阻R1上的电流为i1＝（ui－u －）/R1＝ui/R1，因为u<sup>－>＝0，故u2＝u4，则2i4＝100i2，因此，i4＝50i2，i3＝（u0－u4）/R3＝u0/R3（u4可忽略）；i3＝i2＋i4＝51i2（其中u1、u2、u3、u4和i1、i2、i3、i4分别为电阻R1、R2、R3、R4两端的电压和电流，如图2-3-2）。
由于“虚断”，则i －＝0，因此i1＝－i2；比例系数Au＝u0/ui＝i3R3/（i1R1）＝51i2R3/（－i2R1）＝－51×100/50＝－102。
图2-3-2[单选题]2.在图2-3-3电路中，已知ui1＝4V，ui2＝1V，当开关S闭合时，A、B、C、D和uo的电位分别是()。
[2018年真题]图2-3-3A.UA＝－7V，UB＝－4V，UC＝－1V，UD＝2V，uo＝4VB.UA＝7V，UB＝4V，UC＝－1V，UD＝2V，uo＝－4VC.UA＝－7V，UB＝－4V，UC＝1V，UD＝－2V，uo＝4VD.UA＝7V，UB＝4V，UC＝1V，UD＝－2V，uo＝－4V正确答案：D参考解析：根据理想放大器“虚短虚断”的概念可知，UB＝ui1＝4V，UC＝ui2＝1V。
《模拟电子技术》试卷(十套附答案)
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
电子电工期中考试试卷
电子技术基础试卷姓名___________ 学号_____________ 班级_______一 填空题(共 5 个小题 、每个小题 4 分 共 20 分)1. 本征半导体是指_____半导体，当温度升高时，本征半导体的导电能力会 _______ 。
2. 二极管的伏安特性可简单理解为： _______ 导通， _______ 截止。
3. 三极管的输出特性曲线分_______ 区_______ 区和_______ 区三部分。
4. 三极管的内部结构特点是“三区两结”：三区是指_______， _______， _______ ；两结是指_______结和_______结。
5. 三极管具有电流放大作用，即 _______ 的微小变化控制了_______ 的较大变化。
二 判断题( 共 5 个小题 、每个小题 4 分 共 20 分 )1. 二极管加正向电压时一定导通，加反向电压时一定截止。
( )2. 理想的二极管正向电压为 0V, 正向电阻是 0 欧姆。
( )3. 二极管击穿后一定损坏。
( )4. 二极管只能通过直流电，不能通过交流电。
( )5. 三极管的发射极和集电极可以互换使用。
( ) 三 选择题(共 5 个小题 、每个小题 4 分 共 20 分)1. 下列半导体材料热敏特性突出的是 _______A. 本征半导体B. P 型半导体C. N 型半导体2. 如果二极管正反向电阻都很小，则该二极管 _______A. 正常B. 已被击穿C. 内部短路总分五 六 二 三 四 一4.5V4.8VVT4.7V0.7VVTVT4V5V0V5V3. 三极管是一种()的半导体器件。
A. 电压控制型B. 电流控制型C. 既是电压控制又是电流控制4 如果一个二极管的正极的电位是 5V, 负极的电位是 3V，那么该二极管 _______A. 正向导通B. 截止C. 击穿5. 当硅二极管加上 0.3 伏正向电压时，该二极管的状态是 _______A. 正向导通B. 截止C. 放大四简答题( 共3个小题每题20分)1. 三极管有哪三种工作状态？各状态下电压和电流各有什么特点？2. 定性的画出硅二极管的伏安特性曲线，并标出它的死区，正向导通区，反向截止区和反向击穿区。
模拟电子技术(期中考试)
·《模拟电子技术》课程(期中)第一题：填空题（每空2分，共32分）。
1、N型半导体是在本征半导体中掺入价元素；其多数载流子为。
2、二极管伏安特性方程,表达式为。
3、BJT放大电路静态工作点选得偏高，可能使放大器进入区，并使输出信号的波形产生失真。
4、场效应管的输出特性曲线可分为三个区域，分别是截止区、、。
5、画放大电路的直流通路时，应将隔直电容看作；直流电压源可看作。
6、理想放大器，两输入端电压差可认为0，这种现象被称为概念。
7、电压的国际单位是；电感的国际单位是。
8、某放大器开环放大倍数为A，反馈系数为F，引入负反馈后放大倍数为。
9、乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I C Q= ，静态时的电源功耗P D C=，但这种功放有失真。
10、长尾式差分放大器中电阻Re的作用是引入一个；所学过的基本放大电路中电压放大系数近似为1的是。
第二题：判断题（每题2分，共10分）。
1、场效应管是电压控制型器件。
( )2、运放在线性应用时，必需使它处于开环或正反馈状态。
( )3、乙类互补对称功放电路在输出功率最大时，管子的管耗最大。
( )4、长尾式差分放大电路中，Re越大，K CMR越小。
( )5、放大器的组态中，共射极具有电压倒相作用，而共集电极没有。
（）第三题：单选题（每题2分，共10分）。
1、硅稳压管在稳压电路中时，工作在（）状态。
A.正向导通状态B.反向齐纳击穿状态C.反向截止状态D.放大状态2、若三级放大电路中的各级电压增益Au1=40dB、Au2= Au3=20dB，则该放大电路的电压放大倍数为（）倍。
A.100B.80C.1000D.100003、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管4、在图中，能够构成复合管的是( ) 。
5、放大器引入串联负反馈后，闭环输入电阻（）。
职高汽车班电子电工期中考试试卷
《电工电子技术》期中考试卷班级姓名总分一、填空题（20’）１、依照导电能力来衡量,自然界的物质能够分为、和三类。
2.ＰN节具有_＿＿＿＿＿＿＿__特性,即加正向压时＿__＿＿_,加反向压时＿。
3.当三极管的发射结＿__＿_,集电结_＿是时,工作在放大区;发射结集电结＿_＿_＿_,工作在饱和区;发射结集电结＿__＿_＿_＿__时,工作在截止区。
4.三极管基集电流IB的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极管具有电流＿_＿_作用。
5.集成运算放大器一般由( )、( )和( )几部分组成。
6.三极管的三个电极是__________，__________和________。
7.三极管按结构分为和两种类型。
二、判断题（10’）1.三极管有两个PＮ节,因此它具有单向导电性、( )2.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态、( )３.发负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性（）4.负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性（）5.稳压二极管工作在反向击穿区域。
（）6.发光二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件。
（）7.光敏二极管和稳压二极管一样，也是在反向电压下工作的。
（）8.混合型继电器，平时常闭触点接通，常开触点断开，线圈通电后，产生磁力吸动触点，触点则处于相反状态。
( )9.熔断器熔断后，在没有找到相同规格熔断器的情况下，可以使用其他规格的熔断器。
（）10.汽车电路原理图中所示的开关及用电器均处于工作状态，如点火开关是闭合状态，车灯开关也是闭合状态。
（）三、选择题（20’）1.NＰＮ型三极管处于放大状态时,各极电压关系是( )Ａ、ＵＣ＞ＵB＞UE Ｂ、UＣ＞UＥ＞UB Ｃ、UＣ＜UＢ＜ＵＥＤ、UC＜UＥ<UＢ2.三极管的( )作用是三极管最基本和最重要的特性。
Ａ、电流放大 B、电压放大 C、功率放大 D、电压放大和电流放大3.单向晶闸管有三个电极，分别是（）A、阳极、阴极和基极；B、阳极、阴极和控制极；C、漏极、源极和控制极；D、阳极、基极和控制极。
电力电子技术期中期末试卷附答案
A.60° B. 180°
C. 120°
D. 0°
4、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 有效值 B 最大值 C 平均值 D 最小值
5、以下几个电路图，哪一个属于器件换流？（ ）
A
B
C
D
6、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )
共 20 页 第 10 页
A、交流相电压的过零点
共 20 页 第 1 页
3、晶闸管触发导通后，其门极对电路 A.仍有控制作用 B.失去控制作用
。 C.有时仍有控制作用
4、对于一个确定的晶闸管来说，允许通过它的电流平均值随导电角的减小
而
。
A.增加 B.减小 C.不变
5、在三相串联电感式电压型逆变器中，除换相点外的任何时刻，均有
晶
闸管导通。
A.两个 B.三个 C.四个
在答题纸图 b 中画出其波形。（7 分）
图 a．单相电压型全桥逆变电路图
图 b．单相电压型全桥逆变电路波形图 共 20 页 第 12 页
2、如下图所示单相桥式不可控整流电路带电阻负载，变压器二次侧的有效值为 U2 =200V ，电阻值为 1Ω，此时 VD1 管子损坏(不能导通)，那么分析此时输出电 压 ud 、输出电流 id 、变压器二次侧电流 i2 的波形并绘制出，计算此时输出电压 ud 、 电流 id 的平均值大小。（8 分）
于
状态。
2． 同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 的数值大小上有
IL_______IH。
3．逆变是把
电变换为
电的过程。
4. 电力电子器件主要工作于
状态，当开关频率较高
班 级
：
订
（模拟电子技术（专升本）2016下半年期末考试
（模拟电⼦技术（专升本）2016下半年期末考试(模拟电⼦技术(专升本)2016下半年期末考试剩余时间: 119分: 56秒1. ( 单选题) 当温度升⾼时,⼆极管反向饱和电流将( )(本题2.0分)A、增⼤B、减⼩C、不变D、等于零2. ( 单选题) 场效应管起放⼤作⽤时应⼯作在漏极特性的( )(本题2.0分)A、⾮饱和区B、饱和区C、截⽌区D、击穿区3. ( 单选题) 直接耦合放⼤电路存在零点漂移的主要原因是( )(本题2.0分)A、电阻阻值存在误差B、晶体管参数的分散性C、晶体管参数受温度影响D、受输⼊信号变化的影响4. ( 单选题) 差动放⼤电路的特点( )(本题2.0分)A、有效放⼤差模信号,⼜抑制共模信号。
B、既放⼤差模信号,⼜放⼤共模信号。
C、有效放⼤共模信号,有⼒抑制差模信号D、既抑制差模信号,⼜抑制共模信号。
5. ( 单选题) 互补输出级采⽤射极输出⽅式是为了使( )(本题2.0分)A、电压放⼤倍数⾼B、输出电流⼩C、输出电阻⼤D、带负载能⼒强6. ( 单选题) 集成运放电路采⽤直接耦合⽅式是因为( )(本题2.0分)A、可获得较⾼增益B、可使温漂变⼩C、在集成⼯艺中难以制造⼤电容D、可以增⼤输⼊电阻7. ( 单选题) 放⼤电路在⾼频信号作⽤下放⼤倍数下降的原因是( )(本题2.0分)A、耦合电容和旁路电容的影响B、晶体管极间电容和分布电容的影响C、晶体管的⾮线性特性D、放⼤电路的静态⼯作点设置不合适f H时,放⼤倍数的数值将8. ( 单选题) 当信号频率等于放⼤电路的fL和下降到中频时的( )(本题2.0分)A、0.5倍B、0.7倍C、0.9倍D、 1.2倍9. ( 单选题) 在输⼊变量不变的情况下,若引⼊反馈后,则说明引⼊的是负反馈( )(本题2.0分)A、输⼊电阻增⼤B、输出量增⼤C、净输⼊量增⼤D、净输⼊量减⼩10. ( 单选题) 在某⼀放⼤电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别是0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是( )(本题2.0分)A、NPN型硅管B、 .NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管11. ( 单选题) 通⽤性集成运放的输⼊级采⽤差动放⼤电路,这是因为它的( )(本题2.0分)A、输⼊电阻⾼B、 .输出电阻低C、共模抑制⽐⼤D、电压放⼤倍数⼤12. ( 单选题) RC桥式正弦波振荡电路由两部分组成,即RC串并联选频⽹络和( )(本题2.0分)A、积分⽐较器B、微分运算电路C、过零⽐较器D、滞回⽐较器13. ( 单选题) 与甲类功率放⼤⽅式相⽐,⼄类互补对称功放的主要优点是( )(本题2.0分)A、不⽤输出变压器B、不⽤输出端⼤电容C、效率⾼D、⽆交越失真14. ( 单选题) 掺杂半导体中的少数载流⼦浓度取决于( )(本题2.0分)A、掺杂浓度B、⼯艺C、温度D、晶体缺陷15. ( 单选题) 在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放⼤电路中,Uo与Ui相位相反,|Au|>1的只可能是( )(本题2.0分)A、共集电极放⼤电路B、共基极放⼤电路C、共漏极放⼤电路D、共射极放⼤电路16. ( 单选题) 16在四种反馈组态中,能够使输出电压稳定,并提⾼输⼊电阻的负反馈是( )(本题2.0分)A、电压并联负反馈B、电压串联负反馈C、电流并联负反馈°D、电流串联负反馈17. ( 单选题) 关于多级放⼤电路下列说法中错误的是( )(本题2.0分)A、Au等于各级电压放⼤倍数之积B、Ri等于输⼊级的输⼊电阻C、Ro等于输出级的输出电阻D、Au等于各级电压放⼤倍数之和18. ( 单选题) ⽤恒流源电路代替典型差动放⼤电路中的公共射极电阻Re,可以提⾼电路的( )(本题2.0分)A、|A ud|B、|A ueC、R idD、K CMR19. ( 单选题) 在下列四种⽐较器中,抗⼲扰能⼒强的是( )(本题A、迟滞⽐较器B、零⽐较器C、三态⽐较器D、窗⼝⽐较器20. ( 单选题) 在信号处理电路中,当有⽤信号频率⾼于10KHz时,可选⽤( )。
模拟电路期中试卷
模拟电子技术期中考试试卷教师签字一、选择及填空题:（共54分，每空2分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。
由此可判断电极①是 ，电极②是__ __，电极③是_ ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是____（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____（A ．40 ，B ．100，C ．400）。
2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的V V T 4=。
下表给出了三种状态下u GS 和u DS 的值，判断各状态下管子工作在什么区。
A. 恒流区B. 可变电阻区C. 截止区3.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。
影响f L 大小的因素是 ，影响f H 大小的因素是 。
（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）HLV CC( a )( b )当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9）倍。
当f ＝ f L 时，oU 与i U 相位关系是 （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。
4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为班 级 学 号 姓密封装订线 密封装订线 密封装订线R L12E V4826104V，这说明放大电路的输出电阻为。
5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。
（1）．电压放大倍数uA >10，并具有较大的电流放大能力的电路是。
（2）．电压放大倍数uA >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是。
（3）．电压放大倍数uA ≈1，输入电阻iR>100kΩ的电路是。
L( a )L( b )L( c )6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q点也标在图上（设U BEQ＝0.7V）。
《电子技术基础及应用》期中考试题
《电子技术基础及应用》期中考试题姓名___________ 学号_____________ 班级_______一填空题（共8个题每题0.5分共10分）1. PN 结的正向接法是：P区接电源的_______极，N区接电源的_______极。
2.多级放大电路的耦合方式有_______、_______和_______三种。
3、PN结具有_________特性。
4、单半波整流电路中，利用二极管的特性，可以将正弦交流电变成单方向脉动的直流电。
5、二极管的类型按材料分为和。
6、从输出特性曲线可以看出，晶体管有三个工作区域，分别为、和。
晶体管用来放大时，应使发射极处于偏置，集电极处于偏置。
7、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为信号；在时间上和数值上离散的信号叫做信号。
8、直流电源一般可分为_____ ____，______ ___，______ ___稳压电路四部分。
二、选择题（共30个小题，每个小题1分共30分）1. 如果二极管正反向电阻都很小，则该二极管_______A. 正常B. 已被击穿C. 内部短路2. 三极管具有_______作用A. 电压控制B. 电流放大C. 既不是电压控制又不是电流控制3. 三极管的两个PN结都反偏，则该三极管的状态时_______A. 放大B. 截止C. 饱和4. 三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是_______A. 发射结和集电结同时反偏B.发射结和集电结同时正偏C.发射结正偏，集电结反偏5. 如果一个二极管的正极的电位是5V, 负极的电位是3V，那么该二极管_______A. 正向导通B. 截止C. 击穿6. 当硅二极管加上0.3伏正向电压时，该二极管的状态是______A. 正向导通B. 截止C. 放大7、一个四环电阻的色环颜色依次是紫、红、红、金，此电阻值是（）A、7.2KΩB、6.3KΩC、722ΩD、72KΩ8、一个电容器上标注为335，此电容器的容量为（）9、3.3PF B、335PF C、3.3μF D、335μF10、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。
中职《电工电子技术基础》期中考试试卷及答案
中职第一学期电工班级： 姓名： 得分：一、填空题：（每空1分，共 30 分）1. 任何一个完整的电路都一般由 电源 、 负载 和 中间环节（导线和开关） 三个基本部分组成。
2、根据电源的外特性和全电路欧姆定律U=E-Ir 的概念，可见，电源端电压U 随着电流I 的增大而 减小 ，而电源的电动势随着内阻的增大而 减小 。
一般电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态，电源 短路 是严重的故障状态，必须避免发生。
3、一般规定参考点的电位规定为 零电位 ，低于参考点的电位是 负电位 ,而高于参考点电位是 正电位 。
4取决于导体的 长度 、 横截面积 和 自身的材料 ，其表达式 5电压和功率的最大值都有一定的限制，分别称为 额定电流 、 额定电压 、 额定功率 。
6、分析和计算复杂电路的主要依据是： 基尔霍夫 定律和 欧姆 定律。
7内阻r 数值 不变 ，电路图改为 并 联。
8、用一个恒定的电动势与内阻r 串 联表示的电源称为 电压源 。
用一个恒定的电流Is 与内阻r 并 联表示的电源称为 电流源 。
9、电磁铁的形式很多，但基本组成部分相同，一般由 励磁线圈 、 铁心 、 衔铁 三个主要部分组成。
二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 10 分1、（ × ）电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。
2、（ × ）电压是产生电流的根本原因。
因此电路中有电压必有电流。
3、（ × ）绝缘体两端的电压无论再高，都不可能通过电流。
4、（ × ）电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。
5、（ √ ）理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。
6、（ √ ）对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，但方向相反。
7、（ × ）电阻并联后的总电阻大于其中任一只电阻的阻值。
8、（ × ）在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。
模拟电子技术期中试卷(101102)
浙江传媒学院《模拟电子技术》期中考试卷2010 — 2011学年第二学期班姓名学号V U 82-=、V U 2.53-=，则三极管对应的电极是：1为 极、2为 极、3为 极，该三极管属 型三极管。
4、在下图所示电路中， 已知VCC ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
试求下列空格（要求先填文字表达式后填得数）。
（1）当i U ＝0V 时，测得U BEQ ＝0.7V ，若要基极电流I BQ ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和Rb ＝______________________≈_________k Ω；而若测得U CEQ ＝6V ，则Rc ＝______________________≈____________k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数u A ＝_____________________≈________。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载后输出电压有效值o U ＝_______________＝___________V 。
5、在三极管三种组态放大电路中，输出电阻最小的是____________，高频特性最好的是___________________，输入电阻最大的是____________________。
三、简答题（每小题5分，共10分）1、简述利用半导体可以制造哪些器件？其各自的特性是什么？2、温度的变化对放大器有什么影响？如何解决？四、分别改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
(每小题5分，共20分)五、计算题(共计40分)1、电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
(8’)2、电路如图P2.19所示，晶体管的 ＝60，'bb r =100Ω。
2016中级维修电工四级模拟练习题(4)电子技术与电气测量知识讲解
四、电子技术与电气测量1.测量电压时应将电压表（B）电路。
A、串联接入B、并联接入C、并联接入或串联接入D、混联接入2.测量电流时应将电流表（A）电路。
A、串联接入B、并联接入C、并联接入或串联接入D、混联接入3.当二极管外加电压时，反向电流很小，且不随（D）变化。
A.正向电流B.正向电压C.电压D.反向电压4.点接触型二极管应用于（C ）。
A、整流B、稳压C、开关D、光敏5.点接触型二极管可工作于(A )电路。
A、高频B、低频C、中频D、全频6.三极管是由三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（A）。
A、基区B、栅区C、集电区D、发射区7．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管(A)。
A、已经击穿B、完好状态C、内部老化不通D、无法判断8．2.0 级准确度的直流单臂电桥表示测量电阻的误差不超过(B )。
A、±0.2%B、±2%C、±20%D、±0.02%9.调节电桥平衡时，若检流计指针向标有“-”的方向偏转时，说明（C）A、通过检流计电流大、应增大比较臂的电阻B、通过检流计电流小、应增大比较臂的电阻C、通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻D、通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻10.调节电桥平衡时，若检流计指针向标有“+”的方向偏转时，说明(A)。
A、通过检流计电流大、应增大比较臂的电阻B、通过检流计电流小、应增大比较臂的电阻C、通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻D、通过检流计电流大、应减小比较臂的电阻11.直流双臂电桥的测量误差为（）A、B、C、D、12.直流单臂电桥测量几欧姆电阻时，比率应选为(A )。
A、0.001B、0.01C、0.1D、113.直流单臂电桥测量十几欧电阻时，比率应选为（B）A.0.001B.0.01C.0.1D.114.直流单臂电桥用于测量中值电阻，直流双臂电桥测量电阻在（B）欧以下A.10B.1C.20D.3015.直流单臂电桥测量小阻值电阻时，不能排除(A)，而直流双臂电桥则可以。
电工电子技术与技能 期中考试试卷3+3
一、判断题（正确的在括号内打对，错误的在括号中打错）1、电位高低的含义，是指该点对参考点间的电流大小。
2、没有电压就没有电流，没有电流就没有电压。
3、如果把一个24V的电源正极接地,则负极的电位是-24V。
4、电路中两点的电位分别是V1=10V,V2=-5V,这1点对2点的电压是15V。
5、通过电阻上的电流增大到原来的2倍时，它所消耗的电功率也增大到原来的2倍。
6、加在电阻上的电压增大到原来的2倍时，它所消耗的电功率也增大到原来的2倍。
7、若干电阻串联时，其中阻值越小的电阻，通过的电流也越小。
8、电阻并联时的等效电阻值比其中最小的电阻值还要小。
9、电容C是由电容器的电压大小决定的。
10、在电阻分压电路中，电阻值越大，其两端的电压就越大。
二、选择题（在括号中填上所选答案的字母）1、额定电压为220V的灯泡接在110V电源上,灯泡的功率是原来的( )。
A. 2B. 4C. 1/2D. 1/42、串联电路中, 电压的分配与电阻成( )。
A. 正比B. 反比C. 1:1D. 2:13、并联电路中, 电流的分配与电阻成( )。
A.正比B. 反比C. 1:1D. 2:14、串联电路具有以下特点( )。
A. 串联电路中各电阻两端电压相等B. 各电阻上分配的电压与各自电阻的阻值成正比。
C. 各电阻上消耗的功率之和等于电路所消耗的总功率D. 流过每一个电阻的电流不相等5、参考点也叫零点位点它是由( )的。
A.人为规定B.参考方向决定的C.电位的实际方向决定的D.大地性质决定的6、在同一温度下，相同规格的4段导线，电阻最小的是（）A、银B、铜C、铝D、铁7、基尔霍夫电流定律指出，流经电路中任何一节点的电流（）A、代数和大于零B、矢量和大于零C、代数和等于零D、矢量和等于零8、1度电指的是1KW功率的电器用电时间为（）A、1hB、1minC、10hD、2h9、同一材料的导体电阻与（）成正比A、截面积B、弯曲度C、密度D、长度10、一线性电阻两端加12V电压时，通过的电流为4A，当电源电压改变为36V 时，通过电阻的电流为（）A、4AB、8AC、12AD、16A三、填空题1、电荷的基本单位是。
模拟电子技术期中考试题1[1页]
![模拟电子技术期中考试题1[1页]](https://img.taocdn.com/s3/m/982bc62fb5daa58da0116c175f0e7cd184251859.png)
模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是 放大电路；输入电阻最小的是 放大电路；输出电压与输入电压反相的是 放大电路；电压放大倍数最大的是 和 放大电路；电压放大倍数最小的是 放大电路；输出电阻最小的是 放大电路；电流放大倍数最大的是 放大电路；既有电流放大又有电压放大的是 放大电路。
（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有 结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成 型半导体，其多子是 ，少子是 ，不能移动的离子带 电；掺入微量的五价杂质元素，可获得 型半导体，其多子是 ，少子是 ，不能移动的离子带 电。
（3）二极管的伏安特性曲线上可分为 区、 区、 区和 区四个区。
双极型三极管的输出特性曲线上可分为 区、 区和 区三个区。
（4）双极型管主要是通过改变 极小电流来改变 极大电流的，所以是一个 控制型器件；场效应管主要是通过改变 间电压来改变 电流的，所以是一个 控制型器件。
（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结 偏、集电结 偏。
（6）放大电路的基本分析法有 分析法和 分析法；其中 分析法的微变等效电路法只能用于分析 信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用 法和 法。
（7）多级放大电路的耦合方式通常有 耦合、 耦合和 耦合三种方式；集成电路中一般采用 耦合方式。
（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为 失真；频率失真称为 失真。
2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz 时，周期档位如何选择？（2）函数信号发生器在电子线路的测量中能做什么？（3）电子线路的测量中，为什么要使用电子毫伏表而不用普通电压表测量电压？电子毫伏表的读数是所测电压的有效值还是最大值？还是峰-峰值？3.计算题：（可任选一题，其中第1题作对可得40分，第2题作对可得60分）（1）图示分压式偏置放大电路中，已知R C ＝3k Ω，R B1＝80k Ω，R B2＝20k Ω，R E ＝1k Ω，β=80，①画出直流通道，进行静态分析（设U BE =0.7V ）；②画出微变等效电路，进行动态分析（设r bb’=300Ω）。
电工电子技术基础期中考试试题(含答案)
电工电子技术基础期中考试试题时间：60分钟满分：100分一、选择题（2分/题，共60分）1-5 6-1011-15 16-2021-25 26-301、直流电的文字符号为（）。
A ACB VC C DC2、电流的方向规定为（）移动的方向。
A 负电荷B 负离子C正电荷3、电流总是从高电位流向低电位，这一结论适用于（）。
A外电路 B 内电路 C 全电路4、某电阻两端电压为40V，通过电阻的电流为0.5A，则导体的电阻为（）。
A 80ΩB 600ΩC 200Ω5、我国使用的工频交流电的频率为（）。
A 45HzB 60HzC 50Hz6、确定一个正弦量的三要素为（）。
A 最大值角频率初相位B 瞬时值周期初相位C 有效值周期相位差7、与参考点有关的物理量（）。
A 电流B 电压C 电位8、我国用电安全规定中把（）定为安全电压值。
A 50VB 100VC 36V9、在三相四线制中，相线与中性线之间的电压称为（）。
A 线电压B相电压 C 即是相电压也是线电压10、下列设备中，其中（）通常作为电源。
A发电机 B 电视机 C 电炉11、下列设备中属于电路组成中中间环节的是（）。
A连接导线 B 电源 C 白炽灯12、电动势的方向规定为（）。
A 由正极指向负极B 由负极指向正极C 不定13、周期T和频率f之间的关系正确的为（）。
A T=1/fB T=fC T与f无关14、汽车上常用的发电机是（）。
A 单相交流发电机B三相同步交流发电机 C 直流发电机15、已知某正弦量i=5sin(314t+30°)A，则其最大值为（）A。
A 5B 5C 1016、汽车稳压作用电路的作用是负载发生变化时，使其输出（）保持稳定性。
A 电流B电压 C 电功率17、二极管具有（）导电特性。
A 双向B 单双向C单向18、直流电动机的运动方向按（）定则判断定。
A 右手定则B 左右定则C 左手定则19、电动势与电压的方向（）。
A相反 B 相同 C 相逆20、变压器是根据（）原理而制成的。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
系（部）：电子系 拟题人： 校核：系（部）主任 教学院长 2016 年 11月 9 日
信息科学与工程学院2016~2017学年第1学期
《模拟电子技术》 期中考试试卷
试卷适用专业： 自动化 ，考试形式： 闭卷 ，所需时间： 90 分钟
一、（15分）测得放大电路中处于放大状态的半导体三极管直流电位如表所示，填表。
二、（15分）电路如图1所示，二极管D 为理想元件，i 6sin (V)u t ω=，如图2所示，U = 3 V ，试画出输出波形（要有分析过程，否则不得分）。
t
O
V
O
V
O
V )
a D
u O 图1
三、（15分）电路中，已知输入电压U I =10~12V ，稳压管的稳定电压U Z = 6V ，低限稳定电流I ZL = 5mA ，高限稳定电流I ZH = 25mA ；负载电阻R L = 600Ω。
求限流电阻R 的取值范围。
四、（20分）电路如图所示，已知晶体管的80β=， 1.3 k be r =Ω，0.6 V BE U =，
1150 k B R =Ω
，247 k B R =Ω， 3.3 k C R =Ω，1
200 E R =Ω，2 1.3 k E R =Ω，
5.1 k L R =Ω。
要求：
(1) 画出直流通路，并计算静态工作点I B ，I C ，U CE ； (2) 画出微变等效电路； (3) 计算电压放大倍数； (4) 计算输入电阻和输出电阻。
CC
系（部）：电子系 拟题人： 校核：系（部）主任
教学院长 2016 年 11月 9 日
五、（15分）如图所示为场效应管基本功率放大电路。
试计算：(写出表达式即可) (1) 画出直流通路，并计算静态工作点I D ，U GS ，U DS ； (2) 画出微变等效电路, 计算电压放大倍数。
六、（20分）如图所示为差分放大电路, 电路参数结构对称。
已知VT 1、VT 2为硅管，U BE1=U BE2=0.7V ，β =100。
当采用双端输入双端输出方式时，试计算： (1) 电路静态工作点Q ； (2) 差模电压放大倍数A ud ；
(3) 差模输入电阻R id 和输出电阻R od 。