太阳能电池片题库

生产部电池线：

题库

1、清洗机盖板不能正常开、关

答：a、气缸被堵，需清理气缸；

b、气动阀损坏，需修理；

c、丝杆接触金属块断，需更换；

d、感应器未得到感应，清理感应器或更换；

e、盖板变形卡死；

f、压缩空气压力不足；

g、电气原因，检查开关盖信号是否传到PLC。

2、清洗机下料台发生压篮情况

答、a、花篮放偏，感应器感应不到，因对机械重新定位；

b、感应器不工作，清理感应器表面或更换；

c、人为不小心触动清洗机下料位行程开关，导致机械误动作。

3、花篮翻篮

答：a、机械手定位偏移，重新对机械手定位；

b、软件程序混乱出错，对程序复位；

c、定位开关失灵；

d、盖板不能及时打开；

e、机械手脱钩。

4、机械手撞车

答：a、软件程序混乱出错，需复位程序；

b、设计机械频率太高，超过PLC频率范围，降低机械手频率；

5、PECVD抽不上真空

答：a、石英管破裂，需更换；

b、密封圈破损或者有异物，用异丙醇清洗或者更换；

c、锁紧头松动，更换；

d、反应腔盖螺丝松动，需锁紧；

e、真空泵故障。

6、等离子刻蚀辉光颜色呈红色

答：a、密封性差，检查密封圈等；

b、反射功率偏高，调节反射功率；

c、管道漏气；检查管道。

7、等离子刻蚀反射功率低，预热灯不亮

答：a、线路接触不良，检修；

b、保险丝烧断，需更换。

8、pecvd位置感应器显示有框状态，腔门打不开或关不上

答：碎片或沉积物挡住了感应器，传给系统一个假信号，需清理感应器。

9、微波反射功率太高

答：a、石英管的铜波与铜天线接触不好，重新安装；

b、微波头上的一个旋纽松动，需调节。

10、网眼对不上

答：a、丝网网眼被堵；

b、网板不合格，网眼位置不对；

c、网眼感应校正器被堵；

11、金字塔绒面的好处？

答：当光入射到一定角度的斜面，会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。

12、在生产过程中清洗槽1、2、3、4槽内有片子，突然停电怎么办答：将1、2、3、4槽全部加冷水，让它溢流，后再排液，边排边往内加冷水。

13、PECVD镀膜后有一排颜色色差很明显

答：说明反应腔气孔上掉片子，或者气孔被堵住。

14、扩散不能正常进退舟

答：a、检查“急停”按钮是否被按下；

b、检查限位开关；

c、检查限位开关处传输带是否有松落的现象；

15、如何区分扩散面与非扩散面

答：a、扩散面颜色较非扩散面深；

b、通过四探针检测，将暗室的灯打开测试，数字显示较不稳定的为扩散面，反之则为非扩散面；

c、用冷热探针测试硅片表面，电压为负的为扩散面，电压为正的为非扩散面。

16、四探针测试仪修正因子4532显示异常

答：电压不稳定，因是功率放大器件使用时间较长也会损坏，需换HA17741芯片。

17、烧结过后的片子较翘曲

答：a、调节烧结炉5、6区温度；

b、调节第二台背电场加浆的用量，调整刮刀的压力，调整丝网与工作台的距离，减低铝浆厚度；

18、第三台正电极错加银铝浆

答：电池片的开压为3mv左右，电流为0.4A左右,填空因子比较低,串联电阻为负值。

19、换石英管注意事项

答：a、对卡口锁、铝帽、密封圈、铜波导进行清洁；

b、对工艺腔进入2次充气抽气；

c、对气孔进行检查是否有堵塞；

d、对定位探测器清洁；

e、石英管密封圈、铝帽、铜导波安装不允许有脱落；

20、从仓库领过来的新石英舟怎样做

答：第一步，必须用HF、HCL混合液清洗，再用纯水清洗；第二步，必须每一个石英舟都做饱和。

21、浆料搅拌时间

答：银浆、银铝浆至少2.5个小时,铝浆至少2个小时。

22、碎片产生的原因

a、机械造成的碎片；

b、人为原因造成的碎片；

c、工艺原因造成的碎片；

d、吸笔的真空度过大造成的碎片；

e、操作手法不当造成的碎片。

23、二次清洗HF酸浓度太高或时间设定太长会有什么影响

答：HF酸和硅有缓慢反应，也会对硅片有腐蚀，扩散后如浓度太高或时间过长，硅片表面也会腐蚀掉一些，会导致方块电阻偏大。24、每天要定时检查花篮是否有破损，如有破损立即更换，否则会有金属离子玷污。

25、装网板时注意丝网电极横向放置且固定框缺口与之平行的原则。

26、装括条注意事项

答：安装好刮条后，将刮刀垂直置于印刷机旋转台面上，刮条平直且与台面接触部分无空隙。

27、为什么038浆料和102浆料混用。

答：铝浆038印刷的片子容易翘曲，102浆料印刷的片子比较滑，所以将其按1：1的比例混合用。

28、怎样检测去除磷硅玻璃是否彻底。

答：从二次清洗一槽里将硅片慢慢取出，看硅片表面是否沾水，如没有沾水表示已去除干净，反之则否。

29．对扩散杂质源有什么要求？

答：要制备良好的扩散结，扩散杂质源需满足以下条件：

a、必须是受主杂质或施主杂质；

b、具有较低的扩散温度；

c、具有适中的扩散速度；

d、具有很高的纯度；

e、不能和半导体发生化学反应。

30、有哪些原因会造成热氧化生长的二氧化硅的钠离子沾污？如何解