EEPROM字节EEPROM字节写程序读写程序

这是匠人写的程序：

//--------------------------------------------------------
//EEPROM字节写程序
//功能: 写一个字节到内部EEPROM
//入口: EEADR =地址
// EEDATA =数据
//--------------------------------------------------------
void write_eeprom ( void )
{
// while ( WR ) //等待上一次写操作结束
// {
// asm ("clrwdt"); //喂狗
// }
EEPGD = 0 ; //设置访问目标为EEPROM
WREN = 1 ; //允许进行写操作
GIE = 0 ; //禁止中断
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ; //启动一次写操作
GIE = 1 ; //使能中断
WREN = 0 ; //关闭写操作
}

//--------------------------------------------------------
//EEPROM字节读程序
//功能: 从内部EEPROM读一个字节
//入口: EEADR =地址
//出口: EEDATA =数据
//--------------------------------------------------------
void read_eeprom( void )
{
EEPGD = 0 ; //设置访问目标为EEPROM
RD = 1 ; //启动一次读操作
}


//--------------------------------------------------------
//FLASH字节写程序
//功能: 写一个字节到内部FLASH
//入口: EEADRH,EEADR =地址
// EEDATH,EEDATA =数据
//--------------------------------------------------------
void write_flash ( void )
{
EEPGD = 1 ; //设置访问目标为FLASH
WREN = 1 ; //允许进行写操作
GIE = 0 ; //禁止中断
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ; //启动一次写操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;
GIE = 1 ; //使能中断
WREN = 0 ; //关闭写操作
}

//--------------------------------------------------------
//FLASH字节读程序
//功能: 从内部FLASH读一个字节
//入口: EEADRH,EEADR =地址
//出口: EEDATH,EEDATA =数据
//--------------------------------------------------------
void read_flash( void )
{
EEPGD = 1 ; //设置访问目标为FLASH
RD = 1 ; //启动一次读操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;

}

这是网上找来的程序：

用我写的这个吧void WriteEE(unsigned char addr,unsigned char data) //写EEPROM
{
do{;}
while(WR==1); //上一次写操作是否完成
EEADR=addr; //EEPROM地址
EEDATA=data; //准备写入EEPROM的数据
EEPGD=0; //指向EEPROM数据储存器
WREN=1; //使能写操作
EECON2=0x55; //设置通用参数
EECON2=0xAA; //设置通用参数
WR=1; //开始写
do{;}
while(WR==1); //等待写操作完成
WREN=0; //禁止写操作
}
//
unsigned char ReadEE(unsigned char addr) //读EEPROM
{
unsigned char num;
do{;}
while(RD==1);

//上一次读操作是否完成
EEADR=addr; //EEPROM地址为00H
EEPGD=0; //指向EEPROM数据储存器
RD=1; //开始读
do{;}
while(RD==1); //等待读操作完成
num=EEDATA; //读出
return(num); //返回读出的数
}

说明：两个程序基本步骤是一致的。个中的差别是：

1、网上找来的这个程序中更严密，其中增加了对WR和RD标志位的判别，缺点是实时性较差。

2、而匠人的程序中没有这个对WR和RD标志位的判别。那是因为匠人将该判别的动作放在了上级程序中。也就是说，匠人在调用write_eeprom 函数之前，会先行判断WR。确信上次写操作已经结束后，才去调用新一次的写操作。这样做的目的是为了系统的实时性。

其实，事后匠人才发现自己写EEPROM读写程序，这样做是没有太大的必要的。因为在PICC系统自带“ PIC.H”文件中，已经内嵌了这两个函数。倒塌！

以下是“ PIC.H”文件中的内容：

/***********************************************************************/
/****** EEPROM memory read/write macros and function definitions *******/
/***********************************************************************/
/* NOTE WELL:

The macro EEPROM_READ() is NOT safe to use immediately after any
write to EEPROM, as it does NOT wait for WR to clear. This is by
design, to allow minimal code size if a sequence of reads is
desired. To guarantee uncorrupted writes, use the function
eeprom_read() or insert
while(WR)continue;
before calling EEPROM_READ().
*/
#if EEPROM_SIZE > 0
#ifdef __FLASHTYPE
// macro versions of EEPROM write and read
#define EEPROM_WRITE(addr, value) \
do{ \
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value); \
EECON1&=0x7F;CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0; \
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0; \
if(CARRY)GIE=1; \
}while(0)
#define EEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(EECON1&=0x7F),(RD=1),EEDATA)
#else // else doesn't write flash
#define EEPROM_WRITE(addr, value) \
do{ \
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value); \
CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0; \
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0; \
if(CARRY)GIE=1; \
}while(0)
#define EEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(RD=1),EEDATA)
#endif

/* library function versions */
extern void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);
extern unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);
#endif // end EEPROM routines