5.电压传输特性
电子技术试题答案
电子技术试题答案一填空1．三端集成稳压器7915的输出电压为 -15V 伏。
2．在反馈电路中，根据反馈极性不同分 正反馈 和 负反馈 。
3．半导体三极管从结构来看，可分为 PNP 和 NPN 两种。
4．常用的稳压电路有4种，它们是 直流稳压电路 、 稳压管稳压电路 、 串联型稳压电路 和 开关型稳压电路 。
5．小功率晶体管rbe 的近似公式为rbe=Tbe bb CQU r r I β=+‘（1+）。
6．在负反馈放大电路中，想稳定输出电压，应引入 电压 负反馈；想稳定输出电流，应引入 电流 负反馈；想提高输入电阻，应引入 串联 负反馈；想减小输入电阻，应引入 并联 负反馈；7．P 型半导体是在本征半导体中加入 三 价元素而形成的，其中多数载流子是 空穴 ，它的浓度取决于 掺入杂质 的浓度。
8．三极管作为放大器件使用时，必须满足的基本条件是发射结 正向 偏置，集电极 反向 偏置。
9．基本放大电路的三种组态是共射、共集、共基。
10．共发射极放大电路中，输出信号与输入信号相位相反，共集电极放大电路中，输出信号与输入信号相位相同。
11．功率放大器的基本要求是 输出电压稳定 、 输出足够功率 、 效率高 。
12．多级直接耦合放大器需要解决的主要问题是零点漂移问题。
13．在乙类功率放大电路中，放大管的导通角为180。
14．N 型半导体是在本征半导体中加入 五 价元素而形成的，其中多数载流子是自由电子，它的浓度取决于 掺入杂质 的浓度。
15．PN 结的基本特性是单向导电性。
16．正弦振荡器由放大电路、选频网络、正反馈网络、稳幅环节等环节组成。
17．三端集成稳压器7809的输出电压为 +9V 伏。
二单选1． 运放电路如右图，其门限电压为（ D ）。
A ．-4VB ．-1/4VC ． 1/4VD ．4V 2． 当温度升高时，三极管的反向饱和电流（ A ）。
A ．增大B ．减少C ．不变D ．增大减少不能确定3．三极管三个管脚的电压分别为+3V 、+9V 、+3.2V ，则三极管的类型为（ A ）。
实验三_集成逻辑门电路的功能及参数测试(精)
实验四
实验设备
示波器YB4320A 1台
三用表1只
逻辑电路设计实验箱1台
实验材料(在电阻箱上
74LS125 1片
74LS03 1片
电阻
1/8W 1K Ω8只
1/8W 5.1KΩ5只
1/8W 2.7K Ω4只
四、操作方法与实验步骤
实验三
1.验证74LS00“与非”门的逻辑功能
1.将芯片插入实验箱的IC插座中
4.从b端往a端缓慢调节电位器W ,观察Vi ,Vo两电压表的读数,并记录数据填入表格
5.根据表格数据画出曲线图,并求VON和VOFF
图表21开关门电平电路图
实验四
1.验证74LS125三态门的逻辑功能
1.高阻的测试方法:将控制端EN接高电平,输出分别接上拉电阻和下拉电阻,测量输出端Y的电压
图表22测量示意图
4.进一步建立信号传输有时间延时的概念
5.进一步熟悉示波器、函数发生器等仪器的使用
实验四
1.掌握三态门的逻辑功能及工作原理
2.了解三态门在计算机总线中的应用
3.熟悉集电极开路门的电路原理
4.掌握集电路开路门的使用方法
二、实验内容和原理
实验三
实验内容:
1.验证74LS00“与非”门的逻辑功能
2.验证CD4001“或非”门的逻辑功能
实验四1.验证74LS125三态门的逻辑功能图表32 74LS125逻辑功能测量结果EN A L Y上拉电阻Y下拉电阻5.07 5.07 0 0 H H L H实验结果表明接上拉电阻实现了正常的逻辑功能同时提高了驱动负载能力。而接下拉电阻三态门不能实现正常的逻辑功能。2.测量74LS125的四个三态门的输入输出电压图表33 74LS125输入输出电压ENi 0 0 Ai / V 4.99 0 4.97 0 4.97 0 4.98 0 Yi / V 4.04 0 3.99 0 4.02 0 4.03 0 Yi逻辑值1 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0数据表明四个三态门都是正常的。2.用74LS125三态门构成1位2选1数据选择器图表34双向数据传送测量结果S0 0 1 D1 139.133HZ 5.10V(示波器139.420HZ 5.06V D0 5.06V Y 139.172HZ 4.19V无频率第16页/共18页
(完整版)电子技术复习题及参考答案
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
数字电子技术基础第三版第二章答案
第二章逻辑门电路第一节重点与难点一、重点:1．TTL与非门外特性（1）电压传输特性及输入噪声容限：由电压传输特性曲线可以得出与非门的输出信号随输入信号的变化情况,同时还可以得出反映与非门抗干扰能力的参数U on、U off、U NH和U NL。
开门电平U ON是保证输出电平为最高低电平时输入高电平的最小值。
关门电平U OFF是保证输出电平为最小高电平时,所允许的输入低电平的最大值。
（2）输入特性:描述与非门对信号源的负载效应。
根据输入端电平的高低，与非门呈现出不同的负载效应，当输入端为低电平U IL时,与非门对信号源是灌电流负载，输入低电平电流I IL通常为1~1.4mA.当输入端为高电平U IH时，与非门对信号源呈现拉电流负载，输入高电平电流I IH通常小于50μA。
（3）输入负载特性:实际应用中，往往遇到在与非门输入端与地或信号源之间接入电阻的情况,电阻的取值不同,将影响相应输入端的电平取值。
当R≤关门电阻R OFF时,相应的输入端相当于输入低电平；当R≥ 开门电阻R ON时，相应的输入端相当于输入高电平。
2．其它类型的TTL门电路（1)集电极开路与非门（OC门）多个TTL与非门输出端不能直接并联使用,实现线与功能.而集电极开路与非门（OC门）输出端可以直接相连,实现线与的功能，它与普通的TTL与非门的差别在于用外接电阻代替复合管.(2）三态门TSL三态门即保持推拉式输出级的优点，又能实现线与功能。
它的输出除了具有一般与非门的两种状态外，还具有高输出阻抗的第三个状态，称为高阻态，又称禁止态.处于何种状态由使能端控制.3．CMOS逻辑门电路CMOS反相器和CMOS传输门是CMOS逻辑门电路的最基本单元电路，由此可以构成各种CMOS逻辑电路。
当CMOS反相器处于稳态时，无论输出高电平还是低电平，两管中总有一管导通，一管截止，电源仅向反相器提供nA级电流，功耗非常小。
CMOS器件门限电平U TH近似等于1/2U DD，可获得最大限度的输入端噪声容限U NH和U NL=1/2U DD。
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80V 则差模输入电压u Id =20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。
二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。
A ．NPN 型硅管 型锗管型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。
OC门,TS门,CMOS反相器
(2) 输出低电平UOL 典型值为0.2V。
(3) 开门电平UON 一般要求UON≤1.8V (4) 关门电平UOFF 一般要求UOFF≥0.8V
UOFF UON 在保证输出为额定低电平的条件下，允许的最小 输入高电平的数值，称为开门电平UON。< UON,开门。 在保证输出为额定高电平的条件下，允许的最大输 入低电平的数值，称为关门电平UOFF。 > UON,关门。
一般NOL≠NOH，常取两者中的较小值作为门电路的 扇出系数，用NO表示。
4） 输入负载特性 TTL反相器的输入端对地接上电阻RI 时，uI随
RI 的变化而变化的关系曲线。
图2-12 输入负载特性曲线 （a）测试电路 （b）输入负载特性曲线
虚框内为TTL反相器的部分内部电路
在一定范围内，
uI随RI的增大而升 高。但当输入电压
iI = IIH =β反 iB2 IIH很小，约<=40μA左右。
2) 输出特性 指输出电压与输出电流之间的关系曲线。 (1) 输出高电平时的输出特性
拉电流负载
图2-13 输出高电平时的输出特性
（a）电路
（b）特性曲线
负载电流iL不可过大(<0.4mA)，否则输出高电平
会降低。
(2) 输出低电平时的输出特性
1 1
+VCC Rb1 4K
3
IIH
拉电流增大时，RC4 上的压降增大，会使输 出高电平降低。因此， 把允许拉出输出端的电 流定义为输出高电平电
流IOH。
产品规定:IOH=0.4mA。 由此可得出：
N OH
I OH I IH
NOH称为输出高电平时的扇出系数。
T4
1
截止
实验十四TTL、CMOS门电路参数及逻辑特性的测试
实验十四TTL、CMOS门电路参数及逻辑特性的测试大学通信工程系林XX一.实验目的：1、掌握TTL、CMOS与非门参数的测量方法；2、掌握TTL、CMOS与非门逻辑特性的测量方法；3、掌握TTL与CMOS门电路接口设计方法。
二.实验原理：(一)TTL门电路：TTL门电路是标准的集成数字电路，其输入、输出端均采用双极型三极管结构：凡是TTL器件特性均与TTL门电路具有相同特性，故需了解TTL门电路的主要参数。
7400是TTL型中速二输入端四与非门。
图1是它的部电路原理图和管脚排列图。
1、TTL与非门的主要参数：（1）输入短路电流：I IS：与非门某输入端接地时，该输入端接入地的电流。
（2）输入高电平电流I IH：与非门某输入端接V CC（5V），其他输入端悬空或接V CC时，流入该输入端的电流。
TTL与非门特性如图2所示：（3）开门电平V ON:使输出端维持低电平V OL所需的最小输入高电平，通常以V O=0.4V时的Vi定义。
（4）关门电平V OFF：使输出端保持高电平V OH所允许的最大输入低电平，通常以Vo=0.9V OH时的Vi定义。
阀值电平V T:V T=(V OFF+V ON)/2（5）开门电阻R ON：某输入端对地接入电阻（其他悬空），使输出端维持低电平（通常以V O=0.4V）所需的最小电阻值。
（6）关门电阻R OFF：某输入端对地接入电阻（其他悬空），使输出端保持高电平V OH（通常以V O=0.9V OH 所允许的最大电阻值）。
TTL与非门输入端的电阻负载特性曲线如图3所示。
（7）输出低电平负载电流I OL：输出保持低电平V O=0.4V时允许的最大灌流（如图4）；（8）输出高电平负载电流I OH：输出保持高电平V O=0.9V OH时允许的最大拉流；（9）平均传输延迟时间tpd：○1开通延迟时间t OFF：输入正跳变上升到1.5V相对输出负跳变下降到1.5V的时间间隔；○2关闭延迟时间t ON：输入负跳变上升到1.5V相对输出正跳变下降到1.5V的时间间隔；○3平均传输延迟时间：开通延迟时间与关闭延迟时间的算术平均值。
数字电路习题-第二章
第二章 逻辑门电路集成逻辑门电路是组成各种数字电路的基本单元。
通过本章的学习，要求读者了解集成逻辑门的基本结构，理解各种集成逻辑门电路的工作原理，掌握集成逻辑门的外部特性及主要参数，掌握不同逻辑门之间的接口电路，以便于正确使用逻辑门电路。
第一节 基本知识、重点与难点一、基本知识（一） TTL 与非门 1．结构特点TTL 与非门电路结构，由输入极、中间极和输出级三部分组成。
输入级采用多发射极晶体管，实现对输入信号的与的逻辑功能。
输出级采用推拉式输出结构（也称图腾柱结构），具有较强的负载能力。
2．TTL 与非门的电路特性及主要参数 （1）电压传输特性与非门电压传输特性是指TTL 与非门输出电压U O 与输入电压U I 之间的关系曲线，即U O=f （U I ）。
（2）输入特性当输入端为低电平U IL 时，与非门对信号源呈现灌电流负载，1ILbe1CC IL R U U U I −−−=称为输入低电平电流，通常I IL ＝-1～1.4mA 。
当输入端为高电平U IH 时，与非门对信号源呈现拉电流负载，通常I IH ≤50μA 称为输入高电平电流。
（3）输入负载特性实际应用中，往往遇到在与非门输入端与地或信号源之间接入电阻的情况。
若U i ≤U OFF ，则电阻的接入相当于该输入端输入低电平，此时的电阻称为关门电阻，记为R OFF 。
若U i ≥U ON ，则电阻的接入相当于该输入端输入高电平，此时的电阻称为开门电阻，记为R ON 。
通常R OFF ≤0.7K Ω，R ON ≥2K Ω。
（4）输出特性反映与非门带载能力的一个重要参数--扇出系数N O 是指在灌电流（输出低电平）状态下驱动同类门的个数IL OLmax O /I I N =其中OLmax I 为最大允许灌电流，I IL 是一个负载门灌入本级的电流（≈1.4mA ）。
N O 越大，说明门的负载能力越强。
（5）传输延迟时间传输延迟时间表明与非门开关速度的重要参数。
南邮通达模电填空选择题整理
通达13级期末模电填空题选择题整理一、填空题整理1.半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2.利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。
3.在本征半导体中加入 5价元素可形成N型半导体，加入3价—元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多子是自由电子；P型半导体中的多子是―空穴。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。
5.通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为 0.2v 。
6..理想二极管正向电阻为0,反向电阻为（你猜），这两种状态相当于一个______ 开关。
7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。
8.1.压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。
8.2.极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10.晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降UCE不变，基极电流为20R A时，集电极电流等于2mA,则§=__100__。
12.场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是 MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N 沟道和P沟道两种。
13.晶体管工作在放大区时，具有发射结正偏、集电结反偏的特点。
14.晶体管工作在饱和区时，具有发射结正偏、集电结正偏的特点。
15.饱和失真和截止失真属于非线性失真，频率失真属于线性失真。
16.共集电极放大器又叫射极输出器，它的特点是：输入电阻高（高、低）；输出电阻低（高、低）；电压放大倍数约为 J。
17.多级放大器由输入级、中间级__________ 和输出级组成；其耦合方式有—阻容耦合和直接耦合、变压器耦合三种；集成运算放大器运用的是直接耦合耦合方式。
《模拟电子技术基础》教学课件 5.4集成运放的主要参数和电压传输特性
5.4 集成运放的主要参数和电压传输特性
5.4.1 集成运放的主要参数
1.集成运放的直流参数
③输入偏置电流IIB 运放两个输入端偏置电流的平均值，用于衡量差分放大对管输入电流的大小。
μA741输入偏置电流IIB是80nA，LM324的输入偏置电流是20nA。 ④温度漂移 输入失调电压温漂 dUIo /dt 在规定工作温度范围内，输入失调电压随温度的变化量与温度变化量之比值。 其值一般约为±（10～20）μV/℃。
A
uP
+
uo
①虚短
“虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，
这一特性称为虚假短路，简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。
②虚断 “虚断”是指在分析运放处于线性状态时，可以把两输入端视为等效开路，
这一特性称为虚假开路，简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。
（2）运放在正反馈或开环时，工作在非线性区。
输入失调电流的温漂dIIO/dT指输入失调电流随温度的变化率。 高质量的运放，其值一般约为每度几个pA。
5.4 集成运放的主要参数和电压传输特性
2.集成运放的交流参数 ①开环差模电压放大倍数Aod 运放在无外加反馈条件下，输出电压的变化量与输入电压的变化量之比。
通用型集成数和电压传输特性
2.集成运放的交流参数
③共模抑制比 KCMR 和共模输入电阻Ric 与差分放大电路中的定义相同，是差模电压增益 Aud 与共模电压增益 Auc 之比， 常用分贝数来表示。
KCMR=20lg(Aud / Auc ) (dB)
一般通用型运放的KCMR为80～120dB，高精度运放可达140dB。 μA741的KCMR大于90dB，LM324的KCMR大于80dB。
模拟电子技术教程第6章习题答案
第6章习题答案1. 概念题：（1）由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈，电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。
（2）反相比例运算电路的输入阻抗小，同相比例运算电路的输入阻抗大，但会引入了共模干扰。
（3）如果要用单个运放实现：A u＝－10的放大电路，应选用 A 运算电路；将正弦波信号移相＋90O，应选用 D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用 F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，应选用 E 运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用 C 运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，应选用 D 运算电路。
A. 反相比例B. 同相比例C. 积分D. 微分E. 加法F. 乘方（4）已知输入信号幅值为1mV，频率为10kHz～12kHz，信号中有较大的干扰，应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。
（5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗？（不会）加1000V的交流电压呢？（不会）（6）有源滤波器适合于电源滤波吗？（不适用）这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。
（7）正弦波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（一定）矩形波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（不一定）（8）作为比较器应用的运放，运放一般都工作在非线性区，施密特比较器中引入了正反馈，和基本比较器相比，施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。
（9）正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同，是因为反馈耦合端的极性不同，RC正弦波振荡器频率不可能太高，其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。
（10）非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。
（11）当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时，石英晶体呈阻性；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈感性；其余情况下石英晶体呈容性。
（12）若需要1MHz以下的正弦波信号，一般可用 RC 振荡电路；若需要更高频率的正弦波，就要用 LC 振荡电路；若要求频率稳定度很高，则可用石英晶体振荡电路。
TTL及非门电压传输特性及主要参数
TTL 与非门的电压传输特点和主要参数1．电压传输特点曲线与非门的电压传输特点曲线是指与非门的输出电压与输入电压之间的对应关系曲线，即 V=f 〔 Vi 〕，它反响了电路的静态特点。
（1〕AB段〔截止区〕。
（2〕BC段〔线性区〕。
（3〕CD段〔过渡区〕。
（4〕DE段〔饱和区 ) 。
2．几个重要参数从 TTL 与非门的电压传输特点曲线上，我们可以定义几个重要的电路指标。
〔1〕输出高电平电压VOH—— VOH的理论值为，产品规定输出高电压的最小值VOH〔min〕=，即大于的输出电压即可称为输出高电压VOH。
VOL〔 max〕〔2〕输出低电平电压 VOL—— VOL的理论值为，产品规定输出低电压的最大值=，即小于的输出电压即可称为输出低电压 VOL。
由上述规定可以看出，TTL 门电路的输出上下电压都不是一个值，而是一个范围。
〔3〕关门电平电压VOFF——是指输出电压下降到VOH〔 min〕时对应的输入电压。
显然只要 Vi ＜ VOff ，Vo 就是高电压，因此 VOFF就是输入低电压的最大值，在产品手册中常称为输入低电平电压，用 VIL 〔 max〕表示。
从电压传输特点曲线上看 VIL 〔max〕〔 VOFF〕≈，产品规定 VIL 〔 max〕 =。
〔4〕开门电平电压VON——是指输出电压下降到VOL〔 max〕时对应的输入电压。
显然只要 Vi ＞ VON，Vo 就是低电压，因此 VON就是输入高电压的最小值，在产品手册中常称为输VIH〔 min〕〔 VON〕略大于，入高电平电压，用 VIH〔 min〕表示。
从电压传输特点曲线上看产品规定 VIH〔 min〕 =2V。
（5〕阈值电压 Vth ——决定电路截止和导通的分界线，也是决定输出高、低电压的分界线。
从电压传输特点曲线上看， Vth 的值界于 VOFF与 VON之间，而 VOFF与 VON的实质值又差异不大，因此，近似为 Vth ≈ VOFF≈ VON。
模拟电子技术试卷及答案
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反应；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反应。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可到达_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反应；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，那么这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，假设uI = 20 mV，那么电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如下图复合管，V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，那么复合后的 b 约为( )。
集成运放的电压传输特性
运算放大器的理想电压传输特性
集成运放的电压传输特性
Avo=∞ +VomV+vov正o 饱和
负饱和
0
0
-VV- om
vPvP- -vvNN
运算放大器的理想电压传输特性
2. 由于运放的开环
电压增益很高， 当
(vP-vN)>0 时 ， 输 出 电 压 vo 趋 于 正 饱 和 极 限 电 压 Vom=V+ ， 反 之 ， 当 (vP-vN)<0 时 ， 输 出 电 压 vo 趋 于负饱和极限电压-
模拟电子技术
知识点： 集成运放的电压传输特性
集成运放的电压传输特性
V+
正负电源（即vo的
正负饱和极限值
P
+
v_P
_
Ri
Ro
vN
+
+
+
Avo(vP-vN)
_
vO
N
-
V-
运算放大器的电路模型
集成运放的电压传输特性
设 vP>vN， 若 V- <Avo(vP－vN)< V＋ ，则 vO＝Avo(vP－vN) 若 Avo(vP－vN) V＋ ， 则 vO= +Vom = V＋ 若 Avo(vP－vN) V-， 则 vO= -Vom = V-
集成运放的电压传输特性
+Vom
非线性区
vo 正饱和
线性区 0
vP - vN
负饱和
-Vom
运算放大器的电压传输特性
电压传输特性 vO＝ f (vP－vN)
线性范围内 vO＝Avo(vP－vN) Avo——斜率
当Avo(vP－vN) V＋ 时 vO= +Vom = V＋
模拟电子技术（西安交大）模拟考题二及参考答案
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。
门电路详细课程 (5)
UNL
UNH
G1
B1
S1 TN
0
DE F
UTH
uI /V
VSS
UTN
UTP
噪声DAEB与容UB、UCN限BDN段EHLCT：：段：F：N、指输输段:：Auuu为入截入IIO：Buu<规为=为I止段OUUV定高低T对T0DNN.值D电5电应,导，V时、平平D，通TTDi，D时时DNNT, 导截允N的的T、0通止许N噪噪，TiT、DP，、波声P(声m:功T的auT动容导x容P)耗OP状。均的限限通 略导极态导最。。下通小与通转大降，。截之折。=范。止电相0围.3压反V。D。D
6. 输入端外接电阻的大小不会引起输入电平的变化。
思考原因？
因为输入阻抗极高 （≥ 108 ） 故 输入电流 0 ，电阻上的压降 0。
uA uGSN uGSP TN
0 V < UTN < UTP 截止 10 V > UTN > UTP 导通
TP
导通 截止
uY
10 V 0V
YA A 1 Y
二、静态特性
1. 电压传输特性： uO f (uI )
+VDD
+ uI
-
S2 TP
G2
B2
D2 iD
uO /V
VDD A B C
D1 uO
2. 3. 5 CMOS 电路使用中应注意的几个问题
一、CC4000 和 C000 系列集成电路
1. CC4000 系列：符合国家标准，电源电压为 3 18 V，功能和外部引线排列与对 应序号的国外产品相同。
2. C000 系列：早期集成电路，电源电压为 7 15 V， 外部引线排列顺序与 CC4000 不同， 用时需查阅有关手册。
数字电路的基本知识
数字电路的基本知识·用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为逻辑门电路。
·逻辑门电路是构成数字电路的基础。
·数字电路特点：(1) 输入、输出信号的大小非高电平就是低电平高电平和低电平是两个不同的可以截然区分开来的电压范围，可表示两种不同的状态。
例如TTL，2.4～5V－－高电平，用U H表示；而0～0.4V－－低电平，用U L表示。
(2) 数字电路中电子器件的工作状态对应于逻辑1和逻辑0两种不同的状态，即工作在开关状态。
半导体二极管、三极管和MOS管则是构成这种电子开关的基本开关器件。
·关于正、负逻辑如果用逻辑1表示高电平，用逻辑0表示低电平，叫做正逻辑赋值，简称为正逻辑。
如果用逻辑0表示高电平，用逻辑1表示低电平，叫做负逻辑赋值，简称为负逻辑。
在以后的章节中，如果没有特别说明，一律采用正逻辑。
·数字IC分类按集成度：小规模IC、中规模IC、大规模IC和超大规模IC按器件：双极型IC、单极型IC。
2.1 半导体器件的开关特性一理想开关的开关特性1. 静态特性(1) 断开时，电阻R OFF＝∞，电流I OFF＝0。
(2) 闭合时，电阻R ON＝0，不论电流多大。
2. 动态特性(1) 开通时间t on＝0(2) 关断时间t off＝0实际开关：机械开关－－静态特性好，但动态特性很差（在一定的电压和电流范围内）电子开关－－静态特性差，但其动态特性较好。
在开关速度很高的情况下，开关状态的转换时间(开通时间t on和关断时间t off)显的尤为重要。
数字电路中，常常要求器件的导通和截止两种状态的转换，在微秒甚至纳秒数量级的时间内完成。
二、二极管的开关特性理想二极管：导通时，导通压降U D＝0V，电流由外电路决定；反偏时，电流＝0，压降由外电路决定。
状态转换时间＝0。
实际二极管：从正向导通到反向截止需要经历一个反向恢复过程。
反向恢复时间t re＝t s＋t t，纳秒数量级，限制了二极管开关状态转换。