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最全的电力电子复习(有答案)

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第一章填空题:1.电力电子器件一般工作在开关状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。

3.电力电子器件组成的系统,一般由主电路、驱动电路、控制电路三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。

6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。

7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。

9.对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L大于I H。

10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为,U DRM小于Ubo。

11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的阴极和门极在器件内并联结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿。

14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。

15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。

16.IGBT 的开启电压U GE(th)随温度升高而略有下降,开关速度低于电力MOSFET 。

17.功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是智能功率集成电路。

18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。

19.为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是负脉冲。

20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是使基极驱动电流不进入放大区和饱和区。

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一、填空题1.正弦脉冲宽度调制(SPWM)电路中,调制波为。

2.有源逆变电路中控制角α与逆变角β之间的关系应该是。

3 在电力电子器件中,有电流控制型器件,电压控制型器件,GTO为器件。

4. 晶闸管的导通条件是,,门极正偏,阳极电流大于维持电流 .5. 在PWM控制中,载波比为。

6. 电力电子器件的损耗主要有、断态损耗和开关损耗。

7.三相桥式全控整流电路中,同一相两个晶闸管的触发脉冲相位关系为。

8. PWM控制电路中,异步调制是。

9.单相全控桥式整流电路,纯电阻负载,脉冲的移相范围是。

10.直流斩波电路的三种控制方式为频率调制,和混合调制。

11.在交--交变频电路中,阻感负载。

在逻辑无环流情况下,哪组桥工作,由方向决定。

12. 三相半波整流电路的自然换相点(α=0o,触发脉冲始发点)是。

13. 无源逆变电路多重化的目的是。

14.电力电子电路中的换相方式主要有强迫换相,电网换相,器件换相,。

15.零电流开关是开关关断前迫使其降为零,则不会产生损耗和噪声。

二.简答题:(共4题,每题5分,计20分)1.什么是电压型逆变电路,有什么特点?2.试述单相交流调压电路与单相交流电力电子开关的异同。

3.有源逆变电路中,什么是逆变失败?原因是什么?(至少写出两种)3.画出IGBT关断缓冲吸收电路的原理图,并简述其过压保护原理。

三. 波形分析:1.单相全控桥式整流电路如下图所示,U2=100V,负载中R=1Ω,L极大,反电势E=60V,当α=30°时,作出ud ,id, i2,uVT1的波形;2.单相桥式矩形波逆变电路,RL负载,1800导电型,作出u G1u G4、u G2u G3、u o、i o波形。

四、分析计算题1.在下图所示的降压斩波电路中,已知E=100V,R=1Ω,L值极大,E M=30V,采用脉宽调制方式,当T=50μS,t on=30μS时①计算输出电压平均值U o 、输出电流平均值I o 。

电力电子技术复习资料

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电力电子技术复习资料第一章 电力电子器件及驱动、保护电路1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换和传输的技术。

P12、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。

P13、电力电子技术的主要功能:1)、整流与可控整流电路也称为交流/直流(AC/DC )变换电路;2)、直流斩波电路亦称为直流/直流(DC/DC)转换电路;3)、逆变电路亦称为直流/交流(DC/AC)变换电路;4)、交流变换电路(AC/AC 变换)。

P14、电力电子器件的发展方向主要体现在:1)、大容量化;2)、高频化;3)、易驱动;4)、降低导通压降;5)、模块化;6)、功率集成化。

P25、电力电子器件特征:1)、能承受高压;2)、能过大电流;3)、工作在开关状态。

P46、电力电子器件分类:1)、不可控器件,代表:电力二极管;2)、半控型器件,代表:晶闸管;3)、全控型器件,代表:电力晶体管(GTR )。

P57、按照加在电力电子器件控制端和公共端之间的驱动电路信号的性质又可以将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。

P68、晶闸管电气符号。

P19、晶闸管关断条件:阴极电流小于维持电流;晶闸管导通条件:阳极加正压,门极加正压。

导通之后门极就失去控制。

P1110、晶闸管的主要参数(选管用)重复峰值电压——额定电压U Te ;晶闸管的通态平均电流I T(A V)——额定电流。

P1311、K f =电流平均值电流有效值===2)(πAV T T I I 1.57。

P14 12、根据器件内部载流载流子参与导电的种类不同,全控型器件又分为单极型、双极性和复合型三类。

P1713、门极可关断晶闸管(GTO )具有耐压高、电流大等优点,同时又是全控型器件。

P1814、电力晶体管(GTR)具有自关断能力、控制方便、开关时间短、高频特性好、价格低廉等优点。

P1915、GTR 发生二次击穿损坏,必须具备三个条件:高电压、大电流和持续时间。

电力电子技术总复习

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电力电子技术总复习第一章绪论1、电子开关型电力电子变换有哪四种基本类型?2、第二章课本P6电力电子的应用:要知道是何种电力电子技术的应用。

第二章电力电子器件1、器件按控制方式分为:什么是半控器件?晶闸管是:它的派生类包括:什么是全控器件?它包括:全控器件中,开关频率最高的是:应用最广泛的是:大功率场合广泛应用的是:存在二次击穿现象的器件是:驱动功率小的器件是:2、器件按驱动方式分:SCR、GTR、GTO是:IGBT、MOSFET是:3、SCR在门极开路的情况下正向导通的原因是:在实际应用中为保证SCR的可靠导通脉冲宽度由那个参数决定?用万用表如何区分SCR的三个极?SCR门极所加最高电压、电流、或平均功率超过允许值时会发生:门极所加最高反向电压超过10V以上会造成:第三章整流电路1、什么是控制角?导通角?相位控制方式?2、阻性负载下单相半波、单相桥式、单相全波、三相半波、三相桥式整流电路的移相范围为:阻感负载下为:3、三相桥式整流电路的共阴极组的三只管子脉冲互差:同一相的两个管子脉冲互差:管子的导通顺序为:每只管子工作多少度:4、掌握各种整流电路的计算公式:U d、I d I VT I TA V U FM I2掌握u d i d i vt1u vti的波形画法5、掌握三相桥式整流电路考虑变压器漏抗下的计算:ΔU d、I d U d6、单相半波、单相桥式、单相全波、三相半波、三相桥式整流电路整流输出电压脉动次数分别为:如果脉动次数是12那么,输出电压的最低次谐波是:交流侧最低次谐波是:脉动次数越高,最低次谐波的次数就越,可使尺寸及体积减小。

7、整流电路多重化的主要目的是什么?如何实现?8、何为逆变失败?最小逆变角是:第四章逆变电路1、有源逆变和无源逆变电路有何不同?2、什么是换流?换流方式有哪些?各有何特点?3、什么是电压逆变型和电流逆变型电路?两者各有何特点?4、会画三相电压型桥式逆变电路的工作波形。

电力电子复习提纲.docx

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第1章绪论1、电力电了技术的概念就是应川于电力领域的电子技术2、电力变换的种类四大类:交流变直流(整流)、直流变交流(逆变)、直流变直流、交流变交流第2章电力电子器件1、电力电子器件的概念是指可肓接用于处理电能的主电路屮,实现电能的变换或控制的电了器件2、电力电了器件的分类电真空器件和半导体器件3、品闸管的导通条件、关断条件、维持导通条件导通条件:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极丿施加触发电流(脉冲)。

关断条件:维持导通条件:使晶闸管电流大于能保持晶闸管导通的最小电流4、关断品闸管的方法去掉阳极所加的止向电压,或者给阳极施加反压,或者设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一数值一下,晶闸管才能关断5、晶闸管的符号、英文缩写与引脚SCR6、常用的全控型器件有哪些?P・MOSFET、SIT、GTO、GTR、IGBT是哪些全控型器件的英文缩写,这些器件中哪些是电流控制型器件?哪些是电压控制型器件?常用全控型器件:门极可关断品闸管(GTO)、电力品体管(GTR)、电力场效应品体管、绝缘栅双极晶体管(1GBT或IGT)P-MOSFET:电力场效应晶体管屮绝缘栅型屮的MOS型(P沟道)SIT:静电感应晶体管电流控制型器件:GTO GTR电压控制型器件:P-MOSFET SIT IGBT7、IGBT的结构由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT的基本结构第3章整流电路1、什么是整流电路交流变直流2、整流电路的主要分类方法按组成器件分为不可控、半控、全控三种;按电路结构分为桥式电路和零式电路;按交流输入相数分为单向电路和多相电路;按变压器二次电流方向(单向和双向)分为单扌1‘1电路和双扌1‘1电路。

3、单相半波整流电路接电阻负载时控制角的移相范用0~ n4、单和半波整流电路品闸管可能承受的反向峰值电压二次电压瞬时值th的峰值即V2U25、单相桥式整流电路接电阻负载时控制介的移相范围0~兀6、单相全控桥式幣流电路屮,晶闸管可能承受的反向峰值电压V2U27、单相半控桥电感性负载电路中,在负载两端并联一个续流二极管的作用冇续流二极管VD R时,续流过程由VD R完成,在续流阶段晶闸管关断,这就避免r某一个晶闸管持续导通从而导致失控的现象。

电力电子复习材料及答案解析

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电力电子技术一填空题1、电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。

2、电力变换通常可分为四大类,分别是整流、逆变、直流斩波、交流变交。

3、电力电子技术是一门由电力技术、电子技术、控制技术三个学科交叉而形成的。

4、电力电子器件一般工作在开关状态,在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时你,功率损耗主要为开关损耗。

5、一个周期内,下列整流电路整流电压波形的脉动次数:单相半波可控电路脉动__1____次;单相全控桥式整流电路脉动__2____次;三相半波可控电路脉动____3__次;三相全控桥式整流电路脉动___6___次。

6、电压型三相逆变器,电路的基本工作方式是___180°__导电方式,任一瞬间,有___3_____个IGBT 同时导通;电流型三相逆变器,电路的基本工作方式是___120°__导电方式,任一瞬间,有____2____个IGBT同时导通。

7、同一晶闸管,维持电流IH与掣住电流I L在数值大小上有I L> I H。

8、电力电子器件一般都工作在开关状态。

9、晶闸管和门极可关断晶闸管的英文名字的缩写分别为SCR 和GTO 。

10、按照直流侧电源性质划分,逆变电路可分为电流型逆变电路和电压型逆变电路。

11、单结晶体管张弛振荡电路的原理是利用单结晶体管的___负阻____特性和RC电路的___充放电____特性。

12、当发射极电压等于____峰点电压__时,单结晶体管导通。

导通后,当发射极电压小于__谷点电压___时,单结晶体管关断。

13、晶闸管内部是四层半导体结构,它的三个电极分别是阳极、阴极、门极。

14、整流电路的作用是交流电能将变为直流电能供给直流用电设备。

15、自换流逆变电路采用器件换流和强迫换流两种换流方式,外部换流逆变电路采用电网换流和负载换流两种换流方式。

16、IGBT是绝缘栅双极晶体管,是三端器件,三个电极分别是发射极、栅极、集电极。

(完整word版)电力电子技术考试复习资料

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一、填空1.1 电力变换可分为以下四类:交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。

1.2 电力电子器件一般工作在 开关 状态。

1.3 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可将电力电子器件分为: 半控 型器件, 全控型器件,不可控器件等三类。

1.4 普通晶闸管有三个电极,分别是 阳极 、 阴极 和 门极1.5 晶闸管在其阳极与阴极之间加上 正向 电压的同时,门极上加上 触发 电压,晶闸管就导通。

1.6 当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性解发电压,管子都将工作在 截止 状态。

1.7 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为 通态损耗 ,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为 开关损耗 。

1.8 电力电子器件组成的系统,一般由 控制电路 、 驱动电路 和 主电路 三部分组成 1.9 电力二极管的工作特性可概括为 单向导电性 。

1.10 多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题,多个晶闸管相串联时必须考虑 均压 的问题。

1.11 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 电流驱动 和电压驱动 两类。

2.1 单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角a 的最大移相范围是︒180~0。

2.1 单相桥全控整流电路中,带纯阻负载时,a 角的移相范围是︒180~0,单个晶闸管所所承受的最大反压为22u ,带阻感负载时,a 角的移相范围是︒90~0,单个晶闸管所所承受的最大反压为22u2.3 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位相序依次互差︒120,单个晶闸管所承受的最大反压为26u ,当带阻感负载时,a 角的移相范围是2~0π2.4 逆变电路中,当交流侧和电网边结时,这种电路称为 有源逆变电路 ,欲现实有源逆变,只能采用全控电路,当控制角20π<<a 时,电路工作在 整流 状态,ππ<<a 2时,电路工作在 逆变 状态。

《电力电子技术》复习资料

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《电力电子技术》复习资料一 电力电子器件1. 要点:① 半控器件:晶闸管(SCR )全控器件:绝缘栅双极型晶体管(IGBT )、电力晶体管(GTR )、 门极关断晶闸管(GTO )、电力场效应管(MOSEFT ) 不可控器件:电力二极管各器件的导通条件、关断方法、电气符号及特点。

②注意电流有效值与电流平均值的区别: 平均值:整流后得到的直流电压、电流。

有效值:直流电压、电流所对应的交流值。

波形系数:K f =有效值/平均值 。

③电力电子技术器件的保护、串并联及缓冲电路: du /dt :关断时,采用阻容电路(RC )。

di/dt :导通时,采用电感电路。

二 整流电路1. 单相半波电路:① 注意电阻负载、电感负载的区别: ② 有效值与平均值的计算:平均值:整流后得到的直流电压、电流。

21cos 0.452d U U α+=d d U I R=有效值:直流电压、电流所对应的交流值。

U U =U I R = 波形系数:电流有效值与平均值之比。

f dIk I =② 注意计算功率、容量、功率因数时要用有效值。

③ 晶闸管的选型计算:Ⅰ求额度电压:2TM U =,再取1.5~2倍的裕量。

Ⅱ 求额度电流(通态平均电流I T (AV )) 先求出负载电流的有效值(f d I k I =); →求晶闸管的电流有效值(I T =I );→求晶闸管的电流平均值(()/T AV T f I I k =),再取1.5~2倍裕量。

2. 单相全桥电路负载:①注意电阻负载、电感负载和反电动势负载的区别: ② 电阻负载的计算:α移相范围:0~π负载平均值:整流后得到的直流电压、电流。

(半波的2倍)21cos 0.92d U U α+=d d U I R=负载有效值:直流电压、电流所对应的交流值。

U U =U I R = 晶闸管:电流平均值I dT 、电流有效值I T :dT d12I I =T I =③ 电感负载的计算:Ⅰ加续流二极管时,与电阻负载相同。

(完整版)电力电子技术总复习

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《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、开关型DC/DC 变换电路的3个基本元件是 、 和 。

2、逆变角β与控制角α之间的关系为 。

3、GTO 的全称是 。

4、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 斩波电路; 斩波电路; --——斩波电路.5、变频电路从变频过程可分为 变频和 变频两大类。

6、晶闸管的工作状态有正向 状态,正向 状态和反向 状态。

7、只有当阳极电流小于 电流时,晶闸管才会由导通转为截止.8、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 角.9、GTR 的全称是 。

10、在电流型逆变器中,输出电压波形为 波,输出电流波形为 波。

11、GTO 的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。

12、普通晶闸管的图形符号是,三个电极分别是 , 和 。

13、整流指的是把 能量转变成 能量.14脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的 和 时间比,即调节 来控制逆变电压的大小和频率。

15、型号为KP100—8的元件表示 管、它的额定电压为 伏、额定电流为 安.16、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括: 和 。

二、判断题1、KP2—5表示的是额定电压200V ,额定电流500A 的普通型晶闸管。

2、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。

3、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极.4、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。

5、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。

6、普通晶闸管内部有两个PN 结。

7、逆变失败,是因主电路元件出现损坏,触发脉冲丢失,电源缺相,或是逆变角太小造成的。

8、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明,其电路中发生的“逆变”称有源逆变. 9、单相桥式可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为22U 。

10、MOSFET属于双极型器件.11、电压型逆变电路,为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。

电力电子技术复习资料

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答:三角波载波在信号波正半周期或负半周期里只有单一的极性,所得的 PWM 波形在半个周期中也只在单极性范围内变化,称为单极性 PWM 控制方式。三角波载波始终是有正有负为双极性的,所得的 PWM 波形在半个周期中有正、有负,则称之为双极性 PWM控制方式。
三相桥式 PWM 型逆变电路中,输出相电压有两种电平:0.5Ud和-0.5 Ud。输出线电压有三种电平 Ud、0、- Ud。
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一、填空题:
1.电力变换常分为四大类(AC/DC)即:交流变直流(整理)、直流变交流(逆变)、交流变交流(变频、变相)、直流变直流(斩波)。
2.在电力电子器件的分类中,可以控制导通不能控制关断的器件称为半控器件如:晶闸管又称作可控硅整理器(SCR);既可以控制导通又能控制关断的器件称:
b.整流电路的工作状态增多;
c.晶闸管的电流变化率减小,有利于晶闸管的安全导通;
d.换相时晶闸管电压出现缺口,产生正的电压变化率,可能使晶闸管误导通。
e.换相使电网电压出现缺口,增加了谐波成份,成为新的干扰源。
2.逆变产生的条件?
答:a.要有直流电动势,其极性需和晶闸管的导通方向一致,其值应大于交流器直流侧的平均电压。
12.交流调压电路:在每半个周波内通过对晶闸管开通相3.交流调功电路:以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断,改变通态周期数和断态周期数的比,可以方便地调节输出功率的平均值,这种电路称为交流调功电路。
14.交流电力电子开关:如果并不着意调节输出平均功率,而是根据需要接通或断开电路,则称串入电路中的晶闸管为交流电力电子开关。
④与计算法和调制法相比,相同开关频率时输出电流中高次谐波含量较多;
⑤采用闭环控制。
9.晶闸管触发电路应满足什么要求?

电力电子复习资料

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电⼒电⼦复习资料1、电导调制效应——当PN结上流过的正向电流较⼤时,注⼊并积累在低掺杂N区的少⼦空⽳浓度将很⼤。

为了维持半导体的中性条件,其多⼦浓度(即电⼦浓度)也相应⼤幅度增加,使得其电阻率明显下降,也就是电导率⼤⼤增加。

电导调制效应使得PN结在正向电流较⼤时压降仍然很低,约0.7—1V左右。

即流过⼆极管的电流增⼤时,其内阻由于电导调制效应,反⽽减⼩,从⽽维持端电压基本不变。

当PN 结外加反向电压时外加电场与PN结⾃建电场⽅向相同,使少⼦的漂移运动⼤于多⼦的扩散运动,形成漂移电流,但由于少⼦的浓度很低,故反向电流很⼩,⼀般只为微安数量级。

故反向偏置时,PN结呈现⾼阻态,⼏乎⽆电流流过,称为截⽌状态。

2、普通⼆极管,⼜称整流⼆极管(Rectifier Diode)如:IN4007 IN5408(1)多⽤于开关频率不⾼(1kHz以下)的整流电路中(2)其反向恢复时间较长,⼀般在以上,这在开关频率不⾼时并不重要。

(3)正向电流定额和反向电压定额可以达到很⾼,分别可达数千安和数千伏以上。

快恢复⼆极管(Fast Recovery Diode——FRD)(1)恢复过程很短特别是反向恢复过程很短(以下)的⼆极管,也简称快速⼆极管。

如:FR107 MUR840(2)⼯艺上多采⽤了掺⾦措施(3)有的采⽤PN结型结构(4)有的采⽤改进的PiN结构采⽤外延型PiN结构的的快恢复外延⼆极管,其反向恢复时间更短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9V左右),但其反向耐压多在1200V以下。

如HF A25TB60从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。

前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下,甚⾄达到20~30ns。

肖特基⼆极管a.肖特基⼆极管的弱点(1)当反向耐压提⾼时其正向压降也会⾼得不能满⾜要求,因此多⽤于200V以下(2)反向漏电流较⼤且对温度敏感,因此反向稳态损耗不能忽略,⽽且必须更严格地限制其⼯作温度b.肖特基⼆极管的优点(1)反向恢复时间很短(10~40ns)(2)正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲(3)在反向耐压较低的情况下其正向压降也很⼩,明显低于快恢复⼆极管(4)其开关损耗和正向导通损耗都⽐快速⼆极管还要⼩,效率⾼如:IPS59SB20 40V/0.5A IPS74SB23 40V/1APBYL1025 25V/10A 1N5819 40V/1A3、P15晶闸管的特性是:在低发射极电流下α很⼩,当发射极电流建⽴起来之后,α迅速增⼤。

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第1章 思考题与习题2.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A 决定。

2.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小,I A 下降到维持电流I H 以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。

进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A 决定。

2.3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H 会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。

2.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:非正常导通方式有:(1) I g =0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt 过高;(3) 结温过高。

2.5请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。

即gr rr q t t t +=。

2.6试说明晶闸管有哪些派生器件?答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

2.7请简述光控晶闸管的有关特征。

答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。

主要用于高压大功率场合。

2.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题2.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题2.8答:(a )因为H A I mA K V I <=Ω=250100,所以不合理。

电力电子技术(本)复习资料

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电力电子技术(本)复习资料一、单项选择题1.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )。

(1 分)A.0º-90°B.0º-120°C.0º-150°D.0º-180°答案:D2.三相半波可控整流电路的自然换相点是( )。

(1 分)A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°答案:B3. 当采用6脉波三相桥式整流电路时,电网频率为()Hz时,交-交变频电路的输出上限频率为20Hz。

(1 分)A.30B.40C.50D.60答案:C4.公共交流母线进线方式的三相交交变频电路主要用于()容量的交流调速系统。

(1 分)A.大型B.中等C.小型D.大中答案:B5.下列哪个选项与其他三项不是同一概念?() (1 分)A.直接变频电路B.交交直接变频电路C.周波变流器D.交流变频电路答案:D6.如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为()。

(1 分)A.700VB.750VC.800VD.850V答案:B7.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是()。

(1 分)A.分流B.降压C.过电压保护D.过电流保护答案:C8.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。

(1 分)A.60B.180C.120D.140答案:C9.单相交流调压电路中,电感性负载时与电阻性负载时相比,控制角相同时,随着负载阻抗角的增大,谐波含量将会()。

(1 分)A.有所增大B.不变C.有所减少D.不定答案:C10.软开关电路根据软开关技术发展的历程,可以分成几类电路,下列哪项不属于其发展分类的是()。

(1 分)A.整流电路B.准谐振电路C.零开关PWM电路D.零转换PWM电路答案:A11.Buck-Boost电路指的是()。

电力电子技术复习资料

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第一章电力电子变换和控制技术导论1、电源可分为两类:直流电(D.C),频率f=0 ;交流电(A.C),频率f≠02、利用开关器件实现电力变换的基本原理:答案见第二版第七页。

(可省略写关键点不能少)3、AC/DC基本整流电路工作(控制)方式:相控整流、PWM(脉冲宽度调制)控制整流。

04、DC/AC基本逆变电路工作方式:方波、PWM5、AC/AC直接变频、变压电路工作方式:周期控制6、DC/DC直流变换电路:PWM、PFM.。

7、课本第十五页:在图1.8(a)中(1)、(2)、(3)三条8、电力变换类型:*******************************************************************************1、电力技术、电子技术和电力电子技术三者所涉及的技术内容和研究对象是什么?三者的技术发展和应用主要依赖什么电气设备和器件?电力技术涉及的技术内容:发电、输电、配电及电力应用。

其研究对象是:发电机、变压器、电动机、输配电线路等电力设备,以及利用电力设备来处理电力电路中电能的产生、传输、分配和应用问题。

其发展依赖于发电机、变压器、电动机、输配电系统。

其理论基础是电磁学(电路、磁路、电场、磁场的基本原理),利用电磁学基本原理处理发电、输配电及电力应用的技术统称电力技术。

电子技术,又称为信息电子技术或信息电子学,研究内容是电子器件以及利用电子器件来处理电子电路中电信号的产生、变换、处理、存储、发送和接收问题。

其研究对象:载有信息的弱电信号的变换和处理。

其发展依赖于各种电子器件(二极管、三极管、MOS管、集成电路、微处理器电感、电容等)。

电力电子技术是一门综合了电子技术、控制技术和电力技术的新兴交叉学科。

它涉及电力电子变换和控制技术,包括电压(电流)的大小、频率、相位和波形的变换和控制。

研究对象:半导体电力开关器件及其组成的电力开关电路,包括利用半导体集成电路和微处理器芯片构成信号处理和控制系统。

电力电子学考试复习资料

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第一章1.电力技术、电子技术和电力电子技术三者所涉及的技术内容和研究对象是什么?三者的技术发展和应用主要依赖于什么电气设备和器件?答:电力技术研究的是发电机、变压器、电动机、输配电线路等电力设备,以及利用电力设备来处理电力电路中的电能的产生、传输、分配和应用问题;电子技术研究对象是电子器件,以及利用电子器件来处理电子电路中电信号的产生、变换、处理、存储、发送和接收问题。

电力电子技术则是将现代电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域实现电力变换和控制,即电力电子变换和控制技术,是一门综合了电子技术、控制技术和电力技术的新兴交叉学科。

电力技术的发展主要依赖于发电机、变压器、电动机、输配电线路;而电子技术的发展主要依赖于各种电子器件;电力电子技术主要依赖于电力电子器件。

2.为什么三相交流发电机或公用电网产生的恒频、恒压交流电,经电压、频率变换后再供负载使用,有可能获得更大的技术经济效益?答:经过电网产生的恒频、恒压交流电,经电压、频率变换后再供负载使用,可以使负载达到最佳的运行状态,故能获得更大的技术经济效益。

3.开关型电力电子变换有哪四种基本类型?答:DC/DC ;DC/AC;AC/DC;AC/AC.第二章3.说明半导体电力晶体管BJT处于通态、断态的条件。

答:发射极正偏,集电极反偏,半导体电力晶体管BJT处于通态;发射极反偏,半导体电力晶体管BJT处于断态。

4.电力晶体管BJT的四个电压值BVcex,BVces,BVcer和BVceo的定义是什么?其大小关系如何?答:基极反偏时,晶体管集-射极之间的击穿电压值为BVcex;基极短接时,晶体管集-射极之间的击穿电压值为BVces;基极接有电阻时,晶体管集-射极之间的击穿电压值为BVcer;基极开路时,晶体管集-射极之间的击穿电压值为BVceo;其大小关系BVcex>BVces>BVcer>BVceo。

7.额定电压为10A的晶体管能否承受长期通过15A的直流负载电流而不过热?答:能,一般晶体管都保留有电压为额定电压的1.5-2.0的安全裕量,按最小的算也能承受15A的直流负载,故事安全的。

电力电子技术复习资料整理版.doc

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第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在开关状态。

红在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。

苑电力电子器件组成的系统,一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成,由于电路屮存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。

L按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。

匸电力二极管的工作特性可概扌舌为承受止向电压导通,承受反和电压截止。

6・电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。

7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。

匕晶闸管的基木工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止O匹对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH o 匹晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,IJDSM大于_Uboo11 •逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

2GT0的多元集成结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

生M0SFET的漏极伏安特性11«的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性11«的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。

込电力M0SFET的通态电阻具有正温度系数。

15^TGBT的开启电压UGE (th)随温度升高而略冇下降,开关速度小于电力MOSFET o匹按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端Z间的性质,可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。

12JGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有止温度系数。

18•在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(TGBT)中,属于不町控器件的是电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是_ GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT ;屈于单极型电力电子器件的冇电力MOSFET ,屈于双极型器件的冇电力二极管、晶闸管、GTO、GTR ,属于复合型电力电子器件得有【GBT ;在可控的器件屮,容量最大的是晶闸管,工作频率最高的是电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT ,屈于电流驱动的是晶闸管、GTO、GTR 。

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第一章 电力电子器件1、电力电子器件一般工作在( 开关状态 ) 。

2、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度,分为以下三类: ( 半控型器件)、(全控型器件)、(不可控器件)。

3、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的( 导通 ),而不能控制器件的( 关断 )4、电力二极管的主要类型有( 普通二极管 ),( 快恢复二极管 )和(肖特基二极管)5、晶闸管的三极为( 阳极 )、 ( 阴极 )、( 门极 )。

6、晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有( 螺栓型 )与( 平板型 )。

7、晶闸管一般工作在( 开关 )状态。

晶闸管由( 四 )层半导体构成;有( 3 )个PN 结。

8、晶闸管的电气符号是A AG G K Kb)c)a)A GK K G A P 1N 1P 2N 2J 1J 2J 3 。

9、晶闸管导通的条件是在 ( 阳 )极加正向电压,在 ( 门 )极加正向触发电压。

10、给晶闸管阳极加上一定的( 正向 )电压;在门极加上( 正向门极 )电压,并形成足够的( 门极触发 )电流,晶闸管才能导通。

11、晶闸管的非正常导通方式有 ( 硬导通 ) 和 ( 误导通 ) 两种。

12、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于( 擎住 )电流之前,如去掉( 触发 )脉冲,晶闸管又会关断。

13、要使晶闸管重新关断,必须将( 阳极 )电流减小到低于( 维持 )电流。

14、同一晶闸管,维持电流I H 与掣住电流I L 在数值大小上有I L ( 大于 )I H 。

15、晶闸管的额定电流是指( 平均 )值;。

16、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流I T 等于( 1.57 )倍I T (AV ),如果I T (AV )=100安培,则它允许的有效电流为( 157 )安培。

通常在选择晶闸管时还要留出 (1.5~2 )倍的裕量。

17、型号为KP100-8的晶闸管表示其额定电压为 ( 800 ) 伏额定有效电流为( 100 ) 安。

电力电子复习完整版

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电⼒电⼦复习完整版电⼒电⼦复习资料⼀、简答题1、晶闸管导通和关断的条件是什么?晶闸管导通的条件:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流,(门极触发)晶闸管关断的条件:利⽤外加电压和外电路的作⽤使流过晶闸管的电流降到接近于零的某⼀数值以下。

2、有源逆变实现的条件是什么?1直流测要有电动势,其极性须和晶闸管的导通⽅向⼀致,其值应⼤于交流电路直流测的平均电压。

2要求晶闸管的控制⾓α>π/2,使Ud为负值3.什么是逆变失败,造成逆变失败的原因有哪些?如何防⽌逆变失败。

答:逆变运⾏时,⼀旦发⽣换流失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路,或者使交流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联,由于逆变电路内阻很⼩,形成很⼤的短路电流,称为逆变失败或逆变颠覆。

防⽌逆变的⽅法;采⽤精确可靠的触发电路,使⽤性能良好的晶闸管,保证交流电源的质量,留出充⾜的换向裕量⾓β等4、电压型逆变器与电流型逆变器各有什么样的特点?1)、直流侧为电压源,或并联有⼤电容,相当于电压源。

直流侧电压基本⽆脉动,直流回路呈现低阻抗。

2)、由于直流电压源的钳位作⽤,交流侧输出电压波形为矩形波,并且与负载阻抗⾓⽆关。

⽽交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同⽽不同。

3)、当交流侧为阻感负载时需要提供⽆功功率,直流侧电容起缓冲⽆功能量的作⽤。

为了给交流侧向直流侧反馈的⽆功能量提供通道,逆变桥各臂都并联了反馈⼆极管。

5、换流⽅式有哪⼏种?分别⽤于什么器件?器件换流、电⽹换流、负载换流、强迫换流1)、器件换流。

⽤在IGBT、电⼒MOSFET、GTO、GTR等的全控型器件的电路中。

2)、电⽹换流⽤在:单相可控整流电路、三相可控整流电路、三相交流调压电路、采⽤相控⽅式的交-交变频电路6、画出GTO,GTR ,IGBT,MOSFET四种电⼒电⼦器件的符号并标注各引脚名称7、单相全波与单相全控桥从直流输出端或从交流输⼊端看均是基本⼀致的,两者的区别?1)、单相全波可控整流电路中变压器为⼆次绕组带中⼼抽头,结构较复杂。

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湖北理工学院电气学院电力电子复习课绪论第一章张一鸣 12自动化BY1、电力电子技术的概念使用电力电子器件对电能进电力电子技术——应用于电力领域的电子技术,定义: 电力电子技术主要用于电力变换。

行变换和控制的技术. 分为信息电子技术(信息处理)和电力电子技术(电力变换)。

、电力变换通常可分为哪四大类?2电力变换通常可分为四大类:交流变直流(整流)、直流变交流(逆变)、交流变交流(变频、变压)、直流变直流(斩波)。

第2章电力电子器件1、电力电子器件的概念电力电子器件:是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。

电力电子器件的分类、2按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类:1.半控型器件,例如晶闸管;2.全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);3.不可控器件,例如电力二极管;按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类:1.电压驱动型器件,例如IGBT、MOSFET、SIT(静电感应晶闸管);2.电流驱动型器件,例如晶闸管、GTO、GTR;根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类:1.脉冲触发型,例如晶闸管、GTO;2.电子控制型,例如GTR、MOSFET、IGBT;按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类:GTR; 、1.单极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTOIGBT;、双极型器件,例如MOSFET2.);控制晶闸管复合型器件,例如MCT(MOS3.、晶闸管的导通条件、关断条件、维持导通条件3(脉并在门极施加触发电流使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,。

且uGK>0冲)。

或:uAK>0即维使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值,一下。

持电流IH维持晶闸管导通的条件是,晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。

、关断晶闸管的方法 4可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电要使晶闸管由导通变为关断,便可使导通的晶闸管关流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,断。

5、晶闸管的符号、英文缩写与引脚K: 阴极G:门极SCR A: 阳极符号uGK>0uAK>0且?P-MOSFET、SIT、哪型用6、常的全控器件有些是哪些全控型器件的英文缩写,这些、IGBT GTO、GTR器件中哪些是电流控制型器件?哪些是电压控制型器件?)(GTR(电流型:门极可关断晶闸管 GTO)、电力晶体管)、绝缘栅双极型晶体管SIT(电压型:电力场效应晶体管(P-MOSFET)、静电感应晶闸管IGBT()的结构IGBT、7.3章整流电路第 1、什么是整流电路?整流电路的主要分类方法。

整流电路是把交流电能转换为直流电能的电路。

、按组成的器件可分为不可控电路、半控电路、全控电路三种1 2按电路结构可分为零式电路和桥式电路3按电网交流输进相数分为单相电路、三相电路和多相电路其中所有半波整4按变压器二次侧电流的方向是单向或双向,又分为单拍电路和双拍电路。

流电路都是单拍电路,所有全波整流电路都是双拍电路。

5按控制方式可分为相控式电路和斩波式电路(斩波器)按引出方式的不同分中点引出整流电路,桥式整流电路,带平衡电抗器整流电路,环形整6 流电路,十二相整流电路。

2、控制角(触发角、触发延迟角)、导通角?制角α;,称作控的发触脉冲到来的瞬间电角度始压输入电从0开直到晶闸管每半个周期晶闸管导通时间的电角度,称作导通角θ。

从定义来说α+θ=180°。

这俩者用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围。

所以导通角越大控制角越小。

3、单相半控桥电感性负载电路中,在负载两端并联一个续流二极管的作用。

防止失控现象的产生。

4、晶闸管的换相重叠角与电路的哪些参数有关?晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α;变压器漏抗XB;平均电流Id;电源相电压U2。

等到参数有关。

、三相半波相控整流电路和三相桥式全控整流电路三相半5.波相控整流电路对触发脉冲有什么要求?度,三相半波相控整流电路六个晶闸管相位依三相半波相控整流电路晶闸管相位相差120度。

次相差60、三相全控桥整流电路中,输出电压的脉动频率是多少?6,三50Hz100Hz,半波整流输出电压的脉动频率就是300Hz。

全波整流输出的脉动频率是相半波的就是150Hz了。

7、产生有源逆变的条件?在所学电路中哪些电路能产生有源逆变?哪些不能产生有源逆变?(1)变流电路直流侧必须外接与直流电流Id同方向的直流电源Ed,其值要略大于Ud EU|),条件:才能提供逆变能量;(2)变流电路必须工作在β<|>|90°(即α>90°(|)区dd域,使Ud<0,才能把直流功率逆变成为交流功率。

上了述两个条件,缺一不可,逆变电路需接平波电抗器。

三相半波可控整流电路、单相全控桥可控整流电路能产生:三相半控桥整流桥电路、单相全控桥接续流二极管电路、单相半控桥整流电不能产生:路8、P95 第3题、第11题、第13题。

3.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,当α=30°时,要求:①作出ud、id、和i2的波形;②求整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次电流有效值I2;③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。

解:①ud、id、和i2的波形如下图:②输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次电流有效值I2分别为)V(77.97°=cos30×100×0.9α=0.9U2cos=Ud)38.99(IdA=Ud/R=77.97/2=)38.99(AI2=Id=③晶闸管承受的最大反向电压为:V141.4()2U2=1002=考虑安全裕量,晶闸管的额定电压为:)283~424(VUN=(2~3)×141.4=具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

流过晶闸管的电流有效值为:)27.57(A=Id∕2=IVT 晶闸管的额定电流为:)(A27.57∕1.57=26~35IN=(1.5~2)×具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

°=60L值极大,当αU2=100V,带电阻电感负载,R=5Ω,11.三相半波可控整流电路,时,要求:、id和iVT1的波形;2计算Ud、Id、IdT和IVT。

1画出ud解:①ud、id和iVT1的波形如下图:②Ud、Id、IdT和IVT分别如下Ud=1.17U2cosα=1.17×100×cos60°=58.5(V)Id=Ud∕R=58.5∕5=11.7(A)IdVT=Id∕3=11.7∕3=3.9(A)IVT=Id∕3=6.755(A)13.三相桥式全控整流电路,U2=100V,带电阻电感负载,R=5Ω,L值极大,当α=60°时,要求:1画出ud、id和iVT1的波形;2计算Ud、Id、IdT和IVT。

的波形如下:iVT1和id、ud解:①.和IVT分别如下②Ud、Id、IdT V)×cos60°=117(100Ud=2.34U2cosα=2.34×=23.4(A)IDVT=Id∕3=23.4∕3=117=∕57.8(A)IVT=Id∕3=23.4∕3RUdId=∕=13.51(A)9、什么是逆变失败?如何防止逆变失败?逆变运行时,一旦发生换流失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路,或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联,由于逆变电路内阻很小,形成很大的短路电流,称为逆变失败或逆变颠覆。

防止逆变失败的方法有:采用精确可靠的触发电路,使用性能良好的晶闸管,保证交流电源的质量,留出充足的换向裕量角β等。

10、带平衡电抗器的双反星形可控整流电路适用什么场合。

低压高电流.、下列电路中哪些电路可能产生有源逆变?哪些电路不11则说明应满足什么条能产生有源逆变?若能产生有源逆变,件;若不能产生有源逆变,则说明理由。

)(1)2(4())(3条件:(1)变流电路直流侧必须外接与直流电流Id同方向的直流电源Ed,其值要略在于Ud,才能提供逆变能量;(2)变流电路必须工作在β<90°(即α>90°)区域,使Ud<0,才能把直流功率逆变成为交流功率。

上了述两个条件,缺一不可,逆变电路需接平波电抗器。

(1)(2)不可以产生有源逆变,直流侧没有直流电动势。

(3)(4)可以产生有源逆变。

(3)满足条件|Em|>Ud时可以产生有源逆变。

(4)E<0,|E|>Ud.第4章逆变电路1、什么是逆变?什么是有源逆变和无源逆变?按逆变后能电力电子元件构成的逆变器可分为量馈送去向不同来分类,逆变电路根据直流侧电源有源逆变器与无源逆变器两大类。

性质可分为电流型逆变电路和电压型逆变电路。

将直流电转为交流电,这种对应于整流的逆向过程称为逆变。

当交流侧和电网连接时,这种电路称为有源逆变。

把直流电逆变为某一频率或可调如果变流电路的交流侧不和电网链接,而是直接接到负载,频率的交流电供给负载,称为无源逆变。

、什么是换流?换流方式有哪几种?无源逆变电路中的换2 流方式有哪几种?电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流,换流也称为换相。

换流方式:器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流。

器件换流,负载换流,强迫换流。

(电?什么是电流型逆变器3、什么是电压型逆变器(电路)路)?逆变电路直流侧电源是电压源的称为电压型逆变器(电路)。

逆变电路直流侧电源是电流源的称为电流型逆变器(电路)。

、电压型逆变器(电路)有什么特点?电流型逆变器(电4 路)有什么特点?电压型:(1)直流侧为电压源或并联大电容,直流侧电压基本无脉动;(2)输出电压为矩形波,输出电流因负载阻抗不同而不同;(3)阻感负载时需提供无功。

为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道,逆变桥各臂并联反馈二极管电流型:(1)直流侧串大电感,相当于电流源。

(2)交流输出电流为矩形波,输出电压波形和相位因负载不同而不同。

(3)直流侧电感起缓冲无功能量的作用,不必反并联二极管。

5、电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么?为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管?作用:电压型逆变器当交流侧为阻感性负载时,需要向电源反馈无功功率。

直流侧电容起缓冲无功能量的作用。

为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂开关器件都反并联了反馈二极管。

原因:而对电流型逆变器来说,当交流侧为阻感负载时,也需要提供无功能量反馈,但直流侧电感起缓冲无功能量的作用,因反馈无功能量时,直流电流并不反向,因此不必象电压型逆变器那样要给开关器件反并联二极管。

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