场效应管参数符号意义(精)

合集下载

场效应管的参数说明

场效应管的参数说明
场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：
1、IDSS—饱和漏源电流。

是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。

是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。

是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。

是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID 变化量与栅源电压UGS变化量的比值。

gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。

是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。

这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—耗散功率。

也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。

使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—漏源电流。

是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的电流。

场效应管的工作电流不应超过IDSM；
1。

场效应管的主要参数意义及其测试方法

场效应管的主要参数意义及其测试方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种三端器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。

场效应管的主要参数包括漏极-源极电流（IDSS）、漏极-源极截止电压（VGS(Off)）、漏极电阻（RDS(On)）和跨导（Transconductance），其测试方法主要包括IDSS测试、VGS截止测试、RDS测试和跨导测试。

1.漏极-源极电流（IDSS）：IDSS是指在给定源极-栅极电压下，场效应管的漏极电流。

它反映了场效应管的导通能力，通常单位为毫安（mA）。

IDSS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，将源极-漏极电压保持为0V，测量漏极电流。

2. 漏极-源极截止电压（VGS(Off)）：VGS(Off)是指在给定漏极电流下，场效应管的截止电压。

它反映了场效应管在关闭状态下的电压阈值，通常单位为伏特（V）。

VGS(Off)测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将漏极电流维持在预定值，测量栅极-源极电压。

3.漏极电阻（RDS(On)）：RDS(On)是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的漏极电阻。

它反映了场效应管的导通状态下的电阻情况，通常单位为欧姆（Ω）。

RDS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电阻。

4. 跨导（Transconductance）：跨导是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的斜率。

它反映了场效应管的输入导通能力，通常单位为毫安/伏特（mA/V）。

跨导测试方法为：将场效应管的源极和漏极短接，连接好栅极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电流对应的变化。

常用场效应管及晶体管参数

常用场效应管及晶体管参数场效应管（FET）和晶体管（BJT）是现代电子设备中广泛使用的两种主要的电子器件。

他们在放大、开关和电路控制等方面起着重要作用。

下面将详细介绍常用场效应管和晶体管的参数。

一、场效应管（FET）的参数1. 空载传导（Idss）：空载传导是指当栅极-源电压为零时的最大漏极-源极电流。

这个参数表示了当栅极完全封闭时，通过FET的最大电流。

2. 门源截止电压（VGS(off)）：当栅极-源电压为零时，FET将完全关闭，不传导漏极电流。

这个参数可以用来确定FET的静态工作点。

3. 饱和电压（VDS(sat)）：饱和电压是指，在给定的栅极-源极电压和栅极电压下，漏极-源极电流达到饱和状态时的漏极-源极电压。

在这个电压下，FET可以传导最大电流。

4. 输入电容（Ciss）：输入电容是指当栅极电压变化时，所需的输入电荷的数量，单位为法拉。

这个参数表示了栅极电压对FET的效果。

5. 输出电导（Drain-to-Source On-Resistance，RDS(on)）：输出电导是指当FET完全开启时，漏极-源极电阻的值。

值越小，FET的效果越好。

二、晶体管（BJT）的参数1. 最大集电极电流（Ic(max)）：最大集电极电流是指晶体管能够承受的最大电流值。

超过这个电流值会导致晶体管损坏。

2. 饱和电流（Ic(sat)）：饱和电流是指当基极电流大到一定程度时，集电极-发射极电流稳定在最大值的状态。

此时，晶体管工作在饱和区，可以作为开关使用。

3. 直流增益（DC Current Gain，hFE）：直流增益是指当基极电流增大时，集电极电流相对于基极电流的放大倍数。

该参数用来描述晶体管的放大能力。

4. 射极漏电流（Iceo）：射极漏电流是指当基极电流为零时，集电极-发射极间的非控制电流。

此时，晶体管处于关闭状态。

5. 输入电容（Cbe）：输入电容是指当基极电压变化时，所需的输入电荷的数量。

这个参数表示了基极电压对晶体管的效果。

场效应管参数含义

场效应管参数含义场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种将电场控制电流的三极管。

它是一种半导体器件，广泛应用于放大、开关和模拟电路。

场效应管有很多参数，下面将对一些重要的参数进行详细说明。

1. 阈值电压（Threshold Voltage，Vth）：阈值电压是指在场效应管中使得沟道完全关闭的电压。

当栅极电压小于阈值电压时，沟道中没有电流流过。

当栅极电压大于或等于阈值电压时，沟道打开并允许电流流过。

阈值电压是决定场效应管工作状态的重要参数。

2. 静态电流（Static Drain Current，Idss）：静态电流是指当栅极电压等于零时，场效应管的漏极电流。

静态电流表示场效应管的导电能力，通常以mA为单位。

它取决于沟道的宽度和电荷浓度。

3. 饱和电流（Saturation Drain Current，Idsat）：饱和电流是指当栅极电压大于等于阈值电压并且沟道被完全打开时，场效应管的漏极电流。

它表示场效应管的最大导电能力。

4. 最大漏源电压（Maximum Drain-Source Voltage，Vdsmax）：最大漏源电压是指场效应管可以承受的最大漏源电压。

应保证工作电压小于最大漏源电压，否则可能会损坏管子。

5. 最大功耗（Maximum Power Dissipation，Pdmax）：最大功耗是指场效应管允许的最大功耗，即正常工作状态下全功率操作的最大值。

6. 输出电导（Output Conductance，Gd）：输出电导是指沟道电流变化对漏极电压变化的响应关系。

它是场效应管的导通程度的度量。

7. 内阻（Input Impedance，Rin）：内阻是指栅极-源极电阻，即栅极输入电阻。

内阻决定了场效应管的输入特性，对于放大电路来说，内阻应该足够大，以便不影响输入信号。

8. 输出电阻（Output Impedance，Rout）：输出电阻是指漏极-源极电阻，即漏极输出电阻。

场效应管参数解释

场效应管参数解释场效应管（FET，Field Effect Transistor）是一种基于电场效应工作的电子器件。

FET的主要参数包括：沟道电阻R_DS(on)，温度系数，漏源结电压V_DS，最大漏极耗散功率P_D，静态漏极电流I_DSS，增益带宽积(f_T)，漏极电流温度系数，静态工作点电流(I_D)，输入电阻R_in，输出电导G_out等。

1. 沟道电阻R_DS(on):沟道电阻R_DS(on)是场效应管在导通状态下沟道两端的电压降所对应的电流的比值。

沟道电阻越小，导通状态下的损耗越小，效率越高。

通常用来衡量FET开关特性的重要参数。

2.温度系数:温度系数是指FET在不同温度下控制和漏极电流之间的变化率。

FET 的温度特性与其材料和结构密切相关，不同的FET具有不同的温度系数。

一般来说，理想的温度系数应该接近零，以保证FET在不同温度下的稳定性。

3.漏源结电压V_DS:漏源结电压是指FET的漏极到源极之间的电压。

通常情况下，漏源结电压应小于FET的额定值，以避免过载和损坏。

4.最大漏极耗散功率P_D:最大漏极耗散功率是指FET能够承受的最大功率。

超过该功率将导致FET过热和损坏。

因此，在设计电路时，需要根据FET的最大漏极耗散功率来合理选择和配置。

5.静态漏极电流I_DSS:静态漏极电流是指FET在漏源极之间的电流，当FET处于关闭状态时的漏极电流。

静态漏极电流的大小与FET的型号、工作温度以及用途等因素有关。

6.增益带宽积(f_T):增益带宽积是衡量FET高频特性的重要指标，它代表了FET可以放大信号的最高频率。

增益带宽积越高，代表FET在高频应用中有更好的性能。

7.漏极电流温度系数:漏极电流温度系数是指FET的漏极电流随温度的变化率。

漏极电流温度系数的合理选择可以保持FET在不同温度下的稳定性。

8.静态工作点电流(I_D):静态工作点电流是指FET在静态工作状态下的漏极电流。

静态工作点电流需要根据具体的应用需求和设计要求选择，以使FET在正常工作范围内。

场效应晶体管的电路符号

场效应晶体管的电路符号场效应晶体管（field-effect transistor，简称FET）是一种半导体器件，常用于放大和开关电路中。

它的电路符号如下：1. N沟道场效应晶体管符号：N沟道场效应晶体管（n-channel field-effect transistor，简称nFET）的电路符号由三个主要部分组成：一个直线轴表示源极（source），一个箭头表示漏极（drain），以及附加在直线轴和箭头之间的一条弧线表示栅极（gate）。

该符号用于表示N沟道型场效应晶体管的接线方向和主要结构。

2. P沟道场效应晶体管符号：P沟道场效应晶体管（p-channel field-effect transistor，简称pFET）的电路符号与N沟道型晶体管的符号相似，主要区别在于源极和漏极的位置与箭头反转了。

源极变为箭头，箭头变为直线轴，表示P型半导体。

在电路设计中，常用到场效应晶体管的两种接法，包括共源极接法和共漏极接法。

下面将分别对这两种接法的特点和用途进行详细介绍：共源极接法（source-follower configuration）：1. 特点：在共源极接法中，晶体管的源极与信号源相连，漏极直接通过负载电阻接地。

这种接法的特点是输入电阻较高，输出电阻较低，电压放大系数接近于1。

可以实现电压放大和阻抗匹配功能。

2. 用途：共源极接法常用于信号放大电路中，可以将低电平信号放大为高电平信号，同时提供较低的输出阻抗，以便驱动下级电路。

共漏极接法（drain-follower configuration）：1. 特点：在共漏极接法中，晶体管的漏极直接连接到负载电阻，源极通过电阻与地相连。

这种接法的特点是输入电阻较低，输出电阻较高，电流放大系数接近于1。

2. 用途：共漏极接法常用于电流放大电路中，可以实现电流放大和电阻匹配功能。

常见的应用场景包括光电探测器、放大器和电流源等。

除了以上两种常用接法外，场效应晶体管还可以用于开关电路中。

场效应管的主要参数

场效应管的主要参数场效应管是一种晶体管，也称为FET（Field Effect Transistor）。

与双极晶体管（BJT）相比，场效应管具有许多优点，例如高输入阻抗，低噪声，以及高分辨率输入电压等。

主要参数：1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是场效应管工作的一个关键参数。

它表示当输入电压小于该值时，场效应管处于截止区，不导电。

当输入电压大于阈值电压时，场效应管进入饱和区或线性区，开始导通。

2. 饱和电流（Idsat）：饱和电流是指当场效应管工作在饱和区时，通过漏极-源极的电流。

饱和电流取决于场效应管的尺寸和工作电压。

3. 负漏极导纳（Yfs）：负漏极导纳是指场效应管的输入导纳，也称为转导。

它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。

负漏极导纳可以决定输出电流与输入电压的比例关系。

4. 输入电阻（Rin）：输入电阻是指场效应管的输入端电压与输入端电流之间的比值。

由于场效应管的输入电流很小，因此输入电阻较高，可以使得场效应管适用于高阻抗输入的电路。

5. 输出电导（Gds）：输出电导是指场效应管的输出导纳，也称为转导。

它表示单位漏极-源极电压变化时，漏极-源极电流的变化量。

输出电导可以决定输出电流与漏极-源极电压的比例关系。

6.噪声系数（NF）：噪声系数表示场效应管引入的噪声对输入信号的影响程度。

一般来说，噪声系数越低，性能越好。

7. 压控电阻（rDS(on)）：压控电阻表示当场效应管处于线性区时，漏极-源极电阻的大小。

压控电阻越小，漏极-源极电压对漏极-源极电流的影响就越小。

压控电阻与输入电压有关，可以在一定范围内调节。

8.带宽（BW）：带宽是指场效应管工作的频率范围。

带宽可以决定场效应管在不同频率下工作的能力。

9.温度稳定性：温度稳定性是指场效应管在不同温度下的性能变化。

温度稳定性越好，场效应管在不同温度下的性能变化越小。

总结：。

元件参数符号含义(精)

场效应管参数符号意义T a---环境温度C du---漏-衬底电容T c---管壳温度C gd---栅-源电容T j---结温C ds---漏-源电容T jm---最大允许结温C iss---栅短路共源输入电容T stg---贮成温度C oss---栅短路共源输出电容V DSS---漏源击穿电压C rss---栅短路共源反向传输电容I D(I D25---漏极电流(T c=25℃,直流di/dt---电流上升率(外电路参数R DS(on---通态漏源电阻dv/dt---电压上升率(外电路参数P D---漏极耗散功率I DQ---静态漏极电流(射频功率管t rr---反向恢复时间I DSM---最大漏源电流V(BRGSS---漏源短路时栅源击穿电压I DSS---栅-源短路时,漏极电流V GSF--正向栅源电压(直流I DS(sat---沟道饱和电流(漏源饱和电流V GSR---反向栅源电压(直流I G---栅极电流(直流V GS(th---开启电压或阀电压I GDO---源极开路时,截止栅电流C gs---漏-源电容I GSO---漏极开路时,截止栅电流I DM---漏极脉冲电流I GSS---漏极短路时截止栅电流V DS---漏源电压(直流I DSS1---对管第一管漏源饱和电流V GS---栅源电压(直流I DSS2---对管第二管漏源饱和电流P DM---漏极最大允许耗散功率I u---衬底电流I D(on---通态漏极电流I pr---电流脉冲峰值(外电路参数t on---开通时间,T on=T d(on+T r g fs---正向跨导t d(on---开通延迟时间G p---功率增益t r---上升时间G ps---共源极中和高频功率增益t off---关断时间,T off=T d(off+T f G pG---共栅极中和高频功率增益t d(off---关断延迟时间G PD---共漏极中和高频功率增益t f---下降时间g gd---栅漏电导I GM---栅极脉冲电流g ds---漏源电导I GP---栅极峰值电流K---失调电压温度系数I F---二极管正向电流K u---传输系数R DS(on---漏源通态电阻L---负载电感(外电路参数R DS(of---漏源断态电阻L D---漏极电感R(thjc---结壳热阻L s---源极电感R(thja---结环热阻R GD---栅漏电阻V DD---漏极(直流电源电压(外电路参数R GS---栅源电阻V GG---栅极(直流电源电压(外电路参数R g---栅极外接电阻(外电路参数V ss---源极(直流电源电压(外电路参数R L---负载电阻(外电路参数V DS(on---漏源通态电压P IN--输入功率V GD---栅漏电压(直流P OUT---输出功率D---占空比(占空系数,外电路参数V su---源衬底电压(直流P PK---脉冲功率峰值(外电路参数V Du---漏衬底电压(直流I DS---漏源电流V Gu---栅衬底电压(直流I GF---正向栅电流Z o---驱动源内阻I GR---反向栅电流η---漏极效率(射频功率管V DS(sat---漏源饱和电压V n---噪声电压T L---晶格温度(Lattice temp/或指下限温度与T H相对a ID---漏极电流温度系数T e---电子温度(Electron tempT e=T L a rds---漏源电阻温度系数I AR(I A---雪崩电流(Avalanche CurrentE AR---重复雪崩电压(Repetitive Avalanche Energy半导体二极管参数符号及其意义T a---环境温度T c---壳温T j(T VJ---结温T jM(T VJM---最高结温T stg---温度补偿二极管的贮成温度V RRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压I F(AV---正向平均电流I F---正向直流电流(正向测试电流。

常用场效应管及晶体管参数66681

常用场效应管及晶体管参数66681场效应管（Field-Effect Transistor，FET）和晶体管（Transistor）是现代电子学中最常用的两种电子元件。

它们广泛应用于电子设备中的放大、开关和数码电子电路等方面。

本文将对常用的场效应管和晶体管参数进行介绍。

1.场效应管的参数1.1耐压（VDSS）:表示场效应管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。

1.2额定电流（ID）:表示场效应管的最大额定电流，单位为安培（A）。

1.3 漏极-源极导通电阻（RDS(on)）: 表示在漏极-源极之间，当场效应管处于导通状态时的阻值，单位为欧姆（Ω）。

1.4 阈值电压（VGS(th)）: 表示在栅极和源极之间，场效应管刚开始导通时所需的栅极-源极电压，单位为伏特（V）。

1.5 输入电容（Ciss）: 表示场效应管的输入电容，单位为法拉（F）。

1.6 输出电容（Coss）: 表示场效应管的输出电容，单位为法拉（F）。

1.7 开关时间（ton、toff）: 表示场效应管从导通到截止以及从截止到导通的时间，单位为纳秒（ns）。

2.晶体管的参数2.1最大耐压（VCEO）:表示晶体管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。

2.2最大额定电流（IC）:表示晶体管的最大额定电流，单位为安培（A）。

2.3 饱和压降（VCE(sat)）: 表示晶体管在饱和区时，集电极和发射极之间的电压降，单位为伏特（V）。

2.4 开路电流放大倍数（hfe）: 表示晶体管的直流电流放大倍数。

2.5 输入电阻（hie）: 表示晶体管的输入电阻，单位为欧姆（Ω）。

2.6 输出电阻（hoe）: 表示晶体管的输出电阻，单位为欧姆（Ω）。

2.7 动态电阻（rce、Rce）: 表示晶体管在放大区时，集电极和发射极间的动态电阻，单位为欧姆（Ω）。

3.总结场效应管和晶体管是现代电子设备中非常重要的元件，具有各自独特的特性和参数。

在实际应用中，我们需要根据具体情况选择适合的场效应管或晶体管，并合理使用其参数进行设计和调整。

场效应管参数含义

场效应管参数含义场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种控制输入电压来改变输出电流的三极管。

它具有高输入电阻、低输出电阻、高放大倍数等优点，被广泛应用于电子电路中。

场效应管具有许多参数，这些参数描述了场效应管的特性和性能。

以下是常见的场效应管参数及其含义：1.静态参数：静态参数用于描述场效应管在静态条件下的性能。

a.静态射极漏电流（IDSS）：这是指在封装器件上限制的条件下，栅极短路时漏极到源极的电流。

这是场效应管关闭时的最大漏电流。

b. 确定工作点的零（平衡）栅极-漏极电压（VGS(off)）：这是指当漏极电流为零时，栅极到源极的电压。

该参数用于确定场效应管工作在关闭状态的电压范围。

c.漏极电流温度系数（IDSSTC）：这是指在特定温度下，封装管子样品的射极漏电流变化的率。

它表示了温度变化对射极漏电流的影响。

2.动态参数：动态参数用于描述场效应管在动态响应下的性能。

a. 输入电容（Ciss）：这是指由于栅极-源极间有载流注入或抽出而导致的输入电容。

它与场效应管的输入电流和电压变化相关。

b. 输出电容（Coss）：这是指由于漏极-源极间有载流注入或抽出而导致的输出电容。

它与场效应管的输出电流和电压变化相关。

c. 反转传输电容（Crss）：这是指由于栅极-源极和漏极-源极间电流注入或抽出而导致的电容。

它与场效应管的电流和电压变化相关。

d. 开关时间（Ton，Toff）：这是指场效应管从打开到关闭或从关闭到打开所需的时间。

这些参数决定了场效应管在开关应用中的速度和效率。

3.最大参数：最大参数用于描述场效应管在特定工作条件下的极限值。

a.最大耐压（VDS）：这是指场效应管可以承受的最大漏极-源极电压。

超过这个值可能会导致器件损坏。

b.最大漏极电流（ID）：这是指场效应管可以承受的最大漏极电流。

超过这个值可能会导致器件过热。

c.最大功耗（PD）：这是指场效应管可以承受的最大功耗。

FET场效应管英文术语对照表

三、场效应管参数符号意义Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数。

常用功率场效应管参数大全

常用功率场效应管参数大全1. 正向漏源电流（IDss）：指在栅源电压(VGS=0)时，漏源间的电流。

单位为毫安（mA）。

正值表示N型场效应管存在正向导通，负值表示P型场效应管存在正向导通。

2.静态漏源电流（ID）：指在给定的栅源电压和漏源电压下，漏源间的电流。

单位为毫安（mA）。

3.静态栅源电压（VGS）：指在漏源电流为静态电流时，栅极与源极之间的电压。

单位为伏特（V）。

4.漏源电阻（RD）：指在给定的栅源电压和漏源电流下，漏源电阻的大小。

单位为欧姆（Ω）。

5.输出电导（GOUT）：指场效应管的输出电导，即输出电流与输出电压之比。

单位为毫秒（mS）。

6.压降（VDS）：指在漏源电流为给定值时，漏源电压与源极电压之间的差值。

单位为伏特（V）。

7. 阻抗（Zin）：指场效应管的输入阻抗。

单位为欧姆（Ω）。

8.增益（Av）：指场效应管的电压增益，即输出电压与输入电压之比。

9. 开关时间（ts, td）：指场效应管的开关时间，即从输入信号出现到场效应管从导通到截止（或反之）所经历的时间。

单位为纳秒（ns）。

10. 阈值电压（Vth）：指当栅极电压与源极电压之差等于阈值电压时，场效应管开始导通。

单位为伏特（V）。

11.温度系数（TC）：指场效应管的温度特性，即在不同温度下，场效应管的电性能随温度变化的程度。

12.最大耗散功率（PD）：指场效应管能够承受的最大功耗。

单位为瓦特（W）。

13.工作温度（TJ）：指场效应管的工作温度范围，即场效应管能够正常工作的温度区间。

14. 漏源电容（Cgd, Cgs, Cds）：指场效应管的漏源电容。

Cgd为栅极与漏极之间的电容，Cgs为栅极与源极之间的电容，Cds为漏极与源极之间的电容。

15. 存储时间（tsd）：指场效应管在导通状态下，当输入信号消失后，场效应管从导通到截止所经历的时间。

单位为纳秒（ns）。

场效应管参数含义

场效应管参数含义符号内容符号内容Cds 漏-源电容rDS(of) 漏源断态电阻Cdu 漏-衬底电容rGD 栅漏电阻Cgd 栅-源电容rGS 栅源电阻Cgs 漏-源电容Rg 栅极外接电阻（外电路参数）Ciss 栅短路共源输入电容RL 负载电阻（外电路参数）Coss 栅短路共源输出电容R(th)jc 结壳热阻Crss 栅短路共源反向传输电容R(th)ja 结环热阻D 占空比（占空系数，外电路参数）PD 漏极耗散功率di/dt 电流上升率（外电路参数）PDM 漏极最大允许耗散功率dv/dt 电压上升率（外电路参数）PIN 输入功率ID 漏极电流（直流）POUT 输出功率IDM 漏极脉冲电流PPK 脉冲功率峰值（外电路参数）ID(on) 通态漏极电流to(on) 开通延迟时间IDQ 静态漏极电流（射频功率管）td(off) 关断延迟时间IDS 漏源电流ti 上升时间IDSM 最大漏源电流ton 开通时间IDSS 栅-源短路时，漏极电流toff 关断时间IDS(sat)沟道饱和电流（漏源饱和电流）tf 下降时间IG 栅极电流（直流）trr 反向恢复时间IGF 正向栅电流Tj 结温IGR 反向栅电流Tjm 最大允许结温IGDO 源极开路时，截止栅电流Ta 环境温度IGSO 漏极开路时，截止栅电流Tc 管壳温度IGM 栅极脉冲电流Tstg 贮成温度IGP 栅极峰值电流VDS 漏源电压（直流）IF 二极管正向电流VGS 栅源电压（直流）IGSS 漏极短路时截止栅电流VGSF 正向栅源电压（直流）IDSS1 对管第一管漏源饱和电流VGSR 反向栅源电压（直流）IDSS2 对管第二管漏源饱和电流VDD 漏极（直流）电源电压（外电路参数）Iu 衬底电流VGG 栅极（直流）电源电压（外电路参数）Ipr 电流脉冲峰值（外电路参数）Vss 源极（直流）电源电压（外电路参数）gfs 正向跨导VGS(th) 开启电压或阀电压Gp 功率增益V(BR)DSS 漏源击穿电压Gps 共源极中和高频功率增益V(BR)GSS 漏源短路时栅源击穿电压GpG 共栅极中和高频功率增益VDS(on) 漏源通态电压GPD 共漏极中和高频功率增益VDS(sat) 漏源饱和电压ggd 栅漏电导VGD 栅漏电压（直流）gds 漏源电导Vsu 源衬底电压（直流）K 失调电压温度系数VDu 漏衬底电压（直流）Ku 传输系数VGu 栅衬底电压（直流）L 负载电感（外电路参数）  Zo 驱动源内阻符号内容符号内容Cds 漏-源电容rDS(of) 漏源断态电阻Cdu 漏-衬底电容rGD 栅漏电阻Cgd 栅-源电容rGS 栅源电阻Cgs 漏-源电容Rg 栅极外接电阻（外电路参数）Ciss 栅短路共源输入电容RL 负载电阻（外电路参数）Coss 栅短路共源输出电容R(th)jc 结壳热阻Crss 栅短路共源反向传输电容R(th)ja 结环热阻D 占空比（占空系数，外电路参数）PD 漏极耗散功率di/dt 电流上升率（外电路参数）PDM 漏极最大允许耗散功率dv/dt 电压上升率（外电路参数）PIN 输入功率ID 漏极电流（直流）POUT 输出功率IDM 漏极脉冲电流PPK 脉冲功率峰值（外电路参数）ID(on) 通态漏极电流to(on) 开通延迟时间IDQ 静态漏极电流（射频功率管）td(off) 关断延迟时间IDS 漏源电流ti 上升时间IDSM 最大漏源电流ton 开通时间IDSS 栅-源短路时，漏极电流toff 关断时间IDS(sat)沟道饱和电流（漏源饱和电流）tf 下降时间IG 栅极电流（直流）trr 反向恢复时间IGF 正向栅电流Tj 结温IGR 反向栅电流Tjm 最大允许结温IGDO 源极开路时，截止栅电流Ta 环境温度IGSO 漏极开路时，截止栅电流Tc 管壳温度IGM 栅极脉冲电流Tstg 贮成温度IGP 栅极峰值电流VDS 漏源电压（直流）IF 二极管正向电流VGS 栅源电压（直流）IGSS 漏极短路时截止栅电流VGSF 正向栅源电压（直流）IDSS1 对管第一管漏源饱和电流VGSR 反向栅源电压（直流）IDSS2 对管第二管漏源饱和电流VDD 漏极（直流）电源电压（外电路参数）Iu 衬底电流VGG 栅极（直流）电源电压（外电路参数）Ipr 电流脉冲峰值（外电路参数）Vss 源极（直流）电源电压（外电路参数）gfs 正向跨导VGS(th) 开启电压或阀电压Gp 功率增益V(BR)DSS 漏源击穿电压Gps 共源极中和高频功率增益V(BR)GSS 漏源短路时栅源击穿电压GpG 共栅极中和高频功率增益VDS(on) 漏源通态电压GPD 共漏极中和高频功率增益VDS(sat) 漏源饱和电压ggd 栅漏电导VGD 栅漏电压（直流）gds 漏源电导Vsu 源衬底电压（直流）K 失调电压温度系数VDu 漏衬底电压（直流）Ku 传输系数VGu 栅衬底电压（直流）L 负载电感（外电路参数）  Zo 驱动源内阻LD 漏极电感η 漏极效率（射频功率管）Ls 源极电感Vn 噪声电压rDS 漏源电阻aID 漏极电流温度系数rDS(on) 漏源通态电阻ards 漏源电阻温度系数。

简述场效应管的主要参数

简述场效应管的主要参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的电子器件，具有许多主要参数。

本文将对场效应管的主要参数进行简要描述。

1. 漏极电流（ID）：漏极电流是场效应管的重要参数之一。

它表示通过漏极的电流大小。

漏极电流的大小与栅极电压（VG）和漏极电压（VD）有关。

漏极电流的大小决定了场效应管的工作状态和性能。

2. 转导（Transconductance，简称gm）：转导是场效应管的另一个重要参数。

它表示漏极电流变化与栅极电压变化之间的关系。

转导越大，代表场效应管的放大能力越强。

3. 阈值电压（Threshold Voltage，简称Vth）：阈值电压是指栅极电压与漏极电流之间的电压差。

在阈值电压以下，场效应管基本上处于截止状态，无法正常工作。

4. 饱和电流（Saturation Current，简称IS）：饱和电流是指场效应管工作在饱和区时的漏极电流。

饱和电流的大小与栅极电压和漏极电压之间的关系有关。

5. 最大耗散功率（Maximum Power Dissipation，简称Pdmax）：最大耗散功率是指场效应管能够承受的最大功率。

超过最大耗散功率，场效应管可能会因过热而损坏。

6. 输入电容（Input Capacitance，简称Ciss）：输入电容是指场效应管的输入端（栅极）与输出端（漏极）之间的电容。

输入电容的大小会影响场效应管的输入阻抗和频率响应。

7. 输出电容（Output Capacitance，简称Coss）：输出电容是指场效应管的输出端（漏极）与地之间的电容。

输出电容的大小会影响场效应管的输出阻抗和频率响应。

8. 反馈电容（Feedback Capacitance，简称Crss）：反馈电容是指场效应管的输出端（漏极）与输入端（栅极）之间的电容。

反馈电容的大小会影响场效应管的稳定性和频率响应。

9. 输出导纳（Output Admittance，简称Yos）：输出导纳是指场效应管的输出端（漏极）对输入端（栅极）的导纳。

场效应管及其参数符号意义概要

场效应管及其参数符号意义场效应管（英缩写FET ）是电压控制器件，它由输入电压来控制输出电流的变化。

它具有输入阻抗高噪声低，动态范围大，温度系数低等优点，因而广泛应用于各种电子线路中。

供应信息需求信息一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N 沟道和P 沟道两种导电沟道。

1、结型场效应管（JFET ）（1）结构原理它的结构及符号见图1。

在N 型硅棒两端引出漏极D 和源极S 两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P 区，形成两个PN 结。

在P 区引出电极并连接起来，称为栅极Go 这样就构成了N 型沟道的场效应管图1、N 沟道结构型场效应管的结构及符号由于PN 结中的载流子已经耗尽，故PN 基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，从图1中可见，当漏极电源电压ED 一定时，如果栅极电压越负，PN 结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID 就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID 变大，所以用栅极电压EG 可以控制漏极电流ID 的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。

（2）特性曲线1）转移特性图2（a ）给出了N 沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线，称为转移特性曲线，它和电子管的动态特性曲线非常相似，当栅极电压VGS=0时的漏源电流。

用IDSS 表示。

VGS 变负时，ID 逐渐减小。

ID 接近于零的栅极电压称为夹断电压，用VP 表示，在0≥VGS ≥VP 的区段内，ID 与VGS 的关系可近似表示为：ID=IDSS（1-|VGS/VP|）其跨导gm 为：gm=（ID/VGS △△）|VDS=常微（微欧）|式中：ID △-----漏极电流增量（微安）VGS △-----栅源电压增量（伏）图2、结型场效应管特性曲线2）漏极特性（输出特性）图2(b给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线很相似。

①可变电阻区（图中I 区）在I 区里VDS 比较小，沟通电阻随栅压VGS 而改变，故称为可变电阻区。

场效应管(FET)符号和参数意思介绍

场效应管(FET)符号和参数意思介绍场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件。

具有输入电阻高（107～1012）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

Cds漏源电容CdsCduCgdCgsCissCossCrss漏衬底电容Cdu栅源电容Cgd漏源电容Cgs栅短路共源输入电容Ciss栅短路共源输出电容Coss栅短路共源反向传输电容CrssDdi/dtdv/dtIDIDMID(on)IDQIDSIDSMIDSSIDS(sat)占空比（占空系数，外电路参数）D电流上升率（外电路参数）di/dt电压上升率（外电路参数）dv/dt漏极电流（直流）ID 漏极脉冲电流IDM通态漏极电流ID(on)静态漏极电流（射频功率管）IDQ漏源电流IDS 最大漏源电流IDSM栅源短路时，漏极电流IDSS沟道饱和电流（漏源饱和电流）IDS(sat)IGIGFIGRIGDOIGSOIGMIGPIFIGSSIDSS1IDSS2IuIprgfsGpGpsGpGGPDggdgdsK KuLLDLsrDSrDS(on)rDS(of)rGDrGSRgRLR(th)jcR(th)jaPDPDMPINPOUTPPK栅极电流（直流）IG正向栅电流IGF反向栅电流IGR源极开路时，截止栅电流IGDO漏极开路时，截止栅电流IGSO栅极脉冲电流IGM栅极峰值电流IGP二极管正向电流IF漏极短路时截止栅电流IGSS对管第一管漏源饱和电流IDSS1对管第二管漏源饱和电流IDSS2衬底电流Iu电流脉冲峰值（外电路参数）Ipr正向跨导gfs功率增益Gp共源极中和高频功率增益Gps共栅极中和高频功率增益GpG共漏极中和高频功率增益GPD栅漏电导ggd漏源电导gds失调电压温度系数K传输系数Ku负载电感（外电路参数）nbsp;L漏极电感LD源极电感Ls漏源电阻rDS漏源通态电阻rDS(on)漏源断态电阻rDS(of)栅漏电阻rGD栅源电阻rGS栅极外接电阻（外电路参数）Rg负载电阻（外电路参数）RL结壳热阻R(th)jc结环热阻R(th)ja漏极耗散功率PD漏极最大允许耗散功率PDM输入功率PIN输入功率输出功率POUT脉冲功率峰值（外电路参数）PPK。

半导体器件符号及参数意义

一、三极管参数符号及其意义VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。

VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。

VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。

VDSO, 漏源击穿电压。

ICM,集电极最大允许电流。

IDSM,最大漏源电流。

PCM,集电极最大耗散功率。

PDM,漏极最大耗散功率。

IC,集电极电流。

ID,漏极电流。

hFE,共发射极静态放大倍数。

gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。

fT,特征频率。

td,延迟时间。

tf,下降时间。

二、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

场效应管参数符号意义_1729

场效应管参数符号意义_1729场效应管参数符号意义Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比(占空系数，外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流) IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流(射频功率管) IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) IG---栅极电流(直流)IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数) gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻(外电路参数) RL---负载电阻(外电路参数) R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率 PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值(外电路参数) to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间 ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压(直流) VGS---栅源电压(直流) VGSF--正向栅源电压(直流) VGSR---反向栅源电压(直流) VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数) VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)VGS(th)---开启电压或阀电压 V(BR)DSS---漏源击穿电压 V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压 VDS(sat)---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压(直流) Vsu---源衬底电压(直流) VDu---漏衬底电压(直流) VGu---栅衬底电压(直流) Zo---驱动源内阻η---漏极效率(射频功率管) Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数。

场效应管电路符号

场效应管电路符号场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的电子器件，常用于放大、开关和模拟信号处理等应用。

在电路图中，场效应管通常用特定的符号表示。

本文将详细介绍场效应管电路符号的各个组成部分及其含义。

1. 整体结构在电路图中，场效应管的符号由多个部分组成，包括源极、漏极、栅极和箭头等元素。

下面将逐一介绍这些部分的含义。

2. 源极（Source）源极是场效应管的一个端点，通常用一个箭头表示。

箭头指向源极，表示电流从源极流入管子。

源极与外部电路相连，负责提供或接收电流。

3. 漏极（Drain）漏极是场效应管的另一个端点，通常用一个直线表示。

直线连接到漏极，表示电流从漏极流出管子。

漏极与外部电路相连，在放大器中负责输出信号。

4. 栅极（Gate）栅极是场效应管的控制端点，通常用一个隔离的直线表示。

栅极与源极之间的电压可以控制管子的导电性能。

当栅极的电压变化时，场效应管的输出特性也会相应变化。

5. 箭头（Arrow）箭头是场效应管符号中的一个重要部分，用来指示电流流动的方向。

箭头指向源极，表示电流从源极流入管子。

箭头还可以帮助区分N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）型场效应管。

•N沟道型场效应管：箭头指向源极。

•P沟道型场效应管：箭头指向漏极。

通过观察箭头的方向，我们可以快速判断场效应管的类型。

6. 其他元素除了上述主要部分外，场效应管符号还可能包含其他元素，如参考标记、引脚编号等。

这些元素用于标识不同引脚或特殊功能。

7. 不同类型的FET符号根据不同类型和结构的场效应管，其符号可能略有差异。

下面介绍几种常见类型的FET符号：7.1 N沟道型MOSFETN沟道型MOSFET（NMOS）是一种常见且重要的场效应管。

其符号如下：NMOS的源极箭头指向左侧，表示电流从源极流入管子。

7.2 P沟道型MOSFETP沟道型MOSFET（PMOS）是另一种常见的场效应管。

场效应管参数符号意义

场效应管参数符号意义Cds---漏-源
Cdu---漏-衬底电容
Cgd---栅-源电容
Cgs---漏-源电容
Ciss---栅短路共源输入电容
Coss---栅短路共源输出电容
Crss---栅短路共源反向传输电容
D---占空比（占空系数，外参数）di/dt---升高率（外电路参数）
dv/dt---升高率（外电路参数）
ID---漏极电流（直流）
IDM---漏极脉冲电流
ID(on)---通态漏极电流
IDQ---静态漏极电流（功率管）
IDS---漏源电流
IDSM---最大漏源电流
IDSS---栅-源短路时，漏极电流
IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
IG---栅极电流（直流）
IGF---正向栅电流
IGR---反向栅电流
IGDO---源极开路时，截止栅电流
IGSO---漏极开路时，截止栅电流
IGM---栅极脉冲电流
IGP---栅极峰值电流
IF---正向电流
IGSS---漏极短路时截止栅电流
第1页共4页。