内存时序参数
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内存时序参数
2009-5-4
• 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“34-4-8”这一类的数字序列，分别对应的参数 是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
第1个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS” • 这个3就是CL参数,内存CAS延迟时间 。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency 是“内存 内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。 内存 CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。 因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存 内存 矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳 定的前提下应该尽可能设低。
• 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初 内存 是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后， 内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后， 内存 RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据 的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期 结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进 制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延 迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是 内存参数中最重要的。 内存
第4个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS” • tRAS : Row－active Delay（tRAS）内存行地址选通延迟。 • 该值就是“3-4-4-8”内存 内存时序参数中的最后一个参数8。 内存 • Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存 内存行有效至预充电的最短周期”。 内存 • 调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设 在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越 大或越小就越好。 • 如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性 能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的 进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足 够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据 或损坏数据。 • 为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生 内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 内存
tRCD=3的时序图
CL=2与tAC示意图
百度文库
读取时预充电时序图：图中设定：CL=2、BL=4、tRP=2。 自动预充电时的开始时间与此图一样，只是没有了单独的预充电命令，并在发出读取命令时， A10地址线要设为高电平（允许自动预充电）。可见控制好预充电启动时间很重要，它可以在 读取操作结束后立刻进入新行的寻址，保证运行效率。
第3个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS” • tRP :Row precharge Delay（tRP）内存行地址选通脉冲 预充电时间。 该值就是“3-4-4-8”内存 内存时序参数中的第3个参数，即4。 内存 • Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、 Precharge to active)，表示“内存 内存行地址控制器预充电时 内存 间”，预充电参数越小则内存 内存读写速度就越快。 内存 • tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。 tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以 减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把 tRP设为2对大多数内存 内存都是个很高的要求，可能会造成行激 内存 活之前的数据丢失，内存 内存控制器不能顺利地完成读写操作。 内存 对于桌面计算机，预充电参数的值设定为2个时钟周期，是 最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着 的bank将需要1个时钟周期，这将影响内存 内存的读写性能，从 内存 而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下， 将此值设定为3个时钟周期。 该值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最 佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。
• CAS这个参数控制内存 内存接收到一条数据读取指令 内存 后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同 时该参数也决定了在一次内存 内存突发传送过程中完 内存 成第一部分传送所需要的时钟周期数。 • 这个参数越小，则内存 内存的速度越快。必须注意部 内存 分内存 内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据。 内存 而且提高延迟能使内存 内存运行在更高的频率，所以 内存 需要对内存 内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 内存 • 该参数对内存 内存性能的影响最大，在保证系统稳定 内存 性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存 内存 读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL 值为3可以提高系统的稳定性。
第2个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS”
• tRCD : RAS to CAS Delay－内存行地址传输到列地址的 延迟时间。 该值就是“3-4-4-8”内存 内存时序参数中的第2个参数。 内存 • RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"， 数值越小，性能越好。对内存 内存进行读、写或刷新操作时， 内存 需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可 以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置 太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于 最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 如果内存 内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存 内存的默 内存 内存 认值或尝试提高tRCD值。
2009-5-4
• 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“34-4-8”这一类的数字序列，分别对应的参数 是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
第1个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS” • 这个3就是CL参数,内存CAS延迟时间 。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency 是“内存 内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。 内存 CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。 因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存 内存 矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳 定的前提下应该尽可能设低。
• 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初 内存 是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后， 内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后， 内存 RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据 的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期 结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进 制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延 迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是 内存参数中最重要的。 内存
第4个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS” • tRAS : Row－active Delay（tRAS）内存行地址选通延迟。 • 该值就是“3-4-4-8”内存 内存时序参数中的最后一个参数8。 内存 • Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存 内存行有效至预充电的最短周期”。 内存 • 调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设 在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越 大或越小就越好。 • 如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性 能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的 进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足 够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据 或损坏数据。 • 为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生 内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 内存
tRCD=3的时序图
CL=2与tAC示意图
百度文库
读取时预充电时序图：图中设定：CL=2、BL=4、tRP=2。 自动预充电时的开始时间与此图一样，只是没有了单独的预充电命令，并在发出读取命令时， A10地址线要设为高电平（允许自动预充电）。可见控制好预充电启动时间很重要，它可以在 读取操作结束后立刻进入新行的寻址，保证运行效率。
第3个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS” • tRP :Row precharge Delay（tRP）内存行地址选通脉冲 预充电时间。 该值就是“3-4-4-8”内存 内存时序参数中的第3个参数，即4。 内存 • Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、 Precharge to active)，表示“内存 内存行地址控制器预充电时 内存 间”，预充电参数越小则内存 内存读写速度就越快。 内存 • tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。 tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以 减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把 tRP设为2对大多数内存 内存都是个很高的要求，可能会造成行激 内存 活之前的数据丢失，内存 内存控制器不能顺利地完成读写操作。 内存 对于桌面计算机，预充电参数的值设定为2个时钟周期，是 最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着 的bank将需要1个时钟周期，这将影响内存 内存的读写性能，从 内存 而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下， 将此值设定为3个时钟周期。 该值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最 佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。
• CAS这个参数控制内存 内存接收到一条数据读取指令 内存 后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同 时该参数也决定了在一次内存 内存突发传送过程中完 内存 成第一部分传送所需要的时钟周期数。 • 这个参数越小，则内存 内存的速度越快。必须注意部 内存 分内存 内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据。 内存 而且提高延迟能使内存 内存运行在更高的频率，所以 内存 需要对内存 内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 内存 • 该参数对内存 内存性能的影响最大，在保证系统稳定 内存 性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存 内存 读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL 值为3可以提高系统的稳定性。
第2个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS”
• tRCD : RAS to CAS Delay－内存行地址传输到列地址的 延迟时间。 该值就是“3-4-4-8”内存 内存时序参数中的第2个参数。 内存 • RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"， 数值越小，性能越好。对内存 内存进行读、写或刷新操作时， 内存 需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可 以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置 太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于 最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 如果内存 内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存 内存的默 内存 内存 认值或尝试提高tRCD值。