内存时序参数
内存时序的调节
-2T拥有较久的延迟、差很多的系统内存较能。较高的兼容性、稳定性。推荐将内存设定为1T能让内存达到最佳效能。
12.对于BIOS中内存时序部分未提及的几项参数，一般设为AUTO即可。
以上是对参数的解释，在说明调节参数的细节之前，我想声明几点：
1.内存性能最重要的标志就是它的频率，相比之下内存时序显得并不是那么重要，适当调节的确会有提升，但是不会像调节频率来的那么明显。当然作为一个DIY爱好者，榨干系统的每一分性能才是最终目标。这里一个评测大家可以参考下，[ /157/1570442.html此网页不属于本网站，不保证其安全性 继续访问 取消 不再提示我 /157/1570442.html 传送门 ]
上面已经说过，当内存频率提高，特别是过了标称值的时候，就需要以增加内存小参值为代价。
(1)若你内存工作的频率是小于等于你的内存标称值的，那么可以认为你的内存工作时序可以至少跑到标称的水平，比如我选择的内存在1600频率之下，先设定内存时序为7-7-7 1T，其他AUTO，若能成功进入系统并且通过memory test，那说明你的内存时序是OK的，我当时貌似是7-7-7-24-5-89 1T，那接下来继续缩小部分参数值(注意：一个一个调整，一元变量和多元变量的道理)，比如设定7-7-7-21(20)1T，看能否稳定，依旧是进系统，测试(重复枯燥的劳动，所以说需要耐心...)若能稳定，那就继续，比如7-7-7-21(20)-5-60 1T，这个我没能成功；若不能稳定就略微的加小参值，比如7-8-7-21(20)，以此类推找到稳定的最小值。
内存时序的调节
由于CPU外频锁定在200(倍频20)，那么对于我所选用的内存条，根据几种既定的频率比(FSB:RAM)比较合适的频率为:1600(2：8)和2000(2：10)。
发个我自己的图， [ /cache/banner/1027841.png ]
，如图可以看到内存在1600频率下时序为7-7-7-20 1T(7-7-7-20-5-89
1T)，个人建议主要调整前6个参数值，其它的参考之前的解释微调，或者直接AUTO。
1.DRAM CAS Latency(tCL)：内存CAS
Latency是指“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，该参数设置对内存带宽影响较大，数值越小内存性能越高，反之越低，内存运行频率越高该参数通常需要设置越大，根据DDR3内存体质不同，保守设置通常是7-9，也可根据自己内存体质设置不同的Cl值。
上面已经说过，当内存频率提高，特别是过了标称值的时候，就需要以增加内存小参值为代价。
(1)若你内存工作的频率是小于等于你的内存标称值的，那么可以认为你的内存工作时序可以至少跑到标称的水平，比如我选择的内存在1600频率之下，先设定内存时序为7-7-7
1T，其他AUTO，若能成功进入系统并且通过memory test，那说明你的内存时序是OK的，我当时貌似是7-7-7-24-5-89
11.DRAM Timing
Mode：内存首命令延迟设定用选项，对内存性能影响较大，放宽到2N(2T)可适当提升内存超频频率，通常设置为1N(1T)。
-1T拥有较少的延迟，较佳的系统内存效能。却较差的兼容性。
-2T拥有较久的延迟、差很多的系统内存较能。较高的兼容性、稳定性。推荐将内存设定为1T能让内存达到最佳效能。
4000内存c16时序参数
4000内存c16时序参数
您提到的“4000内存c16时序参数”似乎是关于计算机内存（RAM）的时序参数。
在计算机硬件中，时序参数是关于内存性能的重要指标。
这些参数会影响到内存的读写速度，进而影响整个系统的性能。
对于“4000内存c16时序参数”，这里的“4000”可能是指内存的速度，即4000MHz，而“c16”则是指时序参数中的CAS（Column Address Strobe）延迟时间，值为16。
一般来说，较低的CAS延迟时间意味着更快的内存访问速度，但这也可能增加内存的功耗和发热。
具体的时序参数设置应根据计算机的硬件配置和性能需求进行选择。
如果您是计算机硬件的初学者，建议在进行任何更改之前，先备份重要的数据，并确保您有足够的硬件知识来操作。
如果您不确定如何进行操作，最好寻求专业人士的帮助。
内存的时序以及内存时序优化
一种参数，一般存储在内存条的SPD上。
2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off 或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：Command Per Clock(CPC)可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。
d5超频时序
D5超频时序是指DDR5内存的超频时序参数。
DDR5内存相比于DDR4内存，具有更高的频率和更低的延迟。
以下是一些常见的D5超频时序参数：
1. CAS Latency (CL)：CAS延迟，表示从内存控制器发送读取命令到内存芯片开始输出数据所
需的时间。
2. RAS to CAS Delay (tRCD)：行地址到列地址延迟，表示在读取数据时，需要等待行地址和列
地址被解码完成所需的时间。
3. RAS Precharge Time (tRP)：行预充电时间，表示在写入数据之前需要等待内存芯片将先前
使用过的行进行预充电所需的时间。
4. Active to Precharge Time (tRAS)：行激活到预充电时间，表示在读取或写入数据后需要等待
多长时间才能再次激活同一行所需的时间。
5. Command Rate (CR)：命令速率，表示在两个连续命令之间必须等待多久才能发出下一个命
令。
这些参数可以通过超频设置来调整以达到更高的性能。
不过，在进行超频设置时需要注意稳定性问题，并且需要根据具体硬件配置和使用环境进行优化。
电脑内存频率与时序的解析
电脑内存频率与时序的解析随着计算机技术的不断发展，电脑内存作为计算机硬件的重要组成部分，其性能和稳定性也备受关注。
在选择电脑内存时，除了容量和类型外，频率与时序也是需要考虑的关键因素。
本文将就电脑内存的频率与时序进行解析和分析。
一、电脑内存频率的含义电脑内存频率指的是内存模块的运行速度，通常以兆赫兹（MHz）为单位进行计量。
频率越高，内存的传输速度越快，计算机的运行速度也会相应提升。
常见的内存频率包括DDR4-3200、DDR4-2666等，其中的数字表示频率数值。
二、电脑内存时序的含义电脑内存时序则指的是内存模块从接收到命令到完成数据传输所需的时间，通常以CL（CAS Latency）值来表示。
CL值越低，意味着内存响应速度越快，执行命令的延迟时间越短。
在内存时序中还包括其他参数，如tRCD、tRP、tRAS等，这些参数综合起来决定了内存模块的整体性能。
三、内存频率和时序的关系在电脑内存中，频率和时序并不是独立存在的，而是相互影响、相互制约的关系。
一般来说，较高的频率可以带来更高的传输速度，从而提升计算机的性能。
然而，频率越高，时序一般也会相应增大，增加了内存的延迟时间。
因此，在选择内存时，需要综合考虑频率和时序，找到一个平衡点。
四、如何选择适合的内存频率和时序1.了解主板和处理器的兼容性在选择内存时，首先要了解主板和处理器的支持范围。
不同主板和处理器对内存的支持规格有所区别，只有选择兼容的内存才能发挥最佳性能。
2.根据需求选择合适的频率根据个人使用需求，选择适合的内存频率。
对于一般用户来说，DDR4-3200或DDR4-2666的内存频率已经足够满足大多数应用。
而一些对计算速度要求较高的专业用户，可以考虑选择更高频率的内存。
3.权衡频率和时序在选择内存时，也要权衡频率和时序的关系。
频率和时序并非越高越好，而是需要找到一个平衡点。
对于普通用户来说，频率略高于时序的内存可以提供良好的性能。
而对于追求超频和极致性能的玩家和专业用户来说，可以尝试选择更高频率和较低时序的内存。
ddr4时序标准
ddr4时序标准
DDR4是一种双倍数据率同步动态随机访问存储器（SDRAM），它是DDR3的后继产品。
DDR4的时序标准包括预充电、激活、读取和写入等关键时序参数。
以下是关于DDR4时序标准的详细内容：
1. 预充电（Precharge）：预充电是指在进行下一个操作之前将存储器行恢复到预充电状态的过程。
DDR4的预充电时序参数包括tRP（行预充电时间）和tRAS（行激活到预充电时间）。
2. 激活（Activate）：激活是指将存储器行从预充电状态切换到激活状态的过程。
DDR4的激活时序参数包括tRCD（行激活到列访问延迟时间）和tRRD（行行延迟时间）。
3. 读取（Read）：读取是指从存储器中读取数据的过程。
DDR4的读取时序参数包括tCAS（列地址到列地址延迟时间）和tRTP（读取到预充电时间）。
4. 写入（Write）：写入是指向存储器中写入数据的过程。
DDR4的写入时序参数包括tWR（写入恢复时间）和tWTR（写入到读取延迟时间）。
除了上述关键时序参数外，DDR4还有其他一些时序标准，如tCK（时钟周期时间）、tCKE（时钟使能到时钟禁用时间）和tFAW （四个激活窗口时间）等。
这些时序标准对于DDR4的性能和稳定性起着至关重要的作用，制造商和设计者需要严格遵守这些标准以确保DDR4的正常运行和高效性能。
内存时序设置详解
内存时序设置详解内容概要关键词：内存时序参数设置导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。
本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。
与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。
同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。
FSB与内存频率的关系首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。
FSB/MEM比率实际运行频率1/1 200MHz1/2 100MHz2/3 133MHz3/4 150MHz3/05 120MHz5/6 166MHz7/10 140MHz9/10 180MHz对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。
而其他的设置都是异步的。
同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。
如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。
FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。
内存时序设置内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。
下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。
涉及到的参数分别为：∙CPC : Command Per Clock∙tCL : CAS Latency Control∙tRCD : RAS to CAS Delay∙tRAS : Min RAS Active Timing∙tRP : Row Precharge Timing∙tRC : Row Cycle Time∙tRFC : Row Refresh Cycle Time∙tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)∙tWR : Write Recovery Time∙……及其他参数的设置CPC : Command Per Clock可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
内存时序设置
Command Per Clock(CPC)该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable（1T）。
CAS Latency Control(tCL)CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。
该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
Min RAS# Active Timing(tRAS)一般我们最好设在5－10之间。
这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。
Row Precharge Timing(tRP)推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。
只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
Row Cycle Time(tRC)row cycle time (tRC) = minimum row active time (tRAS) + row precharge time (tRP)Row Refresh Cycle Time(tRFC)17-19是内存超频建议值。
建议从17开始依次递减来测试该值。
大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
Write Recovery Time(tWR)如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。
Write to Read Delay(tWTR)如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。
Refresh Period(tREF)通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。
内存时序的概念和设置
一：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。
二：RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着
内存设置时序
3684= 100mhz（1.95us）
4196= 133mhz（1.95us）
4708= 166mhz（1.95us）
0128= 200mhz（1.95us）
这个参数是用来设定刷新的间隔时间，除了Auto选项，还有非常多的选项可以选择。Auto表示根据内存的SPD信息来设定，通常是一个很慢的值，为了保证最好的兼容性。数值越高表示性能越好，最高可以达到128us，但太高的值可能导致内存数据丢失，因此我们可以一点一点的增加来得到最理想的数值，前提也是系统足够稳定。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置：2为最佳性能，超频用户可以考虑3。
Writeto Read Delay（tWTR）
Settings = Auto， 1， 2
这个参数控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一bank中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期。1个时钟周期自然可以提供从读到写更快速的切换。设为2会影响读数据的速度，但提高稳定性，尤其是高频时。换句话说，对内存超频的玩家，我们建议设为2。通常DDR266和DDR333都能稳定运行在1，这样内存的读速度会更快。当然DDR400的用户也能尝试着设为1，但如果不稳定就必须降到2了。
此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。对于桌面电脑，建议使用2个时钟周期的延迟，此时的数据膨胀可以忽视。tRRD设为2可以提高DDR内存的读写性能，当2才稳定时才应该设为3。
另外根据早期的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。每个bit都能随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15。6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15。6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15。6usX2048行=32ms。
内存时序详解
超频内存的时候有两种，一种是提高内存的主频，这个可以使得内存的读写数据的速度更快，类似高速公路上的车速，而内存时序是指控制内存数据读写指令的速度，类似收费口，路上的车速再快最终也是要上下高速公路的，只不过并不是只有一个口，因此内存时序只要够用就可以了。
内存频率和时序的超频都有可能导致内存的不稳定，导致无法开机，解决办法就是清BIOS恢复BIOS的默认设置。
内存时序一种参数，一般存储在内存条的SPD上。
2-2-2-84个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。
RAS－to－CAS Delay （tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：Command Per Clock(CPC)可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
4000内存c16时序参数 -回复
4000内存c16时序参数-回复题目：4000内存C16时序参数导语：内存是计算机中重要的组成部分之一，不同的内存时序参数可以影响计算机的运行性能和稳定性。
本文将深入探讨4000内存C16时序参数的含义、适用性以及如何选购。
第一步：了解内存时序参数内存时序参数是指内存芯片在调度和响应指令时所需的时间。
常见的内存时序参数包括CAS延迟、RAS预充电时间、RAS激活到CAS延迟等。
在4000内存C16时序参数中，C16代表着CAS延迟为16个时钟周期。
第二步：搭配适用性4000内存C16时序参数适用于需要高性能和低延迟的计算机系统。
这样的内存时序参数可以提升计算机的数据读写速度，并降低响应延迟。
适用的场景包括高性能游戏、图形渲染、大数据处理等对计算能力和内存要求较高的应用。
第三步：选购指南1. 了解主板和处理器：在选购4000内存C16时序参数之前，需先了解主板和处理器的兼容性。
不同主板和处理器对内存频率和时序的支持有所差异。
2. 判断需求：根据自己的使用需求决定是否需要4000内存C16时序参数。
如果需要高性能和低延迟的计算机系统，可考虑这样的内存。
3. 品牌和质量：选择可信赖的品牌，确保内存的质量和稳定性。
一些知名品牌如Kingston、Corsair、Samsung等在市场上有良好的口碑。
4. 额定电压和散热设计：确认内存的额定电压和散热设计，以保证内存在稳定运行时不会过热。
5. 价格比较：对比不同品牌和型号的4000内存C16时序参数，选择性价比较高的产品。
第四步：安装和设置1. 关闭计算机并断开电源。
2. 根据主板的规格，找到适合内存插槽，并插入内存。
3. 确保内存插槽锁定，以确保内存能够正常接触到插槽。
4. 重新连接电源，启动计算机。
5. 进入BIOS设置，调整内存频率和时序参数为4000MHz和C16。
6. 保存设置并重新启动计算机，以使设置生效。
结尾：通过深入了解4000内存C16时序参数的含义、适用性和选购指南，我们知道了如何根据个人需求选择合适的内存，并且了解了安装和设置这种内存所需要的步骤。
了解电脑内存频率和时序如何选择最佳设置
了解电脑内存频率和时序如何选择最佳设置电脑内存是一台计算机中非常重要的组成部分，其性能的提升可以大大影响计算机的整体运行速度和稳定性。
在选择内存时，人们常常会遇到频率和时序这两个参数，而了解如何选择最佳设置对于优化计算机性能非常重要。
本文将介绍电脑内存频率和时序的概念，并提供选择最佳设置的一些建议。
一、频率的概念内存频率是指内存模块每秒钟能够传输数据的速率，常用单位为MHz。
频率越高，内存的数据传输速度越快。
在选择内存频率时，应考虑到主板的支持能力以及处理器的相应要求。
如果将高频率内存插入低频率主板中，内存频率会被限制为主板支持的最高频率。
同样地，如果处理器不支持高频率内存，则无法发挥其最大性能。
选择内存频率时，首先要查阅主板和处理器的规格说明。
主板说明书中会详细列出所支持的内存类型和频率范围。
处理器的规格说明也会指明其对内存频率的要求。
根据这些信息，选择一条在主板和处理器兼容的频率范围内的内存模块即可。
二、时序的概念内存时序描述了内存模块在传输数据时的速度和延迟。
时序通常由一组数字组成，例如CL（CAS Latency，列地址延迟）、tRCD（RAS到CAS延迟）和tRP（行预充电延迟）。
这些数字代表了不同的传输操作所需的时钟周期数。
比如，CL=9表示内存模块需要9个时钟周期来响应读取请求。
时序的选择也需要根据主板和处理器的要求来进行。
主板和处理器通常会规定一个标准的时序配置，称为JEDEC（Joint Electronic Device Engineering Council）标准。
这个标准包含了一组预先定义好的时序值，可以确保内存模块能够在主板和处理器上正常工作。
三、选择最佳设置的建议对于大部分用户来说，选择内存频率和时序时，并不会有太多复杂的考虑。
通常情况下，遵循主板和处理器的规格说明即可选择合适的内存模块。
然而，对于一些追求极致性能的用户，他们可能会尝试超频或者手动调整内存设置，以达到更高的性能。
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• CAS这个参数控制内存 内存接收到一条数据读取指令 内存 后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同 时该参数也决定了在一次内存 内存突发传送过程中完 内存 成第一部分传送所需要的时钟周期数。 • 这个参数越小，则内存 内存的速度越快。必须注意部 内存 分内存 内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据。 内存 而且提高延迟能使内存 内存运行在更高的频率，所以 内存 需要对内存 内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 内存 • 该参数对内存 内存性能的影响最大，在保证系统稳定 内存 性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存 内存 读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL 值为3可以提高系统的稳定性。
tRCD=3的时序图
CL=2与tAC示意图
读取时预充电时序图：图中设定：CL=2、BL=4、tRP=2。 自动预充电时的开始时间与此图一样，只是没有了单独的预充电命令，并在发出读取命令时， A10地址线要设为高电平（允许自动预充电）。可见控制好预充电启动时间很重要，它可以在 读取操作结束后立刻进入新行的寻址，保证运行效率。
内存时序参数
2009-5-4
• 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“34-4-8”这一类的数字序列，分别对应的参数 是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
第1个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS” • 这个3就是CL参数,内存CAS延迟时间 。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency 是“内存 内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。 内存 CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。 因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存 内存 矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳 定的前提下应该尽可能设低。
第3个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS” • tRP :Row precharge Delay（tRP）内存行地址选通脉冲 预充电时间。 该值就是“3-4-4-8”内存 内存时序参数中的第3个参数，即4。 内存 • Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、 Precharge to active)，表示“内存 内存行地址控制器预充电时 内存 间”，预充电参数越小则内存 内存读写速度就越快。 内存 • tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。 tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以 减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把 tRP设为2对大多数内存 内存都是个很高的要求，可能会造成行激 内存 活之前的数据丢失，内存 内存控制器不能顺利地完成读写操作。 内存 对于桌面计算机，预充电参数的值设定为2个时钟周期，是 最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着 的bank将需要1个时钟周期，这将影响内存 内存的读写性能，从 内存 而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下， 将此值设定为3个时钟周期。 该值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最 佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。
第2个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS”
• tRCD : RAS to CAS Delay－内存行地址传输到列地址的 延迟时间。 该值就是“3-4-4-8”内存 内存时序参数中的第2个参数。 内存 • RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"， 数值越小，性能越好。对内存 内存进行读、写或刷新操作时， 内存 需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可 以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置 太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于 最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 如果内存 内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存 内存的默 内存 内存 认值或尝试提高tRCD值。
• 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初 内存 是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后， 内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后， 内存 RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据 的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期 结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进 制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延 迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是 内存参数中最重要的。 内存
第4个参数“CL-tRCD-tRP个参数
tRAS” • tRAS : Row－active Delay（tRAS）内存行地址选通延迟。 • 该值就是“3-4-4-8”内存 内存时序参数中的最后一个参数8。 内存 • Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存 内存行有效至预充电的最短周期”。 内存 • 调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设 在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越 大或越小就越好。 • 如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性 能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的 进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足 够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据 或损坏数据。 • 为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生 内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 内存
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