EMC环氧塑封料包装、存储、回温管理关系图
环氧模塑料-长兴(昆山)电子材料
环氧模塑料E T E R K O N产 品品 简简 介介产品型号产品型号主要特性主要特性适合封装形式适合封装形式 EK1800G标准型DiodeTransistor DIPEK1700G标准型(Fused Type) SMDDIPTransistor EK3600G 低应力 DIP SOTO(MOSFET) EK3600GT 高导热 ITO220/3P EK5600G低应力SO QFPTO(MOSFET)EK1800GEK1700GEK3600G EK3600GT EK5600G 环氧 树脂 OCN OCN LMWE/OCNOCN LMWE/OCN固化剂 PN PN XLC PN XLC 填料(wt%)7675888288 环保型塑封料环保型塑封料主要特色主要特色产品成份说明产品成份说明EK G EK G 温度温度温度——SF 特性图特性图EK G EK G 固化时间固化时间固化时间——热时硬度特性图热时硬度特性图S.F隨溫度變化60708090100155165175185195205溫度(℃)S .F (c m )EK1800G EK1700G EK3600G EK3600GTEK5600G熱時硬度趨勢圖(175℃)505560657075808530405060708090100110時間(s)熱時硬度EK1800G EK1700G EK3600G EK5600GEK G EK G 胶化时间胶化时间胶化时间——温度特性图温度特性图EK G TG EK G TG——后固化时间特性图后固化时间特性图Gel Time V.S. Temperature5791113151719212325165170175180185190195200205210Temperature (℃)G e l T i m e (s e c )EK1800G EK3600G EK1700GTg隨固化時間變化608010012014016018002468固化時間(h)T g (℃)EK1800G EK1700G EK3600G EK3600GT EK5600G产品特性测试产品特性测试项目项目 单位单位 EK1800G EK1800GE EK1700G EK3600G EK3600GE EK3600GT EK5600G 颜色 黑色黑色 黑色黑色 黑色 流动 长度 cm 75 80 89 50 80 凝胶化时间 Sec 19 20 19 32 19 热时硬度 175℃/60sec 70 70 75 - 75 热时硬度 175℃/90sec - - - 70 - 比重 / 2.04 1.84 2.01 2.18 2.0 线膨胀系数α1 10-6/℃ 20 20 9 22 9 线膨胀系数α2 10-6/℃ 76 82 33 70 33 玻璃转化温度 ℃140 135 115 161 120 弯曲强度 Kgf/cm 2 1500 1500 1800 1800 1700 弯曲模量Kgf/mm 2 1800 1400 2300 2000 2200 导热系数10-4cal/sec.cm. ℃35 18 21 50 21 体积阻抗(25℃) 1015/Ω/cm84 56 50 53 52 吸水率 % 0.55 0.63 0.31 0.46 0.33 萃取电导 us /cm 66 52 60 67 65 UL94 /V-0V-0V-0V-0V-0EK1800G/EK1700GPKG ： Diode, SMA CHIP ：GPP/SKY/OJ LF ：Cu EK3600G/EK5600G/EK3600GTPKG ：SOT ，SOP16 ，ITO-220 LF ：Cu ，NiFe产品应用测试产品应用测试产品特性参数产品特性参数EMC PKG MSL Test condition Result EK3600G SOT L3/260℃ 60℃/ 60%RH/168H ACC EK3600GT ITO-220 L3/260℃ 60℃/ 60%RH/168H Testing EK5600G SOP16 L3/260℃ 60℃/ 60%RH/168H ACC EK3600G SOT L1/260℃ 85℃/ 85%RH/168H Testing EK5600GSOP16L1/260℃85℃/ 85%RH/168HTestingEK1800G EK1700G TestParameter Test Conditi o n Test Sample number Fail Result Fail Result OP-LifeTa=25℃IF:0.8A500H450/45ACC0/45ACCHTRBTa=150±5℃ VR=80%RatedVoltage=800V R=2.2K Ω 168H45 0/45 ACC 0/45 ACCAC Ta=121℃P=15Psi96H 45 0/45 ACC 0/45 ACCTCTc=-55℃30min Tc=150℃ 30min 100cycle45 0/45 ACC 0/45 ACCHTSL Ta=150℃ 500H 45 0/45 ACC 0/45 ACC RSHTa=260℃T=10S10sec450/45ACC0/45ACCΦ30、Φ38、Φ43、Φ48、Φ55mm 15 包装重量包装重量 Φ13、Φ14、Φ18 10包装方法包装方法双层PE 袋，密封包装首先首先：：产品须在室温下回温24小时后方可使用，并尽量在48小时内使用完，未使用完的饼料再储存时，储存方法严格按照上述规定（产品储存方法） 其次其次：：当再次使用第一次未用完的饼料时，仍须在室温条件回温24小时后方可再用，且必须全部用完。
韦尔半导体封装工艺介绍
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Epoxy】银浆
➢成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）；
➢有三个作用：将Die固定在Die Pad上； 散热作用，导电作用；
➢-50°以下存放，使用之前回温24小时；
Typical Assembly Process Flow
BGA采用的是Substrate；
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Gold Wire】焊接金线
➢实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接；
➢金线采用的是99.99%的高纯度金； ➢同时，出于成本考虑，目前有采用铜
线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低； ➢线径范围；0.6mil ~2.0mil；
W/B四要素：压力（Force）、超声（USG Power）、时间（Time）、 温度（Temperature）；
FOL– Wire Bonding 引线焊接
陶瓷的Capillary
内穿金线，并且在EFO的 作用下，高温烧球；
金线在Cap施加的一定 压力和超声的作用下， 形成Bond Ball；
金线在Cap施加的一 定压力作用下，形成 Wedge；
※利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
FOL– Wire Bonding 引线焊接
Key Words：
Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为 空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成 第一和第二焊点；
SMD温湿度敏感元件作业、运输、储存、包装标准
SMD温湿度敏感元件作业，运输，储存，包装标准SMD零件的出现直接带来了新的挑战，而这些挑战的重心又在于包装的品质和可靠性。
本文讲述了floor life 在作业，包装，运输，的等级标准。
J-STD-020说明了湿敏元件级别，JEP113说明了标签要求周围环境中的湿气会通过包装材料渗透到包装内部，并在不同材料的表面聚结。
在组装工艺中，SMD元件贴装在PCB上时会经历超过200℃，在焊接时，湿气的膨胀会造成一些列的焊接品质问题。
2.目的本文旨在为使用，运输，存储，包装SMD湿敏元件提供标准。
通过本文内的方法，可以避免零件受潮和零件在过IR后可靠性下降。
通过本文的各个程序，可以达到无害回焊。
热烘可以使SMD零件得到长达12个月的包装存储寿命。
3.范围3.1 包装3.1.1 本标准适用于PCBA中无需密封SMD零件的作业，其中包括聚合分子材料和塑胶材料3.1.2 密封包装大零件无湿气风险，不必作防潮3.2 组装制程3.2.1本标准适用于PCBA IR，VPR等制程，不适用于波峰焊3.2.2 本标准亦适用于受潮零件的烘烤或重工3.2.3 本标准不适用于不过回焊炉的零件3.3 可靠性3.3.1 内容描述中的方法可以保证PCBA的成品可靠性是可评估的（标准J-STD-020 和JESD22-A113）3.3.2 本文不对焊接可靠性作评述4.涉及文件4.1 EIA JEDECEIA-541 静电放电敏感元件包装要求EIA-583 湿气敏感元件包装要求EIA-625 静电放电敏感设备操作要求JEP-113 湿气敏感设备标识JESD22-A113 不气密包装可靠性测试条件要求4.2 防护部分MIL-B-131 阻湿材料（隔绝湿气,不透气的）-MIL-B-81705 透气的，无静电的，可加热处理的MIL-D-3464 活性干燥剂，MIL-I8835 指示，湿度卡5.定义活性干燥剂：全新干燥剂或是经过依照推荐标准进行烘烤恢复原始规格的干燥剂6.包装6.1 包装要求详见下表1湿敏级别烘干元件防潮袋干燥剂湿敏级别标签警告贴纸1 随意随意随意随意220℃时不必标示，235℃时必需标示2 随意必需必需必需必需2a-5a 必需必需必需必需必需6 随意随意随意必需必需6.2 零件包装前的烘烤6.2.1 湿敏级别在2a到5a之间的零件在做防潮包装之前必须要做烘烤处理。
EME_Baxic_information_chinese
阻燃剂(Flame Retard) Br 树脂, Sb2O3 催化剂(Catalyst) N 化合物, P 化合物 偶联剂(Coupling) Silane Compound 离型剂(Releasing) 天然蜡(Wax), 合成蜡 其 他 碳黑，低应力添加剂
1.2 典型反应过程 1.2.1 环氧树脂(Epoxy)和硬化剂Hardener)
红外回流
温度循环测试 温度循环 温度冲击
Reflow Crack Test
Thermal Shock(TST)
L1 ~ 6 + Reflow
-65 ~ 150 degC -65 ~ 150 degC 150 ~ 175 degC ( 200 degC )
3 times
~ 1000 cy ~ 500 cy ~ 1000 h
Q = Sdx/dt
黏稠度(Viscosity) 壓力(Pressure) 孔半徑(Nozzle Radius) 孔長度(Nozzle Length) 流量(Flow Quantity) 衝桿截面積 (Plunger Section) 荷重(Load) 175 degC 0.25 mm 1 mm 98 N
9
球狀(Spherical)填充物 IC斷面(使用電子顯微鏡) 填充物含量=88wt% ）
导线架(Lead Frame)界面
10
高含量填充物(High Filler Content)
結合不同形狀及大小分佈的填充物
圖示
R
100
91.5
0.414R 0.225R 透孔率
29.5%
6.5 1.85 19.0%
5
1.2.2 填充剂(Filler)
填充物用來控制黏稠度, 改善強度,減少收縮 降低熱膨脹係數(CTE)及吸水率
Wafer制程及IC封装制程
正向光阻 光影剂曝光后解离成小分子，溶解在有曝光的区域 未曝光的区域变硬
负向光阻 显影剂溶解没有曝光的区域 曝光的区域变硬
微影流程
HMDS 1. 气相成底膜
晶粒座 (die pad)
焊线
等离子清洗 焊线准备
焊线作业
模压准备 模压前检查 焊线检查
*利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al） 把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来，以便实现晶 粒之电路讯号与 外部讯号通信 * 焊线检查：焊线断裂，焊线短路、焊线弯曲、焊线损伤 *W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
曝光：利用光源透过关罩图案照射在光阻上，以实现图案的转移
显影：将曝光后的光阻层以显影剂将光阻层所转移的图案显示出来
硬烘烤：加强光阻的附着力，以便利于后续的制程
蚀刻制程
• 在半导体制程中，通过蚀刻将封光阻 底下的薄膜或是基材进行选择性的蚀 刻。（将某种材质从晶圆表面上移除 ，留下IC电路结构）
湿式蚀刻 利用化学溶液将未被光阻覆盖的
Wafer制程
4、出厂准备
清洗：用各种高度洁净的清洗液与超音波处理，除去芯 片表面的所有污染物质，使芯片达到可进行下一步加工 的状态。 检验：检查晶圆片表面清洁度、平坦度等各项规格，以 确保品质符合顾客的要求。 包装：使用合适的包装，使芯片处于无尘及洁净的状态 ，同时预防搬运过程中发生的振动使芯片受损
晶圓针测(CP)
• 晶圆测试：在完成晶圆制造程序后，为了避免封装材料及后 段设备产能的浪费，在IC封装前进行晶圆针测，以将不良的 晶圆事先排除。
SMD温湿度敏感耐高温产品作业、储存、包装规范
文件修正一览表1. 目的为使用，运输，存储，包装SMD湿敏元件提供标准。
通过本规范内的方法，可以避免零件受潮和零件在过IR后可靠性下降。
2. 范围本公司符合SMD制程出货的耐高温成品，及其对应的塑胶半成品适用。
3. 参考记录IPC/JEDEC J-STD-033B SMD温湿度敏感元件作业，运输，储存，包装标准《产品标签制作作业指导书》4. 名词定义无5. 维护单位研发部6. 权责6.1 研发：产品包装规范制定单位6.2 生产：负责产品包装,自检单位6.3 品保：负责管控包装质量及方式与要求一致。
6.4 仓库：依照研发制定的成品包装规范执行出货作业7. 作业程序说明结合公司出货品管控条件及接线端子制品的焊接工艺要求，本公司目前生产之湿度敏感部品，其湿敏等级均在1-2a之间，生产中无需特别的烘烤除湿作业。
7.1 耐高温塑胶半成品生产与包装7.1.1零件在注塑机台成型完成后，包装期间的裸露时间（MET）不可超过24H。
如果MET超过了24H，那么这个实际时间必须要在标签上注明。
7.1.2防潮袋（MBB）●首次发行○修订○废止○手册○程序书●指导书注塑SMD耐高温塑胶零件，要求使用防潮袋进行包装。
防潮袋要求为PE材质，单层厚度不低于0.12mm，具有较好弹性，机械强度和抗穿刺能力，且袋子必须是可热封的。
7.1.3干燥剂干燥剂必须要要满足无尘，无腐蚀性，吸潮能力符合标准。
干燥剂必须包装在湿气可渗透入的袋子里，每个防潮袋里面装的干燥剂的量必须标注在袋子上。
使用时，需适量开封并保存在封闭的容器内存放。
开封的干燥剂暴露在空气中的总共时间应少于1小时。
7.1.4标签产品防潮袋上除标准的物料信息标签外，需要加贴“Caution lable”（警告贴纸）。
依据JEDEDJEP113标准，警告贴纸贴在防潮袋的表面。
标签样式如下：直径20mm 红色底黑色字圆形贴纸。
7.2 耐高温成品生产与包装7.2.1装配现场依生产进度，适时将密封的半成品开包组装，装配制程结束后，检测含水率超标时，需要于包装前进行产品烘烤，并要求24小时内检验及包装完成。
塑封料＼环氧塑封料工艺选择和封装失效分析流程
塑封料＼环氧塑封料工艺选择和封装失效分析流程一环氧塑封料的工艺选择1.1预成型料块的处理（1）预成型塑封料块一般都储存在5℃-10℃的环境中，必会有不同程度的吸潮。
因此在使用前应在干燥的地方室温醒料，一般不低于16小时。
（2）料块的密度要高。
疏松的料块会含有过多的空气和湿气，经醒料和高频预热也不易挥发干净，会造成器件包封层内水平增多。
（3）料块大小要适中，料块小，模具填充不良；料块大，启模困难，模具与注塑杆沾污严重并造成材料的浪费。
1.2模具的温度生产过程中，模具温度控制在略高于塑封料玻璃化温度Tg时，能获得较理想的流动性，约160℃-180℃。
模具温度过高，塑封料固化过快，内应力增大，包封层与框架粘接力下降。
同时，固化过快也会使模具冲不满；模具温度过低，塑封料流动性差，同样会出现模具填充不良，包封层机械强度下降。
同时，保持模具各区域温度均匀是非常重要的，因为模具温度不均匀，会造成塑封料固化程度不均匀，导致器件机械强度不一致。
1.3注塑压力注塑压力的选择，要根据塑封料的流动性和模具温度而定，压力过小，器件包封层密度低，与框架黏结性差，易发生吸湿腐蚀，并出现模具没有注满塑封料提前固化的情况；压力过大，对内引线冲击力增大，造成内引线被冲歪或冲断，并可能出现溢料，堵塞出气孔，产生气泡和填充不良。
1.4注模速度注模速度的选择主要根据塑封料的凝胶化时间确定。
凝胶化时间短，注模速度要稍快，反之亦然。
注模要在凝胶化时间结束前完成，否则由于塑封料的提前固化造成内引线冲断或包封层缺陷。
1.5塑封工艺调整对工艺调整的同时，还应注意到预成型料块的保管、模具的清洗、环境的温湿度等原因对塑封工序的影响。
2塑封料性能对器件可靠性的影响2.1塑封料的吸湿性和化学粘接性对塑封器件而言，湿气渗入是影响其气密性导致失效的重要原因之一。
湿气渗入器件主要有两条途径：①通过塑封料包封层本体；②通过塑封料包封层与金属框架间的间隙。
当湿气通过这两条途径到达芯片表面时，在其表面形成一层导电水膜，并将塑封料中的Na+、CL-离子也随之带入，在电位差的作为下，加速了对芯片表面铝布线的电化学腐蚀，最终导致电路内引线开路。
产品贮存和防护管理控制程序过程流程图2【ISO9001程序表格记录】
6.1
产品贮存和防护管理控制流程图
文件编号 版本号 责任部门 责任人
LS/QP7.5.5 F/0
物控科 物控科科长
过程流程图
提出包装要求
是否是通用包装
否
是
制定包装规范 无库存
采用通用包装 是
确认包装材料有无库存
包材的采购
有
库
物料的验收
表单
责任部门
工程 部
工程 部
采购申请单
物控科
采购入库单
物控科
领料申请单
生产部 物控科
合格运输商名单 运输合同
采购部
交付
销售出库单
成品库
采购部
检验报告单
质管部
包装 有 包
标识
包装作业指导书
生产部
生产部
检验
状态标识பைடு நூலகம்
质管部
包装评价
包装方案 包装规范 包装作业指导书
工程部
提出贮存要求
控制计划
质管部
6.2
选择仓库
温湿度控制表
物控科
过程指标 对应章节
6.3
6.4 6.5
产品贮存和防护管理控制流程图
文件编号 版本号 责任部门 责任人
LS/QP7.5.5 F/0
物控科 物控科科长
过程流程图
确认贮存环境
不满足
满
对环境进行调整
足
贮存标识
日常维护
领用出库 提出搬运要求
确认搬运方式 搬运
核对交接
委外运输
表单
责任部门
物控科
温湿度环境 记录点检表
物控科
物料标识卡
物控科
产品报检单 产品库龄分析表
环保型塑封料-简[1]
![环保型塑封料-简[1]](https://img.taocdn.com/s3/m/6e86e5d4b9f3f90f76c61b82.png)
cm Sec 175℃ /60sec 175℃ /90sec / 10-6/℃ 10-6/℃ ℃ Kgf/cm2 Kgf/mm2 10-4cal/sec. cm. ℃
体积阻抗 1015/Ω/cm (25℃) 吸水率 % 萃取电导 us /cm UL94 /
产品应用测试
EK1800G/EK1700G PKG： Diode, SMA CHIP：GPP/SKY/OJ LF：Cu
10℃ 20℃ 25℃ 40℃
時 間 (天 )
6
8
10
12
14
16
产品使用方法 产品使用方法
首先： 产品须在室温下回温 24 小时后方可使用， 并尽量在 48 小时内使用完， 首先： 未使用完的饼料再储存时，储存方法严格按照上述规定（产品储存方法） 其次： 其次：当再次使用第一次未用完的饼料时，仍须在室温条件回温 24 小时后 方可再用，且必须全部用完。 最后， 最后，因不同的封装产品对环氧塑封料的质量要求不同，故特别提醒贵司在 We make your products better! 6
球形+熔融 应 力 改 质 剂,密着添 加剂 Br、 Sb、 P not be used
产品特性测试
EK G 温度— 温度—SF 特性图
S.F隨溫度變化
EK1800G EK1700G EK3600G EK3600GT
EK G 固化时间— 固化时间—热时硬度特性图
熱時硬度趨勢圖(175℃)
85 80 75
PKG SOT ITO-220 SOP16 SOT SOP16
MSL L3/260℃ L3/260℃ L3/260℃ L1/260℃ L1/260℃
Test condition 60℃/ 60%RH/168H 60℃/ 60%RH/168H 60℃/ 60%RH/168H 85℃/ 85%RH/168H 85℃/ 85%RH/168H
芯片封装详细图解
De-Taping 去胶带
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度（8mils~10mils）； 磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
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IC Package Structure（IC结构图）
TOP VIEW
SIDE VIEW
Lead Frame 引线框架
Gold Wire 金 线
Die Pad 芯片焊盘
Epoxy 银浆
Mold Compound 环氧树脂
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IC Package （IC的封装形式）
按封装材料划分为：
金属封装
Байду номын сангаас陶瓷封装
塑料封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品； 陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场； 塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额；
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FOL– Wire Bonding 引线焊接
陶瓷的Capillary
内穿金线，并且在EFO的作用下，高温烧球；
金线在Cap施加的一定压力和超声的作用下，形成Bond Ball；
金线在Cap施加的一定压力作用下，形成Wedge；
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FOL– Wire Bonding 引线焊接
IC Package （IC的封装形式）
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IC Package （IC的封装形式）
芯片封装工艺详细讲解
TOP VIEW SIDE VIEW
Lead Frame 引线框架
Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire
金线
Epoxy 银浆
Mold Compound 环氧树脂
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【Wafer】晶圆
……
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封装形式和工艺逐步高级和复杂
• 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；
其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；
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Package--封装体：
指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC） 形成的不同外形的封装体。
IC Package种类很多，可以按以下标准分类：
• 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装
• 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装
• 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；
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Wafer Saw Machine
Saw Blade(切割刀片)： Life Time：900~1500M； Spindlier Speed：30~50K rpm： Feed Speed：30~50/s;
Wire Bond 引线焊接
3rd Optical 第三道光检
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Taping 粘胶带
EME_Baxic_information_chinese
硬化時間(Gel Time) /硬化性(Curability)
試品
熱板
穩定的撥動試品於熱板上 從開始軟化至硬化（無法撥動） 所需之時間即為定義之硬化時間 (Gel Time)
28
硬度(Hot Hardness) / Curability
Shore D
針头 Package Barcol #935 : Hard type #936 : Soft type
目的 压力锅 吸湿测试 項目 Pressure Cooker Test(PCT) 高温高湿 Highly Accelerated Temperature & Humidity Stress Test (HAST) 測試條件 121 degC 100% 130~140 degC 85% 加电压5~20V 時間 ~ 200 h ~ 200 h
11
1.3 EMC制造流程
樹脂(Epoxy) 硬化劑(Hardener) 填充物(Filler)
混合
揉煉
冷卻
粉碎
打錠
添加物(Additives)
後混合
12
1.4 EMC 的基本功能及特性
环氧塑封料的主要功能如下： 1、 保护芯片不受外界环境的影响 （抵抗外部湿气，溶剂，以及冲击） 2、 良好的安装性能 （抵抗安装时的热冲击和机械震动） 3、 使芯片和外界环境电绝缘 4、 热扩散
使用多芳香环（Multi Aromatic ）聚合物之快速碳化特性 因长型聚合结构特性,使得其因加熱而易軟化並呈發泡狀,而达到阻隔燃燒之 效果
阻隔氧气及热 新型抗燃 系統
傳統型
散發的氣体
試品
發泡狀 結構
裂縫
20
半导体封装流程讲课文档
IC Package （IC的封装形式）
• 按与PCB板的连接方式划分为：
PTH
PTH-Pin Through Hole, 通孔式；
SMT-Surface Mount Technology，表 面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式的
SMT SMT
第八页，共四十五页。
IC Package （IC的封装形式）
切断，形成鱼尾
作
第三十页，共四十五页。
FOL– Wire Bonding 引线焊接
Wire Bond的质量控制：
Wire Pull、Stitch Pull（金线颈部和尾部拉力） Ball Shear（金球推力）
Wire Loop（金线弧高）
Ball Thickness（金球厚度） Crater Test（弹坑测试） Intermetallic（金属间化合物测试）
Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Wafer】晶圆
➢ 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶
圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC 产品。
第十二页，共四十五页。
Raw Material in Assembly(封装原材料)
Back
Grinding
磨片
De-Taping
去胶带
➢将从晶圆厂出来的Wafer晶圆进行背面研磨，来减薄晶圆 达到 封装
需要的厚度（8mils~10mils）； ➢磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域
同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
第十九页，共四十五页。
FOL– Wafer Saw晶圆切割
关于绿色封装环氧塑封料的一些探讨
251知能力，并在行动中体现出来，努力践行“知行统一”。
只有当前高职院校的大学生能正确认识到诚信的内涵及价值时，才能真正的重视诚信，通过精神力量进行自我约束，加强学生自身的道德修养。
[5]（四）加快诚信法律建设，健全和完善监督与制约机制高职院校学生由于自身的意志力和道德理性是有限的，如果仅靠上述方法往往很难克制自身膨胀的欲望，也很难抵制通过欺骗行为而获利的诱惑。
尤其是对少数道德素质低下的学生，仅仅依靠诚信教育和说教，是起不到作用的。
当下，大学生的道德自律需要获得相应的外力支撑，如教育支撑，法规保障等。
如果没有一定的诚信制度的保障，诚实守信的自律就会纸上谈兵，成为毫无约束力的宣传口号，而不是一种具有积极而普遍意义的强大力量。
因而，高职院校大学生的诚信不能只靠单纯的道德的完善来完成，还应形成一种具有普遍约束力的监督和制约机制，将“自律”与“他律”进行有效地结合。
参考文献：[1]袁朴.高职院校加强大学生诚信教育对策[J].中国科技纵横,2011.[2]肖福忠.大学生诚信教育势在必行[J].华章,2007.[3]胡锦涛.在省部级主要领导干部提高构建社会主义和谐社会能力专题研讨班开班式上重要讲话[R].2005.[4]胡锦涛.在省部级主要领导干部提高构建社会主义和谐社会能力专题研讨班开班式上重要讲话[R].2005.[5]李玥等.大学生诚信现状及改进对策[J].今日南国,2009(6):35.[6]李宁.论高职院校学生的诚信教育[D].河北师范大学,2011.作者简介：唐志华（1962—），副教授，无锡工艺职业技术学院服装系党总支书记。
高文芳（1982—）， 女，硕士研究生，无锡工艺职业技术学院经管系专职辅导员。
关于绿色封装环氧塑封料的一些探讨杨 婕 甘肃省天水市华天科技股份有限公司【摘 要】为了保护环境，在一些电子产品当中，规定禁止使用一些有害的材料，例如铅、卤化阻燃剂、石棉等，这些物质会对环境造成影响，此外，对I C 封装过程及封装材料也有规定。
集成电路封装材料-包封保护材料
4.1.1 环氧塑封料在先进封装中的应用
环氧塑封料基本要求： 还需具备黏度低、流动性好的特点。 当引线框架和芯片预先放置在模具型腔中时，环氧塑封料通过传递塑封成 型技术，流经引线框架和芯片，并将集成电路芯片包裹其中，不会引起芯 片与元器件内部结构明显变形。 填充后会发生聚合反应，使制件具有较好的机械稳定性、耐湿性和抗热性。
随着芯片堆叠层数的增加和层间空隙的减小，传统工艺需要花费更多的时间来 填充处理，且增加封装无缺陷叠层结构难度，导致生产效率降低和可靠性问题。
4.2 底部填充料
随着封装制程及新材料进步，新一代材料被开发出来，NCP(NonConductive Paste), NCF(Non-Conductive Film), 回流固化 Reflow Curing NCP/NCF可以发挥IC中大容量、窄节距铜柱工艺先进性。 缩短固化时间，增强封装可靠性，实现更大I/O数量，更窄节距。
目录
4.1 环氧塑封料 4.2 底部填充料
目录
4.1 环氧塑封料 4.1.1 环氧塑封料在先进封装中的应用 4.1.2 环氧塑封料类别和材料特性 4.1.3 新技术与材料发展
4.1.1 环氧塑封料在先进封装中的应用
图4-2 典型的环氧塑封料封装形式
4.1.1 环氧塑封料在先进封装中的应用
图4-3 环氧塑封料实物图
4.1.1 环氧塑封料在先进封装中的应用
WLP对环氧塑封料关键技术要求： 填料粒径小（<75 mm）、翘曲小、无空洞、无流痕(Flowmark)。 一般用液态有机材料（如光敏绝缘介质材料），部分公司仍使用环氧塑封 料，采用模压方式(Compression Molding)中的应用
EMC基础知识.
流动性好,可焊性好 成型好 低应力 高导热 抗开裂. 高导热 低应力 低应力.高玻璃化温 度.
EMC
知识介绍
--市场部：许田力
本文简单介绍一下塑封料的组成及其组分所起的 作用，环氧塑封料是由环氧树脂，酚醛树脂填料及一 系列的辅助添加剂混合在一起经过一系列的加工混合 制造出来的粉末状材料。环氧树脂用作粘结剂，酚醛 树脂用作固化剂，经他们与其他组分按照一定的比例 称量并混合再经热混合之后制备的一个单一组分组合 物。在热和固化剂的作用下环氧树脂的环氧基开环与 酚醛树脂发生化学反应，产生交联固化作用使之成为 热固性塑料。固化后的环氧塑封料具有优良的粘结性， 优异的电绝缘性，机械强度高，耐热性和耐化学腐蚀 性好，吸水率低，成型收缩小，成型工艺性能良好及 应用范围宽等特点，因此得到很大的应用。
改性剂 • 主要是为了增加流动性，降低热应力，改性剂的主要 种类有硅胶、硅油、丁二烯橡胶、聚丁二烯或者聚丙 烯。
性能指标及检测方法 凝胶化时间 • 规定在175C条件下试样从熔化开始到出现凝胶的时间 称为凝胶化时间 • 分析方法 • 取大约1~2g样品放在电热盘上175C用金属小铲将其扩 展成约5cm2当试样的整个表面发生黑色光泽时开始计 时5~10秒后用小铲不断进行推平和刮除当试样表面光 泽消失后出现凝胶即停止计时.
• 比如,如果一个行腔的温度比另外一个行腔高 5℃, 在同 一个成型循环条件下,成型工艺就会有很明显的不同.这 种区别将会导致一个行腔未完全充填而另外一个行腔 却又严重的飞边 . 同样 , 在模具的一边得到的是良品 , 而 在另外一边得到的却是废品.