海思芯片命名规则
(完整版)FPGA型号命名规则
FPGA 型号命名规则ALTERA 产品型号命名XXX XX XX X XX X X1 2 3 4 5 6 7工艺+ 型号+ LE 数量+ 封装+ 管脚数目+ 温度范围+ 器件速度。
1．前缀：EP 典型器件EPC 组成的EPROM 器件EPF FLEX 10K 或FLFX 6000 系列、FLFX 8000 系列EPM MAX5000 系列、MAX7000 系列、MAX9000 系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．LE 数量: XX（k） 4 ．封装形式：D 陶瓷双列直插Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装T 薄型J 形引线芯片载体J 陶瓷J 形引线芯片载体W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J 形引线芯片载体 B 球阵列5．管脚6．温度范围：C C至70C,I -40 C至85C, M -55 C至 125C7．速度：数字越小速度越快。
举例：EP2C20F484C6 EP 工艺2C cyclone2 （S 代表stratix。
A 代表arria） 20 2wLE 数量F484 FBGA484pin 封装C6 八速LE 数量在同等器件信号的同时越多的越好，同时越贵。
管脚数量在同等情况下越多越好。
器件速度越快越好。
FPGA 可能没有先进性一说：不同产品不同用途。
cyclone系列：一共3代（目前已有5代）cyclone系列是FPGA的A版入门产品。
涵盖面广，而且对应的器件无论功耗和速度都不错。
在小规模设计上与xilinx 的spartan3A 竞争低端市场。
stratix :总共4代的stratix直瞄大规模。
数字信号处理以及片上系统等高端市场。
无论是器件速度还是内部资源都是全新的构架。
至于片上系统以及内部DSP，stratix4 和高端xilinx vertix5 成为了两大公司在高端市场的主流。
xilinx 公司fpga 芯片命名规则例如XC3S2000-5FGG676CXC3S 是SPARTAN 系列器件类型2000 是200 万个系统门-5 是高性能FGG676 是676 引脚FBGA 封装C 是商用常用CPLD/FPGA 标识的含义CPLD/FPGA 生产厂家多，系列、品种更多，各生产厂家命名、分类不一，给CPLD/FPGA 的应用带来了一定的困难，但其标识也是有一定的规律的。
芯片封装命名规则
芯片封装之多少与命名规则芯片封装之多少与命名规则一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。
采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。
当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。
DIP封装具有以下特点：1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。
2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。
Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。
二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。
用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。
采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。
将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。
用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。
PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。
唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。
QFP/PFP封装具有以下特点：1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。
2.适合高频使用。
3.操作方便，可靠性高。
4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。
Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。
三、PGA插针网格阵列封装PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。
Hi3559V100／Hi3556V100 SDK版本发布包 使用指南
1.2 目录结构
版本发布包目录结构，如图 1-1 所示。 图1-1 Hi3559V100 版本发布包 目录结构
本文档提及的其他所有商标或注册商标，由各自的所有人拥有。
注意
您购买的产品、服务或特性等应受海思公司商业合同和条款的约束，本文档中描述的全部或部分产 品、服务或特性可能不在您的购买或使用范围之内。除非合同另有约定，海思公司对本文档内容不做 任何明示或默示的声明或保证。
由于产品版本升级或其他原因，本文档内容会不定期进行更新。除非另有约定，本文档仅作为使用指 导，本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保。
深圳市海思半导体有限公司
地址： 网址： 客户服务电话： 客户服务传真： 客户服务邮箱：
深圳市龙岗区坂田华为基地华为电气生产中心 +86-755-28788858 +86-755-28357515 support@
邮编：518129
1.3.1 Hardware................................................................................................................................................. 4 1.3.2 Software .................................................................................................................................................. 4 1.3.3 Only for references.................................................................................................................................. 5 1.3.4 交付件清单............................................................................................................................................ 5 1.3.5 版本描述文件........................................................................................................................................ 5 1.4 使用指引......................................................................................................................................................... 5
IC芯片命名规则大全
IC芯片命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）I =-20℃至+85℃（工业级）E =-40℃至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）： I、J、K、L、M 0℃至70℃ A、B、C-25℃或-40℃至85℃ S、T、U -55℃至125℃5．封装形式： D 陶瓷或金属密封双列直插 R 微型“SQ”封装 E 陶瓷无引线芯片载体 RS 缩小的微型封装 F 陶瓷扁平封装 S 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装 H 密封金属管帽 T TO-92型封装 J J形引线陶瓷封装 U 薄型微型封装 M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插 N 料有引线芯片载体 Y 单列直插 Q 陶瓷熔封双列直插 Z 陶瓷有引线芯片载体 P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器 OP 运算放大器 AMP 设备放大器 PKD 峰值监测器 BUF 缓冲器 PM PMI二次电源产品 CMP 比较器 REF 电压比较器 DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器 JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器 LIU 串行数据列接口单元 SW 模拟开关 MAT 配对晶体管 SSM 声频产品 MUX 多路调制器 TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装 J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插 K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体 P 环氧树脂B双列直插 V 20腿陶瓷双列直插 PC 塑料有引线芯片载体 X 18腿陶瓷双列直插 Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插 R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插 RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件 EPC 组成的EPROM器件 EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列 EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列 EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式： D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 P 塑料双列直插 R 功率四面引线扁平封装 S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体 J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装 L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃ 5．腿数6．速度ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式： A TQFP封装 P 塑料双列直插 B 陶瓷钎焊双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 C 陶瓷熔封 R 微型封装集成电路 D 陶瓷双列直插 S 微型封装集成电路 F 扁平封装 T 薄型微型封装集成电路 G 陶瓷双列直插，一次可编程 U 针阵列 J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装 K 陶瓷J形引线芯片载体 W 芯片 L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封 M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块 N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围： C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺： 空白 标准 /883 Mil-Std-883, 完全符合B级 B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀： ADC A/D转换器 MPY 乘法器 ADS 有采样/保持的A/D转换器 OPA 运算放大器 DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器 DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器 INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路 ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块 MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器 MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明： A 改进参数性能 L 锁定 Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围： H、J、K、L 0℃至70℃ A、B、C -25℃至85 ℃ R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式： L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插 M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插 N 塑料芯片载体 U 微型封装 P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码： CBI 互补二进制输入 COB 互补余码补偿二进制输入 CSB 互补直接二进制输入 CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO 7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列 U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装 D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装 X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插 R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用 （0℃至70℃） I 工业用 （-40℃至85℃） M 军谩 （-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀： HA 模拟电路 HB 存储器模块 HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED） HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤） HN 存储器（NVM） PF RF功率放大器 HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式： P 塑料双列 PG 针阵列 C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插 CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体 FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插 SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FET ICL 线性电路 ICM 钟表电路 IH 混合/模拟门 IM 存储器 AD 模拟器件 DG 模拟开关 DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路 MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃， M -55℃至125℃5．封装形式： A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体 B 微型塑料扁平封装 P 塑料双列直插 C TO-220型 S TO-52型 D 陶瓷双列直插 T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型 E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型 F 陶瓷扁平封装 V TO-39型 H TO- 66型 Z TO-92型 I 16脚密封双列直插 /W 大圆片 J 陶瓷双列直插 /D 芯片 K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24， H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18， P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7， V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳） Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式： A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型 B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体 C 塑封双列 V 立式的双列直插封装 D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体 G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体 H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 5 61. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）： C CMOS电路 CR CMOS ROM LC 小功率CMOS电路 LCS 小功率保护 AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM LV 低电压 F 快闪可编程存储器 HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示： -55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体， RC 电阻电容，XT 标季 /振荡器 HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ， -25 25MHZ， -33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃， I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式： L PLCC封装 JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口 P 塑料双列直插 PQ 塑料四面引线扁平封装 W 大圆片 SL 14腿微型封装-150mil JN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207mil SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口 SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装 TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列： 74AC/ACT 先进CMOS HCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插 M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列： ET21 静态RAM ETL21 静态RAM ETC27 EPROM MK41 快静态RAM MK45 双极端口FIFO MK48 静态RAM TS27 EPROM S28 EEPROM TS29 EEPROM2．技术： 空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装： C 陶瓷双列 J 陶瓷双列 N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度： 空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准 B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列： 27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS， C…CMOS，V…小功率 3．容量：64…64K位（X8） 256…256K位（X8） 512…512K位（X8） 1001…1M位（X8） 101…1M位（X8）低电压 1024…1M位（X8） 2001…2M位（X8） 201…2M位（X8）低电压 4001…4M位（X8） 401…4M位（X8）低电压 4002…4M位（X16） 801…4M位（X8） 161…16M位（X8/16）可选择 160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n， 60 60ns， 70 70ns， 80 80ns90 90ns， 100/10 100 n120/12 120 ns， 150/15 150 ns200/20 200 ns， 250/25 250 ns7．封装： F 陶瓷双列直插（窗口） L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准） M 塑料微型封装 N 薄型微型封装 K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M， 8 8M， 16 16M4．擦除： 0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构： 0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型： 空白 A7．Vcc： 空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度： 60 60ns， 70 70ns， 80 80ns， 90 90ns 100 100ns， 120 120ns， 150 150ns， 200 200ns9．封装： M 塑料微型封装 N 薄型微型封装，双列直插 C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源 V 3.3单电源3．容量： 100T （128K×8.64K×16）顶部块， 100B （128K×8.64K×16）底部块 200T （256K×8.64K×16）顶部块， 200B （256K×8.64K×16）底部块 400T （512K×8.64K×16）顶部块， 400B （512K×8.64K×16）底部块 040 （12K×8）扇区， 080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc： 空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度： 60 60ns， 70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装： M 塑料微型封装 N 薄型微型封装 K 塑料有引线芯片载体 P 塑料双列直插7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ， 25 12C（低电压）， 93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺： C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线 W 写保护士 CS 写保护（微导线） P SPI总线 V低电压（EEPROM）3．容量： 01 1K 02 2K， 04 4K， 08 8K16 16K， 32 32K， 64 64K4．改型： 空白 A、 B、 C、 D5．封装： B 8腿塑料双列直插 M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列 63 专用视频ST6系列 72 ST7系列 90 普通ST9系列 92 专用ST9系列 10 ST10位系列 20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM） R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装： B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插 F 熔封双列直插 M 塑料微型封装 S 陶瓷微型封装 CJ 塑料有引线芯片载体 K 无引线芯片载体 L 陶瓷有引线芯片载体 QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列 R 陶瓷什阵列 T 薄型四面引线扁平封装6．温度范围： 1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业) 61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 P 塑料双列直插 E 无引线芯片载体 R 陶瓷微型封装 F 扁平封装 S 微型封装 J 塑料有引线芯片载体 T 薄型微型封装 K 针振列 V 薄型缩小型微型封装 L薄型四面引线扁平封装 X 模块 M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883）， E -20℃至85℃ I -40℃至85℃， M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）： 20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns 55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）： 空白 4.5V至5.5V， -3 3V至5.5V -2.7 2.7V至5.5V， -1.8 1.8V至5.5V7．端到末端电阻： Z 1KΩ， Y 2KΩ， W 10KΩ， U 50KΩ， T 100KΩ 8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V， -5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度： 空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHz H 8.0MHz， L 低功耗的，直接用数字标示 4．封装形式： A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 H 缩小型微型封装 I PCB芯片载体 K 陶瓷双列直插，带窗口 L 陶瓷无引线芯片载体 P 塑料双列直插 Q 陶瓷四列 S 微型封装 V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃， S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。
芯片命名规则
芯片命名规则一、分立器件（除三扩系列）及集成电路芯片命名方式X X 表示必须表示可选(10)(9)(8)(7)(6)(5)(4)(3)(2)(1)(1) 1位大写英文字母，表示晶圆尺寸。
W 表示5吋晶圆；S 表示6吋晶圆；E 表示8吋晶圆。
(2) 1位数字或大写英文字母，表示芯片种类。
1表示二极管；2表示三极管、MOS 管；3表示可控硅；B 代表双极型集成电路；C 代表MOS 型集成电路；M 代表混合型集成电路等。
(3) 1位大写英文字母，表示产品版权。
X 代表新顺公司自主开发产品；其余代表客户定制产品。
(4) 1位大写英文字母，表示系列代码三极管系列：N 表示NPN 双极型晶体管、P 表示PNP 双极型晶体管、D 表示达林顿管；二极管系列：A 表示阻尼二极管、K 表示开关二级管/快恢复二极管、T 表示TVS 二极管、S 表示平面结构肖特基二极管、Z 表示整流二极管、V 表示沟槽结构肖特基二极管；W 表示稳压二极管； 可控硅系列：R 表示可控硅；MOS 结构系列：M 表示VDMOS 管、B 表示超势垒MOS 结构二极管（SBR ）；集成电路系列：表示不同版图结构，A 、B 、C 、D 、……依次区分。
(5) 4位数字，表示管芯尺寸。
管芯为正方形时，采用边长表示管芯尺寸；管芯为长方形时，用面积的平方根表示管芯尺寸。
其中末位数字为0、5表示正方形，其余表示长方形。
① 边长或面积的平方根<10mm ，管芯尺寸为xxxx ×1μm ，精确到1μm 。
如：0.215mm 表示为0215、1.5mm 表示为1500；② 边长或面积的平方根>10mm ，管芯尺寸为xxxx ×10μm ，精确到10μm ，首位用大写英文字母代替。
如：10.55mm表示为A055、31.6mm表示为C160。
(6) 1位大写英文字母，表示系列特征。
NPN/PNP双极型晶体管：B表示小信号放大普通三极管、K表示开关三极管、G表示GR结构三极管、F表示高频三极管、W表示音响管（包括中功率管）；达林顿管：N表示N型外延材料、P表示P型外延材料、T表示N型三扩材料；阻尼二极管：N表示N型材料、P表示P型材料开关/快恢复二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；TVS二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；平面结构肖特基二极管：代表不同金属势垒；沟槽结构肖特基二极管（TMBS）：代表不同金属势垒；MOS结构系列：：N表示N沟道、P表示P沟道；稳压二极管：N、E、W等表示测试电流代码；整流二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；集成电路系列：N表示采用N型材料、P表示采用P型材料。
zynq命名规则
zynq命名规则
Zynq是Xilinx公司推出的一款高性能SoC芯片，其命名规则遵循一定的规则和约定，下面介绍一下Zynq命名的规则。
1. 型号命名
Zynq型号由两部分组成，第一部分为Zynq-，第二部分为数字和字母的组合，表示不同的型号和性能等级。
例如，Zynq-7000系列包括Zynq-7010、Zynq-7020、Zynq-7030、Zynq-7040、Zynq-7100、Zynq-7200等型号，其中数字和字母的组合表示不同的芯片性能等级。
2. 芯片包装形式
Zynq芯片的包装形式一般分为两种，即BGA和FBGA。
其中，BGA为球格阵列封装，球的数量较少，外观为正方形或长方形；FBGA为焊球阵列封装，球的数量较多，外观为圆形。
3. 芯片工艺
Zynq芯片的工艺一般分为两种，即28nm和20nm。
其中，28nm工艺的芯片性能较低，功耗较高，价格相对便宜；20nm工艺的芯片性能更高，功耗更低，价格相对较贵。
4. 芯片功能
Zynq芯片的功能主要分为两类，即PS和PL。
其中，PS为处理系统，包括ARM Cortex-A9处理器、DDR3控制器、SD/SDIO控制器、USB控制器等；PL为可编程逻辑，包括FPGA、DSP、高速串行接口等。
总之，Zynq命名规则是一个比较复杂的体系，需要了解不同的数字和字母组合所代表的含义，才能更好地理解和使用Zynq芯片。
海思全系列（110种）芯片
海思全系列（110种）芯⽚华为海思半导体（HiSilicon）监控设备hi3516型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3516E V100&n BSP; 主流2M智能IP摄像头SOC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3516EV200 专业4M智能IP摄像SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3516EV300 专业4M智能IP摄像SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3516CV100 主流全⾼清IP摄像头SoC游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3516DV100 专业4M智能IP摄像SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3516DV300 专业4M智能IP摄像SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3516AV100 主流全⾼清IP摄像头SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3516AV200 主流全⾼清IP摄像头SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备hi3518型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3518C 主流的超⼤⾼清IP相机SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3518E 主流的超⼤⾼清IP相机SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3518A 主流的超⼤⾼清IP相机SoC游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3518EV300 主流的超⼤⾼清IP相机SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备hi3519型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3519AV100 先进的智能IP摄像头Soc华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3519AV101 先进的智能IP摄像头Soc华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3519V101 先进的⼯业IP摄像头Soc华为海思半导体（Hisilicon）监控设备hi3520型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 HI3520D 主流4频道超⼤⾼清H.265 D VR SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 HI3520DV100 主流4频道超⼤⾼清H.265 DVR SoC游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 HI3520DV300 主流4频道超⼤⾼清H.265 DVR SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 HI3520DV400 主流4频道超⼤⾼清H.265 DVR SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备hi3521型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3521AV100 主流4通道全⾼清DVR SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3521DV100 主流4频道全⾼清H.265 DVR SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备hi3531型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3531DV100 主流8通道全⾼清H.265 DVR SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3531AV100 主流8通道全⾼清DVR SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备hi3535V100 主流4通道全⾼清NVR SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备Hi3536型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3536V100 多功能16通道全⾼清NVR SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3536CV100 多功能8/16通道全⾼清NVR SoC华为海思半导体（Hisilicon）监控设备 Hi3536DV100 ⼊门级4通道全⾼清NVR SoC华为海思半导体（Hisilicon） MobileCam Hi3556型号-特征华为海思半导体（Hisilicon） MobileCam Hi3556A100 1080P60/2K P30⼊门级移动相机解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon） MobileCam Hi3556V100 1080P60/2KP30⼊门级移动相机解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon） MobileCam Hi3556V200 1080P60/2KP30⼊门级移动相机解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon） MobileCam Hi3556AV100 1080P60/2KP30⼊门级移动相机解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon） MobileCam HI3559型号-特征华为海思半导体（Hisilicon） MobileCam Hi3559A 4KP60/4KP120或8KP30⾼端移动相机解决⽅案游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复华为海思半导体（Hisilicon） MobileCam Hi3559V200 4KP120或8KP30⾼端移动相机解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon） MobileCam Hi3559AV100 4KP60/4KP120或8KP30⾼端移动相机解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon） MobileCam Hi3559CV100 ⾼端4K120/8K30移动摄像头解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒Hi3136V100 DVB-S2 - DVB-S调解器芯⽚华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒Hi3137V100 DVB-T2/DVB-T调解器芯⽚华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒Hi3130V100 DVB-C解调器芯⽚华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒Hi3716型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 Hi3716MV420 HEVC FHD PVR芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 Hi3716MV410 HEVC Z APP er FHD芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 Hi3716MV310 ⼊门级FHD连接芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 Hi3716M V330 性价⽐最⾼的FHD芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）显⽰盒Hi3751型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）显⽰器 Hi3751V310 FHD中档4K智能电视解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon）显⽰器 Hi3751V320 FHD中档4K智能电视解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon）显⽰器 Hi3751V500 8K智能电视解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon）显⽰器 Hi3751V510 4K⼊门级智能电视解决⽅案游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复华为海思半导体（Hisilicon）显⽰器 Hi3751V800 8K智能电视解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon）显⽰器 HI3751V810 4K⾼端智能电视解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon）显⽰器 Hi3751V811 8K智能电视解决⽅案华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒Hi3796型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 Hi3796c ⼊门级4 kp30芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒Hi3796M V200 条⽬/中层UHD芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 Hi3796MV100 ⼊门级4 kp30芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 Hi3796cv100 ⼊门级4 kp30芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒hi3798型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 hi3798mv100 ⼊门级4 kp30芯⽚组组华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 hi3798mv200 条⽬/中层UHD芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 hi3798mv300 条⽬/中层UHD芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 hi3798mv310 ⾼端混合超⾼清芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）机顶盒 hi3798cv200 ⾼端混合超⾼清芯⽚组华为海思半导体（Hisilicon）显⽰器 Hi3231V510 4K TCON+4K2K 60HZ MEMC华为海思半导体（Hisilicon）显⽰器Hi3251V600 4K2K 120Hz MEMC协处理器华为海思半导体（Hisilicon）家庭⽹络 Hi3630型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）家庭⽹络Hi5630HV110 G.hn SoC华为海思半导体（Hisilicon）家庭⽹络 Hi5630SV110 G.hn SoC华为海思半导体（Hisilicon）物联⽹Hi3911型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）物联⽹ Hi3911 宽带电⼒线通信芯⽚华为海思半导体（Hisilicon）物联⽹ Hi3911T 宽带电⼒线通信芯⽚华为海思半导体（Hisilicon）物联⽹ Hi3911C 宽带电⼒线通信芯⽚海思NB-IoT芯⽚型号-特征华为海思半导体（Hisilicon）物联⽹Hi2110 Cat-NB1解决⽅案，低功耗，易物联⽹设备应⽤开发华为海思半导体（Hisilicon）物联⽹Hi2115 Cat-NB2解决⽅案，低功耗，易物联⽹设备应⽤开发华为海思半导体（Hisilicon）麒麟A1华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin620（麒麟620）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin650（麒麟650）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin655（麒麟655）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin658（麒麟658）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin659（麒麟659）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin710（麒麟710）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kiri N720（N720.html"target="_blank"class="relatedlink">麒麟720）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin810（麒麟810）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin820（麒麟820）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin910（麒麟910）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin910T（麒麟910T）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin920（麒麟920）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin925（麒麟925）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin928（麒麟928）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin930（麒麟930）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin935（麒麟935）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin950（麒麟950）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin955（麒麟955）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin960（麒麟960）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin970（麒麟970）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin980（麒麟980）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin985（麒麟985）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin990（麒麟990）华为海思半导体（Hisilicon）麒麟Kirin1020（麒麟1020）华为海思半导体（Hisilicon） Balong（巴龙，5G商⽤芯⽚） Balong 5G01华为海思半导体（Hisilicon） Balong（巴龙，5G商⽤芯⽚） Balong 765华为海思半导体（Hisilicon） Balong（巴龙，5G商⽤芯⽚） Balong 750华为海思半导体（Hisilicon） Balong（巴龙，5G商⽤芯⽚） Balong 720华为海思半导体（Hisilicon） Balong（巴龙，5G商⽤芯⽚） Balong 710华为海思半导体（Hisilicon） Balong（巴龙，5G商⽤芯⽚） Balong 700华为海思半导体（Hisilicon） Ascend Ascend 310 全球⾸款全栈全场景AI芯⽚华为海思半导体（Hisilicon）鲲鹏（Kunpeng） Huawei Kunpeng 920海思项⽬定制咨询服务，请联系：189********微信同号，加号请备注(海思定制)Hi3516CV500开发板/demo测试Hi3518EV200+4G+RS232开发板Hi3519V101开发板Hi3520DV300解码器开发板Hi3516相关开发板:Hi3518相关开发板:Hi3519相关开发板:Hi3520相关开发板:Hi3516A+4G+WIFI图传模组Hi3518E200_4G+WIFI图传模组Hi3519v101双路4K⾼清⽹络枪机模组Hi3520DV400开发板demo解码板⽅案定制Hi3516AV100核⼼板开发板Hi3518EV200+4G+RS485开发板Hi3519AV100开发板Hi3520DV300+8路CVBS/AHD开发板Hi3516DV100+红外+可见光开发板Hi3518EV200开发板Hi3520DV300 8路编码器开发板Hi3516DV300核⼼板/开发板Hi3518EV200开发板+SD Hi3516DV100+4G核⼼板开发板Hi3518ev300开发板Hi3516EV100+Sensor开发板Hi3518ev300⾏车记录仪/智能门铃/打猎相机Hi3516EV100+4G+IT6801开发板Hi3518ev200 Hi3516EV100+4G+AUDIORTMP开发板Hi3516EV100核⼼板+扩展板Hi3516AV200双路⾼清⽹络枪机模组Hi3516AV100 HDMI⾼清⼩型编码器Hi3531DV100核⼼板开发板Hi3559V200开发板/⽅案定制Hi3796MV200开发板及⽅案定制Hi3798MV200开发板及⽅案定制Hi3559V200相关板信息:Hi3796MV200相关板信息:Hi3798MV200相关板信息:Hi3559V100全功能开发板RTD1295主板⽅案及定制开发Hi3798MV200串⼝控制主板及定制Hi3559AV100核⼼板开发板Hi3798MV200核⼼板及⽅案定制更多海思开发板以及其他开发板点击⼊⼝......。
xilinx芯片命名规则
xilinx芯片命名规则Xilinx芯片命名规则是一种重要的标准，用于定义Xilinx芯片的名称和功能。
Xilinx公司是全球领先的可编程逻辑器件和软件解决方案供应商，其芯片的命名规则非常重要，因为它们涉及到了芯片的功能、性能和适用范围等方面。
以下是Xilinx芯片命名规则的详细信息：1.芯片名称：Xilinx芯片的名称由三部分组成，即系列、型号和封装。
系列指代芯片的应用领域，如“Virtex”系列适用于高性能计算，而“Artix”系列适用于低成本应用。
型号表示芯片的性能和功能，如“Virtex-7”表示第七代Virtex系列芯片，而“Artix-7”表示第七代Artix系列芯片。
封装表示芯片的封装方式，如“FGG484”表示芯片采用484球BGA封装。
2.芯片等级：Xilinx芯片的等级通常表示其性能和功能的级别。
例如，“UltraScale”表示超高性能级别，而“Spartan”表示中等性能级别。
3.寄存器数量：Xilinx芯片的名称通常还包括其内部寄存器的数量。
例如，“Virtex-6 LX240T”表示Virtex-6系列芯片，内部有240,000个逻辑单元和1,728个存储器块。
4.逻辑单元数量：Xilinx芯片的名称通常还包括其内部逻辑单元的数量。
例如，“Kintex-7 K325T”表示Kintex-7系列芯片，内部有325,000个逻辑单元。
5.速度等级：Xilinx芯片的名称通常也包括其工作速度等级。
例如，“Spartan-6 LX75”表示工作速度为75MHz的Spartan-6系列芯片。
以上是Xilinx芯片命名规则的详细信息。
芯片名称的规范化可以使人们更方便地辨认和选择芯片，同时也有助于推动芯片的开发和应用。
nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术
nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术nandflash命名规则大全（三星，海力士，美光等）今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. organization00 : NONE08 : x816 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)【举例说明】K 9 G A G 0 8 U 0 M - P C B 01 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 5 16 17 18K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。
芯片+命名规则
芯片命名规则(2008-03-26 10:09:21)转载标签：杂谈一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
Freescale 16位单片机命名参考规则
Freescale 16 位单片机命名参考规则MC9 S12Dх256 B хххE(1)(2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (1) 表示产品状态，共有MX,XC,PC,KMC,KXC 等5 种。
其中MC 表示完全合格品；XC 表示部分合格品，没有质量保证，用于性能评估的器件；PC 表示工程测试品；KMC,KXC 则表示样品封装。
此外还可以是单个字母M，它表示一个系列，而非某个具体型号，例如M68HC23A4EVB.(2) 内存类型，9 表示Flash。
型号名称含68HC 等的系列中，此部分在68HC 的后面，8 表示EEPROM，7 表示EPROM/OTP，3 表示ROM 型单片机，没有表示掩膜型，其中68HC 表示CMOS，68HSC 表示告诉，68HLC 表示低功耗，68 则是因为历史原因冠名的。
(3) 内核类型，有S12,S08,12(表示内核为CPU12)等。
(4) 产品系列(5) 内存容量大小的近似值，256 表示内部集成256Kb 的Flash。
(6) Flash 版本标志，反应不同的擦写电压，时间等。
(7) 工作温度范围标志，若无表示0~70℃，I 表示0~85℃，C 表示-40~85℃，V 表示-40~105℃，M 表示-40~125℃。
(8) 封装形式，DW 表示SOIC，FA 表示7mm*7mm QFP，FB 表示10mm*10mm QFP，FE 表示CQFP，FN 表示PLCC，FS 表示CLCC，FT 表示28mm*28mm QFP，FU 表示14mm*14mm 的80 个引脚的QFP，FZ 表示CQFP，B,K,L,P,S 都不是DIP（具体参数不同），PU 表示20mm*20mm TQFP,PV 表示20mm*20mm 112 个引脚的LQFP。
(9) E 表示lead free packaging，即无铅封装。
在（9）之后有些还有一个可选项，例如MC68HC912B32ACFUE8，此处的。
芯片命名规则
电子元器件命名- -电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上.封装形式:封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好.封装大致经过了如下发展进程:结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装.英文简称英文全称中文解释图片DIPDouble In-line Package双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等.PLCCPlastic Leaded Chip CarrierPLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点.PQFPPlastic Quad Flat PackagePQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.SOPSmall Outline Package1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装(SOP).以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装),TSOP(薄小外形封装),VSOP(甚小外形封装),SSOP(缩小型SOP),TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管),SOIC(小外形集成电路)等.模拟滤波器光纤通信高速信号处理和转换无线/射频光线通讯,模拟显示支持电路高频模拟和混合信号ASIC数字转换器,接口,电源管理,电池监控DC/DC电源电压基准MAXIM前缀是"MAX".DALLAS则是以"DS"开头.MAX×××或MAX××××说明:1后缀CSA,CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W 表示宽体表贴.2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级.3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA后缀均为普通双列直插.举例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃) 说明E 指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器2字头滤波器3字头多路开关4字头放大器5字头数模转换器6字头电压基准7字头电压转换8字头复位器9字头比较器DALLAS命名规则例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND N=工业级S=表贴宽体MCG=DIP封Z=表贴宽体MNG=DIP工业级IND=工业级QCG=PLCC封Q=QFP 下面是MAXIM的命名规则:三字母后缀:例如:MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围:C = 0℃至70℃(商业级)I = -20℃至+85℃(工业级)E = -40℃至+85℃(扩展工业级)A = -40℃至+85℃(航空级)M = -55℃至+125℃(军品级)封装类型:A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装(300mil)X SC-70(3脚,5脚,6脚)Y 窄体铜顶封装Z TO-92,MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆DSP信号处理器放大器工业用器件通信电源管理移动通信视频/图像处理器等模拟A/D D/A 转换器传感器模拟器件AD产品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等开头的.后缀的说明:1,后缀中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,后缀中带R表示表示表贴。
芯片封装与命名规则
芯片封装与命名规则(转)2006-9-16 23:50:001已推一.DIP双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。
采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。
当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
DIP 封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。
DIP封装具有以下特点：1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。
2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。
Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。
二.QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装PQFP（Plastic Quad F lat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。
用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。
采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。
将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。
用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。
PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。
唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。
QFP/PFP封装具有以下特点：1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。
2.适合高频使用。
3.操作方便，可靠性高。
4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。
Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。
三.PGA插针网格阵列封装PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。
xilinx fpga封装命名规则
xilinx fpga封装命名规则（原创版）目录1.Xilinx FPGA 芯片的命名规则2.芯片命名规则中的各部分含义3.命名规则的查询方法4.举例说明正文Xilinx FPGA 芯片的命名规则相对复杂，它包含了多个部分，每个部分都有其特定的含义。
首先，Xilinx FPGA 芯片的命名规则中，"XC"代表的是 FPGA 芯片的系列，比如 XC3S、XC4VLX 等，这个系列数字是对 FPGA 性能和功能的一种区分。
接下来的数字代表的是 FPGA 芯片的具体型号，比如"300"、"400"等，这个数字越大，代表的 FPGA 芯片的性能和功能也越强大。
其次，Xilinx FPGA 芯片的命名规则中，"-5"和"-7"等数字代表的是FPGA 芯片的性能等级。
比如，XC3S500 代表的是高性能的 XC3S 系列FPGA 芯片，而 XC3S700 代表的是更高性能的 XC3S 系列 FPGA 芯片。
再次，Xilinx FPGA 芯片的命名规则中，"FGG"和"FFG"等字母代表的是 FPGA 芯片的封装形式。
比如，XC3S500FGG676 代表的是 676 引脚的FPGA 芯片，采用 FBGA 封装，而 XC3S500FFG676 代表的是 676 引脚的FPGA 芯片，采用 QFP 封装。
最后，Xilinx FPGA 芯片的命名规则中，字母"C"代表的是 FPGA 芯片的商用等级，也就是表示这款 FPGA 芯片是商业级的，适用于一般的商业应用。
如果想要查询 Xilinx FPGA 芯片的命名规则，可以查阅 Xilinx 公司的官方文档，比如《Xilinx FPGA 用户手册》等。
在这些文档中，你可以找到详细的命名规则及其含义。
举个例子，XC3S500FGG676 这个命名，可以解读为：这是 XC3S 系列的 FPGA 芯片，具体型号为 500，性能等级为 -5，封装形式为 FBGA，引脚数为 676，商用等级为 C。
骁龙835？麒麟960？各大主流处理器命名规则你了解多少？
骁龙835？麒麟960？各大主流处理器命名规则你了解多少？文/银河系富二代这年头玩智能手机都知道手机的处理器和电脑是不一样的，手机的处理器是集合在一个叫SoC的集成芯片里，很多人买手机除了注重手机外观设计之外，处理器也是一个比较重要的因素。
然而手机的更新换代频率过于频繁，很多处理器还没到一年就有了更高级的版本，更何况目前主流的处理器有比较多，比如高通骁龙、海思麒麟、联发科MTK以及三星猎户座等等。
然而不论哪一个品牌的处理器，它们更新换代的产品在名称上都大致相同，让人一眼看出处理器的档次和性能。
关于处理器的命名是非常有规律可循的，小编就拿时下主流的处理器来跟大家聊聊关于处理器命名的规律。
◉「高通骁龙处理器命名规则」◉高通处理器的名字前缀统一教骁龙，今年高通的旗舰处理器是骁龙835，小米的5X则使用的是骁龙660，作为诺基亚回归手机市场的试水作诺基亚6采用的是骁龙430，不难看出高通的处理器是以骁龙为开头，后面三位数字为处理器型号。
在骁龙处理器上，骁龙400系列是入门级处理器骁龙600系列是中端处理器那么骁龙800系列则是高端处理器在早之前高通还有过骁龙200系列的处理器产品，只是后来因为智能手机的性能和系统整体提升，而终结了骁龙200系列的生产计划。
那么高通骁龙处理器命名规则到底是按照什么来的呢不妨先以高通骁龙652这颗处理器做个例子讲解一下：二者最大的差异只是骁龙653将主频提升了150MHz，换来了5%~10%的性能增益。
但是，高通却同时为骁龙653更换了基带芯片，又如骁龙820→骁龙821，第三位数的变化则表示了提高了主频。
◉「华为海思麒麟处理器命名规则」◉“华为芯，中国芯”，小编不是花粉没必要吹，实事求是地说华为自家的海思处理器的确给祖国争得了荣誉海思麒麟主要是供给华为自己生产的手机使用麒麟系列的处理器分为中低端的600系列和高端900系列麒麟处理器之前还有K3V2系以麒麟920举例说明：与骁龙一样，麒麟925与麒麟928的第三位数表示主频的变化。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
海思芯片命名规则
海思芯片是华为公司旗下的一款专业芯片，其命名规则严格遵循一定的规范和规则，以便于用户理解和识别。
下面我们来详细了解一下海思芯片的命名规则。
1. 型号编号规则
海思芯片的型号编号通常由字母和数字组成，其中字母代表芯片的系列或类型，数字代表该系列中的具体型号。
字母部分通常以"H"开头，表示海思（Hisilicon）芯片。
接下来的字母代表该系列的名称，例如"K"代表麒麟系列，"B"代表海思鲲鹏系列等。
2. 芯片功能标识
海思芯片的命名中会包含一些功能标识，用以表示芯片的特性和用途。
这些标识通常由字母和数字组成，用以描述芯片的功能、性能、用途等。
例如，"9"表示芯片为第9代产品，"Pro"表示芯片为专业级别产品，"Lite"表示芯片为入门级别产品等。
3. 芯片系列标识
海思芯片还会根据其所属的系列进行命名，以便于用户区分不同系列的芯片。
不同系列的芯片在性能、功耗、适用领域等方面存在差异。
例如，麒麟系列芯片代表高端旗舰级产品，海思鲲鹏系列芯片代表服务器级别产品，而麒麟芯片则代表中高端产品。
4. 芯片代号
海思芯片的命名中通常会有一个代号，用以表示该芯片的代号和代表。
这个代号通常由字母和数字组成，有时还会包含一些特殊字符。
代号的选择通常与芯片的特性、性能和定位等有关。
例如，麒麟990芯片代表华为公司的旗舰产品，代表着高性能和领先技术。
5. 其他标识
除了上述规则外，海思芯片的命名中还可能包含一些其他标识，以便于区分不同版本或型号的芯片。
这些标识通常是字母和数字的组合，用于区分芯片的不同配置、规格或版本等。
总结：
海思芯片的命名规则严格遵循一定的规范，包括型号编号规则、芯片功能标识、芯片系列标识、芯片代号和其他标识等。
这些规则使得海思芯片的命名具有一定的规律和可读性，方便用户理解和识别不同型号和系列的芯片。
通过了解和掌握这些命名规则，用户可以更好地选择和使用海思芯片，满足自己的需求和要求。