半导体元器件 分类
半导体器件基础课件(PPT-73页)精选全文完整版
有限，因此由它们形成的电流很小。
电子 技 术
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。
2、空间电荷区中内电场阻碍P 区中的空穴、N 区中的电子（
都是多子）向对方运动（扩散 运动）。
所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变。
电子 技 术
二、PN 结的单向导电性
电子 技 术
1. 1 半导体二极管的结构和类型
构成：实质上就是一个PN结
PN 结 + 引线 + 管壳 =
二极管(Diode)
+
PN
-
符号：P
N
阳极
阴极
分类：
按材料分 按结构分
硅二极管 锗二极管 点接触型 面接触型 平面型
电子 技 术
正极 引线
N 型锗片 负极 引线
外壳
触丝
点接触型
正极 负极 引线 引线
电子 技 术
半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。 自由电子在共价键以外的运动。 空穴在共价键以内的运动。
结论：
1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少。 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电。 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
电子 技 术
2、杂质半导体
+4
一、N 型半导体
电子 技 术
三、课程特点和学习方法
本课程是研究模拟电路（Analog Circuit）及其 应用的课程。模拟电路是产生和处理模拟信号的电路。 数字电路(Digital Circuit)的知识学习由数字电子技 术课程完成。
本课程有着下列与其他课程不同的特点和分析方 法。
电子 技 术
半导体元器件 分类
半导体元器件分类半导体元器件是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分，广泛应用于各种电子设备中。
根据其功能和特点的不同，半导体元器件可以分为多个类别。
一、二极管类二极管是最简单的半导体元器件之一，它具有单向导电性。
常见的二极管有正向导通二极管和反向截止二极管两种类型。
正向导通二极管可以将电流从正极导向负极，常用于整流电路、电源等应用中。
反向截止二极管则是只允许电流从负极导向正极，常用于保护电路、反向电压保护等场景。
二、晶体管类晶体管是一种用来放大和控制电流的半导体元器件。
常见的晶体管有三极管和场效应晶体管（FET）。
三极管可以放大电流和电压信号，广泛应用于放大电路、开关电路等。
场效应晶体管则是通过控制栅极电压来调节源极与漏极之间的电流，常用于电压放大、电源管理等场景。
三、集成电路类集成电路是将大量的半导体元器件和电路集成在一片芯片上的器件。
根据集成度的不同，集成电路可以分为小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）等。
集成电路具有体积小、功耗低和性能稳定等优势，已经成为现代电子技术的核心。
四、功率器件类功率器件是用于控制大电流和高电压的半导体元器件。
常见的功率器件有功率二极管、功率晶体管和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。
功率二极管适用于高频率和高电压的应用，功率晶体管适用于高频率和大功率的应用，而IGBT则结合了MOSFET和二极管的优点，适用于高电压和大电流的应用。
五、传感器类传感器是一种能够将物理量、化学量和生物量等转化为电信号的半导体元器件。
常见的传感器有温度传感器、压力传感器、湿度传感器、光敏传感器等。
传感器广泛应用于工业自动化、环境监测、医疗设备等领域，为各种智能设备提供了数据采集和监测功能。
六、存储器类存储器是用来存储和读取数据的半导体元器件。
常见的存储器有随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）等。
RAM可实现数据的随机读写，常用于计算机内存等应用中。
《常用半导体器件》课件
反向击穿电压：二极管在反向电压作用下， 能够承受的最大电压
开关速度：二极管从正向导通到反向截止 的时间
反向漏电流：二极管在反向电压作用下， 流过二极管的电流
噪声系数：二极管在信号传输过程中产生 的噪声大小
晶体管的特性参数与性能指标
输出电阻：ro，表示晶体管 输出端的电阻
频率特性：fT，表示晶体管 能够工作的最高频率
使用注意事项：在使用二极 管时，需要注意二极管的极 性，避免接反导致电路损坏
散热问题：在使用二极管时， 需要注意二极管的散热问题， 避免过热导致电路损坏
晶体管的选用与使用注意事项
晶体管类型：根据电路需求选择合适的晶体管类型，如NPN、PNP、 MOSFET等。
工作频率：选择工作频率满足电路需求的晶体管，避免频率过高导致晶 体管损坏。
06
半导体器件的选用与使 用注意事项
二极管的选用与使用注意事项
选用原则：根据电路要求选 择合适的二极管类型和参数
正向导通电压：选择二极 管时，需要考虑正向导通 电压与电路电压的匹配
反向耐压：选择二极管时， 需要考虑反向耐压与电路电 压的匹配
反向漏电流：选择二极管时， 需要考虑反向漏电流与电路 要求的匹配
稳定性： 指集成电 路在正常 工作状态 下的稳定 性能
集成电路 的封装形 式：包括 DIP、 QFP、 BGA等
集成电路 的应用领 域：包括 消费电子、 通信、汽 车电子等
场效应管的特性参数与性能指标
栅极电压：控制场效应管的导通和关断 漏极电流：场效应管的输出电流 输入阻抗：场效应管的输入阻抗高，可以减少信号损失 输出阻抗：场效应管的输出阻抗低，可以减少信号损失 开关速度：场效应管的开关速度快，可以减少信号损失 功耗：场效应管的功耗低，可以减少能源消耗
电子元器件基础知识(4)——半导体器件
电子元器件基础知识（4）——半导体器件一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
电气基础(半导体元器件)3
半导体器件
晶体管的种类很多,按照频率分，有高频管、低频管；按照功 率分，有小、中、大功率管；按用途不同分为放大管和开关管；按 照半导体材料分，有硅管、锗管等等。晶体管的符号如图所示：
硅管热稳定性好，多数为NPN型；锗管受温度 影响大，多数为PNP管。
半导体器件
• 2、三极管的电流放大作 IC 用
PN结的“正偏导通，反偏阻断”称为其单向 导电性质，这正是PN结构成半导体器件的基础。
半导体器件
• 3.2半导体二极管
1. 二极管的结构和类型
一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了 半导体二极管，简称二极管，接在P型半导体一侧的引出线称为阳 极；接在N型半导体一侧的引出线称为阴极。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管 PN 结面积很小，因而结电容小，适用于高频 几百兆赫兹下工作，但不能通过很大的电流。主要应用于小电流的 整流和高频时的检波、混频及脉冲数字电路中的开关元件等。 面接触型二极管PN结面积大，因而能通过较大的电流，但其结 电容也小，只适用于较低频率下的整流电路中。
（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置
iB>0，uBE>0，uCE≤uBE
iC iB
半导体器件
• 4、三极管的主要参数
1、电流放大倍数β ：iC= β iB 2、极间反向电流iCBO、iCEO：iCEO=（1+ β ）iCBO 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流 ICM：下降到额定值的2/3时所允 许的最大集电极电流。 （2）反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时，集电极、发射极间 的最大允许电压：基极开路时、集电极与发射极之间的最大允许 电压。为保证晶体管安全工作，一般应取：
半导体元器件分类
半导体元器件分类半导体元器件是现代电子技术中不可或缺的一部分，其种类繁多，根据其功能和应用可以分为多个分类。
本文将从不同角度介绍几种常见的半导体元器件分类。
一、按功能分类1. 整流器件整流器件是半导体元器件中最基本的一类，用于将交流电转换为直流电。
常见的整流器件有二极管、整流桥等。
二极管由P型和N型半导体材料组成，具有单向导电特性，广泛应用于电源、通信等领域。
2. 放大器件放大器件用于放大信号，常见的有三极管、MOS管等。
三极管是一种三极半导体器件，通过控制其输入电流，可以实现对输出电流的放大。
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，具有输入电阻高、功耗低等优点，在集成电路中应用广泛。
3. 开关器件开关器件用于控制电路的开关状态，常见的有可控硅、晶闸管等。
可控硅是一种具有双向导电特性的半导体器件，通过控制其触发电流，可以实现对电路的开关控制。
晶闸管是一种具有单向导电特性的半导体器件，广泛应用于电阻、电感、电容等元器件的控制电路。
二、按材料分类1. 硅基元器件硅基元器件是最常见的一类半导体元器件，由硅材料制成。
硅具有良好的电学性能和热学性能，广泛应用于电子器件中，如二极管、三极管、MOS管等。
2. 砷化镓基元器件砷化镓基元器件是一种新型的半导体元器件，由砷化镓材料制成。
砷化镓具有较高的电子迁移率和较宽的禁带宽度，适用于高频和高功率的应用，如功率放大器、射频开关等。
3. 硼化硅基元器件硼化硅基元器件是一种具有高温性能和较高电子迁移率的半导体元器件，适用于高温环境下的应用，如汽车电子、航空航天等领域。
三、按封装形式分类1. 无封装器件无封装器件是指直接将半导体芯片焊接在电路板上，没有外部封装。
无封装器件体积小、功耗低，适用于集成度较高的电子产品，如手机、平板电脑等。
2. 封装器件封装器件是指将半导体芯片封装在外壳中，以保护芯片并便于安装和连接。
常见的封装形式有直插式、贴片式、球栅阵列等。
不同的封装形式适用于不同的应用场景，如直插式适用于电子设备、贴片式适用于手机、电视等。
第一章常用半导体器件 (2)
Cb
• d
S
式中ε是介质常数，S是PN结的面积，d是PN结的宽度。
❖ 扩散电容Cd
Cd是PN结正向电压变化时， 多数载流子在扩散过程中积累 引起的。反向偏置时，以扩散 电容Cd为主。
PN结正偏时，多数载流子扩 散到对方成为对方区域中的“少 子” (称为“非平衡少子”）这 些少子在正偏电压变化时，也有 堆积与泄放的过程。
＋4
＋4
＋4
电流是电子电流和空穴电流之和，
(而导体只有自由电子导电)。
图 1.1.2 电子-空穴对的产生和空穴的移动
在本征半导体中不断地进行着激发与复合 两种相反的过程， 当温度一定时， 两种状态 达到动态平衡，即本征激发产生的电子-空穴对， 与复合的电子-空穴对数目相等，这种状态称为 动态平衡状态（热平衡）。 半导体中自由 电子和空穴的多少分别用浓度（单位体积中载 流子的数目）ni和pi来表示。处于热平衡状态 下的本征半导体，其载流子的浓度是一定的， 并且自由电子的浓度和空穴的浓度相等。
第一章 常用半导体器件
1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管
有关半导体的基本概念
• 本征半导体、杂质半导体 • 施主杂质、受主杂质 • N型半导体、P型半导体 • 自由电子、空穴 • 多数载流子、少数载流子
§ 1.1 半导体基础知识
自然界的物质按其导电能力可分为导体、半导 体和绝缘体三类。常用的半导体材料有硅（Si）和 锗（Ge）。半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。
1.2.4. 二极管的等效电路
(a)理想二极管
(b)正向导通时端电压为常量 (c)正向导通时端电压与电流成线性关系
图１．２．４由伏安特性折线化得到的等效电路
电子元器件分类
电子元器件分类 Last updated on the afternoon of January 3, 2021电子半导体元器件的种类介绍电子元器件的种类很多，而且新开发的产品也层出不穷，这里主要介绍一些最常用的电子元器件的种类和其分类方法。
电子元器件可以有很多种方法分类，每种方法考虑侧重点不同，下面举例说明。
例如，发光二极管（LED），可以归为类，又可以和数码管，LCD等归为显示器件类。
同时LED还可以和光耦器件等归为光电器件类。
另外光耦器件还可以和三极管，场效应管等归为晶体管类。
又例如压敏电阻可以归为电阻类元件，也可以归为保护类元件。
元器件分类，可以根据实际需求和实际情况来确定。
要考虑综合因素，同时考虑元器件关键特性及应用，生产技术，交流方便等综合因素，这样比较符合现实。
下面介绍常用电子元器件的分类。
PS大部分电子元器件都有插件和贴片的就不一一说明了！电阻类：插件薄膜（色环）电阻，金属膜电阻，金属氧化膜电阻，碳膜电阻，绕线电阻，水泥电阻，铝壳电阻，陶瓷片式电阻，热敏电阻，压敏电阻等。
电容类：铝电解电容，钽电容点电容，涤纶电容，聚丙烯薄膜电容，金属化聚丙烯薄膜电容，陶瓷电容，安规电容，抗EMI电容等。
电位器类：线绕电位器，导电塑料电位器，金属陶瓷电位器，碳膜电位器，微调电位器，面板电位器，精密电位器，直滑式电位器等。
磁性元件：绕线片式电感，叠层片式电感，轴向电感，色码电感，径向电感，环形电感，片式磁珠，插件式磁珠，工频变压器，音频变压器，开关电源变压器，脉冲信号变压器，射频变压器等。
开关类：滑动开关，波动开关，轻触开关，微动开关，钮子开关，按键开关，直键开关，旋转开关，拨码开关，薄膜开关等。
继电器：直流电磁继电器，交流电磁继电器，磁保持继电器，舌簧继电器，固态继电器等。
接插件：排针排母，欧式连接器，牛角连接器，简牛连接器，IDC连接器，XH连接器，VH链接器，D-SUB连接器，水晶头水晶座，电源连接器，插头插孔，IC座，射频链接器，光缆连接器，欧式接线端子，栅栏式接线端子，插拔式接线端子，轨道式接线端子，弹簧式接线端子，耳机插座插头，圆形裸端子等。
常用半导体器件
制造三极 管时应具 备的结构
特点
1.3.2 三极管的电流放大作用
• 1.三极管的工作条件
• 二极管的主要性能是单向导电性，三极管的主要 性能是具有电流放大作用。三极管具有放大作用 的外部条件是必须外加合适的偏置电压，使三极 管的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置 。
• 2.三极管的电流放大作用
本章小结
• 1.半导体具有热敏性、光敏性和掺杂性，因而成为制造电 子元器件的关键材料。
• 2.二极管是由一个PN结构成，其最主要的特性是具有单向 导电性，该特性可由伏安特性曲线准确描述。
• 3.特殊二极管主要有稳压二极管、发光二极管、光电二极 管等。
• 4.片状二极管具有体积小，形状规整，便于自动化装配的 特点，在目前的电子产品中广泛应用。
耗尽型MOS管的结构和符号
1.4.2 绝缘栅场效应管
• 2.N沟道耗尽型MOS管 • （2）工作原理
①工作条件
②放大作用
1.4.2 绝缘栅场效应管
• 2.N沟道耗尽型MOS管 • （3）特性曲线
N沟道耗尽型MOS管的特性曲线
1.4.3 场效应管使用注意事项
• 1.结型场效应管的栅源电压不能接反，因为它工 作在反偏状态。
稳压管的伏安特性曲线
稳压管的应用
• （2）稳压管的主要参数
• 稳定电压 • 稳定电流 • 最大稳定电流 • 耗散功率 • 动态电阻 • 温度系数k反映由温度变化而引起的稳定电压变化
。
• 2.发光二极管
• 发光二极管是一种把 电能变成光能的半导 体器件，由磷化镓、 砷化镓等半导体材料 制成，符号如图1-14 （a）所示，发光二 极管的种类按外形可 分为:圆形、方形等 。如图1-14（b）所 示。
第14章 半导体器件
14.2
PN结及其单向导电性
1.PN结的形成 2.PN结的单向导电性 3.PN结的伏安特性
PN结是构成半导体器件的核心结构。 PN结是指使用半导体工艺使N型和P型半导体结合处所 形成的特殊结构。 PN结是半导体器件的心脏。
PN结的形成
在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的 杂质，分别形成N型半导体和P型半导体。
半导体中的两种电流
1.漂移电流：由载流子的漂移运动形成的电流。 漂移运动：由电场力引起的载流子定向运动。 2.扩散电流：由载流子的扩散运动形成的电流。 扩散运动：由于载流子浓度不均匀（浓度梯度） 造成的运动。 以上2种电流的方向与载流子的方向有关。 空穴电流的方向与运动方向一致。 电子电流的方向与运动方向相反。
第14章 半导体器件
14.1 14.2 14.3 14.4 14.5 14.6 半导体的导电特性 PN结及其单向导电性 二极管 稳压二极管 双极型晶体管 光电器件
对于元器件，学习重点放在特性、参数、技术指 标和正确使用方法，不过于追究其内部机理。讨 论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况, 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的 近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义 的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标, 就不要过分追究精确的数值。工程上允许一定的 误差，可采用合理估算的方法。
14.1 半导体的导电特性
本征半导体 杂质半导体 半导体中的电流
物质按导电性能分类
导体（＞105） 绝缘体（ 10-22 ~10-14 ） 半导体，是指电阻率介于金属和绝缘体之间并有 负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率 约在10-9~ 102欧· 米之间，温度升高时电阻率指数 则减小。如硅、锗等，半导体之所以得到广泛应 用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的 影响十分显着。
第1章半导体元件及其特性
退出
注意： 注意： 半导体与导体不同， 半导体与导体不同，内部有两种载 流子参与导电——自由电子与空穴。在 流子参与导电 自由电子与空穴。 自由电子与空穴 外加电场的作用下， 外加电场的作用下，有： I=In（电子电流）+Ip（空穴电流） 电子电流） 空穴电流） 空穴导电的实质是价电子的定向移动！ 空穴导电的实质是价电子的定向移动！
这四个价电子不仅受自身原子核的束缚， 这四个价电子不仅受自身原子核的束缚，还受到相邻 原子核的吸引，从而形成了共价键结构，如下图所示： 原子核的吸引，从而形成了共价键结构，如下图所示： 价电子（热激发） 价电子（热激发） 自由电子-空穴对 自由电子 空穴对 复合 平衡
（1）温度越高，自由电子 空穴 ）温度越高，自由电子-空穴 对数目越多； 对数目越多； 空穴数目相等， （2）自由电子 空穴数目相等， ）自由电子-空穴数目相等 对外不显电性。 对外不显电性。 硅（锗）原子在晶体中的共价键排列
退出
1.1.1 半导体的特点
1.半导体的特点 半导体的特点 半导体是制造电子器件的主要原料， 半导体是制造电子器件的主要原料，它的广泛应用不是 因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间， 因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是它的电阻率 可以随温度、光照、杂质等因素的不同而呈现显著的区别。 可以随温度、光照、杂质等因素的不同而呈现显著的区别。
第 1 章
半导体元件及其特性
半导体基础知识与PN结 半导体基础知识与 结 二极管 晶体管 场效应管 本章小结
退出
1.1
半导体基础知识 PN结 与PN结
主要要求： 主要要求：
了解半导体材料的基本知识 了解半导体材料的基本知识 半导体 理解关于半导体的基本概念 理解关于半导体的基本概念 半导体 理解PN结的形成 理解PN结的形成 PN 掌握PN结的单向导电作用 掌握PN结的单向导电作用 PN
半导体电子元器件基本知识
半导体电子元器件基本知识四、光隔离器件光耦合器又称光电耦合器，是由发光源和受光器两部分组成。
发光源常用砷化镓红外发光二极管，发光源引出的管脚为输入端。
常用的受光器有光敏三极管、光敏晶闸管和光敏集成电路等。
受光器引出的管脚为输出端。
光耦合器利用电---光----电两次转换的原理，通过光进行输入与输出之间的耦合。
光耦合器输入与输出之间具有很高的绝缘电阻，可以达到10的10次方欧姆，输入与输出间能承受2000V以上的耐压，信号单向传输而无反馈影响。
具有抗干扰能力强、响应速度快、工作可靠等优点，因而用途广泛。
如在：高压开关、信号隔离转换、电平匹配等电路中。
光隔离常用如图：五、电容有电解电容、瓷片电容、涤纶电容、纸介电容等。
利用电容的两端的电压不能突变的特性可以达到滤波和平滑电压的目的以及电路之间信号的耦合。
电解电容是有极性的（有+、-之分）使用时注意极性和耐压。
电路原理图一般用C1、C2、C？等表示。
半导体二极管、三极管、场效应管是电路中最常用的半导体器件，PN结是构成各种半导体器件的重要基础。
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏、光敏、掺杂特性；根据掺入的杂质不同，可分为：N型半导体、P型半导体。
PN结是采用特定的制造工艺，使一块半导体的两边分别形成P型半导体和N型半导体，它们交界面就形成PN结。
PN结具有单向导电性，即在P端加正电压，N端接负时PN结电阻很低，PN结处于导通状态，加反向电压时，PN结呈高阻状态，为截止,漏电流很小。
一、二极管将PN结加上相应的电极引线和管壳就成为半导体二极管。
P结引出的电极称为阳极（正极），N结引出的电极称为阴极（负极），原理图中一般常用D1、D2、D？等表示。
二极管正向导通特性（死区电压）：硅管的死区电压大于0。
5V，诸管大于0。
1V。
用数字式万用表的二极管档可直接测量出正极和负极。
利用二极管的单向导电性可以组成整流电路。
将交流电压变为单向脉动电压。
电子元器件分类一览表
电子元器件分类一览表电子元器件分类一览表000一、半导体器件1 半导体分立器件发光体/发光二极管（LED) 光敏而/三极管整流桥可控硅电力半导体功率模块 IGBT(绝缘栅双极晶体管）VNOS 管（V形槽金属氧化物半导体）三极管二极管2 半导体集成电路光电器件显示器件（LCD/LED) 语音器件功率器件敏感器件电真空器件数字电位器储存器件数字逻辑器件可编程逻辑器件（PLD) 数字信号处理器件（DSP)电源管理器件信号调理器件数据转换器件通信接口器件导流管理器件外围接口器件单片机及其微处理器3 特殊功能的半导体恒流源锁相环晶体管阵列电源基准定时电路多路器模拟开关模拟计时电路滤波器4 其它器件其它电子管稳幅管稳流管稳压管固体放电管天线开关管灯塔管噪声管行波管反波管速调管微波气体放电管磁控管调制管大功率陶瓷发射管大功率玻璃发射管中小功率陶瓷发射管中小功率玻璃发射管框架栅小型管旁热式小型管直热式小型管二、电子元件片状电阻电阻衰减器光敏电阻热敏电阻力敏电阻湿敏电阻气敏电阻磁敏电阻压敏电阻等各种敏感电阻碳膜电阻器金属膜电阻器线绕电阻器合金箔电阻器合成膜电阻器微带电阻器氧化膜电阻器釉膜电阻器水泥电阻器排电阻器功率电阻器熔断电阻器实芯电阻器网络电阻器其他固定电阻器2 电容空气电容器真空电容器充气式电容器云母电容器独石电容器陶瓷电容器玻璃釉电容器有机薄膜电容器纸介电容器复合介质电容器液体介质电容器铝电解电容器铌电解电容器钽电解电容器电力电容器高压电容器网络电容器滤波电容器穿心电容器双电层电容器3 电感/线圈固定电感可变电感色码电感功率电感共模电感模压电感中周电感滤波电感扼流电感绕线电感叠层电感贴片电感晶片电感片式磁珠阻抗磁珠固定线圈可变线圈传输线圈空心线圈弹簧线圈自粘线圈贴片线圈感应线圈驱动线圈共模线圈磁头线圈扼流线圈振荡线圈偏转线圈4 电位器金属膜电位器金属氧化膜电位器合成碳膜电位器合成实芯电位器金属玻璃釉电位器线绕电位器块金属膜电位器带开关电位器单联电位器多联电位器锁紧型电位器非锁紧型电位器旋转式电位器直滑式电位器贴片式电位器光电电位器磁敏电位器电子电位器导电塑料电位器5 变压器低频变压器中频变压器高频变压器脉冲变压器空心变压器磁心变压器铁心变压器电源变压器音频变压器恒压变压器网络变压器电子变压器电力变压器三相变压器可控硅触发变压器换流变压器旋转变压器伺服变压器电磁继电器中间继电器干簧继电器舌簧继电器时间继电器固态继电器双金属片温度继电器光电继电器（光耦继电器）热敏继电器电热式继电器极化继电器汽车继电器信号继电器同轴继电器通信继电器光MOS继电器接触继电器功率继电器磁保持继电器高频继电器速度继电器真空继电器安全继电器水银继电器热继电器冲热继电器7 传感器流量传感器温度传感器电磁传感器电流传感器电量传感器颜色传感器光纤传感器声波传感器超声波传感器湿度传感器振动传感器陀螺仪光电传感器气体传感器液位传感器转速传感器速度传感器霍尔元件扭矩传感器压力传感器接近传感器位移传感器视觉/图像传感器热敏传感器水表传感器8 晶体石英晶体谐振器陶瓷谐振器石英晶体振荡器陶瓷振荡器石英晶体滤波器陶瓷滤波器表面贴装晶体谐振器表面贴装晶体谐振器表面贴装晶体振荡器恒温晶体振荡器温补晶体振荡器声表滤波器钟振压控晶振温控晶振鉴频器陷波器9 开关钮子开关波动开关波段开关拨动开关杠杆开关推动开关旋转开关按钮开关微动开关电源开关温控开关流量开关浮球开关调速开关薄膜开关负荷开关转换开关隔离开关接近开关组合开关行程开关压力开关光电开关墙壁开关倒顺开关限位开关脚踏开关遥控开关轻触开关空气开关霍尔开关键盘开关贴片开关声控开关编码开关录放开关舌簧开关跑偏开关10 电池/电源干电池蓄电池锂电池镍氢电池镍镉电池燃料电池太阳能电池充电电池手机电池纽扣电池电池组配件开关电池。
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半导体元器件分类
半导体元器件分类
一、引言
半导体元器件是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分。
它们广泛应用于各种电子设备中，包括计算机、手机、电视、汽车电子等。
本文将对半导体元器件进行分类，介绍其主要类型及特点。
二、分类一：二极管
二极管是最简单的半导体元器件之一。
它由P型和N型半导体材料组成，具有只允许单向电流通过的特性。
根据不同的用途和结构，二极管可以分为整流二极管、稳压二极管、光电二极管等。
1. 整流二极管：用于将交流电转换为直流电的元件。
它的特点是正向导通电压低、反向击穿电压高、反向电流小。
2. 稳压二极管：用于稳定电压的元件。
它的特点是具有较稳定的反向电压，可用于保护其他元器件免受过高电压的损害。
3. 光电二极管：将光能转化为电能的元件。
它的特点是在光照下产生电流，可应用于光电传感器、光通信等领域。
三、分类二：晶体管
晶体管是一种用于放大和控制电信号的半导体元件。
它由三层或多层半导体材料构成，根据结构和工作原理的不同，可以分为三极管、
场效应晶体管和双极性晶体管。
1. 三极管：由三个掺杂不同的半导体层组成，具有放大电信号的功能。
它的特点是输入电流小，输出电流大，可用于放大电流和开关电路。
2. 场效应晶体管：根据栅极电压的变化来控制电流的元件。
它的特点是输入电阻高，功耗低，可用于放大电压和开关电路。
3. 双极性晶体管：由P型和N型半导体材料构成，具有放大和开关功能。
它的特点是电流放大倍数高，可用于放大电流和开关电路。
四、分类三：集成电路
集成电路是在单个芯片上集成了多个电子元件的器件。
根据集成度和功能的不同，可以分为数字集成电路和模拟集成电路。
1. 数字集成电路：用于处理和传输数字信号的元件。
它的特点是逻辑门电路多，运算速度快，可用于计算机、手机等数字设备。
2. 模拟集成电路：用于处理和传输模拟信号的元件。
它的特点是放大器电路多，信号处理精度高，可用于音频、视频等模拟设备。
五、分类四：传感器
传感器是将物理量、化学量等转化为电信号的元件。
根据测量的物理量不同，可以分为温度传感器、压力传感器、光线传感器等。
1. 温度传感器：用于测量温度的元件。
它的特点是灵敏度高、测量范围广，可用于温度控制、环境监测等领域。
2. 压力传感器：用于测量压力的元件。
它的特点是精度高、反应速度快，可用于汽车、工业控制等领域。
3. 光线传感器：用于测量光线强度的元件。
它的特点是灵敏度高、响应速度快，可用于照明控制、光通信等领域。
六、总结
半导体元器件的分类多样，每种元器件都有各自的特点和应用领域。
了解不同类型的半导体元器件对于理解和应用电子技术至关重要。
希望本文对读者有所帮助，使其对半导体元器件有更深入的了解。