QT2晶体管图示仪使用操作方法
QT2晶体管测试仪.
仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 页码 8/6 KTD 操作指导书 A/0 被测管2012/05/22 生效日期二极管测试其主要的原理即使仪器提供一个被测管需要的正反二个方向的电压，并且通过 Y 电流/度及 X 电压/度的选择，使其在示波管上显示所要的测量值。
本仪器提供了二种测试手段，当反压小于 500V 电流小于 5mA 时，可在上述的三极管测试中，利用 C、E 二极进行正向和反向测试，当反压小于 500V 电流小于 5mA 时，可在专用的二极管测试插孔中进行测试。
在小于500V 二极管测试中电压极性也由测试选择开关进行转换，当置于“NPN”档二极管特性测试示波器取样电阻示波管操级时，其集电极插孔为正电压，置于“PNP”档级时，集电极插孔为负电压。
而在 3000V 二极管测试中其极性不变，可以通过二极管的测量端的变换达到极性的转换。
二极管的测试方法： 1. 通过二砐管的测试盒与仪器二极管测试孔相连，在特殊的情况下也可用合适的耐高作 B 8-1 B 8-2 图 B8-1 调压变压器 B8-2 高压变压器压线与插孔相连，被测管按面板所示的二极管极性与测试孔相连。
2. 3. 将集电极输出电压琴键按至 3000V 档级，此时并将峰值电压逆时针方向旋转至零。
示将 Y 电流/度置于 IB 范围内的合适档级，并将X 电压/度置于 UD 范围内的合适档级。
图(6 4．按入“测试”按钮，并徐徐缓慢升高峰值电压直至要求值或二极管击穿电流超过规定值的电压时止。
5．由于高压测试插孔中具有高压，因此在按入“测试”按钮时，切勿接确测试插孔的任一端。
变更履历标记日期编制审核备注：核准审核编制仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 功耗限制电阻页码 8/7 KTD 操作指导书 A/0 2012/05/22 生效日期场效应管的测试可根据需要对漏源电流(IDS，最大漏源电流(IDSM饱和漏源电流被测管示波管放大器 (IDSS夹断电压(VP跨导(ｇＭ，最大电源电压(BVDS等参数进行测试。
QT-2A型半导体管特性图示仪操作规程
三、使用说明
1.总体结构介绍（图一）
设 计 标准化 会 签 审 核
示波管
显示控制
集电极电源
测试座
偏转放大器
阶梯信号
2.面板控制键功能和说明（图二）
33
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40
四、测试应用举例
1.将需要测试的三极管插入测试座（三极管的引脚定义应与测试座上的E、B、C相对应），如图三。
测试二极管时，要将二极管按照极性插入高压测试座，再将高压测试座插入+、-测试端，如图四。
2. 打开QT-2A型半导体管特性图示仪的电源总开关（图二7），按入电源接通，电源接通发光管亮指示仪器通电工作。
3. 对示波管辉度、聚焦（图二2、3）进行调节，使光点聚成一清晰圆点。
4. 参照“表三”的项目设置检测参数
5. 查看对应元器件的半导体管特性曲线是否符合要求。
测试三极管、场效应管的连接方式测试二极管的连接方式
图三图四
五、技术支持及联系方式
上海新建仪器设备有限公司
联系电话：传真：
售后服务热线：传真：。
QT2晶体管特性图示仪操作规范
3.3使用仪器测试范例
3.3.11N4007测试：
3.3.1.1测VRM：将二极管测试盒插上仪器，将二极管对照仪器上的极性图示放入测试盒中。调节仪器参数：功耗电阻20KΩ，集电极输出电压选择5000V，X轴电压/度200V，Y轴电流/度500μA，极性选择NPN。测试：调节光点至显示屏位置以方便读数，按住“测试”按钮，慢慢将峰值电压从零调大（并使电压从左下方的零点开始），当电压调到1500V左右时直线下折，读出曲线转折点时的电压值1400V即为此二极管的耐压值。（注意：测试盒与仪器接口处有高压！）
3.3.2触发管DB3测试
测触发电压：将触发管的两端分别插入测试盒C孔和E孔。调节参数：功耗电阻20KΩ，集电极输出电压选择50V，X轴电压/度5V，Y轴电流/度50μA。测试：开关拨至相应测试端，慢慢调节峰值
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仪器作业指导书
QT2型晶体管特性图示仪
3.3.1.2测VF：将二极管的正极插入测试盒C孔，负极插入E孔。调节参数：功耗电阻1KΩ，集电极输出电压10V，X轴电压/度100mV，Y轴电流/度1mA，极性选择NPN，测试：开关拨至相应测试端（根据测试盒位置），慢慢调节峰值电压（并使电压从左下方的零点开始），当电压达到某一值时电流变大，读出曲线转折点呈直线处的电压值（0.7V左右）即为此二极管的正向压降。
3.1.3接通电源，将电源开关向右方向按动，开启仪器预热10分钟。
晶体管特性图示仪操作规程
二、二极管特性测试
1、通过二极管测试盒与仪器二极管测试孔相连， 在特殊情况下也可用合适的耐高压线与 此插孔相连，被测管按面板所示的二极管性与测试孔相连。 2、将集电极输出电压琴键按至 3000V 档级，此时并将峰值电压逆时针方向旋转到零。 3、将 Y 电流/度置于 ID 范围内的适合档级，并将 X 电压/度置于 UD 范围内的合适档级。 4、按“测试”按钮，并徐徐缓缓升高峰值电压直至所要求值（或二极管击穿电流超过规 定值电压）时止。 5、由于高压测试插孔中具有高压，因此在按“测试”按钮时，切勿接触测试插孔的任一 端。
操
编号：
作
规 程
制订日期：2
版次：A/000
晶体管特性图示仪操作规程
一． 测试前的开机与调节
1．开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯即发光，待预热十分钟后立即进行 正常测试。在必要时测量进线电压在 220V±10%D 的范围为宜。 2．调节辉度聚焦，辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清 晰满足测量要求为原则。 3．Y、X 移位 对 Y、X 移位旋钮置于中心位置，此时光点应根据 PNP、NPN 开关的选择处 于左下方或右上方。再调节移位旋钮使其在左下方或右下方实线部分的零点。 4．对 Y、X 校准将 Y、X 灵敏度分别进行 10 度校准，其方法将 Y（或 X）方式开关自“┴” 至“校准”此时光点或基线应有 10 度偏转，如超过或未达到时应进行增益调节（X/Y 调 节 W*1-10/1-110） 。] 5．阶梯调零: 阶梯调零的原理即将阶梯先在示波管上显示， 然后根据放在输入端接地所显示 的位置，于调节零电位器使基与放大器接地时重合即完成调零。 调节方法首先将 Y 偏转放大器置于基极电流或基极源电压档级，X 偏转放大器置于 U0 的 任意档级，将测试选择置于“NPN” ，电压档级置于“常态” ，阶梯幅度/级置于电压/级的 任意档，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值，此时即能调零,使第一根基线与 Y 偏转放大器“┴”时重合即完成了调零步骤。 6．电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平 衡方式将 Y 偏转放大器置于较高灵敏并档级使示波管显示电容性电流， 调节电容平衡旋钮 使其达到最小值即可。 7．集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将 V0 置于相对应 档级，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于 10%之间即正常，如 超过或小于述规定请检查进线电压（此时功耗限止电阻应等天 0） 。
QT2晶体管图示仪使用操作方法
QT2晶体管图示仪使用操作方法[说明书] QT2型晶体管图示仪作业指导书本文来自: 中国计量论坛作者: yilihe 查看3098 次QT2型晶体管图示仪作业指导书特别提示：由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。
一、使用前的注意事项：1、严格按照BOM上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM，集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；2、在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置；3、将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；4、对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；5、在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；6、在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下；电压档次10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流50A 10A 5A 0.5A 5MA 在进行50A（10A）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。
二、测试前的开机与调节：1、开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；2、调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；3、Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。
QT2晶体管图示仪使用方法介绍
QT2晶体管图示仪使用方法介绍Lab one QT2一、实验目的熟练掌握晶体管特性图示仪的使用方法，学会用晶体管特性图示仪测量半导体器件的静态参数。
在不损坏器件的情况下，测量半导体器件的极限参数。
二、晶体管特性图示仪测量半导体器件的工作原理1．概述YB4810型晶体管特性图示仪是一种用阴极射线示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器，尤其能在不损坏器件的情况下，测量其极限参数，如击穿电压、饱和压降等。
2．主要技术指标（1） Y轴偏转系数集电极电流范围为10μA/div~0.5A/div，分15档，误差不超过±5%；二极管反向漏电流0.2μA/div~5μA/div，分5档，2μA/div、5μA/div误差不超过±5%，1μA/div误差不超过±7%，0.5μA/div误差不超过±10%，0.2μA/div误差不超过±20%；外接输入为0.1V/div误差不超过±5%。
（2） X轴偏转系数集电极电压范围为0.1V/div~50V/div，分9档，误差不超过±5%；基极电压范围为0.1V/div~5V/div，分6档，误差不超过±5%；外接输入为0.05V/div误差不超过±7%。
（3）阶梯信号阶梯电流范围为0.1μA/级~50mA/级，分18档；1μA/级~50mA/级，误差不超过±5%，0.1μA/级误差不超过±7%；阶梯电压范围为0.05V/级~1V/级，分5档，误差不超过±5%；串联电阻10Ω、10KΩ、0.1MΩ，分3档，误差不超过±10%；每簇级数4~10级连续可调。
2．4集电极扫描电源、高压二极管测试电源其峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其中最大输出不低于下表：5V档0~5V 10A50V档0~50V 1A500V档0~500V 0.1A3kV档0~3kV 2mA功耗限制电阻0.5MΩ，分11档，误差不超过±10%。
QT2晶体管图示仪作业指导书
把峰值電壓調節器調至規定VCE測試電壓1.2倍左右。
g
把測試選擇開關打至測試的那邊。
5.5.3
測試
a
b
調好圖示儀后﹐一定要帶好手套或指套才可測試。
測試時﹐IB檔位根據IC顯示的是否符合測試的電流作調整﹐如果IC電流過大﹐把IB打至較小檔次﹔IC電流過小﹐把IB打至較大檔次。
c
當顯示的電壓值達不到VCE測試的電壓值﹐可降低功耗電阻值來調節。
5.4.2
圖示儀調整
a
先調試X軸﹐根據規格書最小耐壓﹐一般按除以5算出的
電壓值﹐把X軸打到VCE檔位上與其最接近檔位﹔
b
Y軸電流統一打到100uA或50uA的檔位上﹔
c
功耗電阻置于50K或100K檔位上﹔
d
峰值電壓打至超過最小耐壓1.2倍檔位上﹔
e
把峰值電壓調節器調至大于最小耐壓1.2倍電壓﹔
f
把測試選擇開關打至測試的那邊。
4.0
要求
4.1
測試前應了解對被測管的主要直流參數極限值（耗散功率Pcm,集電極電流Icm和反向擊穿電壓Bvcbo,Bvceo,Bvebo等）﹐測試時避免超過極限值而造成燒壞。
5.0
操作指導
5.1
開機
5.1.1
開機前將峰值電壓調節器逆時針方向調至零﹐將測試選擇開關置于“關”。
5.1.2
把台面清理干淨。
版本
修訂章節
修訂內容
日期
A
初版
2006/3/29
審核與批淮
製件人
江明霞
品管部
黃裕梅
工程部
葉學華
營運經理
肖興陽
正版
受控副本
非受控副本
1.0
QT2晶体管图示仪操作技巧
QT2晶体管图示仪操作指引一、晶体管图示仪测三极管的调试方法：耐压测试:500V以上的用高压档“5000V”.三极管C极接二极管测试座“＋”极,E极接二极管测试座“—”极,注意:用高压档测试必须按住“测试”键不放才可以调节峰值电压..测试没有固定的档位，所有的档位都能测只是低档位测试相对准确。
高档位测试误差大。
测试HFE值,以IB电流来定IC电流(即调节级族或档位,使IC电流达到规定值.)然后再计算。
β=I C/IB，即：（Y轴格数×档位读数）/（级族×级族档位数值）。
1、13005 测条件：晶体管图示仪设定。
C—E极间耐压VCEO:≥400V.Y=10MA. X=100V, 功耗电阻:10K 以上，输出电压:5000V. 零电流E—B极间耐压VEBO:≥9V .Y=1MA. X=5V, 功耗电阻:10K以上, 输出电压50V. 零电流饱和压降VCES≥0.5V,Y=200MA ,X=200MV, 幅度/级200MA, 输出电压10V , 功耗电阻:2Ω以下. 放大陪数HFE: Y=200MA ,X=1V 幅度/级=10MA , 级/族=5 , 功耗电阻:2Ω以下.2、13007 测条件：晶体管图示仪设定。
C—E极间耐压VCEO:≥400V. Y=10MA. X=100V, 功耗电阻:100K , 输出电压:5000V. 零电流E—B极间耐压VEBO:≥9V .Y=1MA. X=2V, 功耗电阻:10K以上, 输出电压50V. 零电流饱和压降VCES≥0.5V,Y=500MA ,X=200MV, 幅度/级50MA, 输出电压10V , 功耗电阻:2Ω以下. 放大陪数HFE: Y=200MA ,X=1V 幅度/级=10MA , 级/族=10, 功耗电阻:2Ω以下.。
QT2 晶体管特性图示仪 说明书
QT2晶体管特性图示仪（图示）简单介绍QT2晶体管特性图示仪由上海伊测电子专业代理，QT2可测量二极管、三极管的低频直流参数，最大集电极电流超过50A，能满足500VA以下器件的测试。
QT2晶体管特性图示仪的详细介绍QT2晶体管特性图示仪可测量二极管、三极管的低频直流参数，最大集电极电流超过50A，能满足500VA以下器件的测试。
本机附有高压测装置，可对5KV以下的二极管、三极管进行击穿电压及反向漏电脑测试。
其测试电流最高灵敏度可达0.5μ/div。
QT2晶体管特性图示仪的特性：三极管输出电压范围电流容量0～10V50A（脉冲阶梯）20A（平均值）0～50V 10A（平均值）0～100V 5A（平均值）0～500V 0.5A（平均值）二极管0～5KV 5mA（最大）QT2晶体管特性图示仪的基极阶梯信号阶梯电流1μA/级～200A/级，分17档阶梯电压0.05V级～1V/级，分5档阶梯波形正常（100%），脉冲（10～40%）QT2晶体管特性图示仪的Y轴偏转系数集电极电流1μA/div～5A/div，分21档二极管电流1μA/div～500A/div，分9档倍率×0.5QT2晶体管特性图示仪的X轴偏转系数集电极电压10mV/div～50mV/div，分12档二极管电流100V/div～500V/div，分3档QT2晶体管特性图示仪的一般性能有效显示面10×10div(1div=0.8cm)使用电源AC220V/50Hz视在功率约80VA约300VA(最大功率)外形尺寸300B×408H×520Dmm重量30kg以上PDF产品资料由维库仪器仪表网（）整合提供。
QT2晶体管特性图示仪操作规范
3.2仪器设置
3.2.1调节光度聚焦、辅助聚焦，将示波管会聚成一清晰的小光。
3.2.2Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。再调节移位旋钮使其在左上方或右上方实线部份的零点。
3.3.513003三极管测试
3.3.5.1测放大倍数HFE：将三极管按脚位要求插入相应的位置；集电极电压输出选择10V；极性选择NPN,(如是PNP型则需选择PNP)；功耗电阻200Ω，Y轴电流/度1MA,X轴电压/度1V,幅度级20UA,“输入”及“作用”开关选正常；阶梯10级。测试：开关拨至相应测试端，顺时针旋转“峰值电压”旋钮，逐渐加大；显示屏出现一组曲线，就是三极管特性曲线；IC读数：电流档位指数1000MA×Y轴格数4.5,IB读数：阶梯信号电流档指数20UA×簇数10,HFE计算公式：IC/IB=22.5。
3.3.6.2放大特性参考测试：被测管的D接C，G接B,S接E,功耗电阻0.1Ω，集电极电压选择10V,Y电流/度2A，X电压/度2V,幅度级1V,“输入”开关正常，“作用”开关单次；阶梯10级，顺时针旋转“峰值电压”旋钮，逐渐加大；按“单次”作用开关，显示屏出现一组曲线，就是此管的放大特性曲线；GM参考读数：电流档位指数2A×Y轴格数5格/幅度级1V×10级=1S（即为此管的跨导，但标称值为8.5，主要是仪器的基极驱动电压不够，曲线不能完全显示），ID电流为2A×Y轴格数5格=10A。
3.5.8在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下；
电压档级 10V 50V 100V 500V 5KV
QT2晶体管图示仪详细操作指引
18.95 MAX
15.70—16.1
3.00 12.88—13.28
1.00
7.38—10.38
BCE
1.17—1.37（3X）
0.70—0.80（3X）
2.34—2.74（3X）B C E
注： SEC13005
8.00——10.00 三极管检验附页。
底视图
2.20—2.60
0.45—0.60
注：以下为特别检验要求 1、安装孔尺寸、引脚尺寸及引脚间距。 2、器件型号为 SEC13005,器件品牌为 F。 3、生产至检验日不得超过 18 个月，查看
IB=0
VCEO≥400V
VEBO VCES
IE=1.0m A IC=1.0A
IC=0 IB=0.2A
VEBO≥9.0V VCES≤0.5V
HFE
IC=1.0A
VCE=5.0V
19≤HFE≤28
QT2 晶体管特性图视仪的设置与判断标准
测试
幅度
测试 功耗 输出 输入 测试
项 目 Y 轴 X 轴 / 级 级/秒 级/族 选 择 电 阻 电 压 开 关 条 件
IB= 0.4A
VCES≤1.0V
HFE
IC= 2.0A
VCE= 5.0V
15≤HFE≤28
QT2 晶体管特性图视仪的设置与判断标准
测试
幅度
测试 功耗 输出 输 入
项目 Y 轴
X轴 /
级 级/秒 级/族 选 择 电 阻 电 压
开关
测试 条件
合格 要求
VCEO
2mA/ 度
50V/度
/
/
/
NPN 100K 500V 零电流 X=8 格 Y≤5 格
晶体管图示仪使用方法
审核/日期----- 版次A/O批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次1/4QT2晶体管图示仪使用方法一、晶体管图示仪测试范围：三极管/二极管/场效应管/可控硅等。
二、使用方法：1、先将图示仪电源开关打开，十分钟后便可开始检测。
a、反向击穿电压的检测：Vcbo 集电极/基极间电压（发射极开路）Vebo 发射极/基极间电压（集电极开路）Vceo 集电极/发射极间电压（基极开路）Vcer 集电极/发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）Vces 集电极/发射极间电压（基极与发射极间短路）2、根据被测三极管的极性选择NPN/PNP 。
被测的BCE各极按照上表所示进行连接（开路可直接悬空）3、Y偏转放大器的电流/度（集电极电流）开关至于较小挡，无特殊要求一般置于100/uA度挡级。
4、X偏转放大器的电压/度U0根设定合适的挡。
5、无特殊要求将集电极功耗电阻至于10K~100K之间的任意挡级。
6、集电极电压至于合适的档级（根据被测管的参数而定），峰值电压初始为0 ，测试时按顺时针方向适当的加大。
7、读出数值并记录、比较，要求所测值必须大于晶体管额定值。
审核/日期------ 版次A/O批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次2/4QT2晶体管图示仪使用方法b、V CE----I C特性测试:(集、射极电压/集电极电流)1、根据集电极、基极的极性选择开关置于NPN/PNP，并将开关置于常态。
如基极需要反相时可置于“倒置”。
2、按照被测管的管脚CBE的排列对应插入测试盒中。
3、查看被测管的参数，将Y电流/度置于I C合适的档级，X电压/度置于U C合适档级。
4、选择A/B测试盒,并将开关置于所要测试的一边。
5、调整光标的位置，使其停在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点开始。
6、选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级的某一挡（一般至于较小挡级，再逐渐加大致要求值）。
7、选择合适的集电极功耗电阻，电阻值的确定可根据负载线的要求或保护被测管的要求选择。
晶体管特性图示仪 QT2 操作规程Microsoft Word 文档
晶体管特性图示仪态QＴ2 操作规程
一、测试前的开关与调节
二、各类晶体管的操作方法
三、注意事项
1、不要在放有易燃易爆品的地方使用仪器；
2、仪器特别是连接测试件的测试导线应远离强电磁场,以免对测量产生干拢;
３、打开电源前确保接好了保护地线以防电击,且应避免交流电的零线用作保护地线;
4、不要不接保护地线或不接保护地线，否则将造成潜在的电击伤害;
５、无保护地线和保险丝时请勿使用仪器;
6、仪器测试完毕、排除故障需打开仪器或更换保险丝前需切断电源和负载；
7、未经许可严禁取下仪器外壳和拆卸仪器的任何部件;
8、打开电源预热10分钟后仪器才可进入正常工作状态；
9、对被测管的的主要直流参数要熟悉了解,特别要了解该被测管的集电极最大允许耗散
功率Ｐcｍ，集电极对其它极的最大反向击穿电压,如BV CEO、ＢV CBO、ＢV CRＲ,集电极最大允许电流Iｃｍ等主要指标;
1０、在测试前首先将极性与被测管所需要的极性相同，即选择ＰNP或ＮPＮ的开关置于规定位置；
11、将集电极电压输出电压不应超出被测管允许的集电极电压,一般情况下将峰值电压
旋至零,防止被测管损坏；
1２、对被测管进行必要的估算,以选择合适的注入阶梯电流或电压,此估算的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率;
1３、在进行Ｉｃm的测试时，一般采用单次阶梯为宜，以免被测管被电流击穿；
14、在进行Io或I cｍ测试中,应根据集电极电压的实际情况,不应超过本仪器规定的最大
16、注意仪器保养，操作人员离开岗位必须断开仪器电源。
制定部门: 制定: 审核：核准：☆☆☆☆不是因为有希望才去努力，而是努力了，才能看到希望。
☆☆☆。
QT2晶体管图示仪使用操作指导书
QT2晶体管图示仪使用操作方法[说明书] QT2型晶体管图示仪作业指导书 QT2型晶体管图示仪 作业指导书特别提示： 由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。
一、 使用前的注意事项：1、 严格按照BOM上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM，集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；2、 在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置；3、 将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；4、 对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；5、 在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；6、 在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下； 电压档次 10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流 50A 10A 5A 0.5A 5MA 在进行50A（10A）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。
二、 测试前的开机与调节：1、 开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；2、 调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；3、 Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。
再调节移位旋钮使其在左下方或右止方实线部份的零点；4、 对Y、X校准：将Y、X灵敏度分别进行10度校准，其方法将Y（或X）方式开关自“I”至“校准”，此时光点或基线应有10度偏转，如超过或不到时应进行增益调节（ 调节W ）；5、 阶梯调零：阶梯调零的依据即将阶梯先在示波管上显示，然后根据方放大器输入端接地所显示的位置，再调节调零电位器使其与放大器接时时重合即完成调零； 调节方式前先将Y偏转放大器置于基级电流或基极源电压（即“ ”）档级，X偏转放大器置于UC的位置任意标级，将测试选择置于“NPN”， 置于“常态”，阶梯幅度/级置于电压/级的任何档级，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值，此时即能调零使第一根基线与Y偏转放大器“ ”的重合即完成了调零步骤；6、 电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平衡方式将Y偏转放大器置于较高灵敏度档级使示波管显示一电容性电流，调节电容平衡旋钮使其达到最小值即可；7、 集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将VC置于相对应档次，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于10%之间即正常（用普通电压表测量结果比规定值少10%左右）。
晶体管图示仪使用方法
根据晶体管交流输入电阻的定义
可以从输入特性曲线上估算出被测晶体管的输入电阻 rbe 。具体方法是：根据静态工作点的参数，在图示仪的曲线上确定静态工作点 Q 的位置，求出曲线在该点的斜率，（如图 1.2.6 所示）即 可 求 得 被 测 晶 体管在 Q 点处的 rbe 。
的大小，就反映了图示仪上所显示的输出特性曲线的疏密程度。
(6)“零电压”、“零电流”开关
此开关是对被测晶体管基极状态进行设置的开关。当测量管子的击穿电压和穿透电流时，都需要使被测管的基极处于开路状态。这时可以将该开关设置在“零电流”挡(只有开路时，才能保证电流为零)。当测量晶体管的击穿电流时，需要使被测管的基、射极短路，这时可以通过将该开关设置在“零电压”挡来实现。
根据所显示的正向特性曲线，可测试出被测二极管在某一电压ＶF下的正向电流Ｉ F ，正向直流电阻ＲF 和正向交流电阻 rF 等常用参数。
正向电流 ＩF ：如图1.2 .7 所示，对于不同的正向电压ＶF ，可从曲线上测出相应的正向电流ＩF 。
正向直流电阻 Ｒ F：ＶF 和 ＩF 的比值即为相应工作点处的正向直流电阻 ＲF 。
(3)“峰值电压范围”开关和“峰值电压％”旋钮
“峰值电压范围’’是5个挡位的按键开关。“峰值电压％”是连续可调的旋钮。它们的共同作用是用来控制“集电极扫描电压”的大小。不管“峰值电压范围”置于哪一挡，都必须在开始时将“峰值电压％”置于0位，然后逐渐小心地增大到一定值。否则容易损坏被测管。一个管子测试完毕后，“峰值电压％”旋钮应回调至零。
下面以 NPN 型三极管为例，说明具体的测试方法：
(3) 测量晶体管共射输出特性曲线及有关参数
将被测的晶体管 (如 3DG6 ) 插入测试台。将屏幕的光点调到屏幕的左下角。根据第 ( 2 ) 部分“主要旋钮的作用及选择”中的原则，将各旋钮置于适当的位置，即可在图示仪的屏幕上显示出如图 1.2.5 所示的晶体管输出特性曲线。根据输出特性曲线，可测试出晶体管的输出电阻 rce、电流放大倍数 β以及穿透电流ＩCEO。
QT2晶体管图示仪操作解释
QT2晶体管操作解释1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示：接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。
12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。
13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。
可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。
14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。
15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。
旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡IC标值×0.1，同时指示灯14亮.16. Y轴增益：校正Y轴增益。
17. X轴增益：校正X轴增益。
18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是：⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。
QT2晶体管图示仪使用操作指导书
QT2晶体管图示仪使用操作方法[说明书] QT2型晶体管图示仪作业指导书QT2型晶体管图示仪作业指导书特别提示：由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。
一、使用前的注意事项：1、严格按照BOM上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM，集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；2、在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置；3、将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；4、对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；5、在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；6、在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下；电压档次10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流50A 10A 5A 0.5A 5MA 在进行50A（10A）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。
二、测试前的开机与调节：1、开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；2、调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；3、Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。
再调节移位旋钮使其在左下方或右止方实线部份的零点；4、对Y、X校准：将Y、X灵敏度分别进行10度校准，其方法将Y（或X）方式开关自“I”至“校准”，此时光点或基线应有10度偏转，如超过或不到时应进行增益调节（调节W ）；5、阶梯调零：阶梯调零的依据即将阶梯先在示波管上显示，然后根据方放大器输入端接地所显示的位置，再调节调零电位器使其与放大器接时时重合即完成调零；调节方式前先将Y偏转放大器置于基级电流或基极源电压（即“”）档级，X偏转放大器置于UC的位置任意标级，将测试选择置于“NPN”，置于“常态”，阶梯幅度/级置于电压/级的任何档级，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值，此时即能调零使第一根基线与Y偏转放大器“”的重合即完成了调零步骤；6、电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平衡方式将Y偏转放大器置于较高灵敏度档级使示波管显示一电容性电流，调节电容平衡旋钮使其达到最小值即可；7、集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将VC置于相对应档次，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于10%之间即正常（用普通电压表测量结果比规定值少10%左右）。
晶体管特性图示仪操作指示
12.插座：此插座为二极管测量装置的测量插孔。
13.测试：此开关为输出控制按钮。
14.高压指示灯。
15.幅度/级：此开关为阶梯幅度的控制开关。
16.串联电阻：此开关控制阶梯信号至被测管前所串联的电阻大小。
17.级/秒：此开关为控制每一阶梯的时间。
18.100%占空比：此电位器为控制阶梯输出波形。
23.阶梯信号单次触发按钮，
24.电压/度：此开关为X轴放大器灵敏度的开关。
25.方式：此开关为显示方式开关。
26.移位：为控制光点的左右位移之用。
27.增益：为调解偏转水平放大器总增益之用。
28.电流/度：此开关为Y轴放大器灵敏度的开关。
29.方式：此开关为显示方式开关。
30.移位：为控制光点上下移动之用。
2.电源指示灯。
3.辉度：示波器亮度调节。
4.聚焦：示波器聚焦调节。
5.辅助聚焦：示波器辅助聚焦调节。
6.标尺亮度：示波器刻度片的灯光亮度控制。
7.电压档极开关：控制被测管测量范பைடு நூலகம்的开关。
8.保险线压：集电极扫描电源的保护装置。
9.阻值电压：此调节器为集电极扫描电源输出电压的微调之用。
10.功能限制电阻：此开关为串入集电极扫描电源输出与被测管输入之间的功能限制电阻。
测试方法：（面板所有按键设置好后）
打开盒盖，将二极管装入盒盖里的测试点（注意极性，因测试二极管的反向电压，所以二极管的极性要跟测试盒上的二极管符号相反连接。否则容易损坏仪器和管子）盖下盖子按下红色测试钮，慢慢顺时针方向调节，可变电压%旋钮到屏幕上出现类似图1的曲线为止，也可根据二极管反向击穿电压参考设定，从图中横坐标上的曲线长度读出反向击穿的电压值，得出二极管反向击穿电压值为1000V.
QT2晶体管图示仪使用方法介绍[终稿]
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QT2晶体管图示仪使用方法介绍[终稿] QT2晶体管图示仪使用方法介绍Lab one QT2一、实验目的熟练掌握晶体管特性图示仪的使用方法～学会用晶体管特性图示仪测量半导体器件的静态参数。
在不损坏器件的情况下～测量半导体器件的极限参数。
二、晶体管特性图示仪测量半导体器件的工作原理1(概述YB4810型晶体管特性图示仪是一种用阴极射线示波管显示半导体器件的各种特性曲线～并可测量其静态参数的测试仪器～尤其能在不损坏器件的情况下～测量其极限参数～如击穿电压、饱和压降等。
2(主要技术指标(1) Y轴偏转系数集电极电流范围为10μA/div~0.5A/div，分15档，误差不超过?5%;二极管反向漏电流0.2μA/div~5μA/div，分5档，2μA/div、5μA/div误差不超过?5%，1μA/div误差不超过?7%，0.5μA/div误差不超过?10%，0.2μA/div误差不超过?20%;外接输入为0.1V/div误差不超过?5%。
(2) X轴偏转系数集电极电压范围为0.1V/div~50V/div，分9档，误差不超过?5%;基极电压范围为0.1V/div~5V/div，分6档，误差不超过?5%;外接输入为0.05V/div误差不超过?7%。
(3) 阶梯信号阶梯电流范围为0.1μA/级~50mA/级，分18档;1μA/级~50mA/级，误差不超过?5%，0.1μA/级误差不超过?7%;阶梯电压范围为0.05V/级~1V/级，分5档，误差不超过?5%;串联电阻10Ω、10KΩ、0.1MΩ，分3档，误差不超过?10%;每簇级数4~10级连续可调。
2(4 集电极扫描电源、高压二极管测试电源其峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其中最大输出不低于下表:5V档 0~5V 10A50V档 0~50V 1A500V档 0~500V 0.1A3kV档 0~3kV 2mA功耗限制电阻0.5MΩ～分11档～误差不超过?10%。
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QT2 晶体管图示仪使用操作方法
［说明书］ QT2 型晶体管图示仪作业指导书本文来自: 中国计量论坛作者: yilihe 查看3098 次QT2 型晶体管图示仪作业指导书特别提示：由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。
一、使用前的注意事项：1、严格按照BOM 上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM ,集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；2、在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP 或NPN 的开关置于规定位置；3、将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；4、对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逢的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；
5、在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；
6、在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下；电压档次10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流50A 10A 5A 0.5A 5MA在进行50A （10A ）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。
二、测试前的开机与调节：1、开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；2、调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；3、Y、X 移位：对丫、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN ）或右上方（PNP）。
再调节移位旋钮使其在左下方或右止方实线部份的零点；4、对Y、X校准：将Y、X灵敏度分别进行10度校准，其方法将Y （或X）方式开关自“”至"校准"此时光点或基线应有10度偏转，如超过或不到时应进行增益调节（调节W ）；5、阶梯调零：阶梯调零的依据即将阶梯先在示波管上显示，然后根据方放大器输入端接地所显示的位置，再调节调零电位器使其与放大器接时时重合即完成调零；调节方式前先将Y偏转放大器置于基级电流或基极源电压（即“ 了档级，X偏转放大器置于UC的位置任意标级，将测试选择置于“NPN；置于“常态；阶梯幅度/级置于电压/级的任何档级，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值,此时即能调零使第一根基线与Y偏转放大器“”的重合即完成了调零步骤；6、电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平衡方式将Y偏转放大器置于较高灵敏度档级使示波管显示一电容性电流，调节电容平衡旋钮使其达到最小值即可；
7、集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将VC 置于相对应档次，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于10%之间即正常（用普通电压表测量结果比规定值少10%左右）。
三、测试：1 ⑴ 、若发射极VCE-IC特性（基极信号为变量）。
① 根据集电极基级的极性将测试选择开关置于NPN （此时集电极电压，基极电压均为正）或（PNP （此时集电极电压，基极电压均为负）并将“”开关置于常态，如基极需要反担时可置于“侄置；②被测管的；③将Y电流/度置于IC 合适档级，X电压/度置于UC合适档级；④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤ 集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方（NPN ）或右上方（PNP）的零点与零刻度线重合；⑥ 选择合适的阶梯幅度/级开关旋至电流/级较小档级，再逐渐加大至要求值；⑦ 选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可接负载的要求或保护被测管的要求进行选择；⑧ 观察显示的曲线（波形），并进行读数记录；（2）、其发射极IB-IC特性：① 根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级，并将“开关置于常态，如基极需要反向可置于侄置；② 被测管的CBE按规定进行连接；③ 将Y电流/度置于IC合适档级，W电压/度置于“”
的档级；④ 测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤ 集电极电压按要求值与功耗限制电阻进行调节（必要时将X电压/度置于UC 档级进行较精确的调节）；⑥ 将Y。
Y方式开关“调节零点位置；⑦ 选择合格的阶梯幅度/级开
关一般置于较小档级再逐渐加大至要求值；⑧ 对所显示的IB-IC 曲线（波形）进行观察记录，读取数据，并计算NFE 值：NFE=IC/IB IC=示波管刻度X档次读数IB=幅度/级X级数⑵、①反压特性测试及二极管特性测试：本②仪器可进行下列各种反向击穿电压测试，测试定义见有关半导体测试标准，测试接线请参见下表：VCBO 集电极基极间电压
（发射极开路）VEBO 发射极与基极间电压（集电极开路）VCEO 集电极与发射间电压（基极开路）VCER 集电极与发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）VCES集电极与发射间电压（基极与发射极短）①根据被测管的极性选择PNP、NPN的位置，是显示’PNP”位置寸，集电极电压为（-）极性，当置于“NPN ”位置寸，集电极电压为（=）极性；② 被测管的CBE接上表的连接方法进行连接；③Y偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级（一般100/UA 度档级）；④Q偏转放大器的电压/度置于UC合适的档级（视被测管的特性及集电极的电压输出值而定）；⑤ 将功
耗限制电阻置于较大档级（一般置于10K Q-100K Q之间）；⑥选择测试A、B的位置；⑦ 选择合适的电压档级，
峰值电压调为零，当测试时再按顺时针方向徐徐加大输出电压；2、本仪器提供了两种测试二极管特性的手段，当反压＜500V
电流＜5MA时可在上述的三极管测试中，利用C、E两端进行正向和反向测试，当电压＞500V电流＞5MA时, 可在专用的二极管测试扦孔进行测试。
在＜500V二极管测试中电压极性也由测试选择开关进行转换，当置于NPN ” 档级时，其集电极扦孔为正电压，置于“PNP”档极时，集电极扦孔为负电压，而在5000V二极管测试中其输出扦孔电压极性不变。
现将二极管测试部分的方法介绍如下：① 通过二极管测试盒与仪器二极管测试孔相连，被测管接面板所示的二极管极性与测试孔相连，＜500V用三极管测试的C、E孔与二极管相连；② 选择合适后电压档级，5KV时用二极管测试端测量，此时必先将峰值电压逆时针方向旋转至零；③ 半Y电流/度置于10范围内的合适档级，并将X电压/度置于UD范围内后合适档级；④ 按入’测试”按钮，（5KV测试时），并徐徐缓慢升高峰值电压直至要求值或二极管击穿电流超过规定值的电压时止；⑤ 对示波器所显示的曲线（波形）进行观察、读取、记录；⑥ 由于测试扦孔中具有高压，因此测试前后都必须将峰值电压调零，电压档按至最小档。
⑶、场效应管特性测试：场效应管的测试可根据需要对漏源电流（IDS），最大漏源电流（IDSM）饱和漏源电流（IDSS）夹断电压（VP）跨号（PM ）最大电源电压（BVDS ）等参数进行测试；① 根据P沟道或N沟道的具体管型分别将测试选择开关置于PNP或NPN，并将“”开关置于“倒置；必要时也可置于“常态；② 被测管的D接C、G接B、S接E；③将Y电流/度置于IC合适档级（实际为IDS值），X电压/度开关置于UC合适档级（实际为UDS值）；④ 测试A与测试B搬向被测管的一边;
⑤按照UDS要求值调节集电级峰值电压值，并调节使在左下方（N沟诞）或右上方（P沟诞）的示波器零刻度重合；
⑥选择合适的阶梯幅度/级开关置于电压/级较小档级再逐渐加大至要求值；⑦ 选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可按负载的要求或保护被测管的要求进行选择；⑧ 对所显示的VDS-ID 曲线波形进行读数或记录、观察；⑨ 如需要显示VGS-ID曲线可将X电压/度置于“”档级。
⑷、可控硅特性测试：可控硅的测②试可根据需要对正向阻断峰值电压（PEV），正向漏电流（IPF），反向阻断峰值电压（PRV）反向漏电流（IR），控制极可触发电压（VGT）,控制极可触发电流（IGE）正向电压降（VF）条参数进行测试。
① 将测试选择开关置于NPN，并将“”开关置于“常态；② 被测管的A接C、G接B、C接E；③将Y电流/度开关置于IC范围内的合适档级（实际为IF值）；X电压/度开关置于UD合格档级（实际上UA值）；④测试A与B搬向被测管的一边；⑤ 选择合适的功耗限制电阻（要求＞0 Q）,以免电流过大而使被测管烤坏；⑥ 按照VAC的要求值调节集电极峰值电压值,使显示值与右下方的零刻度重合；
⑦选择合适的阶梯幅度/级开关置于电压/级的较小档级，再逐渐加大至达到可触发点；⑧ 对显示的VA-IF 曲线（波形）进行观察、读取及记录；⑨ 如需要显示IGT-VGT曲线可将X电压/度置于VBE档级，Y电流/度置于“”档级。
以下例举各种正常与非正常曲线（波形）以你供参考：。